顯示陣列基板及顯示陣列基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種顯示陣列基板及顯示陣列基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管（ThinFilmTransistor,TFT)已被廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域作為開關(guān)組 件使用。在金屬氧化物半導(dǎo)體（MetalOxideSemiconductor)技術(shù)中可使用氧化錯（A1203) 作為柵極絕緣層的材料，在現(xiàn)有技術(shù)中通常鋁進行陽極氧化（Anodization)處理形成柵極 絕緣圖案，但在周邊區(qū)域需要將氧化鋁蝕刻掉以形成過孔曝露出柵極線末端與其他部份連 接，但蝕刻的速率均較慢，從而影響顯示陣列基板的制造效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種提高顯示陣列基板制造效率的顯示陣列基板及顯示陣 列基板的制造方法。
[0004] 一種顯示陣列基板，包括用于顯示圖像的畫素區(qū)域及周邊區(qū)域，該畫素區(qū)域包括 復(fù)數(shù)條相互平行的柵極線、復(fù)數(shù)條相互平行且與該些柵極線絕緣相交的數(shù)據(jù)線；每一條柵 極線的末端在該周邊區(qū)域形成一柵極連接墊，每一柵極線與一數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置一薄膜晶 體管，其中，該柵極線末端部分覆蓋第一絕緣層，該第一絕緣層定義一過孔以使該柵極線末 端與該柵極墊電極連接，且該第一絕緣層系將該柵極線末端除過孔部分外之表面區(qū)域直接 氧化形成。
[0005] -種顯示陣列基板制造方法，該制造方法包括： 于一基板上沉積第一金屬層，并定義畫素區(qū)域與周邊區(qū)域； 在周邊區(qū)域的第一金屬層上涂布圖案化光阻層； 利用圖案化光阻層為屏蔽陽極化處理該第一金屬層形成第一金屬氧化物層； 圖案化該畫素區(qū)域的第一金屬氧化物層形成柵極絕緣層，并移除圖案化光阻層曝露出 該第一金屬層； 于柵極絕緣層上形成溝道層；及 沉積第二金屬層，并圖案化畫素區(qū)域的第二金屬層形成源極與漏極。
[0006] 相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的顯示陣列基板及顯示陣列基板制造方法利用圖案化光 阻作屏蔽，使柵極連接區(qū)的第一金屬層避免陽極化形成第一金屬氧化物層，從而無需蝕刻 第一金屬氧化物層形成過孔，提高了顯示陣列基板的制造效率。
【附圖說明】
[0007] 圖1是本發(fā)明一實施方式的顯示陣列基板平面示意圖。
[0008] 圖2是圖1所示II區(qū)域的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖3是圖2所示顯示陣列基板沿III-III線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010] 圖4至圖9描述了圖1所示的薄膜晶體管各制作步驟之結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011] 圖10是圖1所示的薄膜晶體管制造流程示意圖。
[0012] 主要元件符號說明
如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0013] 請一并參閱圖卜圖3,圖1是本發(fā)明一實施方式的顯不陣列基板10平面不意圖； 圖2是圖1所示II區(qū)域的放大結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2所示顯示陣列基板10沿III-III線 的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該顯示陣列基板10包括用于顯示圖像的畫素區(qū)域11及周邊區(qū)域13。 該畫素區(qū)域11包括復(fù)數(shù)條相互平行的柵極線110、復(fù)數(shù)條相互平行且與該些柵極線絕緣相 交的數(shù)據(jù)線112。每一條柵極線110的末端在該周邊區(qū)域13形成一柵極連接墊130。每一 柵極線110與一數(shù)據(jù)線112交叉處設(shè)置一薄膜晶體管（thin-filmtransistor,TFT) 100。
[0014] 該薄膜晶體管100包括與柵極線110相連的柵極120用于接收外部柵極驅(qū)動器17 通過柵極連接墊130輸出的柵極訊號，與數(shù)據(jù)線112相連的源極122用于接收外部數(shù)據(jù)驅(qū) 動器15輸出的數(shù)據(jù)訊號及與該源極122間隔設(shè)置的漏極124。該薄膜晶體管100還包括 柵極絕緣層126及溝道層128。該柵極連接墊130包括柵極線末端131與門極墊電極133。 該柵極線末端131部分覆蓋第一絕緣層135,該第一絕緣層135定義一過孔137以使該柵極 線末端131與該柵極墊電極133連接。其中，該第一絕緣層135系將該柵極線末端131除 過孔137部分外之表面區(qū)域直接氧化形成。
[0015] 該柵極120與該柵極線末端131均設(shè)置于基板101上，該源極122與該漏極124 同層設(shè)置，該溝道層128連接該源極122與該漏極124。該溝道層128與該柵極120相對設(shè) 置，該柵極絕緣層126設(shè)置于該柵極120與該溝道層128之間。
[0016] 當柵極線110輸出的柵極訊號電壓高于薄膜晶體管100的閾值電壓時，形成在薄 膜晶體管100內(nèi)部的溝道層128的電特性從絕緣體變?yōu)閷?dǎo)體，使得施加到源極122的數(shù)據(jù) 訊號透過溝道層128施加至漏極124上。
[0017]請一并參閱圖4-圖10,其中圖4-圖9為圖1所示的顯示陣列基板10各制造步驟 之結(jié)構(gòu)示意圖。圖10為圖1所示的顯示陣列基板10的制造流程圖。
[0018] 步驟S201，請參閱圖4,提供一基板101，于基板101上沉積第一金屬層Ml，并定義 畫素區(qū)域11與周邊區(qū)域13。在本實施方式中，該基板101為透明基板，如玻璃基板或者石 英基板，該第一金屬層Ml的材料為鋁（A1)但并不限于此。
[0019] 步驟S203,請參閱圖5,在周邊區(qū)域13的第一金屬層Ml上涂布圖案化光阻層PR。
[0020] 步驟S205,請參閱圖6,利用圖案化光阻層PR為屏蔽陽極化處理（Anodization) 該第一金屬層Ml,使該第一金屬層Ml的表面形成第一金屬氧化物層。該第一金屬層Ml位 于畫素區(qū)域11中未被氧化的部份即形成柵極120,以及該第一金屬層Ml位于周邊區(qū)域13 中未被氧化的部份即形成柵極線末端131。可以理解，該柵極線110與該柵極120同步形 成。本實施例中，該第一金屬氧化物層為氧化鋁（A1203)薄膜。
[0021] 步驟S207,請參閱圖7,圖案化第一金屬氧化物層形成于該畫素區(qū)域11形成柵極 絕緣層126、該周邊區(qū)域13形成第一絕緣層135,并移除圖案化光阻層PR形成過孔137曝 露出該柵極線末端131。
[0022] 步驟S209,請參閱圖8,于柵極絕緣層126上形成溝道層128。其中，該溝道層128 的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體，如氧化銦鎵鋅（IGZ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦（InO)、氧化鎵 (GaO)或其混合物，以及含有銦（In)或鎵（Ga)或鋅（Zn)或鋁（A1)等元素之氧化物半導(dǎo) 體。具體地，在本實施方式中，可利用濺射法、真空蒸鍍法、脈沖激光沉積法、離子電鍍法、有 機金屬氣相生長法、等離子體CVD等沉積方法在該柵極絕緣層126上形成一金屬氧化物半 導(dǎo)體層，圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層從而對應(yīng)該柵極120處形成溝道層128。
[0023] 步驟S211，請參閱圖9,沉積第二金屬層，并圖案化該畫素區(qū)域11的第二金屬層形 成源極122與漏極124。圖案化該周邊區(qū)域13的第二金屬層形成柵極墊電極133。該第二 金屬層為金屬材料或金屬合金，如鑰（Mo)、鋁（A1)、鉻（Cr)、銅（Cu)、釹（Nd)等或其混合 物。對第二金屬層進行一道光罩蝕刻形成源極122與漏極124。在本實施方式中，蝕刻該第 二金屬層的方法可為濕蝕刻（Wet-Etching)方法。
[0024] 在后續(xù)制程中，在該薄膜晶體管100上可形成平坦化層、畫素電極等習知結(jié)構(gòu)，在 此不再贅述。
[0025] 本發(fā)明的顯示陣列基板制造方法利用圖案化光阻作屏蔽，使柵極連接區(qū)的第一金 屬層避免陽極化形成第一金屬氧化物層，從而無需蝕刻第一金屬氧化物層形成過孔，提高 了顯示陣列基板的制造效率。
[0026] 以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā) 明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改 或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種顯示陣列基板，包括用于顯示圖像的畫素區(qū)域及周邊區(qū)域，該畫素區(qū)域包括復(fù) 數(shù)條相互平行的柵極線、復(fù)數(shù)條相互平行且與該些柵極線絕緣相交的數(shù)據(jù)線；每一條柵極 線的末端在該周邊區(qū)域形成一柵極連接墊，每一柵極線與一數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置一薄膜晶體 管，其中，該柵極線末端部分覆蓋第一絕緣層，該第一絕緣層定義一過孔以使該柵極線末端 與該柵極墊電極連接，且該第一絕緣層系將該柵極線末端除過孔部分外之表面區(qū)域直接氧 化形成。2. -種顯示陣列基板制造方法，該制造方法包括： 于一基板上沉積第一金屬層，并定義畫素區(qū)域與周邊區(qū)域； 在周邊區(qū)域的第一金屬層上涂布圖案化光阻層； 利用圖案化光阻層為屏蔽陽極化處理該第一金屬層形成第一金屬氧化物層； 圖案化該畫素區(qū)域的第一金屬氧化物層形成柵極絕緣層，并移除圖案化光阻層曝露出 該第一金屬層； 于柵極絕緣層上形成溝道層；及 沉積第二金屬層，并圖案化畫素區(qū)域的第二金屬層形成源極與漏極。3. 如請求項2所述之顯示陣列基板制造方法，其中，位于畫素區(qū)域的未被氧化的第一 金屬層定義為柵極，位于周邊區(qū)域的未被氧化的第一金屬層定義為柵極線末端。4. 如請求項3所述之顯示陣列基板制造方法，其中，移除該圖案化光陰層后曝露出該 柵極線末端。5. 如請求項1所述之顯示陣列基板制造方法，其中，該第一金屬層的材料為鋁。6. 如請求項5所述之顯示陣列基板制造方法，其中，該第一金屬氧化物層為氧化鋁薄 膜。7. 如請求項2所述之顯示陣列基板制造方法，其中，該溝道層材料氧化銦鎵鋅（IGZO)、 氧化鋅（ZnO)、氧化銦（InO)、氧化鎵（GaO)或其混合物，以及含有銦（In)或鎵（Ga)或鋅 (Zn)或鋁（Al)等元素之氧化物半導(dǎo)體。8. 如請求項2所述之顯示陣列基板制造方法，其中，該第二金屬層鑰（Mo)、鋁（Al)、鉻 (Cr)、銅（Cu)、釹（Nd)等或其混合物。9. 如請求項2所述之顯示陣列基板制造方法，其中，對該第二金屬支進行一道光罩蝕 刻形成源極與漏極。10. 如請求項9所述之顯示陣列基板制造方法，其中，蝕刻該第二金屬層的方法為濕蝕 刻方法。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示陣列基板的制造方法，該制造方法包括：于一基板上沉積第一金屬層，并定義畫素區(qū)域與周邊區(qū)域；在周邊區(qū)域的第一金屬層上涂布圖案化光阻層；利用圖案化光阻層為屏蔽陽極化處理該第一金屬層形成第一金屬氧化物層；圖案化該畫素區(qū)域的第一金屬氧化物層形成柵極絕緣層，并移除圖案化光阻層曝露出該第一金屬層；于柵極絕緣層上形成溝道層；及沉積第二金屬層，并圖案化畫素區(qū)域的第二金屬層形成源極與漏極。本發(fā)明還提供一種顯示陣列基板。
【IPC分類】H01L27/12, H01L21/77
【公開號】CN104979364
【申請?zhí)枴緾N201410126304
【發(fā)明人】施博理, 高逸群
【申請人】業(yè)鑫科技顧問股份有限公司, 新光電科技有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2014年4月1日