專利名稱：卷取式真空成膜裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種下述方式的卷取式真空成膜裝置，所述方式為，在減壓環(huán)境內(nèi)，連續(xù)地放出絕緣性的薄膜，一面使薄膜與冷卻用輥緊密接觸進行冷卻，一面在該薄膜上蒸鍍并卷取金屬膜。
背景技術：
以往，一面將從卷放輥連續(xù)地放出的長的原料薄膜卷繞在冷卻用筒式輥上，一面使來自與該筒式輥相對配置的蒸發(fā)源的蒸發(fā)物質(zhì)蒸鍍到原料薄膜上，通過卷取輥，卷取蒸鍍后的原料薄膜，這種方式的卷取式真空蒸鍍裝置已被公知，例如被公開在下述專利文獻1中。
在這種真空蒸鍍裝置中，為了防止蒸鍍時的原料薄膜的熱變形，一面使原料薄膜緊密接觸冷卻用筒式輥的周面，進行冷卻，一面進行成膜處理。因此，在這種真空蒸鍍裝置中，重要的問題是怎樣確保原料薄膜相對于冷卻用筒式輥的緊密接觸作用。
作為提高了原料薄膜和冷卻用筒式輥之間的緊密接觸力的結構，例如，有下述專利文獻2所公開的結構。圖8表示下述專利文獻2記載的卷取式(等離子CVD)成膜裝置的概略結構。
參照圖8，在被維持為減壓環(huán)境的真空腔1的內(nèi)部，設置帶金屬膜的薄膜2的卷放輥3、冷卻用筒式輥4和卷取輥5，在筒式輥4的下方，配置著反應氣體供給源6。
這里，帶金屬膜的薄膜2是在絕緣性薄膜上形成有導電性一次薄膜的物體，在該導電性一次薄膜上，來自反應氣體供給源6的反應氣體進行反應并成膜。另外，筒式輥4是在金屬制的輥表面上形成有絕緣層的物體，輥主體被施加了規(guī)定的負電位。
這樣，在圖8所示的卷取式(等離子CVD)成膜裝置中，在卷放輥3和筒式輥4之間設置電子線照射器7，同時，在該電子線照射器7和筒式輥4之間設置將帶金屬膜的薄膜2上的導電膜連接到接地電位的引導輥8。據(jù)此，向帶金屬膜的薄膜2的絕緣層側(cè)表面照射電子束，使帶金屬膜的薄膜2帶電，通過與筒式輥4之間所產(chǎn)生的電吸附力，謀求帶金屬膜的薄膜2和筒式輥4之間的緊密接觸。
專利文獻1特開平7-118835號公報專利文獻2特開2000-17440號公報專利文獻3特開2003-301260號公報但是，在圖8所示的結構的以往的卷取式(等離子CVD)成膜裝置中，存在下述問題，即，作為帶金屬膜的薄膜2，只不過僅僅是帶導電膜的塑料薄膜有效，不能應用到在以塑料薄膜為例表示的原料薄膜上成膜金屬膜的處理中。
這是因為在該以往的卷取式(等離子CVD)成膜裝置中，由于已經(jīng)形成了金屬膜，所以在處理前，雖然能夠使施加到冷卻用筒式輥上的偏壓電位作用于帶金屬膜的薄膜，但是，在成膜金屬膜的情況下，在金屬膜成膜前的原料薄膜上沒有施加偏壓電位。再有，在使金屬膜蒸鍍前的原料薄膜帶電的情況下，若在薄膜上成膜金屬膜，則在原料薄膜上所帶電的電荷擴散到成膜于原料薄膜上的金屬膜，因此，存在筒式輥和原料薄膜之間的靜電引力降低，兩者的緊密接觸力劣化的情況。
因此，在以往的卷取式(等離子CVD)成膜裝置中的帶電以及偏壓電位的施加的方法不能應用到想要在以塑料薄膜為例表示的原料薄膜上形成金屬膜的情況，因為不能得到冷卻用筒式輥和原料薄膜之間的高緊密接觸力，所以原料薄膜的冷卻效果不足，或是引起在薄膜上產(chǎn)生皺褶等的熱變形，或是不能謀求原料薄膜行進速度的高度化，不能期望提高生產(chǎn)性。
再有，由于以提高筒式輥和原料薄膜之間的緊密接觸力為目的所進行的對原料薄膜照射電子線的影響，即使是在成膜后，原料薄膜也帶有電荷，由于該帶電壓，在卷取薄膜時和組裝薄膜電容等的制品時，存在著在薄膜上產(chǎn)生皺褶，難以正確地卷取的問題。
本發(fā)明就是鑒于上述問題而成，其課題在于，提供一種卷取式真空成膜裝置，該卷取式真空成膜裝置能夠抑制以塑料薄膜為例表示的絕緣性的原料薄膜的熱變形，以高速成膜金屬膜，謀求提高生產(chǎn)性，進而，能夠提高薄膜的除電效果。

發(fā)明內(nèi)容
在解決以上的課題時，本發(fā)明的卷取式真空成膜裝置具有荷電粒子照射構件、輔助輥、電壓施加構件、除電構件，該荷電粒子照射構件被配置在卷放部和成膜構件之間，向原料薄膜照射荷電粒子；該輔助輥被配置在冷卻用輥和卷取部之間，并與原料薄膜的成膜面接觸，對該原料薄膜的行進進行引導；該電壓施加構件對冷卻用輥和輔助輥之間施加直流電壓；該除電構件配置在冷卻用輥和卷取部之間，對原料薄膜進行除電，該除電構件由一方的電極接地的直流二極放電型等離子發(fā)生源構成。
在金屬膜成膜前，因荷電粒子的照射而帶電的原料薄膜以靜電引力，與被施加了偏壓電位的冷卻用輥緊密接觸。
另一方面，在金屬膜成膜后，雖然由于被成膜的金屬膜，原料薄膜上所帶電的電荷的一部分消失，但由于與輔助輥的接觸，金屬膜被施加電位，能夠使其與冷卻用輥之間產(chǎn)生靜電引力。據(jù)此，即使是在成膜后，也能維持原料薄膜和冷卻用輥之間的緊密接觸力。
另外，在金屬膜成膜后，通過配置在冷卻用輥和卷取部之間的除電構件，對薄膜上所帶電的荷電粒子進行除電。因為該除電構件由一方的電極接地的直流二極放電型等離子發(fā)生源構成，所以能夠進行以接地電位為基準的直流電壓的微調(diào)，謀求提高除電效果。
如上所述，在本發(fā)明中，因為在金屬膜成膜前后都能夠得到原料薄膜和冷卻用輥之間的高的緊密接觸力，所以提高了原料薄膜的冷卻效率，據(jù)此，防止在成膜時原料薄膜的熱變形，另外，可以提高原料薄膜的行進速度，有助于提高生產(chǎn)性。另外，提高了原料薄膜的除電效果，謀求了薄膜卷取工序或組裝所制造的薄膜電容器等的產(chǎn)品工序的適當化。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，因為在針對絕緣性的原料薄膜成膜金屬膜的前后，能夠確保原料薄膜和冷卻用輥之間的高的緊密接觸力，所以能夠防止原料薄膜的熱變形，同時提高了原料薄膜的行進速度，可大大有助于提高生產(chǎn)性。另外，提高了原料薄膜的除電效果，謀求了薄膜卷取工序或產(chǎn)品組裝工序的適當化。


圖1是基于本發(fā)明的實施方式的卷取式真空蒸鍍裝置10的概略結構圖。
圖2是表示原料薄膜的成膜面的圖，A表示形成油圖案25后的狀態(tài)，B表示金屬膜26蒸鍍后的狀態(tài)。
圖3是說明對原料薄膜12照射電子束的工序的剖視模式圖。
圖4是說明蒸鍍后的原料薄膜12和筒式輥14之間的吸附作用的剖視模式圖。
圖5是表示除電單元23的一個結構例的剖視圖。
圖6是表示除電單元23的內(nèi)部結構的主要部位的放大圖。
圖7是表示除電單元23的結構的變形例的剖視圖。
圖8是以往的卷取式真空成膜裝置的概略結構圖。
符號說明10卷取式真空蒸鍍裝置(卷取式真空成膜裝置)11真空腔12原料薄膜13卷放輥14筒式輥(冷卻用輥)15卷取輥16蒸發(fā)源(成膜構件)18輔助輥20圖案形成單元(遮蔽罩形成構件)21電子束照射器(荷電粒子照射構件)
22直流偏壓電源(電壓施加構件)23除電單元(除電構件)25油圖案26金屬膜30框架(等離子形成腔)31A、31B、32A、32B 電極36磁鐵塊E1、E2接地電位具體實施方式
下面，參照附圖，就本發(fā)明的實施方式進行說明。在本實施方式中，對將本發(fā)明應用到作為卷取式真空成膜裝置的卷取式真空蒸鍍裝置中的例子進行說明。
圖1是基于本發(fā)明的實施方式的卷取式真空蒸鍍裝置10的概略結構圖。本實施方式的卷取式真空蒸鍍裝置10具有真空腔11、原料薄膜12的卷放輥13、冷卻用筒式輥14、卷取輥15和蒸鍍物質(zhì)的蒸發(fā)源(與本發(fā)明的“成膜構件”對應)16。
真空腔11借助配管連接部11a、11c，與未圖示出的真空泵等的真空排氣系統(tǒng)連接，其內(nèi)部被減壓排氣至規(guī)定的真空度。真空腔11的內(nèi)部空間被分隔板11b分隔為配置著卷放輥13、卷取輥15等的室和配置著蒸發(fā)源16的室。
原料薄膜12是被裁剪成規(guī)定寬度的長的絕緣性塑料薄膜，在本實施方式中，使用OPP(延伸聚丙烯)單層薄膜。
另外，除此以外，還可以應用PET(對聚苯二甲酸乙二酯)薄膜、PPS(聚苯硫)薄膜等的塑料薄膜或紙片等。
原料薄膜12從卷放輥13放出，借助多個引導輥17、筒式輥14、輔助輥18、多個引導輥19被卷取于卷取輥15上。卷放輥13以及卷取輥15分別對應本發(fā)明的“卷放部”以及“卷取部”，在它們上分別設置未圖示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部。
筒式輥14為筒狀，由鐵等的金屬制造，在內(nèi)部，具有冷卻媒質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)等的冷卻機構和使筒式輥14旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構等。在筒式輥14的周面，以規(guī)定的接觸角，卷繞著原料薄膜12。卷繞在筒式輥14上的原料薄膜12，其外面?zhèn)鹊某赡っ姹粊碜哉舭l(fā)源16的蒸鍍物質(zhì)成膜，同時，被筒式輥14冷卻。
蒸發(fā)源16收容蒸鍍物質(zhì)，同時，具有通過電阻加熱、感應加熱、電子束加熱等的公知的方法，對蒸鍍物質(zhì)進行加熱使之蒸發(fā)的機構。該蒸發(fā)源16配置在筒式輥14的下方，使蒸鍍物質(zhì)的蒸汽附著在相對的筒式輥14上的原料薄膜12上，形成覆膜。
作為蒸鍍物質(zhì)，除了Al、Co、Cu、Ni、Ti等的金屬元素單體以外，還可以應用Al-Zn、Cu-Zn、Fe-Co等兩種以上的金屬或多元系合金，蒸發(fā)源也不僅僅被限定為一個，也可以設置為多個。
本實施方式的卷取式真空蒸鍍裝置10還具有圖案形成單元20、電子束照射器21、直流偏壓電源22以及除電單元23。
圖案形成單元20形成有相對于原料薄膜12的成膜面，劃分金屬膜的蒸鍍區(qū)域的圖案，被設置在卷放輥13和筒式輥14之間。
圖2表示原料薄膜12的成膜面。
圖案形成單元20被構成為，例如將在圖2A中由影線表示的形狀的油圖案25，在原料薄膜12的成膜面上沿其長度方向(行進方向)遍及多列地涂抹。因此，在成膜時，在油圖案25的開口部25a上成膜多列金屬膜26，該金屬膜26的形態(tài)為覆蓋有蒸鍍物質(zhì)的大致矩形狀的金屬圖案借助連接部26a，以規(guī)定的間距連接(圖2B)。另外，金屬膜26的成膜形態(tài)并非限定在上述情況。
接著，電子束照射器21與本發(fā)明的“荷電粒子照射構件”相對應，對原料薄膜12照射作為荷電粒子的電子束，使原料薄膜12帶負電。
圖3是說明對原料薄膜12照射電子束的工序的剖視模式圖。在本實施方式中，電子束照射器21設置在與筒式輥14的周面相對的位置，對與筒式輥14接觸的原料薄膜12的成膜面照射電子束。通過在筒式輥14上照射電子束，可以一面冷卻原料薄膜12，一面照射電子束。
特別是，在本實施方式中，以電子束一面在原料薄膜12的寬度方向掃描一面照射的方式，構成電子束照射器21，據(jù)此，能夠避免由于局部照射電子束導致的原料薄膜的加熱損傷，同時，能夠使原料薄膜12均勻且效率良好地帶電。
直流偏壓電源22對筒式輥14和輔助輥18之間施加規(guī)定的直流電壓，與本發(fā)明的“電壓施加構件”對應。在本實施方式中，筒式輥14與正極連接，輔助輥18與負極連接。據(jù)此，由電子束照射并帶負電的原料薄膜12如圖3所示，由于靜電引力，被電吸附在筒式輥14的周面，且與其緊密接觸。另外，直流偏壓電源22為固定式或可動式均可。
這里，輔助輥18為金屬制，其周面被設置在與原料薄膜12的成膜面滾動接觸的位置。該輔助輥18與接地電位E1連接(圖1)。
圖4是說明蒸鍍后的原料薄膜12和筒式輥14之間的吸附作用的剖視模式圖。通過蒸鍍，在原料薄膜12上圖案狀地形成金屬膜26。如圖2B所示，因為金屬膜26沿長度方向連接，所以被輔助輥18引導的原料薄膜12通過其成膜面上的金屬膜26(參照圖2B)和輔助輥18的周面的接觸，使被夾在金屬膜26和筒式輥14之間的原料薄膜12極化，在原料薄膜12和筒式輥14之間產(chǎn)生靜電吸附力，謀求兩者的緊密接觸。
這樣，除電單元23與本發(fā)明的“除電構件”對應，被配置在冷卻用筒式輥14和卷取輥15之間，具有對因來自電子束照射器21的電子照射而帶電的原料薄膜12進行除電的功能。作為除電單元23的結構例，也可以采用使原料薄膜12通過等離子中，通過離子沖擊處理，對原料薄膜12除電的機構。
圖5表示除電單元23的一個結構例，A是相對于薄膜行進方向垂直的剖視圖，B是與薄膜行進方向平行的剖視圖。除電單元23具有金屬制框架30、兩對電極31A、31B、32A、32B和導入管33，該金屬制框架30具有能使原料薄膜12通過的狹槽30a、30a；該兩對電極31A、31B、32A、32B在該框架30內(nèi)，隔著原料薄膜12相對；該導入管33將氬等的工藝氣體導入框架30內(nèi)。另外，框架30與本發(fā)明的“等離子形成腔”對應。
一方的框架30與直流電源34的正極連接，同時與接地電位E2連接。
另一方面，各個電極31A、31B、32A、32B是軸狀的電極部件，分別連接在直流電源34的負極。如圖6所示，在這些各電極的外周圍，以反復SN-NS-SN-…的方式，沿電極的軸向，使極性相互反轉(zhuǎn)地安裝著多組由多個環(huán)狀的永久磁鐵小片35構成的磁鐵塊36。
另外，由多個永久磁鐵小片35構成各磁鐵塊36是為了便于調(diào)整該磁鐵塊36的磁極間的長度。當然，也可以用單一的永久磁鐵材料形成這些各磁鐵塊36。另外，直流電源34是作為固定電源來圖示的，當然也可以作為可變電源。
如上所述，本實施方式的除電單元23是一面將向框架30和電極31A、31B、32A、32B之間施加直流電壓，使等離子產(chǎn)生的直流二極放電型的等離子發(fā)生源作為基本結構，一面附加使各磁鐵塊36的磁場成分與這些框架-電極間的電場成分正交的磁場收斂(磁控管放電)功能，產(chǎn)生等離子，以封閉電極周圍的磁場。
另外，從保護原料薄膜12的觀點出發(fā)，等離子最好是低壓。在該情況下，通過采用圖示的磁控管放電型，可以容易地以低壓產(chǎn)生等離子。
接著，就本實施方式的卷取式真空蒸鍍裝置10的動作進行說明。
在被減壓至規(guī)定的真空度的真空腔11的內(nèi)部，從卷放輥13連續(xù)地放出的原料薄膜12經(jīng)過油圖案25的形成工序、電子束照射工序、蒸鍍工序、除電工序，被連續(xù)地卷繞在卷取輥15上。
在遮蔽罩形成工序中，原料薄膜12通過圖案形成單元20，例如圖2A所示方式的油圖案25被涂抹形成在成膜面上。作為遮蔽罩形成方法，可采用與原料薄膜12滾動接觸的轉(zhuǎn)印輥進行的圖案轉(zhuǎn)印法。
形成有油圖案25的原料薄膜12被卷回到筒式輥14上。原料薄膜12在與筒式輥14接觸開始的位置附近，被電子束照射器21照射電子束，在電位上為帶負電。
此時，因為在原料薄膜12與筒式輥14接觸的位置照射電子束，所以可以效率良好地冷卻原料薄膜12。
另外，通過針對行進的原料薄膜12的成膜面一面在其寬度方向掃描，一面照射電子束，可以避免由于局部照射電子束導致的原料薄膜12的熱變形，同時能夠使原料薄膜12均勻且效率良好地帶電。
受到電子束的照射且?guī)ж撾姷脑媳∧?2通過靜電引力，與被直流偏壓電源22偏壓為正電位的筒式輥14緊密接觸(圖3)。然后，通過從蒸發(fā)源16蒸發(fā)的蒸鍍物質(zhì)堆積在原料薄膜12的成膜面，形成如2B所示的金屬膜26。該金屬膜26具有借助連接部26a，在原料薄膜12的長度方向連續(xù)的多列島狀的形態(tài)。
成膜于原料薄膜12的金屬膜26借助輔助輥18，被施加有直流偏壓電源22的負電位。因為金屬膜26形成為在原料薄膜12的長度方向連續(xù)的島狀，所以在蒸鍍金屬膜26后，在卷回到筒式輥14上的原料薄膜12中，被分別極化為在金屬膜26側(cè)的一方的表面為正，在筒式輥14側(cè)的另一方的表面為負，如圖4所示，在原料薄膜12和筒式輥14之間產(chǎn)生靜電吸附力。其結果為，原料薄膜12和筒式輥14相互緊密接觸。
如上所述，在本實施方式中，因為在蒸鍍金屬膜26前，通過電子束的照射，使原料薄膜12帶電，與筒式輥14緊密接觸，在蒸鍍金屬膜26后，通過施加在該金屬膜26和筒式輥14之間的偏壓電壓，使原料薄膜12與筒式輥14緊密接觸，所以即使是在蒸鍍金屬膜前，原料薄膜12所帶電的電荷(電子)的一部分在其后的蒸鍍金屬膜的工序中向該金屬膜放出并且消失，也可以通過從輔助輥18向金屬膜26施加(供給電子)負電位，來補償該消失的電荷的一部分或全部。
因此，根據(jù)本實施方式，即使是在蒸鍍工序后，也抑制了原料薄膜12與筒式輥14之間的緊密接觸力的降低，在蒸鍍工序的前后，確保原料薄膜12的穩(wěn)定地冷卻作用。
據(jù)此，可以防止在蒸鍍金屬膜時的原料薄膜12的熱變形，同時使原料薄膜12的高速行進化、成膜運轉(zhuǎn)速度的高速化成為可能，可以謀求提高生產(chǎn)性。這樣的結構特別有利于通過若附著了OPP薄膜等的那樣的金屬膜則難以帶電的材料構成原料薄膜12的情況。再有，因為在原料薄膜12上圖案狀地形成金屬膜26的情況下，存在隨著局部溫度上升，電荷變化的情況，所以為了均勻地冷卻原料薄膜12，最好通過偏壓電壓來對除去電荷的金屬膜形成部分提高其緊密接觸性。
那么，如上所述，進行了金屬膜26的蒸鍍的原料薄膜12被除電單元23除電后，被卷取在卷取輥15上。根據(jù)本實施方式，因為是通過一方的電極接地的直流二極放電型等離子發(fā)生源構成除電單元23，所以能夠容易且準確地進行以框架30的電位為基準的對電極31A、31B、32A、32B的電位調(diào)整和微調(diào)，謀求了除電效果的提高。
即，在沒有將除電單元23與接地電位連接的情況下，雖然單元整體的電位成為浮游狀態(tài)，基準電位微妙地偏移，不能得到高的除電效率，但象本發(fā)明這樣，通過將除電單元23的一方的電極(框架30)連接到基準電位E2，能夠調(diào)整DC電壓34，進行數(shù)V至數(shù)十V的除電調(diào)整。據(jù)此，能夠?qū)⒃媳∧さ膸щ妷阂种圃跀?shù)V級，能夠確保原料薄膜12的穩(wěn)定的卷取動作，同時可以防止因帶電產(chǎn)生的卷取皺褶。另外，謀求了疊層薄膜電容器等的制品組裝的恰當化。
另外，因為使輔助輥18也接地，所以在向除電單元23導入前，可以進行原料薄膜12的預備除電處理，能夠謀求進一步提高除電單元23的除電效率。
以上，對本發(fā)明的實施方式進行了說明，當然，本發(fā)明并非僅限于此，可以根據(jù)本發(fā)明的技術思想進行各種變形。
例如，在以上的實施方式中，作為蒸鍍在原料薄膜12上的金屬膜26，被形成為圖2B所示的借助連接部26a連接的島狀，但并非僅限于此，例如當然也可以或是沿薄膜長度方向的直線圖案，或是不形成遮蔽罩而整體地成膜。
另外，在以上的實施方式中，雖然是照射電子束，使原料薄膜12帶負電，但是替代這種方式，也可以照射離子，使原料薄膜12帶正電。在該情況下，要使施加在筒式輥14以及輔助輥18的偏壓的極性與上述實施方式相反(筒式輥14為負極，輔助輥18為正極)。
再有，雖然作為除電單元23的結構，是隔著原料薄膜12設置兩對軸狀的電極31A、31B、32A、32B，但并非僅限于此，也可以如圖7所示，由一對電極31A、31B構成除電單元。另外，并不僅限于使除電單元23的框架側(cè)接地，也可以使上述軸狀電極側(cè)接地。另外，除電單元23也可以設置在輔助輥18的下游側(cè)。
另外，在以上的實施方式中，是對將真空蒸鍍法應用到金屬膜的成膜法的例子進行了說明，當然并非僅限于此，也可以應用到濺射法或各種CVD法等的成膜金屬膜的其他的方法。
權利要求
1.一種卷取式真空成膜裝置，該裝置具有真空腔、卷放部、卷取部、冷卻用輥、成膜構件，該卷放部配置在該真空腔的內(nèi)部，連續(xù)地放出絕緣性的原料薄膜；該卷取部卷取從該卷放部放出的原料薄膜；該冷卻用輥配置在上述卷放部和上述卷取部之間，與上述原料薄膜緊密接觸，對該薄膜進行冷卻；該成膜構件與上述冷卻用輥相對配置，在上述原料薄膜上成膜金屬膜，其特征在于，具有配置在上述冷卻用輥和上述卷取部之間，并與上述原料薄膜的成膜面接觸，對該原料薄膜的行進進行引導的輔助輥；對上述冷卻用輥和上述輔助輥之間施加直流電壓的電壓施加構件；配置在上述冷卻用輥和上述卷取部之間，對上述原料薄膜進行除電的除電構件，上述除電構件是一方的電極接地的直流二極放電型等離子發(fā)生源。
2.如權利要求1所述的卷取式真空成膜裝置，其特征在于，上述除電構件具有等離子形成腔，和設置在該等離子形成腔內(nèi)，隔著上述原料薄膜相對的至少一對電極部件，這些等離子形成腔以及電極部件中，任意的一方與接地電位連接，另一方與電源電位連接。
3.如權利要求2所述的卷取式真空成膜裝置，其特征在于，上述電極部件為軸狀，在其外周圍安裝著永久磁鐵。
4.如權利要求1所述的卷取式真空成膜裝置，其特征在于，在上述卷放部和上述成膜構件之間，配置向上述原料薄膜照射荷電粒子的荷電粒子照射構件。
5.如權利要求1所述的卷取式真空成膜裝置，其特征在于，上述輔助輥與接地電位連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種卷取式真空成膜裝置，該卷取式真空成膜裝置能夠抑制絕緣性的原料薄膜的熱變形，以高速成膜金屬膜，謀求提高生產(chǎn)性，進而，能夠提高薄膜的除電效果。其中，具有電子束照射器(21)、輔助輥(18)、直流偏壓電源(22)、除電單元(23)，該電子束照射器(21)被配置在卷放輥(13)和蒸發(fā)源(16)之間，向原料薄膜(12)照射荷電粒子；該輔助輥(18)被配置在冷卻用筒式輥(14)和卷取輥(15)之間，并與原料薄膜(12)的成膜面接觸，對該原料薄膜(12)的行進進行引導；該直流偏壓電源(22)對筒式輥(14)和輔助輥(18)之間施加直流電壓；該除電單元(23)配置在筒式輥(14)和卷取輥(15)之間，對原料薄膜(12)進行除電，該除電單元(23)由一方的電極接地的直流二極放電型等離子發(fā)生源構成。
文檔編號C23C14/56GK1969057SQ20068000034
公開日2007年5月23日 申請日期2006年2月14日 優(yōu)先權日2005年2月16日
發(fā)明者林信博, 橫井伸, 多田勛, 中塚篤 申請人:株式會社愛發(fā)科