專利名稱：蒸發(fā)鍍膜裝置、方法、電光裝置的制造方法及成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適宜用于對例如液晶裝置等電光裝置中涉及的無機取向膜進行斜向蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜裝置、蒸發(fā)鍍膜方法、以及使用該蒸發(fā)鍍膜裝置的電光裝置的制造方法和成膜裝置的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在這種蒸發(fā)鍍膜裝置中，來自蒸發(fā)鍍膜源的蒸發(fā)物質(zhì)附著在真空室內(nèi)的壁面上之后，為了防止由于附著物從壁面剝離而使真空室內(nèi)被污染，在真空室內(nèi)的壁面等上設(shè)置有防沉積板。例如，在專利文獻1中，公開了通過在防沉積板上安裝加熱器來減少在防沉積板上附著的蒸發(fā)物的附著量、從而防止附著物剝離的技術(shù)。此外，例如在專利文獻2中，公開了通過具有開口部并且將能夠冷卻的遮蔽體設(shè)置在蒸發(fā)鍍膜源和作為成膜對象的基板之間來控制蒸發(fā)物質(zhì)飛行的方向的技術(shù)。
特開2001-192816號公報[專利文獻2]特開平6-181175號公報但是，在上述的技術(shù)中，存在很難使在設(shè)置在真空室內(nèi)的壁面上的防沉積板上附著的附著物的剝離充分減少的技術(shù)問題。此外，還存在由于從真空室內(nèi)的壁面或者防沉積板反彈的蒸發(fā)物質(zhì)使得被成膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性降低的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于例如上述的問題而提出的，其目的在于提供一種能夠減少在真空室內(nèi)的壁面上附著的附著物的剝離并且能夠提高蒸發(fā)鍍膜膜的指向性的蒸發(fā)鍍膜裝置、蒸發(fā)鍍膜方法、以及使用該蒸發(fā)鍍膜裝置的電光裝置的制造方法和成膜裝置。
本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置為了解決上述問題，具備使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜單元；規(guī)定用于設(shè)置上述蒸發(fā)鍍膜源和上述基板的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空的真空槽；在上述真空槽的壁面的至少一部分設(shè)置的、具有向著與上述壁面的法線方向相比朝向上述蒸發(fā)鍍膜源的方向各自突出的多個突出部、并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。
如果采用本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置，則利用在真空槽中設(shè)置的蒸發(fā)鍍膜單元，在基板上對從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)進行蒸發(fā)鍍膜。在此，本發(fā)明的所謂“真空槽”，是表示構(gòu)成為規(guī)定用于設(shè)置蒸發(fā)鍍膜源(或者也稱為標靶)和成為被蒸發(fā)鍍膜對象的基板的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空的室等箱體的概念，在確保這個概念的范圍中，其形狀和材質(zhì)等沒有任何限定。但是，作為構(gòu)成材料，鑒于機械、物理及化學(xué)的穩(wěn)定性，最好使用金屬材料、鋼鐵材料、玻璃材料、陶器或者陶瓷材料等。所謂“真空”，是包括以比大氣壓低的壓力的氣體充滿的空間的狀態(tài)的概念，理想地，指從大氣壓減壓到當在基板上對蒸發(fā)物質(zhì)進行蒸發(fā)鍍膜時在空氣中包含的氧氣和氮氣等雜質(zhì)不影響膜質(zhì)量的程度的空間的狀態(tài)。所謂“維持為真空”，是包含作為例如利包含旋轉(zhuǎn)式泵、機械增壓泵、油擴散泵或者渦輪分子泵等的排氣系統(tǒng)從真空槽中排出的氣體的量和真空槽的氣體的泄漏量相抵的結(jié)果，達到穩(wěn)定在一定程度或者能夠看作一定程度的真空度的狀態(tài)的概念。作為本發(fā)明的“蒸發(fā)鍍膜單元”，可以使用例如電阻加熱蒸發(fā)鍍膜法、電磁加熱蒸發(fā)鍍膜法等。所謂本發(fā)明的“蒸發(fā)鍍膜源”，是包括能夠通過加熱而蒸發(fā)的物質(zhì)的概念，在確保該概念的范圍中，其材質(zhì)、形狀和其它的物理特性沒有任何限定。例如，蒸發(fā)鍍膜源可以是SiO或SiO2等無機材料。此外，也可以是液晶裝置等電光裝置中能夠作為無機取向膜材料使用的無機材料。
在本發(fā)明中，特別地，具備在真空槽的壁面的至少一部分具有向著與該壁面的法線方向相比朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向突出的多個突出部的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。即，例如，當在真空槽的下方一側(cè)設(shè)置有蒸發(fā)鍍膜源并且在上方一側(cè)設(shè)置有基板時，在真空槽的側(cè)壁面上蒸發(fā)鍍膜源的上方一側(cè)設(shè)置有在朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向(即，斜下方)上各自突出的多個突出部。多個突出部分別例如以數(shù)mm左右的寬度和厚度在朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向上突出為僅僅數(shù)mm左右的屋檐狀，并在真空槽的壁面上排列成例如格子狀、條紋狀等。而且，多個突出部也可以設(shè)置在在真空槽的壁面上具備的用于使蒸發(fā)物質(zhì)附著的防沉積板上。即，本發(fā)明的“蒸發(fā)物質(zhì)附著單元”是包含設(shè)置有這樣的多個突出部的防沉積板的意思。
利用這樣的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，可以在從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在真空槽的壁面上作為附著物附著時，增大在該壁面上保持附著物的保持量(即，能夠附著在該壁面上的蒸發(fā)物質(zhì)的附著可能量)，換句話說，可以延長在該壁面上保持附著物的保持時間。因此，當蒸發(fā)鍍膜單元進行蒸發(fā)鍍膜時，在真空槽的壁面上附著的蒸發(fā)物質(zhì)的量增多，則在壁面上不能保持蒸發(fā)物質(zhì)，可以抑制或防止附著物從壁面脫落。因此，在真空槽內(nèi)，可以減少由于從壁面脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。這樣，可以提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的膜質(zhì)量。
進一步地，由于利用蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在真空槽的壁面上能夠附著的附著可能量增大(即，捕獲蒸發(fā)物質(zhì)的捕獲效率提高)，因此，可以降低或者防止在真空槽的壁面上的蒸發(fā)物質(zhì)的回跳(即，反彈)。因此，可以降低或者防止蒸發(fā)物質(zhì)在真空槽的壁面上反彈并朝向基板。即，可以降低或防止與規(guī)定的方向不同的蒸發(fā)物質(zhì)朝向基板。因此，可以提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的、具有例如規(guī)定的預(yù)傾斜角的無機取向膜等蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。即，可以在基板面的整個區(qū)域或者比較寬的范圍中形成幾乎或者完全均勻的蒸發(fā)鍍膜膜。
如上所述，如果采用本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置，則由于利用具有沿著朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向突出的多個突出部的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在真空槽的壁面上能夠附著的附著可能量增大，因此，在真空槽內(nèi)，可以減少由于從壁面脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。進一步地，可以提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
在本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置的一個形式中，上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上，上述多個突出部在上述壁面中的側(cè)壁面上，作為沿著與上述底面的法線方向交叉的方向的多個列進行排列。
如果采用該形式，則多個突出部在真空槽的側(cè)壁面上沿著與底面的法線方向交叉的方向以規(guī)定間隔進行排列，將多個列構(gòu)成例如條紋狀。因此，例如通過減小多個突出部的各個的大小或者使排列間隔變窄并在側(cè)壁面上較多地形成多個突出部，可以增大多個突出部的總表面積。因此，可以使蒸發(fā)物質(zhì)更多地附著在多個突出部上。
在本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置的另一個形式中，上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上，上述多個突出部在上述壁面中的側(cè)壁面上，以沿著與上述底面的法線方向交叉的方向延伸的方式各自形成。
如果采用該形式，則多個突出部在側(cè)壁面上，以沿著與底面的法線方向交叉的方向延伸的方式，典型地，以在側(cè)壁面上從與底面交叉的一邊延伸到與其相對的另一邊的方式，各自形成。即，在側(cè)壁面上，以沿著底面延伸的方式形成的、例如屋檐狀的突出部在與底面交叉的方向上被排列成多個。因此，可以使從在底面上配置的蒸發(fā)鍍膜源向著與底面交叉的方向飛行的蒸發(fā)物質(zhì)幾乎可靠地附著。
在上述的多個突出部在側(cè)壁面上形成的形式中，上述側(cè)壁面也可以與上述底面鄰接。
在這種情況下，由于與蒸發(fā)鍍膜源比較近地形成多個突出部，因此，可以使蒸發(fā)物質(zhì)更多地附著在多個突出部上。
本發(fā)明的第2蒸發(fā)鍍膜裝置為了解決上述問題，具備使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜單元；規(guī)定用于設(shè)置上述基板和上述蒸發(fā)鍍膜源的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空的真空槽；在上述真空槽的壁面的至少一部分上設(shè)置的、具有沿著與上述壁面的法線方向相比朝向上述蒸發(fā)鍍膜源的方向并相對上述蒸發(fā)鍍膜源各自凹陷的多個凹部、并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。
如果采用本發(fā)明的第2蒸發(fā)鍍膜裝置，則與上述的本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置一樣，在真空槽中，在基板上對從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)進行蒸發(fā)鍍膜。
在本發(fā)明中，特別地，具備在真空槽的壁面的至少一部分上具有沿著與該壁面的法線方向相比朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向并相對上述蒸發(fā)鍍膜源各自凹陷的多個凹部的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。即，例如，當在真空槽的下方一側(cè)設(shè)置有蒸發(fā)鍍膜源并且在上方一側(cè)設(shè)置有基板時，在真空槽的側(cè)壁面上蒸發(fā)鍍膜源的上方一側(cè)設(shè)置有沿著朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向(即，斜下方向)并相對蒸發(fā)鍍膜源各自凹陷的多個凹部。多個凹部分別以例如數(shù)mm左右的寬度和厚度，沿著朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向并相對蒸發(fā)鍍膜源僅僅凹陷數(shù)mm左右，在真空槽的壁面上排列成例如格子狀、條紋狀等。而且，多個凹部也可以設(shè)置在在真空槽的壁面上具備的、用于使蒸發(fā)鍍膜物質(zhì)附著的防沉積板上。即，本發(fā)明的“蒸發(fā)物質(zhì)附著單元”是包含設(shè)置有這樣的多個凹部的防沉積板的意思。
如果采用本發(fā)明的第2蒸發(fā)鍍膜裝置，則利用具有沿著朝向蒸發(fā)鍍膜源的方向相對蒸發(fā)鍍膜源凹陷的多個凹部的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，與上述的本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置一樣，可以增大從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在真空槽的壁面上能夠附著的附著可能量。因此，在真空槽內(nèi)，可以減少由于從壁面脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。進一步地，可以提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
在本發(fā)明的第2蒸發(fā)鍍膜裝置的一個形式中，由上述多個凹部的各個的內(nèi)表面規(guī)定的空間具有沿著朝向上述蒸發(fā)鍍膜源的方向延伸的形狀。
如果采用該形式，則蒸發(fā)物質(zhì)容易進入多個凹部的內(nèi)部，可以在多個凹部的內(nèi)表面上更多地附著蒸發(fā)物質(zhì)。
在本發(fā)明的第2蒸發(fā)鍍膜裝置的另一個形式中，上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上，上述多個凹部在上述壁面中的側(cè)壁面上，作為沿著沿上述底面的方向的多個列進行排列。
如果采用該形式，則多個凹部在真空槽的側(cè)壁面上沿著底面以規(guī)定間隔進行排列，將多個列構(gòu)成例如條紋狀。因此，例如通過減小多個凹部的各個的大小或者使排列間隔變窄，并在側(cè)壁面上較多地形成多個凹部，可以增大多個凹部的總表面積。因此，可以使蒸發(fā)物質(zhì)更多地附著在多個凹部上。
在本發(fā)明的第2蒸發(fā)鍍膜裝置的另一個形式中，上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上，上述多個凹部在上述壁面中的側(cè)壁面上，以沿著與上述底面的法線方向交叉的方向延伸的方式各自形成。
如果采用該形式，則多個凹部在真空槽的側(cè)壁面上，以沿著沿底面的方向延伸的方式，典型地，以在側(cè)壁面上從與底面交叉的一邊延伸到與其相對的另一邊的方式各自形成。即，在側(cè)壁面上，以沿著底面延伸的方式形成的凹部在與底面交叉的方向上排列成多個。因此，可以使從在底面上配置的蒸發(fā)鍍膜源向與底面交叉的方向飛行的蒸發(fā)物質(zhì)幾乎可靠地附著。
在上述的多個突出部在側(cè)壁面上形成的形式中，上述側(cè)壁面也可以與上述底面鄰接。
在這種情況下，由于與蒸發(fā)鍍膜源比較近地形成多個凹部，因此，可以使蒸發(fā)物質(zhì)更多地附著在多個突出部上。
本發(fā)明的第3蒸發(fā)鍍膜裝置為了解決上述問題，具備使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜單元；規(guī)定用于設(shè)置上述基板和上述蒸發(fā)鍍膜源的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空的真空槽；在上述真空槽的壁面的至少一部分上設(shè)置的、相對上述壁面具有網(wǎng)眼狀的凹凸部、并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。
如果采用本發(fā)明的第3蒸發(fā)鍍膜裝置，則與上述的本發(fā)明的第1和第2蒸發(fā)鍍膜裝置一樣，在真空槽中，在基板上對從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)進行蒸發(fā)鍍膜。
在本發(fā)明中，特別地，具備在真空槽的壁面的至少一部分上、相對該壁面具有網(wǎng)眼狀的凹凸部、并使蒸發(fā)物質(zhì)附著的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。即，例如，當在真空槽的下方一側(cè)設(shè)置有蒸發(fā)鍍膜源并且在上方一側(cè)設(shè)置有基板時，在真空槽的側(cè)壁面上蒸發(fā)鍍膜源的上方一側(cè)設(shè)置網(wǎng)眼狀的凹凸部。網(wǎng)眼狀的凹凸部例如通過以由具有例如1mm左右的直徑的例如鋁等金屬構(gòu)成的多個金屬線形成例如2mm見方的網(wǎng)眼的方式在壁面上進行排列來形成。或者，也可以將利用例如由鋁等金屬構(gòu)成的多個金屬線形成的網(wǎng)安裝在壁面上。而且，網(wǎng)眼狀的凹凸部也可以設(shè)置在在真空槽的壁面上具備的、用于使蒸發(fā)物質(zhì)附著的防沉積板上。即，本發(fā)明的“蒸發(fā)物質(zhì)附著單元”是包含設(shè)置有這樣的多個網(wǎng)眼狀的凹凸部的防沉積板的意思。
如果采用本發(fā)明的第3蒸發(fā)鍍膜裝置，則利用相對壁面具有網(wǎng)眼狀的凹凸部的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，與上述的本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置一樣，可以增大從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在真空槽的壁面上能夠附著的附著可能量。因此，在真空槽內(nèi)，可以減少由于從壁面脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。進一步地，可以提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
本發(fā)明的第4蒸發(fā)鍍膜裝置為了解決上述問題，具備使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜單元；規(guī)定用于設(shè)置上述基板和上述蒸發(fā)鍍膜源的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空的真空槽；在上述真空槽的壁面的至少一部分上設(shè)置的、相對上述壁面具有格子狀的凸部、并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。
如果采用本發(fā)明的第4蒸發(fā)鍍膜裝置，則與上述的本發(fā)明的第1、第2以及第3蒸發(fā)鍍膜裝置一樣，在真空槽中，在基板上對從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)進行蒸發(fā)鍍膜。
在本發(fā)明中，特別地，具備在真空槽的壁面的至少一部分上相對該壁面具有格子狀的凸部、并使蒸發(fā)物質(zhì)附著的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元。即，例如，當在真空槽的下方一側(cè)設(shè)置有蒸發(fā)鍍膜源并且在上方一側(cè)設(shè)置有基板時，在真空槽的側(cè)壁面上蒸發(fā)鍍膜源的上方一側(cè)設(shè)置格子狀的凸部。格子狀的凸部例如通過將由具有例如1mm左右的直徑的例如鋁等金屬構(gòu)成的多個金屬線在壁面上排列成例如2mm見方的格子狀來形成?；蛘撸部梢詫⒗糜衫玟X等金屬構(gòu)成的多個金屬線形成的網(wǎng)安裝在壁面上。或者，也可以將組合成格子狀的多個金屬棒或者金屬板安裝在壁面上?；蛘撸部梢詫⒕哂信帕谐筛褡訝畹亩鄠€開口部的金屬板安裝在壁面上。而且，格子狀的凸部也可以設(shè)置在在真空槽的壁面上具備的、用于使蒸發(fā)物質(zhì)附著的防沉積板上。即，本發(fā)明的“蒸發(fā)物質(zhì)附著單元”是包含設(shè)置有這樣的格子狀的凸部的防沉積板的意思。
如果采用本發(fā)明的第4蒸發(fā)鍍膜裝置，則利用相對壁面具有格子狀的凸部的蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，與上述的本發(fā)明的第1蒸發(fā)鍍膜裝置一樣，可以增大從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在真空槽的壁面上能夠附著的附著可能量。因此，在真空槽內(nèi)，可以減少由于從壁面脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。進一步地，可以提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
在本發(fā)明的第3或者第4蒸發(fā)鍍膜裝置的一個形式中，上述蒸發(fā)物質(zhì)附著單元至少部分地從上述壁面隔著規(guī)定間隔進行配置。
如果采用該形式，則在蒸發(fā)物質(zhì)附著單元和壁面之間也可以使蒸發(fā)物質(zhì)附著。因此，可以提高蒸發(fā)物質(zhì)附著單元捕獲蒸發(fā)物質(zhì)的捕獲效率。因此，可以進一步減少由于附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生，并且進一步提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
本發(fā)明的蒸發(fā)鍍膜方法為了解決上述問題，包含通過利用上述的本發(fā)明的第1、2、3或者4的蒸發(fā)鍍膜裝置(但是，包含各種形式)使上述蒸發(fā)物質(zhì)在上述基板上進行蒸發(fā)鍍膜來形成蒸發(fā)鍍膜膜的蒸發(fā)鍍膜膜形成工序。
如果采用本發(fā)明的蒸發(fā)鍍膜方法，則在蒸發(fā)鍍膜膜形成工序中，降低由于從壁面脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生，并且降低在壁面上的蒸發(fā)物質(zhì)的反彈。因此，在蒸發(fā)鍍膜膜形成工序中，可以在基板面的整個區(qū)域或者比較寬的范圍上對蒸發(fā)鍍膜膜均勻地進行蒸發(fā)鍍膜。
本發(fā)明的電光裝置的制造方法為了解決上述問題，包含利用將無機材料作為上述蒸發(fā)鍍膜源的上述的本發(fā)明的第1、2、3或者4的蒸發(fā)鍍膜裝置在上述基板上形成電光裝置用的無機取向膜的無機取向膜形成工序。
如果采用本發(fā)明的電光裝置的制造方法，則在可以進行高品質(zhì)的圖像顯示的、在投影型顯示裝置、電視機、便攜式電話、電子記事本、字處理器、取景器型或者監(jiān)視直視型的視頻錄像機、工作站、電視電話、POS終端、觸摸板等各種電子設(shè)備中可以使用的液晶顯示裝置等電光裝置的制造工序中，可以在基板面的整個區(qū)域或者比較寬的范圍上對無機取向膜均勻地進行蒸發(fā)鍍膜。
本發(fā)明的第1成膜裝置為了解決上述問題，具備通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜的成膜單元；在上述標靶和上述基板之間設(shè)置的、并且形成有使上述飛散粒子通過的開口部的屏蔽部件；在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上設(shè)置的、具有從上述表面各自突出的多個突出部、并使上述飛散粒子附著的飛散粒子附著單元。
如果采用本發(fā)明的第1成膜裝置，則利用成膜單元，使用例如濺射法在基板上形成薄膜。即，利用成膜單元，在基板上堆積來自標靶(即，形成的薄膜的基材)的例如作為濺射粒子的飛散粒子。
屏蔽部件被設(shè)置在標靶和基板之間，并且形成有使飛散粒子的開口部。因此，通過屏蔽部件可以抑制飛散粒子相對基板的表面從不需要的方向堆積。而且，屏蔽部件也可以從在標靶和基板之間設(shè)置的并且形成有開口部的主體部，以例如覆蓋基板的周圍的方式延伸設(shè)置。
在本發(fā)明中，特別地，在屏蔽部件的表面的至少一部分具備具有從該表面各自突出的多個突出部的飛散粒子附著單元。多個突出部例如在屏蔽部件的表面中與基板相對的部分面上以在朝向基板的方向上各自突出的方式設(shè)置，在屏蔽部件的表面中與標靶相對的部分面上以在朝向標靶的方向上各自突出的方式設(shè)置。多個突出部分別以例如數(shù)mm左右的寬度和厚度，在朝向基板或者標靶的方向上突出為只有數(shù)mm左右的屋檐狀，在屏蔽部件的表面上排列成例如格子狀、條紋狀等。
利用這樣的飛散粒子附著單元，可以在來自標靶的飛散粒子在屏蔽部件的表面上作為附著物附著時，增大保持在該表面上的附著物的保持量(即，能夠附著在該表面上的飛散粒子的附著可能量)。換句話說，可以延長保持在該表面上的飛散粒子的保持時間。因此，在成膜單元進行成膜時，在屏蔽部件的表面上附著的飛散粒子的量變多，則在該表面上不能保持飛散粒子，可以抑制或者防止附著物從屏蔽部件的表面脫落。因此，可以減少由于從屏蔽部件脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。這樣，可以提高在基板上形成的薄膜的膜質(zhì)量。
本發(fā)明的第2成膜裝置為了解決上述問題，具備通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜的成膜單元；在上述標靶和上述基板之間設(shè)置的、并且形成有使上述飛散粒子通過的開口部的屏蔽部件；在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上設(shè)置的、具有從上述表面各自凹陷的多個凹部、并使上述飛散粒子附著的飛散粒子附著單元。
如果采用本發(fā)明的第2成膜裝置，則與上述的第1成膜裝置一樣，利用成膜單元，使用例如濺射法在基板上形成薄膜。
在本發(fā)明中，特別地，在屏蔽部件的表面的至少一部分上具備具有從該表面各自凹陷的多個凹部的飛散粒子附著單元。多個凹部例如在屏蔽部件的表面中與基板相對的部分面上以沿著朝向基板的方向各自凹陷的方式設(shè)置，在屏蔽部件的表面中與標靶相對的部分面上以沿著朝向標靶的方向各自凹陷的方式設(shè)置。多個凹部分別例如以數(shù)mm左右的寬度和厚度，沿著朝向基板或者標靶的方向只凹陷數(shù)mm左右，在屏蔽部件的表面上排列成例如格子狀、條紋狀等。
利用這樣的飛散粒子附著單元，與上述的本發(fā)明的第1成膜裝置一樣，可以在來自標靶的飛散粒子在屏蔽部件的表面上作為附著物附著時，增大保持在該表面上的附著物的保持量。這樣，可以提高在基板上形成的薄膜的膜質(zhì)量。
本發(fā)明的第3成膜裝置為了解決上述問題，具備通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜的成膜單元；在上述標靶和上述基板之間設(shè)置的、并且形成有使上述飛散粒子通過的開口部的屏蔽部件；在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上設(shè)置的、相對上述表面具有網(wǎng)眼狀的凹凸部、并使上述飛散粒子附著的飛散粒子附著單元。
如果采用本發(fā)明的第3成膜裝置，則與上述的第1成膜裝置一樣，利用成膜單元，使用例如濺射法在基板上形成薄膜。
在本發(fā)明中，特別地，在屏蔽部件的表面的至少一部分上具備相對該表面具有網(wǎng)眼狀的凹凸部的飛散粒子附著單元。利用這樣的飛散粒子附著單元，與上述的本發(fā)明的第1成膜裝置一樣，可以在來自標靶的飛散粒子在屏蔽部件的表面上作為附著物附著時，增大保持在該表面上的附著物的保持量。
本發(fā)明的第4成膜裝置為了解決上述問題，具備通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜的成膜單元；在上述標靶和上述基板之間設(shè)置的、并且形成有使上述飛散粒子通過的開口部的屏蔽部件；在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上設(shè)置的、相對上述表面具有格子狀的凸部、并使上述飛散粒子附著的飛散粒子附著單元。
如果采用本發(fā)明的第4成膜裝置，則與上述的第1成膜裝置一樣，利用成膜單元，使用例如濺射法在基板上形成薄膜。
在本發(fā)明中，特別地，在屏蔽部件的表面的至少一部分上具備相對該表面具有格子狀的凸部的飛散粒子附著單元。利用這樣的飛散粒子附著單元，與上述的本發(fā)明的第1成膜裝置一樣，可以在來自標靶的飛散粒子在屏蔽部件的表面上作為附著物附著時，增大保持在該表面上的附著物的保持量。
本發(fā)明的作用以及其它優(yōu)點可以通過以下說明的用于實施的最佳形式明白。


圖1是示出第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的構(gòu)成的模式化的側(cè)面剖面圖。
圖2是示出第1實施方式的多個屋檐部的斜視圖。
圖3是示出第1實施方式的多個屋檐部的平面圖。
圖4是放大圖1的部分C1示出的放大剖面圖。
圖5是第1變形例中與圖2對應(yīng)的斜視圖。
圖6是第2實施方式中與圖2對應(yīng)的斜視圖。
圖7是第2實施例中與圖4對應(yīng)的放大剖面圖。
圖8是第2變形例中與圖6對應(yīng)的斜視圖。
圖9是第3實施方式中與圖3對應(yīng)的平面圖。
圖10是圖9的A-A’線剖面圖。
圖11是示出使用第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的電光裝置的制造方法的流程的工序圖。
圖12是示出本實施方式的濺射裝置的構(gòu)成的模式化的側(cè)面剖面圖。
符號說明10蒸發(fā)鍍膜裝置；11排氣系統(tǒng)；100室；100a側(cè)壁部；110標靶；110a蒸發(fā)物質(zhì)；120電子束照射系統(tǒng)；150屋檐部；160蒸發(fā)物質(zhì)附著板；161凹部；170蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)；170a、170b金屬線；210基板；900夾具；910支撐部；30濺射裝置；310標靶；410晶片；510屏蔽部件；550濺射粒子附著部。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
<第1實施方式>
參照圖1至圖4說明第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置。
首先，參照圖1說明本實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的整體構(gòu)成。在此，圖1是示出本實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的構(gòu)成的模式化的側(cè)面剖面圖。而且，在圖1中，為了使各構(gòu)成要素變成可以在圖面上辨識的程度的大小，可以使比例對每一個構(gòu)成要素不同。在以后所示的圖2至圖10也是一樣。
在圖1中，蒸發(fā)鍍膜裝置10具備室100。
室100是本發(fā)明的“真空槽”的一個例子，用例如鋁、不銹鋼等金屬材料或者鋼鐵材料構(gòu)成。
室100的內(nèi)壁部分在室100的內(nèi)部規(guī)定了空間101，在空間101中設(shè)置有標靶110、電子束照射系統(tǒng)120以及基板210。而且，室100的側(cè)面部分的一部分被構(gòu)成為與排氣系統(tǒng)11連接，并通過將空間101內(nèi)的氣體排出到室100外，可以將空間101維持為真空。而且，排氣系統(tǒng)11是包含作為副排氣裝置(例如，粗略抽排用)的旋轉(zhuǎn)式泵和作為主排氣裝置(例如，主抽排用)的渦輪分子泵的真空排氣系統(tǒng)。
標靶110是例如在液晶裝置等電光裝置中成為無機取向膜的形成材料的無機材料的體塊(bulk)，并被放置在未圖示的坩堝中。而且，標靶110是本發(fā)明的“蒸發(fā)鍍膜源”的一個例子。
電子束照射系統(tǒng)120包含未圖示的燈絲以及電源系統(tǒng)、冷卻水系統(tǒng)、控制系統(tǒng)和各種布線部件的一部分等，被構(gòu)成為可以從燈絲產(chǎn)生電子束。而且，電子束照射系統(tǒng)120是本發(fā)明的“蒸發(fā)鍍膜單元”的一個例子。
基板210是在液晶裝置等電光裝置中使用的適宜的低溫多晶硅基板。
在空間101中，基板210利用夾具900被保持為相對室100的側(cè)壁面100a有一定的傾斜。夾具900通過支撐部910固定在室100的上面。
在本實施方式中，特別地，在室100的側(cè)壁面100a設(shè)置有作為本發(fā)明的“多個突出部”的一個例子的多個屋檐部150。多個屋檐部150，如以后詳細說明的，沿著與側(cè)壁面100a的法線方向相比朝向標靶110的方向分別突出成屋檐狀。
以下，對本實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的多個屋檐部的構(gòu)成，除了圖1外，還參照圖2到圖4進行詳細說明。在此，圖2是示出本實施方式的多個屋檐部的斜視圖。圖3是示出本實施方式的多個屋檐部的平面圖。圖4是放大圖1的部分C1示出的放大剖面圖。
如圖1和圖2所示，在室100的側(cè)壁面100a上標靶110的上方一側(cè)，在朝向標靶110的方向(即，圖1中斜下方向)上設(shè)置有分別突出成屋檐狀的多個屋檐部150。
多個屋檐部150分別由例如鋁、不銹鋼、銅等金屬材料構(gòu)成，并被固定在側(cè)壁面100a上。
如圖2和圖3所示，多個屋檐部150在側(cè)壁面100a上沿著底面(即，沿著與底面的法線方向(即，Z方向)交叉的方向)形成厚度T1和間隔D1分別為例如1～2mm左右的條紋狀。即，多個屋檐部150在側(cè)壁面100a上作為沿著底面的多個列形成。
如圖4所示，多個屋檐部150分別形成為沿著相對室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖4中箭頭線N所示的方向)向下方僅偏移角度θ1的方向(即，圖4中，箭頭線F所示的方向)從側(cè)壁面100a僅突出長度L1。
多個屋檐部150以長度L1為例如1～2mm左右的方式形成。
角度θ1被設(shè)定為由室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖4中，箭頭線N所示的方向)和從側(cè)壁面100a朝向標靶110的方向形成的角度。在本實施方式中，角度θ1被設(shè)定為由室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖4中，箭頭線N所示的方向)和從側(cè)壁面100a上的任意點P朝向標靶110的方向形成的角度。而且，角度θ1也可以被設(shè)定為由室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖4中，箭頭線N所示的方向)和從側(cè)壁面100a上的各點朝向標靶110的方向形成的各角度的平均值?；蛘撸嵌圈?也可以對多個屋檐部150的各個彼此不同。
而且，當在室100的側(cè)壁面100a上設(shè)置用于使蒸發(fā)物質(zhì)110a附著的防沉積板時，多個屋檐部150也可以設(shè)置在這樣的防沉積板上。此外，這樣的多個屋檐部也可以設(shè)置在室100的底面或者與其相對的表面的至少一部分上。
以下，適當參照圖1至圖4說明本實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的動作。
在圖1中，在蒸發(fā)鍍膜裝置10進行的蒸發(fā)鍍膜過程中，從電子束系統(tǒng)120發(fā)射電子束，照射到標靶110上。被電子束照射的標靶110被加熱，其一部分蒸發(fā)。從標靶蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)110a在相對標靶110傾斜地相對配置的基板210上進行蒸發(fā)鍍膜。
此時，蒸發(fā)物質(zhì)110a的一部分向著室100的側(cè)壁面100a飛行或者飛散，在側(cè)壁面100a上蒸發(fā)物質(zhì)110a作為附著物附著。
假設(shè)不采取任何措施，如果在側(cè)壁面100a上附著的附著物的量增加，則附著物從側(cè)壁面100a脫落并可能產(chǎn)生顆粒。這樣的顆粒污染室100內(nèi)的空間101，降低在基板210上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的膜質(zhì)量。
進一步地，如果在側(cè)壁面100a上附著的附著物的量增加，則在側(cè)壁面100a上，由于蒸發(fā)物質(zhì)110a難以附著，因此，從側(cè)壁面100a反彈向著基板210的蒸發(fā)物質(zhì)110a的量可能增大。即，到達側(cè)壁面100a的蒸發(fā)物質(zhì)110a在側(cè)壁面100a上反彈，從與規(guī)定的方向(即，從標靶110朝向基板210的方向)不同的方向朝向基板210的量增加。因此，有可能降低在基板210上成膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
然而，參照圖1至圖4，如上所述的，在本實施方式中，特別地，在室100的側(cè)壁面100a的一部分上設(shè)置有沿著與側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖4中，箭頭線N所示的方向)相比朝向標靶110的方向(即，圖4中，箭頭線F所示的方向)突出成屋檐狀的多個屋檐部150。因此，可以在從標靶110蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)110a在室100的側(cè)壁面100a上作為附著物附著時，增大保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持量(即，能夠附著在側(cè)壁面100a上的蒸發(fā)物質(zhì)110a的附著可能量)。
更具體地，利用在側(cè)壁面100a上設(shè)置的多個屋檐部150，可以增大側(cè)壁面100a上能夠附著蒸發(fā)物質(zhì)110a的總表面積。因此，在側(cè)壁面100a上，可以在多個屋檐部150上更多地附著蒸發(fā)物質(zhì)110a，即，可以增大保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持量。因此，可以延長保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持時間。因此，在蒸發(fā)鍍膜過程中，在室100的側(cè)壁面100a上作為附著物附著的蒸發(fā)物質(zhì)110a的量變多，可以抑制或者防止附著物從側(cè)壁面100a脫落。因此，在室100內(nèi)，可以減少由于從側(cè)壁面100a脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。這樣，可以提高在基板210上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的膜質(zhì)量。
進一步地，如圖4所示，多個屋檐部150由于沿著與側(cè)壁面100a的法線方向相比朝向標靶110的方向突出成屋檐狀，因此，蒸發(fā)物容易進入多個屋檐部150的各個的下側(cè)面和側(cè)壁面100a之間，并且，可以使從側(cè)壁面100a反彈向著上側(cè)的蒸發(fā)物質(zhì)110a附著在多個屋檐部150上。即，可以降低或者防止蒸發(fā)物質(zhì)110a在室100的側(cè)壁面100a上反彈向著基板210。換句話說，可以降低或者防止與規(guī)定的方向不同的蒸發(fā)物質(zhì)110a向著基板210。因此，可以提高在基板210上進行蒸發(fā)鍍膜的、具有例如規(guī)定的預(yù)傾斜角的無機取向膜等蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。即，可以在基板210的基板面的整個區(qū)域或者比較寬的范圍上形成幾乎或者完全均勻的蒸發(fā)鍍膜膜。
如上所述，如果采用蒸發(fā)鍍膜裝置10，則由于利用沿著朝向標靶110的方向突出的多個屋檐部150，可以增加從標靶110蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)110a在室100的側(cè)壁面110a上能夠附著的附著可能量，因此，在室100內(nèi)，可以減少由于從側(cè)壁面100a脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。進一步地，可以提高在基板210上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
而且，如果采用蒸發(fā)鍍膜裝置10，則由于在室100的側(cè)壁面100a上的蒸發(fā)物質(zhì)110a的附著可能量提高，因此，還可以減少洗凈側(cè)壁面100a的洗凈頻率?；蛘?，當將多個屋檐部150設(shè)置在防沉積板上時，還可以減少洗凈防沉積板的洗凈頻率或者更換防沉積板的更換頻率。
如圖5中作為變形例所示的，多個屋檐部150在側(cè)壁面100a上，也可以作為沿著沿底面的方向(圖5中，左右方向)的多個列形成。在此，圖5是本發(fā)明的第1變形例的與圖2對應(yīng)的斜視圖。
即，多個屋檐部150也可以作為包含排列多個屋檐部150a而構(gòu)成的列、排列多個屋檐部150b而構(gòu)成的列、排列多個屋檐部150c而構(gòu)成的列的多個列構(gòu)成。在這種情況下，通過減小多個屋檐部150的各個的大小或者使排列間隔變窄并在側(cè)壁面100a上較多地形成多個屋檐部150，可以增大多個屋檐部150的總表面積。因此，可以使蒸發(fā)物質(zhì)110a更多地附著在多個屋檐部150上。而且，多個屋檐部150的寬度W1可以設(shè)置成例如1～2mm左右。
<第2實施方式>
以下，參照圖6和圖7說明第2實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置。在此，圖6是第2實施方式的與圖2對應(yīng)的斜視圖。圖7是第2實施方式的與圖4對應(yīng)的放大剖面圖。而且，在圖6和圖7中，對與圖1至圖4所示的第1實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素賦予相同的參考符號，適當省略其說明。
如圖6和圖7所示，本實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置在室100的側(cè)壁面100a上，替換第1實施方式的多個屋檐部150，具備蒸發(fā)物質(zhì)附著板160，這一點與上述的第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置不同，對于其它點，與上述的第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的構(gòu)成大致相同。
如圖6和圖7所示，在蒸發(fā)物質(zhì)附著板160上形成有多個凹部161，蒸發(fā)物質(zhì)附著板160以多個凹部161相對室100的內(nèi)側(cè)凹陷的方式配置在側(cè)壁面100a上。
如圖6和圖7所示，多個凹部161沿著朝向標靶110的方向(即，圖7中，斜下方向)，以相對標靶110各自凹陷的方式形成。
蒸發(fā)物質(zhì)附著板160由例如鋁、不銹鋼、銅等金屬材料構(gòu)成，并固定在側(cè)壁面100a上。
如圖6所示，多個凹部161在側(cè)壁面100a上沿著底面(即，沿著與底面的法線方向的Z方向交叉的方向)，以厚度T2和間隔D2分別為例如1～2mm左右形成條紋狀。即，多個凹部161在側(cè)壁面100a上作為沿著底面的多個列形成。
如圖7所示，多個凹部161分別沿著相對室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖7中，箭頭線N所示的方向)向下方僅偏移角度θ2的方向(即，圖7中，箭頭線G所示的方向)，以從側(cè)壁面100a相對標靶110僅凹陷長度L2的方式形成。
多個凹部150以長度L2為例如1～2mm左右的方式形成。
角度θ2被設(shè)定為由室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖7中，箭頭線N所示的方向)和從側(cè)壁面100a向著標靶110的方向形成的角度。在本實施方式中，角度θ2被設(shè)定為由室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖7中，箭頭線N所示的方向)和從側(cè)壁面100a上的任意點Q向著標靶110的方向形成的角度。而且，角度θ2也可以被設(shè)定為由室100的側(cè)壁面100a的法線方向(即，圖7中，箭頭線N所示的方向)和從側(cè)壁面100a上的各點向著標靶110的方向形成的各角度的平均值?；蛘?，角度θ2也可以對于多個凹陷部161的各個彼此不同。
而且，在室100的側(cè)壁面100a上也可以形成多個凹部161。此外，如上所述，蒸發(fā)物質(zhì)附著板也可以設(shè)置在室100的底面或者與其相對的表面的至少一部分上。
在本實施方式中，特別地，由于如上所述構(gòu)成的蒸發(fā)物質(zhì)附著板160被設(shè)置在室100的側(cè)壁面100a上，因此，與上述的第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置大致相同地，可以在從標靶110蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)110a在室100的側(cè)壁面100a上作為附著物附著時，增大保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持量(即，能夠附著在側(cè)壁面100a上的蒸發(fā)物質(zhì)110a的附著可能量)。
更具體地，利用在側(cè)壁面100a設(shè)置的蒸發(fā)物質(zhì)附著板160的多個凹部161，可以增大側(cè)壁面100a的能夠附著蒸發(fā)物質(zhì)110a的總表面積。因此，在側(cè)壁面100a中，可以使蒸發(fā)物質(zhì)110a更多地附著在多個凹部161上，即，可以增加保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持量。
因此，可以延長保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持時間。因此，在蒸發(fā)鍍膜過程中，在室100的側(cè)壁面100a上作為附著物附著的蒸發(fā)物質(zhì)110a的量變多，可以抑制或者防止附著物從側(cè)壁面100a脫落。因此，在室100內(nèi)，可以減少由于從側(cè)壁面100a脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。這樣，可以提高在基板210上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的膜質(zhì)量。
進一步地，如圖7所示，多個凹部161由于沿著與側(cè)壁面100a的法線方向相比朝向標靶110的方向相對標靶110凹陷，因此，蒸發(fā)物質(zhì)110a容易進入多個凹部161內(nèi)，并且，可以使在多個凹部161內(nèi)反彈的蒸發(fā)物質(zhì)110a附著在多個凹部161內(nèi)。即，可以減少或者防止蒸發(fā)物質(zhì)110a在室100的側(cè)壁面100a上反彈朝向基板210。換句話說，可以降低或者防止與規(guī)定的方向不同的蒸發(fā)物質(zhì)110a朝向基板210。因此，可以提高在基板210上進行蒸發(fā)鍍膜的、具有例如規(guī)定的預(yù)傾斜角的無機取向膜等蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。即，可以在基板210的基板面的整個區(qū)域或者比較寬范圍上形成幾乎或者完全均勻的蒸發(fā)鍍膜膜。
如圖8中作為變形例所示的，蒸發(fā)物質(zhì)附著板160的多個凹部161也可以作為沿著沿底面的方向(圖8中，左右方向)的多個列形成。在此，圖8是本發(fā)明的第2變形例的與圖6對應(yīng)的斜視圖。
即，多個凹部161也可以作為包含排列多個凹部161a而構(gòu)成的列、排列多個凹部161b而構(gòu)成的列、排列多個凹部161c而構(gòu)成的列的多個列構(gòu)成。在這種情況下，通過減小多個凹部161的各個的大小或者使排列間隔變窄并在配置在側(cè)壁面100a上的蒸發(fā)物質(zhì)附著板160上較多地形成多個凹部161，可以增大多個凹部161的總表面積。因此，可以使蒸發(fā)物質(zhì)110a更多地附著在蒸發(fā)物質(zhì)附著板160(特別在多個凹部161內(nèi))。而且，多個凹部161的寬度W2可以設(shè)置成例如1～2mm左右。
<第3實施方式>
以下，參照圖9和圖10說明第3實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置。在此，圖9是第3實施方式的與圖3對應(yīng)的平面圖。圖10是圖9的A-A’線的剖面圖。而且，在圖9和圖10中，對與圖1至圖4所示的第1實施方式的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素賦予相同的參考符號，并適當?shù)厥÷云湔f明。
如圖9和圖10所示，本實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置在室100的側(cè)壁面100a上，替換第1實施方式的多個屋檐部150而具備蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170，這一點與上述的第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置不同，而其它點與上述的第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的構(gòu)成大致相同。
如圖9和圖10所示，蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170是編織由例如鋁、不銹鋼、銅等金屬材料構(gòu)成的金屬線170a和170b而構(gòu)成的金屬網(wǎng)，并被固定在側(cè)壁面100a上。金屬線170a和170b的各個的寬度W3和W4是例如1mm左右，并以間隔為例如2mm左右分別排列。即，蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170以規(guī)定例如2mm見方的網(wǎng)眼或者格子的方式編織金屬線170a和170b形成。
如圖10所示，蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170經(jīng)由對金屬線170a的每1條(或者，金屬線170b的每1條)配置的支撐部175固定在側(cè)壁面100a上，并部分地從側(cè)壁面100a只隔著間隔D3進行配置。這樣，在蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170和側(cè)壁面100a之間部分地形成空間190。而且，間隔D3被設(shè)定為例如1～2mm左右。
在本實施方式中，特別地，由于在室100的側(cè)壁面100a上設(shè)置有如上述構(gòu)成的蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170，因此，與上述的第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置大致同樣地，可以在從標靶110蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)110a在室100的側(cè)壁面100a上作為附著物附著時，增大保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持量(即，能夠附著在側(cè)壁面100a上的蒸發(fā)物質(zhì)110a的附著可能量)。
更具體地，利用由構(gòu)成在側(cè)壁面100a上設(shè)置的蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170的金屬線170a和170b構(gòu)成的網(wǎng)眼，可以增大側(cè)壁面100a的能夠附著蒸發(fā)物質(zhì)110a的總表面積。因此，在側(cè)壁面100a上，可以使蒸發(fā)物質(zhì)110a更多地附著在金屬線170a和170b上。即，可以增加保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持量。
因此，可以延長保持在側(cè)壁面100a上的附著物的保持時間。因此，在蒸發(fā)鍍膜過程中，在室100的側(cè)壁面100a上作為附著物附著的蒸發(fā)物質(zhì)110a的量變多，可以抑制或者防止附著物從側(cè)壁面100a脫落。因此，在室100內(nèi)，可以減少由于從側(cè)壁面100a脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。這樣，可以提高在基板210上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的膜質(zhì)量。
進一步地，在圖10中，在本實施方式中特別地，如上所述，蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170部分地從側(cè)壁面100a只隔著間隔D3進行配置。因此，還可以使蒸發(fā)物質(zhì)110a附著在蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170和側(cè)壁面100a之間。即，還可以使通過蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170的網(wǎng)眼到達空間190的蒸發(fā)物質(zhì)11a和在側(cè)壁面100a上反彈的蒸發(fā)物質(zhì)110a附著在與蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170的側(cè)壁面100a相對的一側(cè)上。因此，可以提高由蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170捕獲蒸發(fā)物質(zhì)110a的捕獲效率。因此，可以進一步減少由于附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生，并且可以進一步提高在基板上進行蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。
而且，在本實施方式中，雖然將編織金屬線形成的蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170設(shè)置在側(cè)壁面100a上，但是，也可以將組合成格子狀的多個金屬棒或者金屬板設(shè)置在側(cè)壁面100a上?；蛘?，也可以將具有排列成格子狀的多個開口部的金屬板設(shè)置在側(cè)壁面100a上。在這些情況下，也與將蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170設(shè)置在側(cè)壁面100a上的情況一樣，利用組合成格子狀的多個金屬棒或者金屬板，或者具有排列成格子狀的多個開口部的金屬板，可以提高捕獲蒸發(fā)物質(zhì)110a的捕獲效率。
(電光裝置的制造方法)以下，使用上述的本實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置，參照圖11說明制造電光裝置的方法。在此，作為電光裝置的一個例子，對制造在作為一對基板的元件基板和對置基板之間夾持作為電光物質(zhì)的一個例子的液晶而構(gòu)成的液晶裝置的情況進行說明。圖11是示出該制造流程的工序圖。
在圖11中，首先，一方面，在元件基板上，通過現(xiàn)有的薄膜成形技術(shù)和圖案技術(shù)等，根據(jù)應(yīng)當制造的機器類型適宜地制作各種布線、各種電子元件、各種電極、各種內(nèi)置電路等(步驟S1)。然后，使用上述的實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置10，在元件基板上面向?qū)χ没宓囊粋?cè)的表面上通過斜向蒸發(fā)鍍膜形成具有規(guī)定的預(yù)傾斜角的無機取向膜(步驟S2)。
另一方面，在對置基板上，通過現(xiàn)有的薄膜成形技術(shù)和圖形技術(shù)等，根據(jù)應(yīng)當制造的機器類型適宜地制作各種電極、各種遮光膜、各種彩色濾光器、各種微型透鏡等(步驟S3)。然后，使用上述的實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置10，在對置基板上面向元件基板一側(cè)的表面上通過斜向蒸發(fā)鍍膜形成具有規(guī)定的預(yù)傾斜角的無機取向膜(步驟S4)。
然后，使用由例如紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等構(gòu)成的密封材料，以兩個無機取向膜相對的方式將形成有無機取向膜的一對元件基板和對置基板進行粘合(步驟S5)。然后，在這些經(jīng)過粘合的基板間，使用例如真空吸引等注入液晶，并用例如粘接劑等密封材料進行密封、并進一步進行洗凈、檢查等(步驟S6)。
通過以上步驟，具備由上述的實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置10使用斜向蒸發(fā)鍍膜形成的無機取向膜的液晶裝置的制造完成。這樣，由于使用上述的實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置10形成無機取向膜，因此，如果采用本制造方法，則可以在基板面的整個區(qū)域或者比較寬的范圍上對無機取向膜均勻地進行蒸發(fā)鍍膜。
<成膜裝置>
參照圖12說明本實施方式的成膜裝置。以下，作為本發(fā)明的成膜裝置的一個例子，以濺射裝置為例進行說明。
圖12是示出本實施方式的濺射裝置的構(gòu)成的模式化的側(cè)面剖面圖。而且，在圖12中，為了使各構(gòu)成要素成為在圖面上能夠辨認的程度的大小，對每個構(gòu)成要素有不同的比例。
在圖12中，本實施方式的濺射裝置30具備室300。
在室300內(nèi)設(shè)置有標靶310、電源系統(tǒng)320以及晶片410。而且，標靶310是本發(fā)明的“標靶”的一個例子，電源系統(tǒng)320構(gòu)成本發(fā)明的“成膜單元”的一個例子，晶片410是本發(fā)明的“基板”的一個例子。此外，電源系統(tǒng)320也可以設(shè)置在室300外。
標靶310是在作為例如硅晶片的晶片410上形成的薄膜的基材。標靶310和晶片410以規(guī)定的間隔相對配置。晶片410通過支撐部810固定在室300的上面。
在濺射裝置30工作時，例如，在從未圖示的排氣管對室300內(nèi)抽取真空之后，從未圖示的氣體導(dǎo)入管以規(guī)定的流量導(dǎo)入例如Ar氣體，通過電源系統(tǒng)320在晶片410和標靶310之間(即，在晶片410一側(cè)設(shè)置的電極和在標靶310一側(cè)設(shè)置的電極之間)施加電壓。如果這樣，則在所生成的等離子中加速的Ar離子濺射標靶310的表面，并通過使濺射粒子310a在晶片410上堆積而形成薄膜。而且，濺射粒子310a是本發(fā)明的“飛散粒子”的一個例子。
進一步地，在室300內(nèi)設(shè)置有屏蔽部件510。屏蔽部件510以從標靶310一側(cè)覆蓋晶片410的方式設(shè)置，并且以可以使來自標靶310的濺射例子310a向著晶片410前進的方式形成開口部510a。因此，利用屏蔽部件510，可以抑制濺射粒子310a相對晶片410的表面從不需要的方向堆積。
在本實施方式中，特別地，在屏蔽部件510的表面具備作為本發(fā)明的“飛散粒子附著單元”的一個例子的濺射粒子附著部550。濺射粒子附著部550(即，濺射粒子附著部550a和550b)是與參照圖9和圖10上述的第3實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的蒸發(fā)物質(zhì)附著網(wǎng)170相同構(gòu)成的金屬網(wǎng)，并被固定在屏蔽部件510的表面上。濺射粒子附著部550a被設(shè)置在屏蔽部件510的表面中與晶片410相對的部分面上，濺射粒子附著部550b被設(shè)置在屏蔽部件510的表面中與標靶310相對的部分面上。因此，可以在來自標靶310的濺射粒子310a在屏蔽部件510的表面上作為附著物附著時，增大保持在該表面上的附著物的保持量。即，可以延長保持在屏蔽部件510的表面上的濺射粒子310a的保持時間。因此，當濺射裝置30進行成膜時，在屏蔽部件510的表面上附著的濺射粒子310a的量變多，可以抑制或者防止附著物從屏蔽部件510的表面脫落。因此，可以減少由于從屏蔽部件510脫落的附著物而引起的顆粒的產(chǎn)生。這樣，可以提高在晶片410上形成的薄膜的膜質(zhì)量。此外，可以延長除去在屏蔽部件510上附著的濺射粒子310所需要的周期，即，可以延長濺射裝置30的維護周期。
在此，濺射粒子附著部550也可以是與參照圖1至圖5上述的第1實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的多個屋檐部150相同構(gòu)成的多個屋檐部。更具體地，例如，濺射粒子附著部550a也可以作為以在朝向晶片410的方向上各自突出的方式設(shè)置的多個屋檐部設(shè)置，濺射粒子附著部550b也可以作為以在朝向標靶310的方向上各自突出的方式設(shè)置的多個屋檐部設(shè)置。在這種情況下，也可以延長保持在屏蔽部件510的表面上的濺射粒子310a的保持時間。
或者，濺射粒子附著部550也可以是與參照圖6和圖7上述的第2實施方式的蒸發(fā)鍍膜裝置的蒸發(fā)物質(zhì)附著板160相同構(gòu)成的濺射粒子附著板。更具體地，例如濺射粒子附著部550a也可以作為具有以沿著朝向晶片410的方向各自凹陷的方式設(shè)置的多個凹部的濺射粒子附著板設(shè)置，濺射粒子附著部550b也可以作為具有以在朝向標靶310的方向上各自凹陷的方式設(shè)置的多個凹部的濺射粒子附著板設(shè)置。在這種情況下，也可以延長保持在屏蔽部件510的表面上的濺射粒子310a的保持時間。而且，通過將這樣的多個凹部在屏蔽部件510上形成，也可以構(gòu)成濺射粒子附著部550。
本發(fā)明并不限于上述的實施方式，可以在不違反從權(quán)利要求的范圍和說明書整體中讀取的發(fā)明的要旨或者思想的范圍中適宜地改變，伴隨這樣的改變的蒸發(fā)鍍膜裝置、蒸發(fā)鍍膜方法以及使用該蒸發(fā)鍍膜裝置的電光裝置的制造方法和成膜裝置也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。
權(quán)利要求
1.一種蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，具備蒸發(fā)鍍膜單元，其使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜；真空槽，其規(guī)定用于設(shè)置上述蒸發(fā)鍍膜源和上述基板的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空；以及蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，其被設(shè)置在上述真空槽的壁面的至少一部分上，具有向著與上述壁面的法線方向相比朝向上述蒸發(fā)鍍膜源的方向各自突出的多個突出部，并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上；上述多個突出部在上述壁面中的側(cè)壁面上，作為沿著與上述底面的法線方向交叉的方向的多個列進行排列。
3.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上；上述多個突出部在上述壁面中的側(cè)壁面上，以沿著與上述底面的法線方向交叉的方向延伸的方式各自形成。
4.如權(quán)利要求2或者3所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于上述側(cè)壁面與上述底面鄰接。
5.一種蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，具備蒸發(fā)鍍膜單元，其使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜；真空槽，其規(guī)定用于設(shè)置上述基板和上述蒸發(fā)鍍膜源的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空；以及蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，其被設(shè)置在上述真空槽的壁面的至少一部分上，具有沿著與上述壁面的法線方向相比朝向上述蒸發(fā)鍍膜源的方向并相對上述蒸發(fā)鍍膜源各自凹陷的多個凹部，并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著。
6.如權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于由上述多個凹部的各個的內(nèi)表面規(guī)定的空間具有沿著朝向上述蒸發(fā)鍍膜源的方向延伸的形狀。
7.如權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上；上述多個凹部在上述真空槽的側(cè)壁面上，作為沿著與上述底面的法線方向交叉的方向的多個列進行排列。
8.如權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于上述蒸發(fā)鍍膜源被配置在上述真空槽的底面上；上述多個凹部在上述真空槽的側(cè)壁面上，以沿著與上述底面的法線方向交叉的方向延伸的方式各自形成。
9.如權(quán)利要求7或者8所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于上述側(cè)壁面與上述底面鄰接。
10.一種蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，具備蒸發(fā)鍍膜單元，其使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜；真空槽，其規(guī)定用于設(shè)置上述基板和上述蒸發(fā)鍍膜源的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空；以及蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，其被設(shè)置在上述真空槽的壁面的至少一部分上，相對上述壁面具有網(wǎng)眼狀的凹凸部，并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著。
11.一種蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于，具備蒸發(fā)鍍膜單元，其使從蒸發(fā)鍍膜源蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)在基板上進行蒸發(fā)鍍膜；真空槽，其規(guī)定用于設(shè)置上述基板和上述蒸發(fā)鍍膜源的空間并且能夠?qū)⒃摽臻g維持為真空；以及蒸發(fā)物質(zhì)附著單元，其被設(shè)置在上述真空槽的壁面的至少一部分上，相對上述壁面具有格子狀的凸部，并使上述蒸發(fā)物質(zhì)附著。
12.如權(quán)利要求10或者11所述的蒸發(fā)鍍膜裝置，其特征在于上述蒸發(fā)鍍膜物質(zhì)附著單元至少部分地從上述壁面隔著規(guī)定間隔進行配置。
13.一種蒸發(fā)鍍膜方法，其特征在于包含通過利用權(quán)利要求1至12的任意一項所述的蒸發(fā)鍍膜裝置在上述基板上對上述蒸發(fā)物質(zhì)進行蒸發(fā)鍍膜而形成蒸發(fā)鍍膜膜的蒸發(fā)鍍膜膜形成工序。
14.一種電光裝置的裝置方法，其特征在于包含利用將無機材料作為上述蒸發(fā)鍍膜源的權(quán)利要求1至12的任意一項所述的蒸發(fā)鍍膜裝置在上述基板上形成電光裝置用的無機取向膜的無機取向膜形成工序。
15.一種成膜裝置，其特征在于，具備成膜單元，其通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜；屏蔽部件，其被設(shè)置在上述標靶和上述基板之間并且形成有使上述飛散粒子通過的開口部；以及飛散粒子附著單元，其被設(shè)置在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上，具有從上述表面各自突出的多個突出部，并使上述飛散粒子附著。
16.一種成膜裝置，其特征在于，具備成膜單元，其通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜；屏蔽部件，其被設(shè)置在上述標靶和上述基板之間并且形成有使上述飛散粒子通過的開口部；以及飛散粒子附著單元，其被設(shè)置在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上，具有從上述表面各自凹陷的多個凹部，并使上述飛散粒子附著。
17.一種成膜裝置，其特征在于，具備成膜單元，其通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜；屏蔽部件，其被設(shè)置在上述標靶和上述基板之間并且形成有使上述飛散粒子通過的開口部；以及飛散粒子附著單元，其被設(shè)置在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上，相對上述表面具有網(wǎng)眼狀的凹凸部，并使上述飛散粒子附著。
18.一種成膜裝置，其特征在于，具備成膜單元，其通過使來自標靶的飛散粒子在基板上堆積而在上述基板上形成薄膜；屏蔽部件，其被設(shè)置在上述標靶和上述基板之間并且形成使上述飛散粒子通過的開口部；以及飛散粒子附著單元，其被設(shè)置在上述屏蔽部件的表面的至少一部分上，相對上述表面具有格子狀的凸部，并使上述飛散粒子附著。
全文摘要
在蒸發(fā)鍍膜裝置中，降低在真空室內(nèi)的壁面上附著的附著物的剝離并且提高蒸發(fā)鍍膜膜的指向性。蒸發(fā)鍍膜裝置(10)具備使從標靶(110)蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)(110)在基板(210)上進行蒸發(fā)鍍膜的電子束系統(tǒng)(120)；規(guī)定用于設(shè)置標靶(110)和基板(210)的空間(101)并能夠?qū)⒖臻g(101)維持為真空的室(100)。進一步地，具備在室(100)的側(cè)壁面(100a)的一部分上設(shè)置的、向著與側(cè)壁面(100a)的法線方向相比朝向標靶(110)的方向各自突出的多個屋檐部(150)。
文檔編號C23C14/24GK101050519SQ20071009582
公開日2007年10月10日 申請日期2007年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月5日
發(fā)明者中西淳二, 清水雄一 申請人:精工愛普生株式會社