專利名稱：：鈦、鋁金屬層疊膜蝕刻液組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于液晶顯示器的柵極、源極和漏極等中的金屬層疊膜的蝕刻液組合物。
背景技術(shù)：
：由于鋁或在鋁中添加有釹、硅或銅等雜質(zhì)的合金價(jià)錢便宜且電阻非常低，因此被用于液晶顯示器的柵極、源極和漏極等的材料中。但是，由于鋁或鋁合金與作為基底膜的玻璃基板之間的密合性(粘附性)有些差，且容易被藥液和熱所腐蝕，因此在鋁或鋁合金的上部和/或下部使用鉬或鉬合金的膜作為層疊膜來(lái)用于電極材料，通過(guò)使用了磷酸等的蝕刻液一起進(jìn)行層疊膜的蝕刻。近年來(lái)，由于鉬或鉬合金的價(jià)格升高，且謀求由藥液和熱所導(dǎo)致的腐蝕性的進(jìn)一步改善等理由，鈦或鈦合金受到注目。鉬蝕刻用的磷酸等不能用于鈦或鈦合金的蝕刻，而是進(jìn)行作為半導(dǎo)體基板中鈦-鋁系金屬層疊膜的蝕刻方法的使用了鹵素類氣體的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)等的干式蝕刻。在RIE中，可通過(guò)各向異性蝕刻來(lái)在某種程度上控制錐形，但由于需要高價(jià)的真空裝置和高頻產(chǎn)生裝置，在成本方面不利，因此希望開(kāi)發(fā)更廉價(jià)且也可以減少處理時(shí)間的一起進(jìn)行蝕刻的蝕刻液。另一方面，己知在半導(dǎo)體裝置的制造工序中將以鈦為主成分的金屬薄膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，一般使用氫氟酸系蝕刻液(例如專利文獻(xiàn)l)。另外，還已知通過(guò)使用了氨水-過(guò)氧化氫水的蝕刻液，可以進(jìn)行鈦或鈦合金的蝕刻(例如專利文獻(xiàn)2)。但是，在使用氫氟酸系蝕刻液時(shí)，由于對(duì)底層的玻璃基板、硅基板和化合物半導(dǎo)體基板造成損傷，因此不能使用。在使用氨水-過(guò)氧化氫水時(shí)，由于過(guò)氧化氫水的分解而產(chǎn)生氣泡，由于氣泡對(duì)基板的附著，蝕刻變得不完全，且蝕刻液的壽命短，因此難以使用。其它與用作玻璃基板等的蝕刻液的本發(fā)明的用途不同，作為裝飾品和電子元件中所使用的以除去鈦或鈦合金的表面銹和使其平滑化為目的的蝕刻液，己經(jīng)公開(kāi)了以過(guò)氧化氫、氟化物、無(wú)機(jī)酸類和氟系表面活性劑為必要成分的組合物(專利文獻(xiàn)3)，但并不能對(duì)將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜進(jìn)行蝕刻給以啟示。另外，作為由鈦層和銅層所構(gòu)成的金屬層疊膜的蝕刻液，已經(jīng)公開(kāi)了含有過(guò)二硫酸鹽和氟化物的水溶液(專利文獻(xiàn)4)，但并不是對(duì)由鋁層和鈦層所構(gòu)成的金屬層疊膜進(jìn)行蝕刻的溶液。作為將鈦-鋁金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻的蝕刻液，公開(kāi)了含有氫氟酸、高碘酸和硫酸的蝕刻液(專利文獻(xiàn)5)。但是，該蝕刻液是將金屬層疊膜的各金屬膜以同樣的蝕刻速率進(jìn)行蝕刻，因此，蝕刻后的錐角變?yōu)榇笾?0度。最近，為了防止形成于柵極線上的源極線的斷線、柵極線和源極線之間的短路等，經(jīng)常進(jìn)行將基板上的配線制成錐形(錐角小于90度)(專利文獻(xiàn)6)，但專利文獻(xiàn)5中的蝕刻液并不能滿足這種目的。另外，這種蝕刻液還存在對(duì)玻璃基板造成損傷的問(wèn)題。通常來(lái)說(shuō)，蝕刻液對(duì)鋁或鋁合金的蝕刻速率要大于對(duì)鈦或鈦合金的蝕刻速率。因此，目前還不知道可將含有由鈦或鈦合金所構(gòu)成的層和由鋁或鋁合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜、例如鈦或鈦合金/鋁或鋁合金/鈦或鈦合金所構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)的金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻、并制成錐形的蝕亥喊。專利文獻(xiàn)l:特開(kāi)昭59-124726號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開(kāi)平6-310492號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:特開(kāi)2004-43850號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:特開(kāi)2001-59191號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:特開(kāi)2000-133635號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:特開(kāi)2004-165289號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容艮P，本發(fā)明的目的在于提供一種解決了上述問(wèn)題點(diǎn)且可以將鈦-鋁系金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻并制成錐形的蝕刻液。在為了解決上述問(wèn)題而進(jìn)行銳意研究中發(fā)現(xiàn)，將選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少一種氟化物和氧化劑組合而成的蝕刻液可以合適地將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻，通過(guò)進(jìn)一步進(jìn)行研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。艮口，本發(fā)明涉及一種蝕刻液組合物，其用于將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻，上述蝕刻液組合物含有氟化物和氧化劑，其中上述氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少一種。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液組合物中，僅使用氟化物、氧化劑和水作為構(gòu)成原料，所述氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少一種。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液組合物中，氧化劑為從硝酸、硝酸銨、硫酸銨、過(guò)二硫酸銨、過(guò)二硫酸鉀、高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鈉、高氯酸鉀、高碘酸、高碘酸鈉、高碘酸鉀、甲磺酸、過(guò)氧化氫水、硫酸和硫酸乙二胺之中選擇的至少一種。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液組合物中，氟化物的濃度為0.01~5質(zhì)量％，氧化劑的濃度為0.150質(zhì)量％。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液組合物中，氧化劑為硝酸或甲磺酸。本發(fā)明還涉及在上述蝕刻液組合物中，其進(jìn)一步含有作為氧化劑的從硝酸銨、硫酸銨、過(guò)二硫酸銨、過(guò)二硫酸鉀、高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鈉、高氯酸鉀、高碘酸、高碘酸鈉、高碘酸鉀、過(guò)氧化氫水、硫酸和硫酸乙二胺之中選擇的至少1種。本發(fā)明還涉及上述蝕刻液組合物，其進(jìn)一步含有從氨基磺酸、醋酸和鹽酸之中選擇的至少1種。本發(fā)明還涉及上述蝕刻液組合物，其中，底層基板為液晶顯示器用玻璃基板。本發(fā)明還涉及上述蝕刻液組合物，其中，底層基板為半導(dǎo)體裝置用硅基板或化合物半導(dǎo)體基板。本發(fā)明還涉及上述蝕刻液組合物，其中，可將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜在蝕刻后的錐角控制在30~90度的范圍內(nèi)。本發(fā)明還涉及上述蝕刻液組合物，其中可將錐角控制在3085度的范圍內(nèi)。如上所述，本發(fā)明的蝕刻液組合物含有選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少一種氟化物和氧化劑作為構(gòu)成原料。通過(guò)本發(fā)明的蝕刻液組合物的這種構(gòu)成，在含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜的蝕刻中，可使蝕刻速率為Ti〉A(chǔ)l，由此，也可將例如鈦或鈦合金/鋁或鋁合金/鈦或鈦合金所構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)的金屬層疊膜通過(guò)一起蝕刻而形成為錐形。本發(fā)明中，如果使用氟氫酸作為構(gòu)成原料的氟化物，則會(huì)對(duì)玻璃基板造成損傷，因此本發(fā)明中不使用氟氫酸作為構(gòu)成原料。氧化劑可以根據(jù)所希望的錐角適當(dāng)選擇或組合。例如，在將錐角控制在40度以下時(shí)使用硝酸或甲磺酸，在將錐角控制在50度以上時(shí)使用過(guò)二硫酸鹽等氧化劑。另外，通過(guò)組合硝酸或甲磺酸和其它氧化劑，也可以控制在所希望的錐角。本發(fā)明的蝕刻液對(duì)底層基板不會(huì)帶來(lái)壞的影響，且可以將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻、且制成錐形，因此在提高柵極的覆蓋性、可制造髙品質(zhì)的產(chǎn)品的同時(shí)，在經(jīng)濟(jì)方面也是優(yōu)異的。另外也可以容易地進(jìn)行錐角的控制。附圖'說(shuō)明圖l表示在絕緣性基板上所形成的含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜的配線工序。符號(hào)說(shuō)明(1)玻璃基板(2)鈦或鈦合金膜(3)鋁或鋁合金膜(4)抗蝕劑(a)通過(guò)本發(fā)明的蝕刻液蝕刻后的柵極(大致一樣的錐形和40度以下的錐形)(b)通過(guò)本發(fā)明的蝕刻液蝕刻后的源極或漏極(90度的錐角)具體實(shí)施方式本發(fā)明的蝕刻液組合物是由氟化物、氧化劑和水所構(gòu)成的。本發(fā)明的蝕刻液中所使用的氟化物，由于將被作為本蝕刻液的成分的氧化劑所氧化的金屬層疊膜上的氧化鈦溶解，可以被認(rèn)為是主要進(jìn)行蝕刻的物質(zhì)。本發(fā)明的蝕刻液中所使用的氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少一種，氟化物例如優(yōu)選為氟化銨、氟化鉀、氟化鈣、氟氫化銨、氟氫化鉀、氟化鈉、氟化鎂、氟化鋰、六氟硅酸、六氟硅酸銨、六氟硅酸鈉、六氟硅酸鉀、四氟硼酸、四氟硼酸銨、四氟硼酸鈉、四氟硼酸鉀等，特別優(yōu)選為氟化銨或氟氫化銨。另外，本發(fā)明的蝕刻液中所使用的氧化劑通過(guò)將金屬層疊膜上的鈦或鈦合金氧化而發(fā)揮作為蝕刻引發(fā)劑的作用。本發(fā)明的蝕刻液中所使用的氧化劑優(yōu)選為從硝酸、硝酸銨、硫酸銨、過(guò)二硫酸銨、過(guò)二硫酸鉀、高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鈉、嵩氯酸鉀、高碘酸、髙碘酸鈉、髙碘酸鉀、甲磺酸、過(guò)氧化氫水、硫酸和硫酸乙二胺之中選擇的至少一種，其中更優(yōu)選為硝酸、過(guò)二硫酸銨、甲磺酸。除了硫酸銨、硫酸乙二胺之外的含氮有機(jī)化合物硫酸鹽，例如哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-氨基-甲基哌嗪等的硫酸鹽也可以作為氧化劑使用，但從容易獲得方面考慮，優(yōu)選硫酸銨、硫酸乙二胺。硝酸或甲磺酸由于即使在低濃度也可以降低錐角、例如使其為40度或以下，因此特別優(yōu)選。除了硝酸和甲磺酸之外的氧化劑雖然降低錐角的效果較小，但是由于對(duì)抗蝕劑的損傷小，且可以控制側(cè)面蝕刻量，因此優(yōu)選。含有上述氟化物和硝酸或甲磺酸的蝕刻液可以將錐角控制在40度以下，通過(guò)進(jìn)一步添加除了硝酸和甲磺酸之外的氧化劑、或從氨基磺酸、醋酸、鹽酸之中選擇的至少一種，可以將錐角控制在3090度之間，優(yōu)選控制在30度以上但小于90度，更優(yōu)選3085度，進(jìn)一步優(yōu)選控制在30-80度之間。作為本發(fā)明的蝕刻液組合物的優(yōu)選組合，可以列舉出氟化銨和硝酸、氟化銨和甲磺酸，除此之外，作為使用2種以上氧化劑的組合，可以列舉出氟化銨、硝酸和高氯酸；氟化銨、硝酸和硫酸；氟化銨、硝酸、高氯酸和甲磺酸；氟化銨、硝酸、高氯酸和硫酸等。另外，為了提高與基板的潤(rùn)濕性，也可以在本蝕刻液中添加一般所使用的表面活性劑和有機(jī)溶劑。本發(fā)明的蝕刻液適于將在由玻璃基板等所構(gòu)成的絕緣基板上和硅、化合物半導(dǎo)體基板上通過(guò)例如濺射法所形成的下述金屬層疊膜進(jìn)行蝕刻，該金屬層疊膜含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層、例如由鈦/鋁、鋁/鈦、鈦/鋁/鈦所構(gòu)成的金屬層疊膜。該蝕刻液的氟化物的濃度為0.01-5質(zhì)量％，優(yōu)選為0.1-1質(zhì)量％，氧化劑的濃度為0.150質(zhì)量％，優(yōu)選為0.510質(zhì)量％。在氟化物濃度為5質(zhì)量％以下時(shí)，不會(huì)對(duì)底層玻璃造成損傷，而且可以抑制含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜的側(cè)面蝕刻量；在0.01質(zhì)量％以上時(shí)，鈦或鈦合金的蝕刻不均變少，蝕刻后的形狀變好。氧化劑的含量為50質(zhì)量％以下時(shí)，可以抑制含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜的側(cè)面蝕刻量，而且，也不會(huì)發(fā)生對(duì)抗蝕劑的損傷；0.1質(zhì)量％以上時(shí)，鈦或鈦合金的蝕刻速度快且有效。為了適當(dāng)?shù)乜刂棋F角、特別是為了使其達(dá)到30卯度，通過(guò)將硝酸或甲磺酸單獨(dú)使用、或者將硝酸或甲磺酸與其它氧化劑適當(dāng)組合來(lái)進(jìn)行。這時(shí)，硝酸或甲磺酸優(yōu)選為0.1~30質(zhì)量％，特別優(yōu)選為0.515質(zhì)量％，其它的氧化劑優(yōu)選為0.1~20質(zhì)量％，特別優(yōu)選為0.515質(zhì)量％。特別是為了使錐角達(dá)到40度以下，優(yōu)選使用硝酸或甲磺酸。另外，在進(jìn)一步含有從氨基磺酸、醋酸和鹽酸之中選擇的至少1種的情況下，它們的濃度優(yōu)選為0.0110質(zhì)量％，特別優(yōu)選為0.55質(zhì)量％。本發(fā)明的蝕刻液所蝕刻的金屬層疊膜的底層基板并沒(méi)有特別的限定，在鈦、鋁金屬層疊膜用于液晶顯示器時(shí)優(yōu)選玻璃基板，在用于半導(dǎo)體裝置時(shí)優(yōu)選硅基板和化合物半導(dǎo)體基板。下面，列舉實(shí)施例和比較例來(lái)進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。實(shí)施例實(shí)施例1~26如圖1所示，制備在玻璃基板(1)上通過(guò)濺射法成膜有鈦(700A)/鋁(2500A)/鈦(200A)的基板。然后，在玻璃/鈦/鋁/鈦金屬層疊膜上用抗蝕劑(4)形成圖形，并浸漬在表1的實(shí)施例126的蝕刻液(含有各實(shí)施例中記載的成分的水溶液)中(蝕刻溫度為3(TC)。之后，用超純水洗滌、吹氮?dú)飧稍锖?，通過(guò)電子顯微鏡觀察基板形狀。結(jié)果示于表l中。比較例1~2將在玻璃基板上通過(guò)濺射法所形成的實(shí)施例中所使用的玻璃/鈦/鋁/鈦浸漬在表1的比較例1~2的各成分所組成的蝕刻液中，與實(shí)施例同樣地進(jìn)行處理。結(jié)果一起示于表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>從表1可知，通過(guò)使用本發(fā)明的蝕刻液進(jìn)行蝕刻，可以將通過(guò)濺射法所形成的鈦/鋁/鈦層疊膜短時(shí)間地一起蝕刻。而且，通過(guò)適當(dāng)選擇氧化劑，可以控制在所希望的錐角。比較例35為了進(jìn)一步測(cè)試專利文獻(xiàn)5中所述的蝕刻液，制備了下述組成的蝕刻液(水溶液)。比較例3:氫氟酸(0.3質(zhì)量％)+高碘酸(0.5質(zhì)量％)+硫酸(0.54質(zhì)量％)比較例4:氫氟酸(15質(zhì)量％)+高碘酸(1.5質(zhì)量％)+硫酸(5.4質(zhì)量％)比較例5:氫氟酸(0.03質(zhì)量％)+高碘酸(0.05質(zhì)量％)+硫酸(0.06質(zhì)量％)接著，準(zhǔn)備A1板(Al單獨(dú)類20X10X0.1mm)、Ti板(Ti單獨(dú)類20X10X0.1mm)、將它們兩張連接起來(lái)而得到的Al/Ti接觸基板(Al-Ti接觸類)以及玻璃板(20X18X0.1mm)。將這4種基板分別浸漬在比較例3和4的蝕刻液中，測(cè)定蝕刻速率(蝕刻溫度為3(TC)。結(jié)果示于表2。另外，以Ag/AgCl為參比電極，以鉑板為對(duì)電極，測(cè)定比較例3的蝕刻液中鈦和鋁的電極電位，求出鈦和鋁的電位差。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>E.R.:蝕刻速率；I.T.:誘導(dǎo)時(shí)間(蝕刻開(kāi)始前的時(shí)間)；E.R.(I.T.):除去誘導(dǎo)時(shí)間的凈蝕刻速率接著，準(zhǔn)備在玻璃基板上通過(guò)濺射法依次形成有鋁(1800A)和鈦(900A)的基板(玻璃/Al/Ti基板)，分別浸漬在比較例35的蝕刻液中，確認(rèn)金屬膜溶解而看到玻璃基體為止的時(shí)間(JET:測(cè)得的蝕刻時(shí)間)。然后，觀察在各自JET的1.25倍的時(shí)間里浸漬處理時(shí)的層疊膜的蝕刻形狀。其結(jié)果示于表3。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>S.E.:側(cè)面蝕刻對(duì)于比較例3的蝕刻液，從各金屬板的蝕刻速率的比較可知，專利文獻(xiàn)5中所述的蝕刻液的蝕刻速率為Ti<<Al。在不同種金屬的層疊膜的情況下，由于電池效果，有時(shí)單獨(dú)金屬和接觸類的蝕刻速率有所不同，但比較例3的蝕刻液中，并沒(méi)有看到單獨(dú)類和接觸類的蝕刻速率的較大差異，可知即使在層疊基板上，蝕刻速率也是Ti<<Al?？梢源_認(rèn)從Al和Ti的電極電位求得的電位差小于400mV，但是上層的Ti溶解后，下層的Al的蝕刻高速進(jìn)行，因此蝕刻形狀并未變?yōu)殄F形，而是大致垂直。另夕卜，比較例4的蝕刻液對(duì)玻璃基板的浸蝕劇烈，即使在玻璃/Al/Ti層疊基板上，通過(guò)短時(shí)間的蝕刻，底層玻璃就被浸蝕而變得不透明，比較例5的蝕刻液的蝕刻速率慢，都不實(shí)用。綜上所述，本發(fā)明的蝕刻液可以在半導(dǎo)體裝置和液晶顯示器等電子裝置的制造工序中作為形成配線或電極等時(shí)的金屬層疊膜的蝕刻液來(lái)使用。權(quán)利要求1.一種蝕刻液組合物，其用于將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻，所述蝕刻液組合物含有氟化物和氧化劑，所述氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少1種。2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，僅使用氟化物、氧化劑和水作為構(gòu)成原料，所述氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少l種。3.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，氧化劑為從硝酸、硝酸銨、硫酸銨、過(guò)二硫酸銨、過(guò)二硫酸鉀、高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鈉、高氯酸鉀、高碘酸、高碘酸鈉、高碘酸鉀、甲磺酸、過(guò)氧化氫水、硫酸和硫酸乙二胺之中選擇的至少1種。4.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，氟化物的濃度為0.015質(zhì)量％，氧化劑的濃度為0.150質(zhì)量％。5.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，氧化劑為硝酸或甲磺酸。6.如權(quán)利要求5所述的蝕刻液組合物，其中，其進(jìn)一步含有作為氧化劑的從硝酸銨、硫酸銨、過(guò)二硫酸銨、過(guò)二硫酸鉀、高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鈉、高氯酸鉀、高碘酸、高碘酸鈉、高碘酸鉀、過(guò)氧化氫水、硫酸和硫酸乙二胺之中選擇的至少l種。7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，其進(jìn)一步含有從氨基磺酸、醋酸和鹽酸之中選擇的至少1種。8.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，底層基板為液晶顯示器用玻璃基板。9.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，底層基板為半導(dǎo)體裝置用硅基板或化合物半導(dǎo)體基板。10.如權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的蝕刻液組合物，其中，可將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜在蝕刻后的錐角控制在3090度的范圍內(nèi)。11.如權(quán)利要求10所述的蝕刻液組合物，其中，可將錐角控制在3085度的范圍內(nèi)。全文摘要本發(fā)明提供一種蝕刻液組合物，其可以將在玻璃等絕緣膜基板、硅基板和化合物半導(dǎo)體基板上通過(guò)濺射法所形成的含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構(gòu)成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構(gòu)成的層的金屬層疊膜一起進(jìn)行蝕刻，且不對(duì)底層的基板等造成損傷，并將錐角控制在30～90度。所述蝕刻液組合物含有氟化物和氧化劑，所述氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少1種。文檔編號(hào)C23F1/26GK101130870SQ20061012163公開(kāi)日2008年2月27日申請(qǐng)日期2006年8月23日優(yōu)先權(quán)日2006年8月23日發(fā)明者清水壽和申請(qǐng)人:關(guān)東化學(xué)株式會(huì)社