專利名稱：蝕刻鋁墊層的方法及凸點(diǎn)的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及蝕刻鋁墊層的方法及凸點(diǎn)的 形成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路后端工藝中，最后一層圖形化的鋁層形成陣列的鋁墊
層為輸入/輸出(1/0)或者電源/接地信號(hào)提供連接；接著在鋁墊層上沉積鈍化 層和第一介質(zhì)層，所述鈍化層比如為聚酰亞胺(polyimide),第一介質(zhì)層比 如為苯丙環(huán)烴烯(BCB);然后在鈍化層和第一介質(zhì)層中形成第一開口暴露 出鋁墊層；然后在第一開口中形成重新布線層；之后在重新布線層上形成第 二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層為相對(duì)較厚的高分子聚合物(通常采用聚酰亞胺或者 苯丙環(huán)烴烯)以提供進(jìn)一步的絕緣和防止在隨后的劃片過程中半導(dǎo)體集成電 路被污染和發(fā)生機(jī)械損傷；然后在開口中和第二介質(zhì)層上形成凸點(diǎn)下金屬層， 所述凸點(diǎn)下金屬層一般通過電鍍方式形成， 一般采用Ti、 Ni、 Cu中一種或者 它們的組合構(gòu)成，然后在第二介質(zhì)層中形成第二開口，所述第二開口為待形 成的凸點(diǎn)位置；最后，在第二開口中形成凸點(diǎn)，隨后把半導(dǎo)體襯底進(jìn)行劃片， 把這些小片即集成電路的芯片的凸點(diǎn)連接到引線框架上進(jìn)行封裝。
在實(shí)際工藝中形成重新布線層之前需要對(duì)鋁墊層進(jìn)行蝕刻以便去除鋁墊 層表面的氧化物或者殘留的有機(jī)物等沾污?，F(xiàn)有技術(shù)公開了 一種采用微波技 術(shù)產(chǎn)生等離子體蝕刻鋁墊層的以便減小鈍化層表面漏電流的方法，但是對(duì)于 等離子體蝕刻鋁墊層的能量以及劑量沒有給出范圍。
在專利號(hào)為5807787的美國專利中還可以發(fā)現(xiàn)更多與上述技術(shù)方案相關(guān) 的信息。在現(xiàn)有工藝中，另一種蝕刻鋁墊層的方法為采用產(chǎn)生功率(MF)為800 至1000W產(chǎn)生氬等離子體，采用加速功率(RF)為600至800W對(duì)氬等離子體 進(jìn)行加速，蝕刻時(shí)間為100至300s左右。但是經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，采用現(xiàn)有技術(shù)對(duì) 鋁墊層進(jìn)行蝕刻后，隨后形成在鋁墊層上形成的重新布線層表面非常粗糙， 容易造成漏電流或者接觸電阻增大，從而影響出貨檢驗(yàn)良率。
具體請(qǐng)參考附圖1A加以說明，圖1A為在鋁墊層上形成重新布線層的顯微 結(jié)果，圖1A中方框10內(nèi)區(qū)域?yàn)殇X墊層上的重新布線層，方框20內(nèi)區(qū)域?yàn)榈谝?介質(zhì)層上的重新布線層，可以看出，在鋁墊層上的重新布線層表面非常粗糙。 如圖1B和1C分別給出方框10和方Y(jié)框20內(nèi)區(qū)域的聚焦離子束(FIB)結(jié)果，由 圖1B和1C中方框l 1和方框21內(nèi)可以看出，位于鋁墊層上的重新布線層與位于 第一介質(zhì)層上的重新布線層的表面粗糙度明顯不一致。由此可以推斷，鋁墊 層上的重新布線層的較為粗糙是由于鋁墊層表面的粗糙所致。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種蝕刻鋁墊層的方法和一種形成半凸點(diǎn)的方 法，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于過度蝕刻鋁墊層造成在鋁墊層上形成的重新布線 層表面粗糙問題。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種蝕刻鋁墊層的方法，包括提供半導(dǎo) 體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成鋁墊層和鈍化層以及介質(zhì)層，所述鋁墊層鑲嵌 于鈍化層中；在介質(zhì)層以及鈍化層中形成第一開口 ，所述第一開口暴露出鋁墊 層；采用氬等離子體蝕刻鋁墊層，產(chǎn)生氬等離子體的產(chǎn)生功率為600至800W, 對(duì)氬等離子體加速的加速功率為100至600W。
蝕刻時(shí)間為55至100s。
所述介質(zhì)層為苯并環(huán)丁烯。
本發(fā)明還提供一種凸點(diǎn)的形成方法，包括如下步驟a，在半導(dǎo)體襯底上 形成鋁墊層和鈍化層以及第一介質(zhì)層，所述鋁墊層鑲嵌于鈍化層中，在介質(zhì)層以及鈍化層中形成第一開口，所述第一開口暴露出鋁墊層；b，采用氬等離 子體蝕刻鋁墊層，產(chǎn)生所述氬等離子體的產(chǎn)生功率為600至800W,對(duì)氬等離 子體加速的加速功率為100至600W; c,在鋁墊層和第一介質(zhì)層上形成重新 布線層；d,在重新布線層上形成第二介質(zhì)層，在第二介質(zhì)層上定義出凸點(diǎn)位 置，蝕刻第二介質(zhì)層，在凸點(diǎn)位置形成第二開口，暴露出重新布線層；e,在 第二開口中形成凸點(diǎn)。
蝕刻時(shí)間為55至lOOs。
步驟c具體包括在鋁塾層和第一介質(zhì)層上依次形成第一黏附層和第一 金屬層；在第一金屬層上形成第一光刻膠層，定義出重新布線層形狀，蝕刻 第一光刻膠層，暴露出第一金屬層；以第一金屬層為籽晶電鍍第一金屬層材 料；去除第一光刻膠層和重新布線層形狀以外的第一金屬層和第一翁附層。
所述第一金屬層為金屬銅。
步驟e具體包括在第二開口的側(cè)壁和底部以及第二介質(zhì)層上依次形成 第二l占附層和第二金屬層；在第二金屬層上形成第二光刻膠層，定義出凸點(diǎn) 形狀，蝕刻第二光刻膠層，暴露出第二金屬層；以第二金屬層為籽晶電鍍凸 點(diǎn)層；形成凸點(diǎn)。
所述第二金屬層為金屬銅。
第一、第二介質(zhì)層為苯并環(huán)丁烯。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案具有以下優(yōu)點(diǎn)優(yōu)化氬等離子體蝕刻鋁墊層 工藝，產(chǎn)生氬等離子體的產(chǎn)生功率(MF)為600至800W,對(duì)氬等離子體加 速的加速功率(RF)為100至600W,避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于過度蝕刻鋁墊 層造成鋁墊層表面粗糙問題。
上述方案減少了蝕刻鋁墊層的時(shí)間，進(jìn)一步防止了過度蝕刻鋁墊層，縮 短了工藝時(shí)間。
上述方案中優(yōu)化氬等離子體蝕刻鋁墊層工藝，產(chǎn)生氬等離子體產(chǎn)生功率(MF)為600至800W,對(duì)氬等離子體加速的加速功率(RF )為100至600W， 蝕刻時(shí)間為55至100s,避免了由于過度蝕刻鋁墊層造成在鋁墊層上形成的重 新布線層表面粗糙問題。
上述方案通過減少蝕刻鋁墊層時(shí)間進(jìn)一步降低了整個(gè)半導(dǎo)體襯底的溫 度，這有利于減小半導(dǎo)體襯底中的半導(dǎo)體器件的熱預(yù)算，同時(shí)縮短了工藝時(shí) 間。


圖1A是現(xiàn)有技術(shù)形成的重新布線層顯^U吉果； 圖1B和圖1C是圖1A中重新布線層不同之處的聚焦離子束結(jié)果； 圖2A至圖2C是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的蝕刻鋁墊層的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3A至圖3G是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成凸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是采用本發(fā)明技術(shù)形成的第一金屬層的SEM結(jié)果； 圖5和圖6是圖4中的第一金屬層不同之處的聚焦離子束結(jié)果； 圖7是采用本發(fā)明技術(shù)形成的重新布線層的顯微結(jié)果； 圖8是采用本發(fā)明技術(shù)形成的鋁墊層上的第一金屬層的電阻值及標(biāo)準(zhǔn)值。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種蝕刻鋁墊層的方法，采用產(chǎn)生功率(MF)范圍為600至 800W產(chǎn)生等離子體，加速功率(RF)范圍為100至600W對(duì)等離子體加速來 去除鋁墊層表面的氧化層以及沾污等，本發(fā)明還提供一種凸點(diǎn)的形成方法。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過降低產(chǎn)生等離子體的產(chǎn)生功率(MF)范圍和降 低對(duì)等離子體加速的加速功率(RF)范圍，來減小對(duì)鋁墊層表面粗糙度的影 響，從而達(dá)到在凸點(diǎn)形成工藝中降低隨后形成在鋁墊層上的重新布線層的粗 糙度。本發(fā)明首先給出一種蝕刻鋁墊層的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在半 導(dǎo)體襯底上形成鋁墊層和鈍化層以及介質(zhì)層，所述鋁墊層鑲嵌于鈍化層中， 且通過鈍化層和介質(zhì)層的第 一開口暴露出鋁墊層；采用等離子體蝕刻鋁墊層， 產(chǎn)生等離子體的產(chǎn)生功率為600至800W,對(duì)等離子體加速的加速功率為100 至600W。
參考圖2A至2C是本發(fā)明蝕刻鋁墊層的結(jié)構(gòu)示意圖。參照附圖2A,提供 半導(dǎo)體襯底IOO,所述半導(dǎo)體襯底IOO為形成有半導(dǎo)體器件的硅、形成有半導(dǎo) 體器件的絕緣體上硅(SOI )、或者為形成有半導(dǎo)體器件的II-VI或者III - V族 化合物半導(dǎo)體。
所述半導(dǎo)體襯底IOO上形成有鋁墊層101,所述鋁墊層作為引出鍵合線的 鍵合層。在半導(dǎo)體襯底100以及鋁墊層101上形成有鈍化層102,所述鋁墊層 101鑲嵌于鈍化層102中，所述鈍化層102用于保護(hù)鋁墊層101,所述鈍化層 102可以為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、聚酰亞胺(polyimide)等，作為本實(shí) 施例的一個(gè)優(yōu)化的實(shí)施方式，所述鈍化層102為聚酰亞胺。
接著，在鈍化層102上形成介質(zhì)層103，所述介質(zhì)層103可以為苯丙環(huán)烴 烯(BCB )。
參照附圖2B,在介質(zhì)層103以及鈍化層102中形成第一開口 201,形成 第一開口 201為本技術(shù)領(lǐng)域人員公知技術(shù)。所述第一開口 201暴露出鋁墊層 101。
參照附圖2C,采用氬等離子體104蝕刻鋁墊層101。產(chǎn)生所述氬等離子 104的產(chǎn)生功率(MF)為600至800W,對(duì)氬等離子體104加速的加速功率(RF) 為100至600W。所述蝕刻在反應(yīng)離子刻蝕裝置中進(jìn)行。
作為本實(shí)施例的一個(gè)實(shí)施方式，產(chǎn)生所述氬等離子104的產(chǎn)生功率(MF) 為650W,對(duì)氬等離子體加速的加速功率(RF)為200W,蝕刻時(shí)間為55至 層s。作為本實(shí)施例的又一個(gè)實(shí)施方式，產(chǎn)生所述氬等離子104的產(chǎn)生功率 (MF)為700W，對(duì)氬等離子體加速的加速功率(RF)為300W,蝕刻時(shí)間 為55至100s。
采用本發(fā)明技術(shù)優(yōu)化了等離子體蝕刻鋁墊層工藝，與現(xiàn)有技術(shù)的產(chǎn)生所 述氬等離子104的產(chǎn)生功率(MF)為800至1000W、對(duì)等離子體加速的加速 功率(RF)為600至800W相比，產(chǎn)生氬等離子體產(chǎn)生功率(MF)、對(duì)氬等 離子體加速的加速功率(RF)均有所降低，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于過度蝕刻 鋁墊層造成鋁墊層表面粗糙問題。本實(shí)施例采用氬等離子體蝕刻鋁墊層的時(shí) 間由原來的100至300s降低至55至100s,在完全去除鋁墊層表面氧化層以 及沾污的情況下，進(jìn)一步防止過度蝕刻鋁墊層，同時(shí)縮短了工藝時(shí)間。
本發(fā)明還給出一種凸點(diǎn)的形成方法實(shí)施例，包括如下步驟a,在半導(dǎo)體 襯底上形成鋁墊層和第一鈍化層，所述鋁墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過第一 鈍化層的第一開口暴露出鋁墊層；b,采用等離子體蝕刻鋁墊層，產(chǎn)生等離子 體的產(chǎn)生功率(MF)為600至800W,對(duì)等離子體加速的加速功率(RF)為 100至600W; c,在鋁墊層和第一鈍化層上形成重新布線層；d，在重新布線 層上形成第二介質(zhì)層，在第二介質(zhì)層上定義出凸點(diǎn)位置，蝕刻第二介質(zhì)層， 在凸點(diǎn)位置形成第二開口，暴露出重新布線層；e,在第二開口中形成凸點(diǎn)。
繼續(xù)參考附圖2A至2C,在半導(dǎo)體襯底100上形成鋁墊層101和鈍化層 102以及第一介質(zhì)層103，所述鋁墊層101鑲嵌于鈍化層102中，且通過鈍化 層102和第一介質(zhì)層103的第一開口 201暴露出鋁墊層。
然后，采用氬等離子體104蝕刻鋁墊層101,產(chǎn)生氬等離子體104的產(chǎn)生 功率(MF)為600至800W,對(duì)氬等離子體1014加速的加速功率(RF)為 100至600W。所述蝕刻在反應(yīng)離子刻蝕裝置中進(jìn)行。
作為本實(shí)施例的一個(gè)實(shí)施方式，產(chǎn)生所述氬等離子104的產(chǎn)生功率(MF) 為750W,對(duì)氬等離子體加速的加速功率(RF)為400W,蝕刻時(shí)間為55至論。
作為本實(shí)施例的又一個(gè)實(shí)施方式，產(chǎn)生所述氬等離子104的產(chǎn)生功率 (MF)為780W，對(duì)氬等離子體加速的加速功率(RF)為500W,蝕刻時(shí)間 為55至100s。
參考附圖3A，蝕刻鋁墊層101后，在鋁墊層101和第一介質(zhì)層103上依 次形成第一黏附層105和第一金屬層106;所述第一翻附層105為金屬鈦、鉻 等，所述第一金屬層106為金屬銅，形成所述第一黏附層105目的為增加第 一金屬層106與鋁墊層101之間的翻附力。
參考附圖3B,在第一金屬層106上形成第一光刻膠層107,定義出重新布 線層形狀，蝕刻第一光刻膠層107，暴露出第一金屬層106;然后以第一金屬 層106為籽晶電鍍第一金屬層材料形成第一金屬層106a。
參考附圖3C,去除第一光刻膠層107和重新布線層108形狀以外的第一 金屬層106和第一黏附層105,所述第一金屬層106a、剩余的第一金屬層106 以及第一黏附層105共同組成重新布線層108。去除所述第一光刻膠層107和 重新布線層108形狀以外的第一金屬層106和第一翁附層105為本技術(shù)領(lǐng)域 人員7^知技術(shù)。
參考附圖3D，在重新布線層108上形成第二介質(zhì)層109，所述第二介質(zhì)層 109為苯丙環(huán)烴烯(BCB)。
參考附圖3E,在第二介質(zhì)層109上定義出凸點(diǎn)位置，蝕刻第二介質(zhì)層109, 在凸點(diǎn)位置形成第二開口 202，暴露出重新布線層108.
參考附圖3F,在第二開口 202的側(cè)壁和底部以及第二介質(zhì)層109上依次形 成第二黏附層IIO和第二金屬層111。形成所述第二黏附層110目的為增加第 二金屬層111與重新布線層108之間的凝附力，所述第二翻附層IIO可以為金 屬鈦或者金屬鉻。
然后，第二金屬層111上形成第二光刻膠層113,定義出凸點(diǎn)形狀，蝕刻第二光刻膠層113,暴露出第二金屬層lll;以第二金屬層111為籽晶電鍍凸 點(diǎn)層114。
參照附圖3G,在凸點(diǎn)層114上形成涂布助焊劑，然后在回流爐內(nèi)保溫回 流，形成凸點(diǎn)112。
本發(fā)明通過優(yōu)化等離子體蝕刻鋁墊層工藝，產(chǎn)生等離子體的產(chǎn)生功率 (MF)為600至800W,對(duì)等離子體加速的加速功率(RF )為100至600W, 避免了由于過度蝕刻鋁墊層造成在鋁墊層上形成的重新布線層表面粗糙問 題。
本發(fā)明降低了產(chǎn)生等離子體的產(chǎn)生功率(MF),降低了等離子體轟擊鋁 墊層表面的頻率；同時(shí)，降低了對(duì)等離子體加速的加速功率(RF),降低了等 離子體的動(dòng)能，因此降低了蝕刻鋁墊層工藝中整個(gè)半導(dǎo)體襯底溫度，防止了 鋁墊層在較高溫度下產(chǎn)生應(yīng)力，當(dāng)應(yīng)力足夠大時(shí)容易產(chǎn)生裂縫。
本發(fā)明還通過采用蝕刻時(shí)間為55至100s,與現(xiàn)有4支術(shù)相比，減少了蝕刻 鋁墊層時(shí)間，進(jìn)一步降低了整個(gè)半導(dǎo)體村底的溫度，這有利于減小半導(dǎo)體襯 底中的半導(dǎo)體器件的熱預(yù)算，同時(shí)縮短了工藝時(shí)間。
參照附圖4給出采用本發(fā)明技術(shù)形成的第一金屬層的電子掃描顯微鏡 (SEM)結(jié)果，所述第一金屬層上包括位于鋁墊層位置上部分31和位于第一 介質(zhì)層上部分32,從圖4可以看出，第一金屬層表面非常光滑。
參照附圖5給出圖4中位于鋁墊層位置上第一金屬層部分31的聚焦離子 束結(jié)果，其任意局部區(qū)域如圖5中方框310內(nèi)所示。圖6給出位于第一介質(zhì) 層上第一金屬層部分32,其任意局部區(qū)域如圖6中方框320內(nèi)所示，所述聚 焦離子束設(shè)備為瑞士 Unaxis公司的CLN300型號(hào)，可以看出，方框310內(nèi)第 一金屬層以及方框320內(nèi)第 一金屬層粗糙度基本相當(dāng)。
同時(shí)，圖7給出采用本發(fā)明技術(shù)形成的重新布線層即電鍍第一金屬材料 后的顯微結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)中的圖1A中的相比，采用本發(fā)明的蝕刻鋁墊層技術(shù)，隨后形成的重新布線層表面依然比較光滑，粗糙度較小。
圖8給出采用本發(fā)明技術(shù)形成的鋁墊層上的第一金屬層的電阻值及標(biāo)準(zhǔn) 值。圖中標(biāo)準(zhǔn)值為鋁墊層的第一金屬層在業(yè)內(nèi)能夠接受的標(biāo)準(zhǔn)電阻值，即約
為242.5毫歐姆，圖中I、 II、 III為在產(chǎn)生功率(MF)為600W,加速功率為 100W,蝕刻時(shí)間分別為100s、 55s、 75s條件下蝕刻鋁墊層后鋁墊層上形成的 重新布線層的電阻值，均約為237.5毫歐姆。由圖8可以看出，采用本發(fā)明技 術(shù)形成的鋁墊層上的第 一金屬層的電阻值與標(biāo)準(zhǔn)值相比浮動(dòng)不大，說明本發(fā) 明優(yōu)化蝕刻鋁墊層工藝后沒有惡化其后在鋁墊層上形成的重新布線層的電阻 值。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種蝕刻鋁墊層的方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成鋁墊層和鈍化層以及介質(zhì)層，所述鋁墊層鑲嵌于鈍化層中；在介質(zhì)層以及鈍化層中形成第 一開口 ，所述第 一開口暴露出鋁墊層； 采用氬等離子體蝕刻鋁墊層，產(chǎn)生氬等離子體的產(chǎn)生功率為600至800W, 對(duì)氬等離子體加速的加速功率為100至600W。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述蝕刻鋁墊層的方法，其特征在于，蝕刻時(shí)間為55至 畫s。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述蝕刻鋁墊層的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為苯并 環(huán)丁烯。
4. 一種凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，包括如下步驟a, 在半導(dǎo)體襯底上形成鋁墊層和鈍化層以及第一介質(zhì)層，所述鋁墊層鑲 嵌于鈍化層中，且在介質(zhì)層以及鈍化層中形成第一開口，所述第一開口暴露 出鋁墊層；b, 采用氬等離子體蝕刻鋁墊層，產(chǎn)生所述氬等離子體的產(chǎn)生功率為600 至800W,對(duì)氬等離子體加速的加速功率為100至600W;c，在鋁墊層和第一介質(zhì)層上形成重新布線層；d, 在重新布線層上形成第二介質(zhì)層，在第二介質(zhì)層上定義出凸點(diǎn)位置， 蝕刻第二介質(zhì)層，在凸點(diǎn)位置形成第二開口，暴露出重新布線層；e, 在第二開口中形成凸點(diǎn)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，蝕刻時(shí)間為55至100s。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，步驟c具體包括 在鋁墊層和第 一介質(zhì)層上依次形成第 一黏附層和第 一金屬層；在第一金屬層上形成第一光刻膠層，定義出重新布線層形狀，蝕刻第一光刻膠層，暴露出第一金屬層；以第 一金屬層為籽晶電鍍第 一金屬層材料；去除第一光刻膠層和重新布線層形狀以外的第一金屬層和第一黏附層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，所述第一金屬層為金 屬銅。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，步驟e具體包括 在第二開口的側(cè)壁和底部以及第二介質(zhì)層上依次形成第二黏附層和第二金屬層；在第二金屬層上形成第二光刻膠層，定義出凸點(diǎn)形狀，蝕刻第二光刻膠層， 暴露出第二金屬層；以第二金屬層為籽晶電鍍凸點(diǎn)層； 形成凸點(diǎn)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，所述第二金屬層為金 屬銅。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，第一、第二介質(zhì)層為 苯并環(huán)丁烯。
全文摘要
一種蝕刻鋁墊層的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成鋁墊層和鈍化層以及介質(zhì)層，所述鋁墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層和介質(zhì)層的第一開口暴露出鋁墊層；采用氬等離子體蝕刻鋁墊層，產(chǎn)生所述氬等離子體的產(chǎn)生功率(MF)為600至800W，對(duì)氬等離子體進(jìn)行加速的加速功率(RF)為100至600W，蝕刻時(shí)間為55至100s。本發(fā)明還提供一種凸點(diǎn)的形成方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明降低了產(chǎn)生氬等離子體的產(chǎn)生功率(MF)和對(duì)氬等離子體加速的加速功率(RF)以及蝕刻鋁墊層的時(shí)間，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于過度蝕刻鋁墊層造成鋁墊層表面粗糙問題。
文檔編號(hào)H01L21/3213GK101312130SQ20071004109
公開日2008年11月26日 申請(qǐng)日期2007年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月23日
發(fā)明者何智清, 王重陽, 杰 陳, 陳圣琰 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司