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半導(dǎo)體處理裝置的制作方法

文檔序號(hào):3402733閱讀:162來源:國知局
專利名稱:半導(dǎo)體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理裝置,特別涉及在公共搬運(yùn)室上連接有多個(gè)處理室的集群工具型(也稱為多處理室型)處理裝置。這里,所謂半導(dǎo)體處理是指,為了通過以規(guī)定的圖形在半導(dǎo)體晶片或者LCD(液晶顯示器)或者FPD(平板顯示器)用的玻璃基板等被處理基板上形成半導(dǎo)體層、絕緣層、導(dǎo)電層等,而在被處理基板上制造包括半導(dǎo)體設(shè)備、連接到半導(dǎo)體設(shè)備上的配線、電極等的構(gòu)造物所實(shí)施的種種處理。
背景技術(shù)
圖14是概略地示出現(xiàn)有技術(shù)的集群工具型的半導(dǎo)體處理裝置的平面圖。該處理裝置1具有從載置于裝料端口4上的盒體3取出晶片W并在大氣壓下進(jìn)行搬運(yùn)的常壓搬運(yùn)系統(tǒng)5。處理裝置1還具有通過負(fù)載鎖定室11而連接到常壓搬運(yùn)系統(tǒng)5的搬運(yùn)室6上的、并在規(guī)定的減壓下搬運(yùn)晶片的真空搬運(yùn)系統(tǒng)7。在真空搬運(yùn)系統(tǒng)7的公用搬運(yùn)室8的周圍,連接有逐塊收納晶片W并在規(guī)定的氣體氣氛下實(shí)施規(guī)定的處理(例如CVD處理)的多個(gè)真空處理室2。
為了要向處理室2供給氣體,而在處理裝置2的一個(gè)側(cè)部或者背面部分上配設(shè)連接到氣體源上的氣體箱50。在氣體箱50內(nèi)匯總配置有已經(jīng)連接到分別向處理室2供給氣體的氣體供給管51上的多個(gè)流量控制單元。
在該處理裝置的情況下,處理室2與氣體箱50之間的距離,即氣體供給管51的管道長度較長。此外,在每個(gè)處理室2中都會(huì)因氣體供給管51的管道長度不同而產(chǎn)生機(jī)差。為此,存在著對(duì)壓力控制的控制范圍、響應(yīng)性、乃至對(duì)工藝性能造成惡劣影響的隱患。此外,由于氣體箱與處理裝置獨(dú)立地被設(shè)定在地面上,因此占地面積較大。
另一方面,在日本專利特開2001-156009號(hào)公報(bào)中揭示有一種在裝置本體的側(cè)面上配設(shè)有氣體箱的分批式的縱型處理裝置。該縱型處理裝置與具有多葉片式處理室的集群型的處理裝置不同。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以提高工藝性能以及縮小占地面積的半導(dǎo)體處理裝置。
本發(fā)明第一方面的半導(dǎo)體處理裝置,包括公用搬運(yùn)室;連接在上述公用搬運(yùn)室上的、用于對(duì)被處理基板實(shí)施處理的多個(gè)處理室;配設(shè)在上述公用搬運(yùn)室內(nèi)的、用于向上述處理室搬運(yùn)上述被處理基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu);和各個(gè)都附設(shè)在上述多個(gè)處理室上的、用于供給規(guī)定氣體的多個(gè)氣體供給系統(tǒng),其中,上述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)中的各個(gè)都包括連接在上述規(guī)定氣體的氣體源上的初級(jí)側(cè)連接單元,上述初級(jí)側(cè)連接單元被配置在對(duì)應(yīng)的處理室的下側(cè),配設(shè)在從上述初級(jí)側(cè)連接單元向上述對(duì)應(yīng)的處理室內(nèi)供給氣體的氣體管道上的、用于控制規(guī)定的氣體流量的流量控制單元,上述流量控制單元被配置成使得至少一部分重疊在上述初級(jí)側(cè)連接單元的上側(cè),和覆蓋上述流量控制單元的氣體箱,對(duì)于上述氣體箱來說,為了對(duì)上述流量控制單元進(jìn)行操作而具有可裝卸的機(jī)罩。
本發(fā)明第二方面的半導(dǎo)體處理裝置,包括公用搬運(yùn)室;連接在上述公用搬運(yùn)室上的、用于對(duì)被處理基板實(shí)施處理的多個(gè)處理室;配設(shè)在上述公用搬運(yùn)室內(nèi)的、用于向上述處理室搬運(yùn)上述被處理基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu);和各個(gè)都附設(shè)在上述多個(gè)處理室上的、用于供給規(guī)定氣體的多個(gè)氣體供給系統(tǒng),其中,
上述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)中的各個(gè)都包括連接在上述規(guī)定氣體的氣體源上的初級(jí)側(cè)連接單元,上述初級(jí)側(cè)連接單元配置在設(shè)置有上述裝置的房間的可卸下的地板的下側(cè),對(duì)于上述地板來說,為了對(duì)上述初級(jí)側(cè)連接單元進(jìn)行操作而具有可裝卸的蓋,配設(shè)在從上述初級(jí)側(cè)連接單元向上述對(duì)應(yīng)的處理室內(nèi)供給氣體的氣體管道上的、用于控制規(guī)定的氣體流量的流量控制單元,上述流量控制單元被配置成使得至少一部分重疊到上述對(duì)應(yīng)的處理室的下側(cè),以及覆蓋上述流量控制單元的氣體箱,對(duì)于上述氣體箱來說,為了對(duì)上述流量控制單元進(jìn)行操作而具有可裝卸的機(jī)罩。


圖1是概略地示出本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體處理裝置的立體圖。
圖2是圖1所示裝置的概略平面圖。
圖3是概略地示出在圖1所示裝置中所使用的氣體供給系統(tǒng)的管道圖。
圖4是示出在圖1所示裝置中所使用的氣體供給系統(tǒng)的側(cè)視圖。
圖5的立體圖概略地示出了圖4所示的氣體供給系統(tǒng)的氣體箱。
圖6是概略地示出圖4所示氣體供給系統(tǒng)的初級(jí)側(cè)連接單元的立體圖。
圖7是概略地示出圖4所示氣體供給系統(tǒng)的中繼單元的立體圖。
圖8是概略地示出圖4所示氣體供給系統(tǒng)的中繼管道的連接構(gòu)造的立體圖。
圖9是概略地示出本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體處理裝置的立體圖。
圖10是示出在圖9所示的裝置中所使用的流量控制單元的側(cè)視圖。
圖11是示出在圖9所示的裝置中所使用的初級(jí)側(cè)連接單元的平面圖。
圖12是圖11所示的初級(jí)側(cè)連接單元的側(cè)視圖。
圖13是示出在第一和第二實(shí)施方式的變更例的裝置中,使用遙控操作使氣體管道的切換閥門總括地變成為關(guān)閉狀態(tài)的機(jī)構(gòu)的管道圖。
圖14是概略地示出現(xiàn)有技術(shù)的集群型半導(dǎo)體處理裝置的平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下,參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中,在以下的說明中,對(duì)具有大致相同功能和結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素標(biāo)注同一標(biāo)號(hào),并僅在必要情況下進(jìn)行重復(fù)的說明。
(第一實(shí)施方式)圖1是概略地示出本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體處理裝置的立體圖。圖2是圖1所示的裝置的概略平面圖。該處理裝置1構(gòu)成將六個(gè)處理室2連接在公用搬運(yùn)室8的周圍的集群型(也稱為多處理室型)。通過這些處理室2,可以對(duì)被處理基板例如半導(dǎo)體晶片進(jìn)行一系列處理。
具體地說,該處理裝置1具有從載置于裝料端口4上的盒體3取出晶片W并在大氣壓下進(jìn)行搬運(yùn)的常壓搬運(yùn)系統(tǒng)5。處理裝置1還具有通過負(fù)載鎖定室11而連接到常壓搬運(yùn)系統(tǒng)5的搬運(yùn)室6上的、在規(guī)定的減壓下搬運(yùn)晶片W的真空搬運(yùn)系統(tǒng)7。在真空搬運(yùn)系統(tǒng)7的公用搬運(yùn)室(真空搬運(yùn)室)8的周圍,連接有逐塊收納晶片并在規(guī)定氣體氣氛下實(shí)施規(guī)定處理(例如CVD處理)的多個(gè)真空處理室2。
在常壓搬運(yùn)室5的搬運(yùn)室6內(nèi),配設(shè)有在裝料端口4與負(fù)載鎖定室11之間進(jìn)行晶片W搬運(yùn)用的搬運(yùn)臂機(jī)構(gòu)9。搬運(yùn)室6形成為長方形,將搬運(yùn)臂機(jī)構(gòu)9配置成可在搬運(yùn)室6的長度方向上移動(dòng)。在搬運(yùn)室6的一個(gè)側(cè)部配設(shè)有多個(gè)裝料端口4,在另一個(gè)側(cè)部,通過閘閥G而連接在負(fù)載鎖定室11的一端。此外,在搬運(yùn)室6的一端配設(shè)有進(jìn)行晶片W的定位的定位器10。
在真空搬運(yùn)系統(tǒng)7的搬運(yùn)室8內(nèi),配設(shè)有在負(fù)載鎖定室11與處理室2之間進(jìn)行晶片W搬運(yùn)用的搬運(yùn)臂機(jī)構(gòu)12。搬運(yùn)室8形成為長方形,將搬運(yùn)臂機(jī)構(gòu)12配置成可在搬運(yùn)室8的長度方向上移動(dòng)。負(fù)載鎖定室11的另一個(gè)端部通過閘閥G而連接在搬運(yùn)室8的一個(gè)端部上。將可使內(nèi)部控制成規(guī)定壓力的真空排氣系統(tǒng)連接到負(fù)載鎖定室11、搬運(yùn)室8和搬運(yùn)室2上。負(fù)載鎖定室11在圖示例的情況下并列設(shè)置有兩個(gè),但是也可以是一個(gè)。
圖3是概略地示出在圖1所示裝置中所使用的氣體供給系統(tǒng)的管道圖。圖4是示出在圖1所示裝置中所使用的氣體供給系統(tǒng)的側(cè)視圖。圖5是概略地示出圖4所示氣體供給系統(tǒng)的氣體箱的立體圖。
為了向各個(gè)處理室2內(nèi)供給氣體,而在各處理室2的下方配設(shè)有氣體供給系統(tǒng)40。氣體供給系統(tǒng)40具有覆蓋流量控制單元13和初級(jí)側(cè)連接單元23的氣體箱14。初級(jí)側(cè)連接單元23與多個(gè)氣體源進(jìn)行連接。將流量控制單元13配設(shè)在氣體箱14內(nèi)從初級(jí)側(cè)連接單元23向?qū)?yīng)的處理室2內(nèi)供給氣體的氣體管道上。
流量控制單元13具有通過初級(jí)側(cè)連接單元23而分別連接到多種氣體的氣體源GS1、GS2、……上的多條配管16。在各配管16上,配設(shè)有由FCS(流量控制系統(tǒng)(フジキン公司生產(chǎn))或者M(jìn)FC(質(zhì)量流量控制器)構(gòu)成的流量控制器17。FCS是監(jiān)視氣體管道內(nèi)的壓力并控制氣體流量的壓力式流量控制器,對(duì)于該控制器來說,由于若壓力變動(dòng)強(qiáng)且次級(jí)側(cè)壓力變低,則控制范圍就會(huì)變寬,因此,在配管長度短的情況下是合適的,而且在價(jià)格上也是經(jīng)濟(jì)的。
在各配管16內(nèi),在流量控制器17的前后配設(shè)有閥門V1、V2。通過閥門V3將用來供給鈍化用惰性氣體(例如N2氣體)的配管18連接到上游的閥門V1與流量控制器17之間。在圖3中雖然被省略,但是在上游的閥門V1的上游一側(cè),配設(shè)有壓力顯示表19或者調(diào)整器20(在FCS的情況下則不要)。閥門V1~V3例如由可通過氣壓操作類型的閥門(空氣操作閥門)構(gòu)成。各配管16的流量控制器17、閥門V1~V3、壓力顯示表19和調(diào)整器20,在考慮到維修性的情況下,集成在流量控制單元13的上表面上。
各配管16的下游一側(cè)連接到共通的出口管21上。出口管21可裝卸地連接到已連接在對(duì)應(yīng)的處理室2上的氣體供給管15上。即,與多種氣體分別對(duì)應(yīng)地配設(shè)的多個(gè)流量控制器17,可通過共通的管子21、15而連接到對(duì)應(yīng)的處理室2上。在氣體供給管15上配設(shè)有過濾器22和閥門V4。
圖6是概略地示出圖4所示氣體供給系統(tǒng)40的初級(jí)側(cè)連接單元23的立體圖。圖7是概略地示出圖4所示氣體供給系統(tǒng)40的中繼單元28的立體圖。圖8是概略地示出圖4所示氣體供給系統(tǒng)40的中繼管道的連接構(gòu)造的立體圖。
初級(jí)側(cè)連接單元(也叫做模板)23,配置在設(shè)置有處理裝置1的清潔室的地面上,并且配置成使得位于對(duì)應(yīng)的處理室2的正下方。初級(jí)側(cè)連接單元23,在將處理裝置1設(shè)置在清潔室內(nèi)之前,先要通過配管工事而被預(yù)先設(shè)置到地面上。此外,清潔室的地面采用嵌入多塊地板(也叫做網(wǎng)格板)24方式而構(gòu)成。
如圖6所示,初級(jí)側(cè)連接單元23,具有與氣體源連接的多個(gè)配管25和收容這些配管25的容器26。在各配管25上設(shè)置有過濾器27和閥門V5。閥門V5例如由可通過氣壓操作類型的閥門(空氣操作閥門)構(gòu)成。初級(jí)側(cè)連接單元23通過將中繼配管匯總起來的中繼單元(也叫做連接單元)28而連接到流量控制單元13上。
如圖7所示,中繼單元28包括在前后具有連接部30、31的多個(gè)配管32和收容這些配管32的容器33。中繼單元28配設(shè)在初級(jí)側(cè)連接單元23的前方且配設(shè)在流量控制單元13的下方。如圖8所示,配管32的一方的連接部30連接到初級(jí)側(cè)連接單元23側(cè)的配管連接部34上。配管32的另一方的連接部31通過輔助配管36而連接到流量控制單元13側(cè)的配管連接部35上。輔助配管36在兩端具有連接部37、38。
如圖4所示,氣體箱14可裝卸地安裝在容器26、33上,與它們一起氣密地將初級(jí)側(cè)連接單元23、流量控制單元13以及中繼單元28的內(nèi)側(cè)部件類包圍起來。通過這樣,而可以防止氣體向氣體箱14外的氣體泄漏。氣體箱14在后部一側(cè)重疊到在處理室2的平面輪廓上的狀態(tài)下進(jìn)行設(shè)置。在處理室2的下側(cè),配設(shè)有收容電源單元(未示出)等的機(jī)殼41。氣體箱14的后部側(cè)的大體上的一半例如140mm左右進(jìn)入到機(jī)殼41內(nèi)。若采用該構(gòu)成,則可減小處理裝置1的占地面積。
流量控制單元13,被配置成使得至少一部分重疊到初級(jí)側(cè)連接單元23的上側(cè)。即,將流量控制單元13配置成使得隨著從位于初級(jí)側(cè)連接單元23的上側(cè)的內(nèi)側(cè)部分(圖4的閥門V2的位置)朝向位于初級(jí)側(cè)連接單元23的前方的外側(cè)部分(圖4的調(diào)整器20的位置)前進(jìn)而向下方傾斜。流量控制單元13的外側(cè)部分,從對(duì)應(yīng)的處理室2的平面輪廓部分向外伸出。
相對(duì)于此,氣體箱14的前面和上面則由可裝卸的機(jī)罩42構(gòu)成。氣體箱14的內(nèi)側(cè)部分雖然被機(jī)殼41所遮擋,但是操作員只需通過拿掉機(jī)罩42,便可以很容易地對(duì)流量控制單元上面的閥門V1~V3等部件進(jìn)行操作。若采用該構(gòu)成,則可以提高流量控制單元13的維修性。
其中,在六個(gè)處理室2內(nèi),進(jìn)行同一處理的處理室實(shí)質(zhì)上可用相同規(guī)格構(gòu)成。此外,對(duì)于相同規(guī)格的處理室2配置的每個(gè)氣體供給系統(tǒng)40也實(shí)質(zhì)上可用相同規(guī)格構(gòu)成。此外,將從流量控制單元13到對(duì)應(yīng)的處理室2的距離設(shè)定成使得在相同規(guī)格的多個(gè)氣體供給系統(tǒng)40之間成為同一。
若采用本實(shí)施方式的集群型半導(dǎo)體處理裝置1,則可以得到如下的效果。即,由于在各處理室2的下方對(duì)每個(gè)處理室2都配設(shè)氣體供給系統(tǒng)40的氣體箱14,所以可以縮短處理室2與氣體箱14之間的距離(配管長度)L。通過配管長度的縮短,由于壓力損耗降低,所以可以減小供給的氣體壓力。此外,通過將各配管長度L形成相等,而可以消除進(jìn)行同一處理的處理室2間的機(jī)差。
根據(jù)實(shí)驗(yàn),在配管直徑為1/2英寸,氣體總流量為1200SCCM的條件下,在配管長度L大約為7000mm時(shí),配管內(nèi)達(dá)到平均壓力所需時(shí)間大約為1.0秒。相對(duì)于此,若配管長度L變?yōu)榇蠹s4000mm,則同上達(dá)到時(shí)間大約為0.6秒,可以確認(rèn)響應(yīng)性得到提高。
在作為流量控制器17而使用FCS(壓力式流量控制器)的情況下,可以得到如下優(yōu)點(diǎn)。即,壓力式流量控制器利用的是在內(nèi)置的測流孔(orifice)的上游側(cè)壓力P1和下游側(cè)壓力P2滿足P1≥P2的關(guān)系時(shí),流量與P1成正比這樣的原理。為此,若將P2設(shè)定得越小,則P1的設(shè)定壓力范圍就會(huì)變得越寬,因此,流量控制范圍就會(huì)變寬。若如本實(shí)施方式那樣縮短配管長度L,則由于可以減小下游側(cè)的配管內(nèi)壓P2,所以在作為流量控制器17而選擇FCS(壓力式流量控制器)的情況下,可以將上游側(cè)壓力P1的允許壓力范圍(控制范圍)設(shè)定得較寬。相對(duì)于此,若用MFC則不能像這樣展寬流量控制范圍。此外,對(duì)于一般的MFC,在如圖4所示,在傾斜配置的情況下存在著產(chǎn)生測定誤差的可能性,但是,通過壓力式流量控制器則不會(huì)產(chǎn)生這樣的問題。此外,若使用MFC,則由于會(huì)使上游側(cè)壓力變?yōu)楹愣?,所以必須設(shè)置調(diào)整器20,但是,若使用壓力式流量控制器則不需要調(diào)整器。
在處理室2的下方的地面上設(shè)置有與氣體源進(jìn)行連接的初級(jí)側(cè)連接單元23,并將流量控制單元13設(shè)置成使得至少一部分重疊到初級(jí)側(cè)連接單元23的上部。流量控制單元13和上述初級(jí)側(cè)連接單元23,可通過匯總中繼配管的單元28而連接起來。此外,覆蓋這些單元13、23、28的氣體箱14,在后部側(cè)重疊到處理室2的平面輪廓上的狀態(tài)下設(shè)置。為此,可以緊湊地構(gòu)成氣體供給系統(tǒng)40,可以實(shí)現(xiàn)占地面積的縮小化。
在氣體箱14內(nèi),流量控制單元13被配置成使得在處理室2與初級(jí)側(cè)連接單元23之間傾斜。與之相對(duì)應(yīng),氣體箱14的前面和上面由可裝卸的機(jī)罩42構(gòu)成。為此,可以實(shí)現(xiàn)氣體箱14內(nèi)的流量控制單元13的維修性的提高。
(第二實(shí)施方式)圖9是概略地示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體處理裝置的立體圖。圖10是示出在圖9所示裝置中所使用的流量控制單元的側(cè)視圖。
在第一實(shí)施方式中,將初級(jí)側(cè)連接單元23設(shè)置在各處理室2的下方的地面上,并將流量控制單元13配置成使得重疊到初級(jí)側(cè)連接單元23上。相對(duì)于此,在第二實(shí)施方式中,將初級(jí)側(cè)連接單元23配置在設(shè)置有處理裝置1的清潔室的可拆卸的地板24a的下側(cè)。在地板24a上配設(shè)有可裝卸的蓋46,以便對(duì)初級(jí)側(cè)連接單元23進(jìn)行操作。
為了向各處理室2供給氣體,將氣體供給系統(tǒng)40的流量控制單元13配設(shè)在各處理室2的下方。流量控制單元13具有與第一實(shí)施方式相同的構(gòu)造而且以同樣的形態(tài)被氣體箱14氣密地覆蓋起來。但是,與第一實(shí)施方式不同,流量控制單元13要通過在清潔室的地面下邊延伸的中繼配管32而連接到氣體供給系統(tǒng)40的初級(jí)側(cè)連接單元23上。對(duì)于安裝有初級(jí)側(cè)連接單元23的地板24a來說,考慮到檢修性的問題,并不是配置在對(duì)應(yīng)的處理室2的正下邊而被配置在從那里離開一些距離的位置上。
圖11是示出在圖9所示裝置中所使用的初級(jí)側(cè)連接單元23的平面圖。圖12是圖11所示的初級(jí)側(cè)連接單元23的側(cè)視圖。
清潔室的地板24、24a,縱橫地?zé)o間隙配置,其各個(gè)例如具有一邊為600mm左右的尺寸。地板24通過配設(shè)在四個(gè)角上的支撐構(gòu)件43而從地面基礎(chǔ)部44算起被支撐到規(guī)定的高度位置。初級(jí)側(cè)連接單元23,被組裝到規(guī)定的地板24a的下方。組裝有初級(jí)側(cè)連接單元23的地板24a取代通常的地板24而被嵌入到規(guī)定處。
初級(jí)側(cè)連接單元23,具有上方開口的容器26,該容器26安裝在地板24a的下表面。在地板24a上形成面對(duì)初級(jí)側(cè)連接單元23的開口部45。在開口部45內(nèi)可開閉地配設(shè)有將其堵塞的蓋46,通過蓋46將容器26內(nèi)密閉起來。
在容器26內(nèi),收容有已分別連接到多個(gè)氣體源上的配管25。配管25配置成使得入口側(cè)和出口側(cè)變?yōu)橥环较?。配設(shè)有配管25的閥門V5,由于可采用打開蓋46的辦法操作,因此可以做成為手動(dòng)式的閥門。配管25通過將通往通常的地板24下邊的中繼配管32匯總起來的單元28而連接到氣體箱14內(nèi)的流量控制單元13上(參看圖9)。
若采用第二實(shí)施方式的處理裝置1,則在各處理室2的下邊將收納流量控制單元13的氣體箱14配設(shè)在清潔室的地面上。流量控制單元13通過中繼單元28可裝卸地連接到已配設(shè)在從氣體箱14離開一定距離處的地板24a的下邊的初級(jí)側(cè)連接單元23上。在地板24a上,配設(shè)有面對(duì)初級(jí)側(cè)連接單元23的開口部45和堵塞開口部45的可開閉的蓋46。中繼單元28可采用將收納多根中繼配管32的容器安裝到地板24的下面上的辦法而配設(shè)。
若采用該構(gòu)成,則可以很容易地對(duì)初級(jí)側(cè)連接單元23進(jìn)行操作,可以實(shí)現(xiàn)維修性的提高。此外,由于地板24上不會(huì)因配管或者閥門等而變得雜亂,所以可以安全地進(jìn)行作業(yè)。
(第一、第二實(shí)施方式的共通事項(xiàng))圖13的管道圖示出了在第一實(shí)施方式和2的變更例的裝置中,用遙控操作使氣體管道的切換閥門總括地變成為關(guān)閉狀態(tài)的機(jī)構(gòu)。其中,為了簡化圖面,在圖13中沒有示出流量控制單元13等。
在對(duì)處理裝置1實(shí)施維修的情況下,從安全性的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選使連接到所有的處理室2上的初級(jí)側(cè)連接單元23的閥門(切換閥門)V5變成為關(guān)閉狀態(tài)。但是,在第一實(shí)施方式中,如圖4所示,由于將V5隱藏在流量控制單元13的下邊,所以難于進(jìn)行操作。此外,在第二實(shí)施方式中,如圖12所示,由于V5處于地面上邊,所以必須打開地板24a的蓋46進(jìn)行操作。
相對(duì)于此,在本變更例中,全部的閥門V5都用可以氣壓操作而且在未施加氣壓時(shí)成為關(guān)閉狀態(tài)的閥門(所謂常態(tài)關(guān)閉的空氣操作閥門)構(gòu)成。將可用電操作而且在無負(fù)載下變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)(常態(tài)關(guān)閉)的三向閥門構(gòu)成的關(guān)閉(lock out)閥門49配設(shè)到向這些閥門V5供給氣體的共通的上游管道48內(nèi)。
通過這樣,而可以在維修時(shí)采用使關(guān)閉閥門49關(guān)閉來隔絕空氣的供給的辦法,用遙控操作使全部的閥門(切換閥門)V5A總括地變成為關(guān)閉狀態(tài)。因此,在將該變更例應(yīng)用于第一實(shí)施方式的情況下,而可以消除因閥門V5隱藏于流量控制單元13的下邊而難于進(jìn)行操作的問題。此外,在將該變更例應(yīng)用于第二實(shí)施方式的情況下,不需要為操作閥門V5而打開地板24a的蓋46。
其中,在第一和第二實(shí)施方式中,雖然例示的是真空處理裝置,但是,本發(fā)明對(duì)于在大氣壓下進(jìn)行處理的常壓處理裝置也同樣可以應(yīng)用。此外,本發(fā)明也可以應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片以外的被處理基板,例如扁平面板用的玻璃基板等。
工業(yè)上利用的可能性若采用本發(fā)明的半導(dǎo)體處理裝置,則可以提高工藝性能以及縮小占地面積。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于,包括公用搬運(yùn)室;連接到所述公用搬運(yùn)室上的、用于對(duì)被處理基板實(shí)施處理的多個(gè)處理室;配設(shè)在所述公用搬運(yùn)室內(nèi)的、用于向所述處理室搬運(yùn)所述被處理基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu);和每個(gè)都附設(shè)在所述多個(gè)處理室上的、用于供給規(guī)定氣體的多個(gè)氣體供給系統(tǒng),其中,所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)中的各個(gè)都包括連接到所述規(guī)定氣體的氣體源上的初級(jí)側(cè)連接單元,所述初級(jí)側(cè)連接單元被配置在對(duì)應(yīng)的處理室的下側(cè);配設(shè)在從所述初級(jí)側(cè)連接單元向所述對(duì)應(yīng)的處理室內(nèi)供給氣體的氣體管道上的、用于控制所述規(guī)定氣體的流量的流量控制單元,所述流量控制單元被配置成使得至少一部分重疊到所述初級(jí)側(cè)連接單元的上側(cè);和覆所述流量控制單元的氣體箱,所述氣體箱為了對(duì)所述流量控制單元進(jìn)行操作而具有可裝卸的機(jī)罩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述初級(jí)側(cè)連接單元和所述流量控制單元,通過構(gòu)成所述氣體管道的一部分的中繼配管而可裝卸地進(jìn)行連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述初級(jí)側(cè)連接單元,被配設(shè)于設(shè)置所述裝置的房間的地面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述初級(jí)側(cè)連接單元和所述流量控制單元,通過所述氣體箱而被氣密地覆蓋。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述流量控制單元,被配置成從位于所述初級(jí)側(cè)連接單元的上側(cè)的內(nèi)側(cè)部分朝向位于所述初級(jí)側(cè)連接單元的前方的外側(cè)部分而向下方傾斜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述流量控制單元的所述外側(cè)部分,位于所述對(duì)應(yīng)的處理室的平面輪廓部分外,所述機(jī)罩形成所述氣體箱的前面和上面的至少一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述流量控制單元,包括監(jiān)視所述氣體管道內(nèi)的壓力來控制所述規(guī)定的氣體的流量的流量控制器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述多個(gè)處理室實(shí)質(zhì)上采用同一規(guī)格構(gòu)成,同時(shí),所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)實(shí)質(zhì)上也采用同一規(guī)格構(gòu)成,從所述流量控制單元到所述對(duì)應(yīng)的處理室的距離,被設(shè)定成在所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)間成為同一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng),分別具有用于開閉所述氣體管道的切換閥門,所述裝置具有通過遙控操作總括地使所述切換閥門變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)的遙控操作機(jī)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述切換閥門中的各個(gè)都是可以氣壓操作而且在未施加氣壓時(shí)成為關(guān)閉狀態(tài)的閥門,所述遙控操作機(jī)構(gòu)具有配設(shè)在向所述切換閥門供給氣體的管道的共通上游管道上的關(guān)閉閥門。
11.一種半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于,包括公用搬運(yùn)室;連接到所述公用搬運(yùn)室上的、用于對(duì)被處理基板實(shí)施處理的多個(gè)處理室;配設(shè)在所述公用搬運(yùn)室內(nèi)的、用于向所述處理室搬運(yùn)所述被處理基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu);和各個(gè)都附設(shè)在所述多個(gè)處理室上的、用于供給規(guī)定氣體的多個(gè)氣體供給系統(tǒng),其中,所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)中的各個(gè)都包括連接到所述規(guī)定氣體的氣體源上的初級(jí)側(cè)連接單元,所述初級(jí)側(cè)連接單元配置在設(shè)置有所述裝置的房間的可卸下的地板的下側(cè),所述地板為了對(duì)所述初級(jí)側(cè)連接單元進(jìn)行操作而具有可裝卸的蓋,配設(shè)在從所述初級(jí)側(cè)連接單元向所述對(duì)應(yīng)的處理室內(nèi)供給氣體的氣體管道上的、用于控制規(guī)定氣體的流量的流量控制單元,所述流量控制單元被配置成使得至少一部分重疊到所述對(duì)應(yīng)的處理室的下側(cè),以及覆蓋所述流量控制單元的氣體箱,所述氣體箱為了對(duì)所述流量控制單元進(jìn)行操作而具有可裝卸的機(jī)罩。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其特征在于所述初級(jí)側(cè)連接單元和所述流量控制單元,通過構(gòu)成所述氣體管道的一部分的中繼配管而可裝卸地進(jìn)行連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述中繼配管,被配設(shè)于設(shè)置所述裝置的房間的地板的下側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述流量控制單元,被所述氣體箱氣密地覆蓋起來。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述流量控制單元,被配置成使得從位于所述對(duì)應(yīng)的處理室的下側(cè)的內(nèi)側(cè)部分朝向外側(cè)部分而向下方傾斜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述流量控制單元的所述外側(cè)部分,位于所述對(duì)應(yīng)的處理室的平面輪廓部分外,所述機(jī)罩形成所述氣體箱的前面和上面的至少一部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述流量控制單元,具有監(jiān)視所述氣體管道內(nèi)的壓力來控制所述規(guī)定氣體的流量的流量控制器。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述多個(gè)處理室實(shí)質(zhì)上采用同一規(guī)格構(gòu)成,同時(shí),所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)實(shí)質(zhì)上也采用同一規(guī)格構(gòu)成,從所述流量控制單元到所述對(duì)應(yīng)的處理室的距離,被設(shè)定成使得在所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng)間變?yōu)橥弧?br> 19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述多個(gè)氣體供給系統(tǒng),分別具有用于開閉所述氣體管道的切換閥門,所述裝置具有以遙控操作總括地使所述切換閥門成為關(guān)閉狀態(tài)的遙控操作機(jī)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體處理裝置,其特征在于所述切換閥門中的各個(gè),都是可以氣壓操作而且在未施加氣壓時(shí)成為關(guān)閉狀態(tài)的閥門,所述遙控操作機(jī)構(gòu)具有配設(shè)在向所述切換閥門供給氣體的管道的共通上游管道上的關(guān)閉閥門。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理裝置(1),包括連接到公用搬運(yùn)室(8)上的、用于對(duì)被處理基板(W)實(shí)施處理的多個(gè)處理室(2)。附設(shè)用于向各處理室(2)供給規(guī)定氣體的氣體供給系統(tǒng)(40)。氣體供給系統(tǒng)(40)具有連接到規(guī)定氣體源上的初級(jí)側(cè)連接單元(23)和流量控制單元(13)。初級(jí)側(cè)連接單元(23)配置在對(duì)應(yīng)的處理室(2)的下側(cè)。流量控制單元(13)配設(shè)到從初級(jí)側(cè)連接單元(23)向?qū)?yīng)的處理室(2)內(nèi)供給氣體的氣體管道上。流量控制單元(13)被配置成至少一部分要重疊到初級(jí)側(cè)連接單元(23)的上側(cè)。
文檔編號(hào)C23C16/455GK1906734SQ200580001439
公開日2007年1月31日 申請日期2005年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月26日
發(fā)明者網(wǎng)倉紀(jì)彥, 手塚一幸, 實(shí)吉梨沙子 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
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