專利名稱：制備永磁體材料的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通過表面機加工燒結磁體以期防止磁性劣化的R-Fe-B永磁體，并且更具體涉及制備比表面積(S/V)至少6mm-1的小型尺寸或減小厚度的高性能稀土永磁體材料的方法。
背景技術：
由于優(yōu)異的磁性，以Nd-Fe-B體系為代表的R-Fe-B永磁體的應用范圍日益增加。對于具有內建磁體的現(xiàn)代電子設備，包括計算機相關設備、硬盤驅動器、CD播放機、DVD播放機和移動電話，對重量和尺寸的降低、更好的性能和能量節(jié)省存在持續(xù)的要求。在此情況下，R-Fe-B磁體，且其中高性能的R-Fe-B燒結磁體必須滿足小型尺寸和減小厚度的需求。事實上，對如比表面積(S/V)超過6mm-1的磁體所代表的小型尺寸或減小厚度的磁體存在日益增長的需求。
為將小型尺寸或薄型R-Fe-B燒結磁體加工成實用形狀，從而使其可以安裝在磁路中，必須對成型且為燒結塊形式的燒結磁體進行機加工。為了機加工，使用外刃切割機、內刃切割機、表面加工機(surfacemachine)、無心磨床、研磨機等。
但是，已知當通過任意上述機械機加工R-Fe-B燒結磁體時，磁性隨著磁體尺寸變小而降低。這大概是因為機加工使磁體表面喪失了磁體產生高矯頑力所需要的晶界結構。對R-Fe-B燒結磁體表面附近的矯頑力進行了研究，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當通過仔細控制機加工速率以使機加工對殘余應變的影響最小時，機加工表面上受影響層的平均厚度變?yōu)榇笾碌扔谟上鄬τ诿娣e分數(shù)的晶粒尺寸分布所確定的平均晶粒尺寸。另外，本發(fā)明人提出了一種磁體材料，其中為了減輕磁性的降低，在磁體制備過程期間將晶粒尺寸控制為5μm或更小(JP-A2004-281492)。實際上，即使在S/V超過6mm-1的微小磁體片的情況中，也可以將磁性能的降低抑制到15％或更小。但是，機加工技術的進步使之能夠生產出S/V超過30mm-1的磁體，這就引起磁性降低超過15％的問題。
本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)通過僅熔化晶界相，并且使其在機加工表面上擴散以恢復表面顆粒磁性來對機加工至小尺寸的燒結磁體進行調整(tailor)的方法(JP-A 2004-281493)。通過這種方法調整的磁體仍具有當其S/V超過30mm-1時耐腐蝕性不良的問題。
用于粘結磁體的R-Fe-B磁粉的制備方法包括氫化-歧化-解吸-重組(HDDR)方法。當各向異性的磁粉由HDDR方法制備時，它由比燒結磁體中的晶粒尺寸小一個或多個數(shù)量級的約200nm尺寸的晶粒組成，并且磁體表面處存在的性能降低的顆粒在尺寸為150μm(S/V＝40)的磁粉中最多只占1體積％。這時，沒有觀察到明顯的性能降低。但是，由其制備的粘結磁體的最大能積為約17-25MGOe，該值低達燒結磁體最大能積的一半或更小。
因此，在相當大的意義上認為生產具有優(yōu)異的磁性能且其不會降低的R-Fe-B超細磁體是困難的。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種制備R-Fe-B各向異性燒結磁體形式的稀土永磁體材料的方法，其中恢復了曾被機加工降低的磁性。
至于機加工的燒結磁體，本發(fā)明人已經發(fā)現(xiàn)通過在氫氣氛中進行熱處理并隨后在脫氫氣氛中進行熱處理，燒結磁體恢復了其被機加工降低的磁性。
本發(fā)明提供了一種制備永磁體材料的方法，其包括步驟提供組成式為Rx(Fe1-yCoy)100-x-z-aBzMa的各向異性燒結磁體，其中R是選自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一種元素，M是選自Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W中的至少一種元素，且表示原子百分數(shù)的x、y、z和a在如下范圍內10≤x≤15、0≤y≤0.4、3≤z≤15和0≤a≤11，所述磁體包含R2Fe14B化合物作為主相，將所述磁體機加工成至少6mm-1的比表面積，在600-1100℃下在含氫氣的氣氛中熱處理，以便在R2Fe14B化合物上引發(fā)歧化反應，和在600-1100℃下在具有降低的氫氣分壓的氣氛中繼續(xù)熱處理，以便對R2Fe14B化合物引發(fā)重組反應，從而將R2Fe14B化合物相細分成等于或小于1μm的晶粒尺寸。
本發(fā)明方法還可以包括在歧化反應處理之前用堿、酸和有機溶劑中的至少一種試劑清洗機加工的磁體的步驟，或者在歧化反應處理之前對機加工的磁體進行噴砂處理以從中除去表面受影響層的步驟。
本發(fā)明方法還可以包括在重組反應處理之后用堿、酸和有機溶劑中的至少一種試劑清洗磁體的步驟。
本發(fā)明方法還可以包括在重組反應處理之后機加工磁體的步驟。
本發(fā)明方法還可以包括在重組反應處理之后，或者在重組反應處理后的堿、酸或有機溶劑清洗步驟之后，或者在重組反應處理后的機加工步驟之后，鍍覆或涂覆磁體的步驟。
根據(jù)本發(fā)明，由于恢復了它們曾被機加工降低的磁性，所以獲得了盡管具有對應于至少6mm-1S/V的小型尺寸或薄壁但是表現(xiàn)出優(yōu)異磁性能的永磁體。


作為唯一的附圖，圖1是顯示實施例1-3中的熱處理方案的圖解。
具體實施例方式
本發(fā)明針對于一種從R-Fe-B燒結磁體制備比表面積S/V至少6mm-1的小型尺寸或減小厚度的高性能稀土永磁體材料以便防止磁性被磁體表面的機加工降低的方法。
可以通過標準工序由母合金獲得R-Fe-B燒結磁體，該標準工序包括破碎、細粉碎、成型(compaction)和燒結。
母合金包含R、鐵(Fe)和硼(B)。R是選自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一種元素，具體為選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu中的至少一種元素，且優(yōu)選以Nd和Pr為主。包括Sc和Y的稀土元素優(yōu)選占總合金的10-15原子％，更優(yōu)選11.5-15原子％。理想地，R包含至少10原子％、尤其是至少50原子％的Nd和/或Pr。硼(B)優(yōu)選占總合金的3-15原子％、更優(yōu)選5-8原子％。所述合金還可以包含選自Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W中的一種或多種元素，含量為0-11原子％，尤其是0.1-4原子％。余量由鐵(Fe)和偶然雜質如C、N和O組成。Fe的含量優(yōu)選為至少50原子％，尤其是至少65原子％。部分Fe、具體為0-40原子％、更具體為0-20原子％的Fe被鈷(Co)代替是容許的。
通過在真空或惰性氣體氣氛、優(yōu)選氬氣氛中熔化合金或者合金原料，并且將熔體澆鑄到扁平鑄型或鉸接式鑄型中或者進行帶鑄來制備母合金?？赡艿目蛇x方案是所謂的雙合金工藝，其涉及單獨制備與構成相關合金主相的R2Fe14B化合物組成接近的合金以及在燒結溫度下充當液相助劑的富R合金，進行破碎，然后稱重并且將它們混合。應注意，因為根據(jù)澆鑄期間的冷卻速率和合金組成可能留下α-Fe，所以為了增加R2Fe14B化合物相的量，如果需要，對與主相組成接近的合金進行均勻化處理。均勻化處理是在真空或者在Ar氣氛中于700-1200℃下持續(xù)至少1小時的熱處理。對于充當液相助劑的富R合金，所謂的熔體-淬冷技術以及上述的鑄造技術都是適用的。
破碎步驟使用Brown磨或者氫化粉碎，對于作為帶鑄件的那些合金，氫化粉碎是優(yōu)選的。然后，使用氮在壓力下通過噴射磨對粗的粉末進行細分。在壓力成型機上對細的粉末進行成型，同時在磁場下進行取向。將生壓坯放在燒結爐中，通常在900-1250℃、優(yōu)選1000-1100℃的溫度下在真空或者惰性氣體氣氛中燒結該生壓坯。
以這種方式，獲得燒結磁體或燒結塊。它是具有如下組成式的各向異性的燒結磁體Rx(Fe1-yCoy)100-x-z-aBzMa其中R是選自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一種元素，M是選自Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W中的至少一種元素，且表示原子百分數(shù)的x、y、z和a在如下范圍內10≤x≤15、0≤y≤0.4、3≤z≤15和0≤a≤11。應注意所述磁體包含R2Fe14B化合物作為主相，然后，將燒結體或塊機加工成實用的形狀?？梢酝ㄟ^標準技術進行機加工。為了使機加工引起的殘余應變的影響最小，優(yōu)選在不降低生產率的范圍內盡可能低得設定機加工速度。具體地，機加工速度是0.1-20mm/min，更優(yōu)選0.5-10mm/min。
除去的材料體積是使所得燒結塊具有至少6mm-1、優(yōu)選至少8mm-1的比表面積S/V(表面積mm2/體積mm3)，盡管上限沒有特別的限制并且可以適當選擇，但是它通常至多為45mm-1，特別是至多為40mm-1。
如果向機加工設備中添加含水冷卻劑，或者如果將機加工的表面在工作期間暴露于高溫下，則可能在機加工的表面上形成氧化物膜，該氧化物膜可以防止氫氣在磁體表面的吸收和釋放。在此情況下，用堿、酸和有機溶劑中的至少一種清洗磁體或者對其進行噴砂處理來除去該氧化物膜，使磁體準備好進行氫中的熱處理。
在將磁體機加工成實用形狀后，根據(jù)下述方案進行HDDR處理。一旦機加工各向異性的燒結磁體從而獲得至少6mm-1的比表面積，就將它在600-1100℃的溫度下在含氫氣的氣氛中進行熱處理，以便在主相R2Fe14B化合物上引發(fā)歧化反應，并且隨后在600-1100℃的溫度下在減小的氫氣分壓的氣氛中進行熱處理，引發(fā)對R2Fe14B化合物的重組反應，從而將R2Fe14B化合物相細分成等于或小于1μm的晶粒尺寸。
更詳細地說明這些處理。對于歧化反應處理，一般將磁體放入爐中，然后開始加熱。氣氛優(yōu)選是真空或者例如氬的惰性氣體，同時從室溫加熱至300℃。如果所述氣氛在該溫度范圍內包含氫，則氫原子可能吸附到R2Fe14B化合物的晶格中，因而磁體的體積膨脹并因此破裂。在從300℃到處理溫度(600-1100℃，優(yōu)選700-1000℃)的范圍內，優(yōu)選在氫分壓等于或低于100kPa的氣氛中繼續(xù)加熱，盡管氫分壓取決于磁體的組成和加熱速率。加熱速率優(yōu)選為1-20℃/min。因為下面的原因限制所述壓力。如果在超過100kPa的氫分壓下進行加熱，R2Fe14B化合物的分解反應在加熱步驟(600-700℃，然而取決于磁體組成)中開始，從而分解的結構可能在加熱過程中生長成粗的球狀形狀，這可能阻止結構通過在隨后的脫氫處理期間重組成R2Fe14B化合物變?yōu)楦飨虍愋?。一旦達到處理溫度，將氫分壓增加至100kPa或更高(然而取決于磁體組成)。在這些條件下，優(yōu)選保持磁體10分鐘-10小時，更優(yōu)選20分鐘-8小時，甚至更優(yōu)選30分鐘-5小時，以便在R2Fe14B化合物上引發(fā)歧化反應。通過這種歧化反應，R2Fe14B化合物分解成RH2、Fe和Fe2B。出于下面的原因限制保持時間。如果處理時間小于10分鐘，則歧化反應不能完全進行，并且除了分解產物RH2、α-Fe和Fe2B外，還剩下未反應的R2Fe14B化合物。如果熱處理繼續(xù)更長的時期，不可避免的氧化可能使磁性劣化。由于這些原因，保持時間不小于10分鐘并且不大于10小時。優(yōu)選在等溫處理期間逐步增加氫分壓。如果一下子增加氫分壓，會發(fā)生劇烈的反應，使得分解的結構變得不均勻。這可能在隨后的脫氫處理期間重組成R2Fe14B化合物時導致不均勻的晶粒尺寸，導致矯頑力或矩形比的降低。
如上所述，氫分壓等于或者大于100kPa，優(yōu)選100-200kPa，并且更優(yōu)選150-200kPa。氫分壓逐步增加至最終值。在加熱步驟期間氫分壓保持在20kPa并且增加至100kPa最終值的實施例中，根據(jù)如下方案逐步增加氫分壓在從達到保持溫度的時刻至保持時間最初30％的持續(xù)時間的時期內將氫分壓設定為50kPa。
歧化反應處理后是重組反應處理。處理溫度與歧化反應處理中的相同。處理時間優(yōu)選為10分鐘-10小時，更優(yōu)選20分鐘-8小時，甚至更優(yōu)選30分鐘-5小時。在具有降低氫分壓的氣氛中進行重組反應，盡管精確的氫分壓取決于合金組成，但是氫分壓優(yōu)選為1kPa-10-5Pa，更優(yōu)選10Pa-10-4Pa。
在重組反應處理后，可以以約-1至-20℃/min的速率將磁體冷卻至室溫。
在重組反應處理后，優(yōu)選對燒結的磁體進行時效處理。優(yōu)選在200-800℃，更優(yōu)選350-750℃的溫度下進行時效處理并持續(xù)1分鐘-100小時，更優(yōu)選10分鐘-20小時的時間。
在歧化反應處理之前，用選自堿、酸和有機溶劑中的至少一種試劑對加工成預定形狀的燒結磁體進行清洗或者對其進行噴砂處理從中除去表面受影響的層。
另外，在重組反應處理后或者時效處理后，可以用選自堿、酸和有機溶劑中的至少一種試劑清洗燒結磁體，或者再次機加工。作為可選方案，可以在重組反應處理后、時效處理后、清洗步驟后、或者在重組反應處理后的機加工步驟之后，實施鍍覆或涂料涂覆。
這里可以使用的適合的堿包括焦磷酸鉀、焦磷酸鈉、檸檬酸鉀、檸檬酸鈉、乙酸鉀、乙酸鈉、草酸鉀、草酸鈉等等；適合的酸包體鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸、檸檬酸、酒石酸等等；并且適合的有機溶劑包括丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇等等。在清洗步驟中，可以以具有不侵蝕磁體的適當濃度的水溶液使用堿或酸。
可以通過標準技術進行上述清洗、噴砂處理、機加工、鍍覆和涂覆步驟。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供不會發(fā)生磁性降低的小型或薄型的永磁體。
實施例為了進一步闡述本發(fā)明，下面給出實施例和比較例，然而本發(fā)明不局限于此。
通過以下方法確定燒結磁體的平均晶粒尺寸從燒結塊切割樣品、對平行于取向方向的樣品表面進行鏡面拋光、將樣品浸入室溫下的硝酸/鹽酸/甘油液體中3分鐘進行刻蝕、并且在光學顯微鏡下拍攝樣品的顯微照片，隨后進行圖像分析。圖像分析包括測量500至2500個晶粒的面積，計算等效圓的直徑、將它們繪制在縱坐標是面積分數(shù)的直方圖上、并且計算平均值。通過在掃描電子顯微鏡下觀察磁體的斷裂表面并且分析二次電子圖像來確定根據(jù)本發(fā)明的經HDDR處理的磁體的平均晶粒尺寸。使用線性截距技術進行圖像分析。
實施例1和比較例1通過下述方法制備薄板形式的合金使用純度至少99重量％的Nd、Fe、Co和Al金屬及鐵硼，稱取預定量的這些物質，在Ar氣氛中對它們進行高頻熔煉，并且將熔體澆鑄到銅的單激冷輥上(帶鑄技術)。該合金的組成為12.5原子％Nd、1.0原子％Co、1.0原子％Al、5.9原子％B和余量的Fe。將其命名為合金A。通過所謂的氫化粉碎技術將合金A機加工成低于30目的粗粉末，氫化粉碎技術包括氫化合金和將室抽至真空時加熱至500℃以部分脫氫。
單獨地，通過下述方法制備合金使用純度至少99重量％的Nd、Dy、Fe、Co、Al和Cu金屬及鐵硼，稱取預定量的這些物質，在Ar氣氛中對它們進行高頻熔煉，并且將熔體澆鑄在模具中。合金的組成為20原子％Nd、10原子％Dy、24原子％Fe、6原子％B、1原子％Al、2原子％Cu和余量的Co。將其命名為合金B(yǎng)。在Brown磨上在氮氣氛中將合金B(yǎng)破碎成低于30目的尺寸。
隨后，稱取90重量％和10重量％的合金A和B的粉末并且在氮掩蔽的V形混合機上混合30分鐘。在使用加壓氮氣的噴射磨上，將所述粉末混合物細分成質量基中值直徑為4μm的粉末。在氮氣氛下在15kOe的磁場中對該細粉末進行取向并且在約1噸/cm2的壓力下成型。然后，將生坯放入具有Ar氣氛的燒結爐中，在該爐中于1060℃下將其燒結2小時，獲得10mm×20mm×15mm厚的燒結塊。燒結塊B1具有5.6μm的平均晶粒尺寸。
使用內刃切割機，在所有表面上對燒結塊進行機加工形成比表面積S/V為22mm-1的預定尺寸的矩形平行六面體。用堿溶液、去離子水、酸和去離子水順序清洗機加工的燒結體，并且干燥。將如此機加工并清洗的磁體命名為磁體P1。
根據(jù)圖1中示意顯示的方案對磁體P1進行HDDR處理(歧化反應處理和重組反應處理)，產生本發(fā)明范圍內的磁體。將其命名為磁體M1并且其具有0.24μm的平均晶粒尺寸。
測量磁體M1和P1的磁性，如表1中所示。表1中還列出了加工前磁塊B1的磁性。機加工成22mm-1比表面積S/V的磁塊P1的矯頑力HcB從磁塊B1的矯頑力降低約20％，而本發(fā)明的磁體M1只表現(xiàn)出少量的降低。
表1

實施例2和比較例2使用與實施例1中相同的組成和工序，制備10mm×20mm×15mm厚的燒結塊。
使用內刃切割機，將燒結塊機加工成比表面積S/V為36mm-1的預定尺寸的矩形平行六面體。用堿溶液、去離子水、酸和去離子水順序清洗機加工的燒結體，并且干燥。將如此機加工并清洗的磁體命名為磁體P2。
根據(jù)圖1中示意顯示的方案對磁體P2進行HDDR處理，產生本發(fā)明范圍內的磁體。將其命名為磁體M2并且其具有0.26μm的平均晶粒尺寸。
測量磁體M2和P2的磁性，如表2中所示。機加工成具有36mm-1比表面積S/V的超小型形狀的磁塊的矯頑力HcB從磁塊B1的矯頑力降低約30％，而本發(fā)明的磁體M2只表現(xiàn)出少量降低。
表2

實施例3和比較例3通過下述方法制備薄板形式的合金使用純度至少99重量％的Nd、Co、Al、Fe和Cu金屬及鐵硼，稱取預定量這些物質，在Ar氣氛中對它們進行高頻熔煉，并且將熔體澆鑄到銅的單激冷輥上(帶鑄技術)。合金的組成為14.5原子％Nd、1.0原子％Co、0.5原子％Al、0.2原子％Cu、5.9原子％B和余量的Fe。通過所謂的氫化粉碎技術將合金機加工成低于30目的粗粉末，氫化粉碎技術包括氫化合金和將室抽至真空時加熱至500℃以部分脫氫。
在使用加壓氮氣的噴射磨上，將所述粉末細分成質量基中值直徑為4μm的粉末。在氮氣氛下在15kOe的磁場中對該細粉末進行取向并且在約1噸/cm2的壓力下成型。然后，將生坯放入具有Ar氣氛的燒結爐中，在該爐中于1060℃下將其燒結2小時，獲得10mm×20mm×15mm厚的燒結塊。該燒結塊B3具有4.8μm的平均晶粒尺寸。
使用內刃切割機，將燒結塊機加工成比表面積S/V為36mm-1的預定尺寸的矩形平行六面體。用堿溶液、去離子水、酸和去離子水順序清洗機加工的燒結體，并且干燥。將如此機加工并清洗的磁體命名為磁體P3。
根據(jù)圖1中示意顯示的方案對磁體P3進行HDDR處理，產生本發(fā)明范圍內的磁體。將其命名為磁體M3并且其具有0.23μm的平均晶粒尺寸。
測量磁體M3和P3的磁性，如表3中所示。表3中還列出了加工前磁塊B3的磁性。機加工成超小型磁塊P3的矯頑力HcB從磁塊B3的矯頑力降低約35％，而本發(fā)明的磁體M3只表現(xiàn)出少量降低。
表3

實施例4使用與實施例1中相同的組成和工序，制備10mm×20mm×15mm厚的燒結塊。
使用外刃切割機，將燒結塊機加工成比表面積S/V為22mm-1的預定尺寸的矩形平行六面體。用堿溶液、去離子水、酸和去離子水順序清洗機加工的燒結體，并且干燥。
根據(jù)圖1中示意顯示的方案對磁體進行HDDR處理。用堿溶液、去離子水、酸和去離子水順序清洗機加工的燒結體，并且干燥。所得命名為磁體M4的磁體在本發(fā)明范圍內，該磁體具有0.24μm的平均晶粒尺寸。
測量磁體M4的磁性，如表4中所示。當HDDR處理后進行清洗步驟時，維持了令人滿意的磁性。
表4

實施例5和6使用與實施例1中相同的組成和工序，制備10mm×20mm×15mm厚的燒結塊。
使用外刃切割機，將燒結塊機加工成比表面積S/V為6mm-1的預定尺寸的矩形平行六面體。用堿溶液、去離子水、酸和去離子水順序清洗所機加工的燒結體，并且干燥。
根據(jù)圖1中示意顯示的方案對磁體進行HDDR處理。使用內刃切割機，將磁體機加工成比表面積S/V為36mm-1的預定尺寸的矩形平行六面體。所得命名為磁體M5的磁體在本發(fā)明范圍內，該磁體具有0.21μm的平均晶粒尺寸。
對該磁體進行化學鍍覆銅/鎳，獲得本發(fā)明范圍內的磁體M6。
測量磁體M5和M6的磁性，如表5中所示。由HDDR處理和隨后的鍍覆步驟產生的磁體表現(xiàn)出與磁體M2相當?shù)拇判?，磁體M2為在HDDR處理前機加工成比表面積S/V為36mm-1的超小型形狀。
表5

權利要求
1.一種制備永磁體材料的方法，其包括步驟提供各向異性的燒結磁體，該磁體組成式為Rx(Fe1-yCoy)100-x-z-aBzMa，其中R是選自包括Sc和Y的稀土元素中的至少一種元素，M是選自Al、Cu、Zn、In、Si、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W中的至少一種元素，且表示原子百分數(shù)的x、y、z和a在如下范圍內10≤x≤15、0≤y≤0.4、3≤z≤15和0≤a≤11，所述磁體包含R2Fe14B化合物作為主相，將所述磁體機加工到至少6mm-1的比表面積，在600-1100℃下在含氫氣的氣氛中熱處理，以便在R2Fe14B化合物上引發(fā)歧化反應，及在600-1100℃下在具有降低的氫氣分壓的氣氛中繼續(xù)熱處理，以便對R2Fe14B化合物引發(fā)重組反應，從而將R2Fe14B化合物相細分至晶粒尺寸等于或小于1μm。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其還包括在歧化反應處理之前用堿、酸和有機溶劑的至少一種試劑清洗機加工的磁體。
3.根據(jù)權利要求1的方法，其還包括在歧化反應處理之前噴砂處理機加工的磁體以便除去其表面受影響層。
4.根據(jù)權利要求1的方法，其還包括在重組反應處理后用堿、酸和有機溶劑的至少一種試劑清洗所述磁體。
5.根據(jù)權利要求1的方法，其還包括在重組反應處理后機加工所述磁體。
6.根據(jù)權利要求1的方法，其還包括在重組反應處理之后，或者在重組反應處理后的堿、酸和有機溶劑清洗步驟之后，或者在重組反應處理后的機加工步驟之后，鍍覆或涂覆磁體。
全文摘要
通過如下方法制備永磁體材料將組成式為R
文檔編號C22C38/10GK101054646SQ20071009612
公開日2007年10月17日 申請日期2007年4月13日 優(yōu)先權日2006年4月14日
發(fā)明者中村元, 美濃輪武久 申請人:信越化學工業(yè)株式會社