專利名稱：：拋光用組合物以及拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體布線工藝中、在對(duì)含有銅的導(dǎo)體層進(jìn)行拋光的用途中使用的拋光用組合物。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體布線工藝中，通常首先在具有槽的絕緣體層上依次形成阻擋層和導(dǎo)體層。然后，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光至少除去位于槽外的導(dǎo)體層的部&AA々k為lAtA、^乂士工AAHE!4J4分分)。專利文獻(xiàn)1-4中公開了導(dǎo)體層含有銅時(shí)，可在用于除去導(dǎo)體層的外側(cè)部分的拋光中使用的拋光用組合物。專利文獻(xiàn)1的拋光用組合物含有喹哪啶酸或苯并三唑等具有雜環(huán)的化合物、磺酸鹽(陰離子表面活性劑)等的表面活性劑、過(guò)硫酸銨或過(guò)氧化氫等的氧化劑、以及二氧化硅等磨粒。專利文獻(xiàn)2的拋光用組合物含有查哪咬酸或笨并三唑等具有雜環(huán)的化合物、乙炔二醇(非離子表面活性劑)等具有三鍵的表面活性劑、過(guò)硫酸銨或過(guò)氧化氫等氧化劑、以及二氧化硅等的磨粒，還根據(jù)需要進(jìn)一步含有十二烷基苯磺酸銨(陰離子表面活性劑)。專利文獻(xiàn)3的拋光用組合物含有HLB值為3-9的聚醚型非離子表面活性劑、HLB值為10-20的聚醚型非離子表面活性劑、以及磨粒。專利文獻(xiàn)4的拋光用組合物含有四唑化合物、甘氨酸等酸、氧化劑，還根據(jù)需要進(jìn)一步含有水溶性高分子或表面活性劑。至少具有以下兩種性能。(1)抑制由于位于槽中的導(dǎo)體層的部分(導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)部分)的除去而使導(dǎo)體層的上面的水平降低的、被稱為碟形凹陷現(xiàn)象的發(fā)生。(2)拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層的拋光速度高，即，拋光用組合物除去導(dǎo)體層的速度高。但是，專利文獻(xiàn)1-4的拋光用組合物并不能夠確實(shí)且充分地滿足上述這些要求性能，依然有改善的余地。專利文獻(xiàn)l日本特開2002-12854號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2002-256256號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2006-49709號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開2006-49790號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供在半導(dǎo)體布線工藝中，可更適合在拋光含有銅的導(dǎo)體層的用途中使用的拋光用組合物。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第1方面涉及一種拋光用組合物，其特征在于含有化學(xué)式R1-Y1或R1-X1-Y1所示的至少一種陰離子表面活性劑，其中R1表示烷基、烷基苯基或烯基，Xl表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯氧丙烯)基，Yl表示陰離子性官能團(tuán)，和化學(xué)式R2-X2所示、且HLB值為10-16的至少一種非離子表面活性劑，其中R2表示烷基，X2表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯氧丙烯)基，并且該拋光用組合物的pH為2-9。本發(fā)明第2方面涉及第1方面的拋光用組合物，其中，上述非離子表面活性劑的聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯.氧丙烯)基中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)為2-20。本發(fā)明第3方面涉及第1方面的拋光用組合物，其中，上述陰離子表面活性劑中的聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯氧丙烯)基中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)為6或以下。本發(fā)明第4方面涉及第1方面的拋光用組合物，其中，上述陰離子表面活性劑中的Y1是磺酸、羧酸、磷酸、亞磷酸、硫酸、亞硫酸或它們的鹽的殘基。本發(fā)明第5方面涉及第4方面的拋光用組合物，其中，上述Y1表示S03M1基或S04M1基，其中M1表示抗衡離子。本發(fā)明第6方面涉及第5方面的拋光用組合物，其中，上述M1為鉀陽(yáng)離子、銨陽(yáng)離子或胺類陽(yáng)離子。本發(fā)明第7方面涉及第1方面的拋光用組合物，其進(jìn)一步含有與上述陰離子表面活性劑不同的保護(hù)膜形成劑。本發(fā)明第8方面涉及第7方面的拋光用組合物，其中上述保護(hù)膜形成劑為苯并三峻或苯并三哇衍生物。本發(fā)明第9方面涉及第1或7方面的拋光用組合物，其進(jìn)一步含有氧化劑、刻蝕劑和/或磨粒。本發(fā)明第IO方面涉及第1方面的拋光用組合物，其中，使用該拋光用組合物進(jìn)行拋光后，拋光對(duì)象表面的水接觸角為60度或以下。本發(fā)明第11方面涉及一種對(duì)拋光對(duì)象進(jìn)行拋光的方法，其中，所述拋光對(duì)象是在具有槽的絕緣體層的上面設(shè)置含有銅的導(dǎo)體層而成的，導(dǎo)體層具有位于槽外的外側(cè)部分和位于槽中的內(nèi)側(cè)部分，該方法具備以下步驟使用預(yù)備拋光用組合物進(jìn)行拋光，除去導(dǎo)體層的外側(cè)部分的大半部分的步驟；和使用第l-10方面任一項(xiàng)的拋光用組合物作為與上述預(yù)備拋光用組合物不同的精拋光用組合物進(jìn)行拋光，除去導(dǎo)體層的外側(cè)部分的剩余部分的步驟，本發(fā)明第12方面涉及第11方面的對(duì)拋光對(duì)象進(jìn)行拋光的方法，其中，拋光后的拋光對(duì)象表面的水接觸角為60度或以下。發(fā)明效果本發(fā)明提供了在半導(dǎo)體布線工藝中，可更適合在拋光含有銅的導(dǎo)體層的用途中使用的拋光用組合物。圖l(a)~(d)是用于說(shuō)明半導(dǎo)體布線工藝的拋光對(duì)象的截面圖。圖2是用于說(shuō)明碟形凹陷的拋光對(duì)象的截面圖。具體實(shí)施方式以下說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案。首先，按照?qǐng)Dl(a)-圖l(d)說(shuō)明半導(dǎo)體布線工藝。半導(dǎo)體布線工藝通常包含以下步驟。首先，如圖l(a)所示，在半導(dǎo)體基板(圖示省略)上設(shè)置并具有槽11的絕緣體層12上依次形成阻擋層13和導(dǎo)體層14。阻擋層13是在導(dǎo)體層14形成之前、在絕緣體層12的上面形成，以覆蓋絕緣體層12的表面。阻擋層13的厚度比槽11的深度小。導(dǎo)體層14是在阻擋層13形成之后、在阻擋層13上形成，至少包埋槽ll。然后，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光至少將位于槽11外的導(dǎo)體層14的部分(導(dǎo)體層14的外側(cè)部分)和位于槽11外的阻擋層13的部分(阻擋層13的外側(cè)部分)除去。結(jié)果如圖l(d)所示，位于槽U中的阻擋層13的部分(阻擋層13的內(nèi)側(cè)部分)的至少一部分和位于槽11中的導(dǎo)體層14的部分(導(dǎo)體層14的內(nèi)側(cè)部分)的至少一部分殘留在絕緣體層12上。即，在槽11的內(nèi)側(cè)殘留有阻擋層13的一部分和導(dǎo)體層14的一部分。這樣，殘留在槽11內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體層14的部分發(fā)揮布線功能。通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光至少除去導(dǎo)體層14的外側(cè)部分和阻擋層13的外側(cè)部分時(shí)，首先如圖l(b)所示，導(dǎo)體層14外側(cè)部分的大半部分被除去。接著如圖l(c)所示，導(dǎo)體層14的外側(cè)部分的剩余部分被除去，以使阻擋層13的外側(cè)部分的上面露出。然后如圖l(d)所示，絕緣體層12的上面露出，同時(shí)阻擋層13的外側(cè)部分被除去，以獲得平坦的表面。本實(shí)施方案的拋光用組合物是導(dǎo)體層14含有銅這種半導(dǎo)體布線工藝中對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光中使用的，更具體地說(shuō)，特別適合在導(dǎo)體層14外側(cè)部分的大部分被除去后、在用于除去導(dǎo)體層14的外側(cè)部分的剩余部分的拋光中使用。本實(shí)施方案的拋光用組合物通過(guò)將規(guī)定量的陰離子表面活性劑和非離子表面活性劑與水混合來(lái)制備，以使得通過(guò)使用拋光用組合物進(jìn)行拋光后，拋光對(duì)象表面的水接觸角為60度或以下，優(yōu)選45度或以下，更優(yōu)選30度或以下。進(jìn)一步優(yōu)選與規(guī)定量的保護(hù)膜形成劑、氧化劑和刻蝕劑以及磨粒一起與水混合，制備成pH為2-9。因此，本實(shí)施方案的拋光用組合物含有陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑和水，優(yōu)選進(jìn)一步含有氧化劑、保護(hù)膜形成劑、刻蝕劑和磨粒。在中性至酸性的pH區(qū)域內(nèi)，本實(shí)施方案的拋光用組合物中所含的陰離子表面活性劑電吸附在導(dǎo)體層14的表面，具有形成保護(hù)膜的作用。在由中性至酸性的pH區(qū)域內(nèi)，含有銅的導(dǎo)體層14的表面電位為正。因此，陰離子表面活性劑的親水部分一陰離子基團(tuán)與導(dǎo)體層14的表面結(jié)合，陰離子表面活性劑的疏水部分位于與導(dǎo)體層14的表面相反的一側(cè)。因此，通過(guò)陰離子表面活性劑得到的保護(hù)膜的表面具有疏水性。在導(dǎo)體層14的表面通過(guò)陰離子表面活性劑形成保護(hù)膜，則導(dǎo)體層14的表面與磨粒之間的親和性降低，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度降低。結(jié)果，導(dǎo)體層14內(nèi)側(cè)部分的過(guò)量除去受到抑制，可抑制碟形凹陷的發(fā)生(參照?qǐng)D2)。拋光用組合物中所含的陰離子表面活性劑含有選自化學(xué)式R1-Y1或R1-X1-Y1所示的化合物的至少一種。其中Rl表示烷基、烷基苯基或烯基，XI表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯.氧丙烯)基，Yl表示陰離子性官能團(tuán)。上述Y1所示的陰離子性官能團(tuán)優(yōu)選磺酸、羧酸、磷酸、亞磷酸、疏酸、亞石克酸或它們的鹽的殘基。上述Y1所示的陰離子性官能團(tuán)更優(yōu)選表示S03M1基或S04M1基，其中Ml表示抗衡離子。抗衡離子M1例如為銨陽(yáng)離子，胺類陽(yáng)離子，以及鋰陽(yáng)離子、鈉陽(yáng)離子、鉀陽(yáng)離子等堿金屬陽(yáng)離子等，沒(méi)有特別限定。其中，從提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的角度考慮，優(yōu)選鉀陽(yáng)離子、銨陽(yáng)離子或胺類陽(yáng)離子，更優(yōu)選銨陽(yáng)離子或三乙醇胺陽(yáng)離子，最優(yōu)選銨陽(yáng)離子。拋光用組合物中的陰離子表面活性劑的含量與碟形凹陷的抑制和拋光速度密切相關(guān)。過(guò)少，則在導(dǎo)體層14的表面無(wú)法形成可較強(qiáng)抑制導(dǎo)體層14的過(guò)量拋光的足夠的保護(hù)膜，結(jié)果，碟形凹陷的發(fā)生可能未被較強(qiáng)抑制。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中陰離子表面活性劑的含量?jī)?yōu)選0.01g/L或以上，更優(yōu)選0.03g/L或以上，進(jìn)一步優(yōu)選0.05g/L或以上，更進(jìn)一步優(yōu)選0.08g/L或以上，最優(yōu)選O.lg/L或以上。另一方面，拋光用組合物中陰離子表面活性劑的含量過(guò)多時(shí)，則導(dǎo)體層14的表面過(guò)量形成保護(hù)膜，可能過(guò)于抑制導(dǎo)體層14的拋光。為了使拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度保持較高水平，優(yōu)選拋光用組合物中的陰離子表面活性劑的含量為10g/L或以下，更優(yōu)選5g/L或以下，進(jìn)一步優(yōu)選1g/L或以下，更進(jìn)一步優(yōu)選0.5g/L或以下，最優(yōu)選0.3g/L或以下。拋光用組合物中所含的陰離子表面活性劑含有化學(xué)式R1-X1-Y1所示化合物時(shí)，XI中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)與導(dǎo)體層14中布線邊緣部位的金屬腐蝕密切相關(guān)。過(guò)多，則布線邊緣部分可能發(fā)生被稱為狹縫的金屬腐蝕。從抑制布線邊緣部分的金屬腐蝕發(fā)生的角度考慮，XI中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)優(yōu)選為6或以下，更優(yōu)選為4或以下，最優(yōu)選2或以下。本實(shí)施方案的拋光用組合物中所含的非離子表面活性劑吸附于由上述陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有下述保護(hù)膜形成劑形成的保護(hù)膜的疏水表面，具有形成保護(hù)膜的作用。非離子表面活性劑的疏水性部分與由陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有下述保護(hù)膜形成劑形成的保護(hù)膜的疏水表面結(jié)合，非離子表面活性劑的親水性部分位于與由陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有下述保護(hù)膜形成劑形成的保護(hù)膜的疏水表面相反的一側(cè)。因此，在由陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有下述保護(hù)膜形成劑形成的保護(hù)膜的疏水表面上形成的、由非離子表面活性劑產(chǎn)生的保護(hù)膜的表面具有親水性。在由陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有下述保護(hù)膜形成劑形成的保護(hù)膜的疏水表面上形成由非離子表面活性劑形成的保護(hù)膜，則導(dǎo)體層14的表面與磨粒之間的親和性提高，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度提高。結(jié)果，抑制由于上述陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有下述保護(hù)膜形成劑的使用而導(dǎo)致的拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的過(guò)度降低。拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑含有選自化學(xué)式R2-X2所示、且HLB值為10-16的非離子表面活性劑的至少一種。其中R2表示烷基，X2表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯.氧丙烯)基。拋光用組合物中的非離子表面活性劑的含量與抑制拋光速度降低和碟形凹陷的抑制密切相關(guān)。其量過(guò)少時(shí)，可能無(wú)法較強(qiáng)地抑制導(dǎo)體層14拋光速度的過(guò)度降低。從更強(qiáng)地抑制導(dǎo)體層14的拋光速度的過(guò)度降低的角度考慮，拋光用組合物中非離子表面活性劑的含量?jī)?yōu)選為0.01g/L或以上，更優(yōu)選為0.05g/L或以上，進(jìn)一步優(yōu)選O.lg/L或以上，最優(yōu)選0.3g/L或以上。另一方面，拋光用組合物中的非離子表面活性劑的含量過(guò)多時(shí)，陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有下述保護(hù)膜形成劑產(chǎn)生的抑制碟形凹陷的作用減弱，結(jié)果可能容易發(fā)生碟形凹陷。另外，對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的拋光用組合物的能力卻可能降低。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中的非離子表面活性劑的含量?jī)?yōu)選為20g/L或以下，更優(yōu)選10g/L或以下，進(jìn)一步優(yōu)選5g/L或以下，最優(yōu)選3g/L或以下。本實(shí)施方案的拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑具有霧點(diǎn)這樣的物理參數(shù)。該霧點(diǎn)與拋光用組合物的腐蝕作用的強(qiáng)度密切相關(guān)。拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑的霧點(diǎn)過(guò)高時(shí)，拋光用組合物的腐蝕作用可能過(guò)強(qiáng)。從抑制拋光用組合物的腐蝕作用過(guò)強(qiáng)的角度考慮，拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑的霧點(diǎn)優(yōu)選為90。C或以下，更優(yōu)選50。C或以下，最優(yōu)選35。C或以下。拋光用組合物中所含的非離子表面活性劑中，X2中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)與非離子表面活性劑對(duì)水的溶解性密切相關(guān)。其過(guò)少時(shí)，非離子表面活性劑難以溶解于水。從提高非離子表面活性劑對(duì)水的溶解性角度考慮，X2中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)優(yōu)選為2或以上，更優(yōu)選為3或以上。另一方面，拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑中，X2中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)過(guò)多時(shí)，導(dǎo)體層14中的布線邊緣部分可能發(fā)生金屬腐蝕。從抑制布線邊緣部分金屬腐蝕的發(fā)生的角度考慮，X2中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)優(yōu)選為20或以下，更優(yōu)選15或以下，最優(yōu)選10或以下。拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑的HLB值與抑制拋光速度降低和抑制碟形凹陷密切相關(guān)。其過(guò)低時(shí)，無(wú)法較強(qiáng)地抑制導(dǎo)體層14拋光速度的過(guò)度降低。從更強(qiáng)地抑制導(dǎo)體層14拋光速度的過(guò)度降低角度考慮，拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑的HLB值優(yōu)選為10或以上，更優(yōu)選10.5或以上，進(jìn)一步優(yōu)選ll或以上，最優(yōu)選11.5或以上。而拋光用組合物中含有的非離子表面活性劑的HLB值過(guò)高時(shí)，陰作用減弱，結(jié)果4能容易發(fā)生碟形凹陷:從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中非離子表面活性劑的HLB值優(yōu)選為16或以下，更優(yōu)選15或以下，進(jìn)一步優(yōu)選14或以下，最優(yōu)選13.5或以下。非離子表面活性劑的HLB值例如可通過(guò)格里芬法求出。本實(shí)施方案的拋光用組合物優(yōu)選進(jìn)一步含有與上述陰離子表面活性劑不同的保護(hù)膜形成劑。保護(hù)膜形成劑吸附于導(dǎo)體層14的表面，具有形成保護(hù)膜的作用。該保護(hù)膜形成劑形成的保護(hù)膜的表面具有疏水性。在導(dǎo)體層14的表面形成由保護(hù)膜形成劑形成的保護(hù)膜，則導(dǎo)體層14的表面與磨粒之間的親和性降低，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度降低，結(jié)果，導(dǎo)體層14內(nèi)側(cè)部分的過(guò)量除去受到抑制，可抑制碟形凹陷的發(fā)生。拋光用組合物中包含的保護(hù)膜形成劑可以是苯并三唑或苯并三唑衍生物。苯并三唑衍生物是與苯并三唑的五元環(huán)結(jié)合的氫原子被其它原子團(tuán)取代所得。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中含有的保護(hù)膜形成劑優(yōu)選為苯并三唑。由笨并三唑形成的保護(hù)膜是苯并三唑的五元環(huán)部分與導(dǎo)體層14的表面結(jié)合，苯并三唑的苯環(huán)部分位于與導(dǎo)體層14表面相反的一側(cè)，結(jié)果，表面具有疏水性。苯并三唑衍生物形成的保護(hù)膜是苯并三唑衍生物的五元環(huán)部分與導(dǎo)體層14的表面結(jié)合，苯并三唑衍生物的苯環(huán)部分位于與導(dǎo)體層14的表面相反的一側(cè)，結(jié)果，表面具有疏水性。拋光用組合物中的保護(hù)膜形成劑的含量與碟形凹陷的抑制和拋光速度密切相關(guān)。其過(guò)少時(shí)，在導(dǎo)體層14的表面無(wú)法形成足以較強(qiáng)抑制導(dǎo)體層14的過(guò)量拋光的保護(hù)膜，結(jié)果，可能無(wú)法抑制碟形凹陷發(fā)生。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中的保護(hù)膜形成劑的含量?jī)?yōu)選為0.001g/L或以上，更優(yōu)選0.01g/L或以上。另一方面，拋光用組合物中的保護(hù)膜形成劑的含量過(guò)多時(shí)，導(dǎo)體層14的表面過(guò)量形成保護(hù)膜，導(dǎo)體層14的拋光可能過(guò)于受到抑制。為了使拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度保持高水平，拋光用組合物中的保護(hù)膜形成劑的含量?jī)?yōu)選為1g/L或以下，更優(yōu)選0.2g/L或以下。本實(shí)施方案的拋光用組合物優(yōu)選進(jìn)一步含有氧化劑。氧化劑具有氧化導(dǎo)體層14的作用，發(fā)揮提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的作用。拋光用組合物中含有的氧化劑可以是過(guò)氧化氫以及過(guò)疏酸銨等過(guò)氧化物。從降低來(lái)自氧化劑的對(duì)導(dǎo)體層14的金屬污染的角度考慮，優(yōu)選過(guò)氧化氫。拋光用組合物中的氧化劑的含量過(guò)少時(shí)，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度不會(huì)較大提高。從更大幅提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的角度考慮，拋光用組合物中的氧化劑含量?jī)?yōu)選為1g/L或以上，更優(yōu)選3g/L或以上，最優(yōu)選5g/L或以上。而拋光用組合物中的氧化劑含量過(guò)多時(shí)，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光能力過(guò)高，可能容易發(fā)生碟形凹陷。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中的氧化劑含量?jī)?yōu)選為30g/L或以下，更優(yōu)選20g/L或以下，最優(yōu)選15g/L或以下。本實(shí)施方案的拋光用組合物優(yōu)選進(jìn)一步含有刻蝕劑?？涛g劑具有刻蝕導(dǎo)體層14的作用，發(fā)揮提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的作用。拋光用組合物中含有的刻蝕劑可以是甘氨酸或丙氨酸、纈氨酸等a-氨基酸。從更大幅提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的角度考慮，優(yōu)選甘氨酸。拋光用組合物中的刻蝕劑的含量過(guò)少時(shí)，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度不會(huì)大幅提高。從更大幅提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的角度考慮，拋光用組合物中的刻蝕劑的含量?jī)?yōu)選為0.5g/L或以上，更優(yōu)選lg/L或以上，進(jìn)一步優(yōu)選3g/L或以上，最優(yōu)選5g/L或以上。而拋光用組合物中的刻蝕劑含量過(guò)多時(shí)，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光能力過(guò)高，可能容易發(fā)生碟形凹陷。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中的刻蝕劑的含量?jī)?yōu)選為50g/L或以下，更優(yōu)選30g/L或以下，進(jìn)一步優(yōu)選20g/L或以下，最優(yōu)選15g/L或以下。本實(shí)施方案的拋光用組合物優(yōu)選進(jìn)一步含有磨粒。磨粒擔(dān)負(fù)著機(jī)械拋光導(dǎo)體層14的作用，發(fā)揮提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的作用。拋光用組合物中含有的磨?？梢允嵌趸?。從降低拋光后導(dǎo)體層14表面缺陷的角度考慮，優(yōu)選膠體二氧化硅。拋光用組合物中的磨粒含量過(guò)少時(shí)，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度不會(huì)大幅提高。從更大幅提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的角度考慮，拋光用組合物中的磨粒含量?jī)?yōu)選為0.5g/L或以上，更優(yōu)選lg/L或以上，最優(yōu)選5g/L或以上。而拋光用組合物中磨粒的含量過(guò)多時(shí)，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光能力過(guò)高，可能容易發(fā)生碟形凹陷。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物中的磨粒的含量?jī)?yōu)選為100g/L或以下，更優(yōu)選50g/L或以下，最優(yōu)選20g/L或以下。拋光用組合物中含有的磨粒的平均一次粒徑過(guò)小時(shí)，拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度不會(huì)大幅提高。從更大幅提高拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度的角度考慮，拋光用組合物中含有的磨粒的平均一次津立徑優(yōu)選為3nm或以上，更優(yōu)選5nm或以上，最優(yōu)選8nm或以上。而拋光用組合物中含有的磨粒的平均一次粒徑過(guò)大時(shí)，拋光用組合物中磨粒容易沉降。從防止磨粒沉降的角度考慮，拋光用組合物中含有的磨粒的平均一次粒徑優(yōu)選為200nm或以下，更優(yōu)選100nm或以下，最優(yōu)選50nm或以下。磨粒的平均一次粒徑可由磨粒的比表面積計(jì)算，該磨粒的比表面積通過(guò)BET法測(cè)定。本實(shí)施方案的拋光用組合物的pH與陰離子表面活性劑對(duì)導(dǎo)體層14的表面的吸附作用密切相關(guān)。為了使該吸附作用適當(dāng)發(fā)揮作用，要求拋光用組合物的pH為中性附近至酸性。但是，拋光用組合物的pH為強(qiáng)酸性區(qū)域時(shí)，發(fā)生強(qiáng)烈的碟形凹陷，拋光用組合物的pH必須為2或以上。從更強(qiáng)地抑制碟形凹陷的發(fā)生的角度考慮，拋光用組合物的pH優(yōu)選為4或以上，更優(yōu)選6或以上。另一方面，拋光用組合物的pH為堿性區(qū)域時(shí)，拋光用組合物中的刻蝕劑容易隨時(shí)間而發(fā)生分解，拋光用組合物的貯存期大幅降低。因此拋光用組合物的pH必須為9或以下。拋光用組合物的pH超過(guò)9，可能妨礙陰離子表面活性劑形成保護(hù)膜。從更提高拋光用組合物的貯存期的角度考慮，拋光用組合物的pH優(yōu)選為8.5或以下，更優(yōu)選8或以下。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種對(duì)拋光對(duì)象進(jìn)行拋光的方法，其中，所述拋光對(duì)象是在具有槽的絕緣體層的上面設(shè)置含有銅的導(dǎo)體層而形成的，導(dǎo)體層具有位于槽外的外側(cè)部分和位于槽中的內(nèi)側(cè)部分，該方法具備以下步驟使用預(yù)備拋光用組合物進(jìn)行拋光，除去導(dǎo)體層的外側(cè)部分的大半部分的步驟；和使用本實(shí)施方案的拋光用組合物作為與上述預(yù)備拋光用組合物不同的精拋光用組合物進(jìn)行拋光，除去導(dǎo)體層的外側(cè)部分的剩余部分的步驟。根據(jù)本實(shí)施方案，可荻得以下優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)施方案的拋光用組合物含有陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有保護(hù)膜形成劑作為抑制碟形凹陷的發(fā)生的功能的成分，同時(shí)含有非離子表面活性劑作為發(fā)揮抑制由于陰離子表面活性劑或者進(jìn)而還有保護(hù)膜形成劑的使用而導(dǎo)致的拋光用組合物對(duì)導(dǎo)體層14的拋光速度過(guò)度降低的功能的成分。因此，本實(shí)施方案的拋光用組合物可以滿足碟形凹陷有關(guān)的要求性能和拋光速度有關(guān)的要求性能兩者。因此，本實(shí)施方案的拋光用組合物可適合在半導(dǎo)體布線工藝中在對(duì)導(dǎo)體層14進(jìn)行拋光的用途中使用。根據(jù)本實(shí)施方案的拋光方法，拋光后的拋光對(duì)象表面的水接觸角為60度或以下，優(yōu)選45度或以下，更優(yōu)選30度或以下。因此，根據(jù)本實(shí)施方案的拋光用組合物，對(duì)于拋光對(duì)象的表面與磨粒之間的親和性，顯示可滿足碟形凹陷有關(guān)的要求的性能和拋光速度有關(guān)的要求性能兩者的性質(zhì)。上述實(shí)施方案也可進(jìn)行如下變更。上述實(shí)施方案的拋光用組合物可通過(guò)在使用前將濃縮原液進(jìn)行稀釋來(lái)制備。上述實(shí)施方案的拋光用組合物可根據(jù)需要添加pH調(diào)節(jié)劑或防腐劑、消泡劑等公知的添加劑。下面采用兩類例子對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例和比較例進(jìn)行說(shuō)明。例1將陰離子表面活性劑、保護(hù)膜形成劑、非離子表面活性劑、氧化劑、刻蝕劑、磨粒和pH調(diào)節(jié)劑與水適當(dāng)混合，制備實(shí)施例1-1~1-26和比較例1-1-1-10的拋光用組合物。各拋光用組合物中的陰離子表面活性劑、保護(hù)膜形成劑、非離子表面活性劑、氧化劑、刻蝕劑、磨粒和pH調(diào)節(jié)劑的詳細(xì)內(nèi)容以及各拋光用組合物的pH如表1-1和表I-2所示。表1-1和表1-2的"拋光速度"欄表示使用實(shí)施例1-1~1-26和比較例1-1~1-10的拋光用組合物，將直徑為200mm的覆銅晶片在表I-3所示的拋光條件下進(jìn)行拋光時(shí)得到的拋光速度。拋光速度通過(guò)將拋光前后的各晶片的厚度差除以拋光時(shí)間求出。晶片的厚度測(cè)定使用國(guó)際電氣系統(tǒng)服務(wù)抹式會(huì)社的薄膜電阻測(cè)定儀"VR-120"。表1-1和表1-2的"碟形凹陷"欄表示使用實(shí)施例1-1~1-26和比較例1-1~1-10的拋光用組合物進(jìn)行拋光的SEMATEC公司制備的銅圖案化晶片(854掩模圖案)測(cè)定碟形凹陷量的結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，SEMATEC公司的銅圖案化晶片是在具有槽的二氧化硅制的絕緣體層上依次設(shè)置鉭制的阻擋層和厚度為1000nm的銅制的導(dǎo)體層而成，其上面具有深度為500nm的初期凹部。在用實(shí)施例1-1~1-26和比較例1-1~1-10的拋光用組合物對(duì)該銅圖案化晶片進(jìn)行拋光之前，使用林式會(huì)社7v《一^:/卜'的拋光材料"PLANERLITE-7105"，在表1-3所示的拋光條件下進(jìn)行預(yù)備拋光，使導(dǎo)體層的厚度達(dá)到300nm。接著，使用實(shí)施例1-1~1-26和比較例1-1-1-10的拋光用組合物，在表I-3所示的拋光條件下對(duì)進(jìn)行了預(yù)備拋光后的銅圖案化晶片進(jìn)行拋光，直至阻擋層的上面露出。然后使用少一工/k工一.亍》3—^公司制造的接觸式表面測(cè)定裝置:/口77*4，"HRP340",在孤立形成100pm寬的槽的各晶片的區(qū)域測(cè)定碟形凹陷量。表1-1和表1-2的"貯存期"一欄表示對(duì)實(shí)施例1-1-1-26和比較例I-1~1-10的拋光用組合物的貯存期進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，分別使用剛制備的實(shí)施例1-1-1-26和比較例1-1~1-10的拋光用組合物，以及制備后在25。C的恒溫槽中靜置14天的實(shí)施例1-1-1-26和比較例1-1~1-10的各拋光用組合物，按照表1-3所示的拋光條件對(duì)覆銅晶片進(jìn)行拋光。通過(guò)拋光前后各晶片厚度的差除以拋光時(shí)間來(lái)計(jì)算拋光速度，根據(jù)剛制備的拋光用組合物的拋光速度和25。C下保存14天的拋光用組合物的拋光速度進(jìn)行的比較，對(duì)各拋光用組合物的貯存期進(jìn)行評(píng)價(jià)。"貯存期，，欄中，O(良)表示拋光速度的降低率為5%或以下，厶(稍有不良)表示拋光速度的降低率為5~10%，x(不良)表示拋光速度的降低率為10%或以上。表1-1和表1-2的"腐蝕性"一欄表示對(duì)實(shí)施例1-1-1-26和比較例I-1~1-10的拋光用組合物的腐蝕作用強(qiáng)度進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，對(duì)使用實(shí)施例1-1-1-26和比較例1-1-1-10的拋光用組合物進(jìn)行拋光的SEMATEC公司制造的銅圖案化晶片中0.25pm寬布線的布線邊緣部分，使用日立,、4^夕乂口>一7>司制造的k匕'-一SEMRS-400,觀察是否有腐蝕。根據(jù)該觀察結(jié)果，對(duì)各拋光用組合物的腐蝕作用的強(qiáng)度進(jìn)行評(píng)價(jià)。"腐蝕性"欄中，O(良)表示未見(jiàn)到腐蝕，x表示可見(jiàn)到腐蝕。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表I-1和表I-2的"陰離子表面活性劑"欄中，Al表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為2的聚氧乙烯月桂基醚硫酸銨，A2表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為1.5的聚氧乙烯月桂基醚硫酸三乙醇胺，A3表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為2的聚氧乙烯月桂基醚磺酸銨，A4表示月桂基磺酸銨，A5表示月桂基苯磺酸銨，A6表示月桂基硫酸銨。表1-1和表1-2的"保護(hù)膜形成劑"欄中，Bl表示苯并三唑。表I-1和表I-2的"非離子表面活性劑"欄中，Cl表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為7的聚氧乙晞烷基醚，C2表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為4.2的聚氧乙烯月桂基醚，C3表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為9的聚氧乙烯月桂基醚，C4表示乙炔二醇，C5表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為30的聚氧乙烯月桂基醚，C6表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為2的聚氧乙烯月桂基醚。聚氧乙烯烷基醚中的烷基的碳原子數(shù)為12-14。表1-1和表1-2的"氧化劑"欄中，Dl表示過(guò)氧化氬。表1-1和表1-2的"刻蝕劑"欄中，El表示甘氨酸。表1-1和表1-2的"磨粒"欄中，F(xiàn)l表示膠體二氧化硅。表1-1和表1-2的"pH調(diào)節(jié)劑"欄中，Gl表示氫氧化鉀，G2表示硝酸。_拋光機(jī)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>公司制造的單面CMP用拋光機(jī)Mirra拋光墊口一厶7*》卜'"一只公司制造的聚氨酯層合墊KM000/SubaIV拋光壓力2psi(-約13.8kPa)平臺(tái)轉(zhuǎn)數(shù)100rpm拋光用組合物的供應(yīng)速度200ml/分鐘支座轉(zhuǎn)數(shù)100rpm_如表I-1和表I-2所示，實(shí)施例1-1~1-26中，拋光速度、碟形凹陷、貯存期和腐蝕性均得到了可滿足實(shí)際應(yīng)用的結(jié)果。與此相對(duì)，比較例1-1~1-10中，拋光速度、碟形凹陷和貯存期其中至少一項(xiàng)未得到可滿足實(shí)用的結(jié)果。比較例I-1、1-4、1-5、1-7、1-11和1-13的"碟形凹陷"欄、"貯存期"欄以及"腐蝕性"欄的連字符(-)表示拋光速度過(guò)低，不能測(cè)定或評(píng)價(jià)。例2將陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑、保護(hù)膜形成劑、氧化劑、刻蝕劑、磨粒和pH調(diào)節(jié)劑與水適當(dāng)混合，制備實(shí)施例II-l~11-31和比較例II-1-II-4的拋光用組合物。各拋光用組合物中的陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑、保護(hù)膜形成劑、氧化劑、刻蝕劑、磨粒和pH調(diào)節(jié)劑的詳細(xì)內(nèi)容以及各拋光用組合物的pH如表II-1和表II-2所示。表n-i和表n-2的"水接觸角"一欄表示使用實(shí)施例ii-i~H-31和比較例II-l~II-4的拋光用組合物，將直徑為200mm的覆銅晶片在表II-3所示的拋光條件下進(jìn)行拋光后測(cè)定晶片表面的水接觸角的結(jié)果。水接觸角的測(cè)定是將拋光后的晶片的表面用純水沖淋后進(jìn)行。水接觸角的測(cè)定使用協(xié)和界面化學(xué)抹式會(huì)社制造的晶片洗滌處理評(píng)價(jià)裝置"CA-X200"進(jìn)行。表n-i和表ii-2的"拋光速度"欄表示使用實(shí)施例n-i~ii-3i和比較例II-l~11-4的拋光用組合物，將直徑為200mm的覆銅晶片在表II-3所示的拋光條件下進(jìn)行拋光時(shí)得到的拋光速度。拋光速度通過(guò)將拋光前后的各晶片的厚度差除以拋光時(shí)間求出。晶片的厚度測(cè)定使用國(guó)際電氣系統(tǒng)服務(wù)株式會(huì)社的薄膜電阻測(cè)定儀"VR-120"。表II-l和表II-2的"碟形凹陷"欄表示使用實(shí)施例II-l~11-31和比較例II-l-II-4的拋光用組合物進(jìn)行拋光的SEMATEC公司制備的銅圖案化晶片(854掩模圖案)測(cè)定碟形凹陷量的結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，SEMATEC公司的銅圖案化晶片是在具有槽的二氧化硅制的絕緣體層上依次設(shè)置鉭制的阻擋層和厚度為1000nm的銅制的導(dǎo)體層而成，其上面具有深度為500nm的初期凹部。在用實(shí)施例II-l~11-31和比較例II-l~II-4的拋光用組合物對(duì)該銅圖案化晶片進(jìn)行拋光之前，使用林式會(huì)社7夕纟O-一水k一^少K的拋光材料"PLANERUTE-7105",在表II-3所示的拋光條件下進(jìn)行預(yù)備拋光，使導(dǎo)體層的厚度達(dá)到300nm。接著，使用實(shí)施例II-l~11-31和比較例II-l-II-4的拋光用組合物，在表II-3所示的拋光條件下對(duì)進(jìn)行了預(yù)備拋光后的銅圖案化晶片進(jìn)行拋光，直至阻擋層的上面露出。然后使用少一工》工一亍》；z—A公司制造的接觸式表面測(cè)定裝置7°口774，"HRP340"，在孤立形成100nm寬的槽的各晶片的區(qū)域測(cè)定碟形凹陷量。表II-l和表II-2的"貯存期"一欄表示對(duì)實(shí)施例II-l~11-31和比較例II-l~11-4的拋光用組合物的貯存期進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。具體來(lái)說(shuō)，分別使用剛制備的實(shí)施例n-i~ii-3i和比較例n-i~n-4的拋光用組合物，以及制備后在25。C的恒溫槽中靜置14天的實(shí)施例~11-31和比較例n-i~ii-4的各拋光用組合物，按照表n-3所示的拋光條件對(duì)覆銅晶片進(jìn)行拋光。通過(guò)拋光前后各晶片厚度的差除以拋光時(shí)間來(lái)計(jì)算拋光速度，根據(jù)剛制備的拋光用組合物的拋光速度和25'C下保存14天的拋光用組合物的拋光速度進(jìn)行的比較，對(duì)各拋光用組合物的貯存期進(jìn)行評(píng)價(jià)。"p&存期"欄中，O(良)表示拋光速度的降低率為10%或以下，A(稍有不良)表示拋光速度的降低率超過(guò)10%。<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>表II-1和表II-2的"陰離子表面活性劑"欄中，Al表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為2的聚氧乙烯月桂基醚硫酸銨，A2表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為1.5的聚氧乙烯月桂基醚硫酸三乙醇胺，A3表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為2的聚氧乙烯月桂基醚磺酸銨，A4表示月桂基磺酸銨，A5表示月桂基苯磺酸銨，A6表示月桂基硫酸銨，A7表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為4的聚氧乙烯烷基苯基醚磷酸，A8表示油酸鉀，A9表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為2的聚氧乙烯烷基醚乙酸鉀，A10表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為2的聚氧乙烯月桂基醚乙酸銨。表II-1和表II-2的"非離子表面活性劑"欄中，Bl表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為7的聚氧乙烯烷基醚，B2表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為4.2的聚氧乙烯月桂基醚，B3表示氧乙烯單元的平均重復(fù)數(shù)為9的聚氧乙烯月桂基醚。聚氧乙烯烷基醚中的烷基的碳原子數(shù)為12-14。表II-1和表II-2的"保護(hù)膜形成劑，，欄中，Cl表示苯并三唑。表II-l和表II-2的"氧化劑"欄中，Dl表示過(guò)氧化氫。表II-1和表II-2的"刻蝕劑"欄中，El表示甘氨酸。表II-l和表II-2的"磨粒"欄中，F(xiàn)l表示膠體二氧化硅。表II-1和表II-2的"pH調(diào)節(jié)劑"欄中，Gl表示氫氧化鉀。[表III]<image>imageseeoriginaldocumentpage26</image>權(quán)利要求1.一種拋光用組合物，其特征在于含有化學(xué)式R1-Y1或R1-X1-Y1所示的至少一種陰離子表面活性劑，其中R1表示烷基、烷基苯基或烯基，X1表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯·氧丙烯)基，Y1表示陰離子性官能團(tuán)，和化學(xué)式R2-X2所示、且HLB值為10-16的至少一種非離子表面活性劑，其中R2表示烷基，X2表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯·氧丙烯)基，并且該拋光用組合物的pH為2-9。2.權(quán)利要求1的拋光用組合物，其中，上述非離子表面活性劑的聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯氧丙烯)基中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)為2-20。3.權(quán)利要求1的拋光用組合物，其中，上述陰離子表面活性劑中的聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯氧丙烯)基中的重復(fù)單元的平均重復(fù)數(shù)為6或以下。4.權(quán)利要求1的拋光用組合物，其中，上述陰離子表面活性劑中的Y1是磺酸、羧酸、磷酸、亞磷酸、疏酸、亞硫酸或它們的鹽的殘基。5.權(quán)利要求4的拋光用組合物，其中，上述Yl表示S03M1基或SCMvIl基，其中M1表示抗衡離子。6.權(quán)利要求5的拋光用組合物，其中，上述M1為鉀陽(yáng)離子、銨陽(yáng)離子或胺類陽(yáng)離子。7.權(quán)利要求1的拋光用組合物，其進(jìn)一步含有與上述陰離子表面活性劑不同的保護(hù)膜形成劑。8.權(quán)利要求7的拋光用組合物，其中上述保護(hù)膜形成劑為苯并三哇或苯并三哇書t生物。9.權(quán)利要求1或7的拋光用組合物，其進(jìn)一步含有氧化劑、刻蝕劑和/或磨粒。10.權(quán)利要求1的拋光用組合物，其中，使用該拋光用組合物進(jìn)行拋光后的拋光對(duì)象表面的水接觸角為60度或以下。11.一種對(duì)拋光對(duì)象進(jìn)行拋光的方法，其中，所述拋光對(duì)象是在具有槽的絕緣體層上設(shè)置含有銅的導(dǎo)體層而成的，導(dǎo)體層具有位于槽外的外側(cè)部分和位于槽中的內(nèi)側(cè)部分，該方法具備以下步驟使用預(yù)備拋光用組合物進(jìn)行拋光，除去導(dǎo)體層的外側(cè)部分的大半部分的步驟；和使用權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)的拋光用組合物作為與上述預(yù)備拋光用組合物不同的精拋光用組合物進(jìn)行拋光，除去導(dǎo)體層的外側(cè)部分的剩余部分的步驟。12,權(quán)利要求U的對(duì)拋光對(duì)象進(jìn)行拋光的方法，其中，拋光后的拋光對(duì)象表面的水接觸角為60度或以下。全文摘要本發(fā)明提供在半導(dǎo)體布線工藝中，非常適合在對(duì)含有銅的導(dǎo)體層進(jìn)行拋光的用途中使用的拋光用組合物。本發(fā)明的拋光用組合物的特征在于含有化學(xué)式R1-Y1或R1-X1-Y1所示的至少一種陰離子表面活性劑，其中R1表示烷基、烷基苯基或烯基，X1表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯·氧丙烯)基，Y1表示陰離子性官能團(tuán)，和化學(xué)式R2-X2所示、且HLB值為10-16的至少一種非離子表面活性劑，其中R2表示烷基，X2表示聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯·氧丙烯)基，并且該拋光用組合物的pH為2-9。文檔編號(hào)B24B37/00GK101117548SQ200710143759公開日2008年2月6日申請(qǐng)日期2007年8月2日優(yōu)先權(quán)日2006年8月2日發(fā)明者服部雅幸,河村篤紀(jì)申請(qǐng)人:福吉米股份有限公司