專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種裝置，用于半導(dǎo)體處理，并且更具體地，涉及用于 能夠執(zhí)行在例如晶圓的基片的表面上的例如蝕刻、沉積等的半導(dǎo)體處理 的半導(dǎo)體處理的裝置。
2. 相關(guān)技術(shù)描述
韓國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)No.10-0364089公開(kāi)了用于半導(dǎo)體處理的具有一對(duì) 晶圓支撐單元的裝置。
圖1是示出了用于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體處理裝置的橫斷面視圖， 并且圖2是沿著圖1中的線(xiàn)"A-A，，截取的垂直剖視圖。
如圖1和圖2中所示，用于半導(dǎo)體處理的傳統(tǒng)裝置包括處理室10， 具有一對(duì)晶圓支撐單元12,以及傳送室60，具有一對(duì)傳送機(jī)械(robots) 30。
一對(duì)晶圓支撐單元12設(shè)置在處理室10中。處理室IO通過(guò)閘式閥54 密封地保持，安裝在處理室10和傳送室60之間，在基片通過(guò)傳送機(jī)械 30而安放在晶圓支撐單元12上之后。在密封的處理室10中，半導(dǎo)體處 理，例如進(jìn)行蝕刻、沉積、退火。
然而，用于半導(dǎo)體處理的常規(guī)裝置，尤其是具有多個(gè)晶圓支撐單元 的韓國(guó)專(zhuān)利^^開(kāi)號(hào)No. 10-0364089中公開(kāi)的常規(guī)裝置具有以下問(wèn)題。
第一，用于執(zhí)行半導(dǎo)體處理的處理空間以基片為基礎(chǔ)不對(duì)稱(chēng)的形成， 統(tǒng)一的處理環(huán)境并沒(méi)有在處理室中形成。
第二，處理室內(nèi)部的晶圓支撐單元并沒(méi)有彼此分離，稍差的處理， 例如反應(yīng)氣體發(fā)生、氣體混合物、等離子源的干涉等等造成降低半導(dǎo)體 處理的穩(wěn)定性。
第三，用于冷卻已處理的基片的等待時(shí)間增加，由此增加了用于半 導(dǎo)體處理的全部時(shí)間。因此，產(chǎn)能下降。
第四，由于用于半導(dǎo)體處理的全部時(shí)間增加，基片長(zhǎng)時(shí)間暴露于空 氣，由此被灰塵或外部材料污染。因此，半導(dǎo)體處理的產(chǎn)量下降。

發(fā)明內(nèi)容
由此，本發(fā)明的目的是提供一種用于半導(dǎo)體處理的裝置，其通過(guò)以
基片為基礎(chǔ)，對(duì)稱(chēng)的形成處理空間而形成統(tǒng)一的處理壓力(atmosphere) 從而能夠提高整個(gè)處理的穩(wěn)定性。
本發(fā)明的另 一個(gè)目的是提供一種用于半導(dǎo)體處理的裝置，其通過(guò)分 離由多個(gè)晶圓支撐單元形成的處理空間而能夠提高整個(gè)處理的穩(wěn)定性。
本發(fā)明的另 一個(gè)目的是提供一種用于半導(dǎo)體處理的裝置，其通過(guò)額 外的提供盒式單元而減少用于冷卻已處理的基片的等待時(shí)間，從而能夠 縮短整個(gè)處理的時(shí)間，并且通過(guò)防止基片暴露于空氣而能夠使基片被灰 塵或外部材料污染最小化。
本發(fā)明的另 一個(gè)目的是提供一種用于半導(dǎo)體處理的裝置，其能夠?qū)?每個(gè)處理空間提供用于執(zhí)行半導(dǎo)體處理的最優(yōu)的環(huán)境。
為實(shí)現(xiàn)這些及其它的優(yōu)點(diǎn)并結(jié)合本發(fā)明的目的，如此處具體的和廣 泛地描述，提供一種用于半導(dǎo)體處理的裝置，包括反應(yīng)室，具有通道， 要被處理的基片從中傳送通過(guò)； 一個(gè)或多個(gè)噴頭，設(shè)置在反應(yīng)室的上側(cè)
處，用于噴射氣體以執(zhí)行半導(dǎo)體處理； 一個(gè)或多個(gè)晶圓支撐單元，設(shè)置 在反應(yīng)室的內(nèi)部下側(cè)處，與每一個(gè)噴頭相對(duì)應(yīng)，用于支撐基片；處理空 間形成設(shè)置在反應(yīng)室中的單元，用于形成并且密封用于半導(dǎo)體處理的處 理空間，環(huán)繞噴頭以及晶圓支撐單元；以及排氣系統(tǒng)，連接于處理空間 形成用于控制反應(yīng)室內(nèi)的壓力及氣體排放的單元，以及由處理空間形成 單元形成的處理空間。
傳送單元用于將要被處理的基片傳送至晶圓支撐單元，或者執(zhí)行被 處理通過(guò)所述通道的基片進(jìn)而被設(shè)置到晶圓支撐單元和通道之間。
傳送單元可以實(shí)現(xiàn)為一個(gè)或多個(gè)機(jī)械手，具有一端連接于設(shè)置在反 應(yīng)室處的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元，而另一端在晶圓支撐單元和通道之間往復(fù)轉(zhuǎn)動(dòng)， 用于傳送基片。機(jī)械臂可以彼此以不同高度設(shè)置，當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，防止彼此 之間的干涉。
用于裝載多個(gè)基片的盒子單元可以進(jìn)一步的設(shè)置在傳送單元和通道 之間。盒子單元可以被設(shè)置以通過(guò)驅(qū)動(dòng)單元是橫向的可移動(dòng)的。盒子單 元可以包括溫度控制器，用于控制被裝載的基片的溫度。
操作空間形成單元可以做為氣缸閥而實(shí)現(xiàn)，其設(shè)置在反應(yīng)室中，以 垂直地可移動(dòng)的并且當(dāng)向上移動(dòng)時(shí)形成操作空間。氣缸閥可以連接于與 排氣系統(tǒng)相連的排氣管。
氣體注入單元，用于注入氣體至基片的邊緣部分，以阻止基片被沉 積，可以進(jìn)而被設(shè)置在氣缸閥處。
氣體注入單元可以包括氣體注入環(huán)，具有多個(gè)注入孔，位于氣缸閥 的內(nèi)側(cè)，氣體注入環(huán)連接于氣體供應(yīng)單元，通過(guò)供氣管安裝在外側(cè)。
進(jìn)而設(shè)置在氣體閥中。
用于保護(hù)密封件的襯墊可以進(jìn)而設(shè)置在氣缸閥的內(nèi)壁處。此處，襯
墊的下端可以延伸的比基片的底部表面更低，以阻止等離子體的出現(xiàn)。
氣缸闊位于處理空間及氣缸閥外表面之間的末端具有階梯狀，以保
護(hù)密封件。同樣，氣缸閥上密封件安裝的那部分具有與處理空間相接觸
的部分不同的高度。
結(jié)合附圖，本發(fā)明的上述和其它目的、特征、方面和優(yōu)點(diǎn)從本發(fā)明
的一下詳細(xì)的描述將會(huì)更加顯而易見(jiàn)。


附圖提供本發(fā)明的更進(jìn)一步的解釋?zhuān)⑶医Y(jié)合和構(gòu)成本發(fā)明的 一部 分，圖釋本發(fā)明的實(shí)施例并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明。
在附圖中 '
圖1是示出了用于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體處理裝置的橫斷面視圖； 圖2是沿著圖1中的線(xiàn)"A-A"截取的垂直剖視圖； 圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體處理的裝置的垂直剖視圖； 圖4是圖3中用于半導(dǎo)體處理的裝置的橫斷面視圖； 圖5是示出了圖3的用于半導(dǎo)體處理的裝置的盒子的透視圖； 圖6是局部地示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的用于半導(dǎo)體處理的 裝置的垂直剖視圖7是局部地示出了圖6的用于半導(dǎo)體處理的裝置的橫斷面視圖。
具體實(shí)施例方式
參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，結(jié)合附圖中所示的示例，將詳細(xì)示出。 根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體處理的裝置將更為詳細(xì)的描述。 如圖3至圖5中所示，根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體處理的裝置包括 反應(yīng)室100，具有通道110,半導(dǎo)體處理的基片l從中傳送通過(guò)； 一個(gè)或
多個(gè)晶圓支撐單元120，設(shè)置在反應(yīng)室100的內(nèi)部下側(cè)處，用于支撐基片 1;處理空間形成單元，設(shè)置在反應(yīng)室100中，以垂直地往復(fù)運(yùn)動(dòng)，用于 通過(guò)密封包括晶圓支撐單元120的空間而形成用于半導(dǎo)體處理的處理空 間S;以及排氣系統(tǒng)，連接于處理空間形成單元，用于排出處理空間S 內(nèi)部的氣體。
反應(yīng)室100可以實(shí)現(xiàn)為由下室101及連接于下室101的上表面102 組成的組件。下室101的上表面能夠部分地開(kāi)啟。下板151用于安裝供 氣系統(tǒng)，電源單元，以及用于將氣體注入到處理空間S中的噴頭等等， 其設(shè)置在下室101的開(kāi)啟部處。上板152用于覆蓋反應(yīng)室100，可以設(shè)置 在噴頭的上側(cè)處。
通道110形成在反應(yīng)室100的側(cè)壁處，用于傳送基片1，并且通過(guò)通 道門(mén)111而開(kāi)啟和關(guān)閉。
傳送機(jī)械540,用于傳送基片1,被設(shè)置在通道110的外側(cè)。通過(guò)通 道110,傳送機(jī)械540將要被半導(dǎo)體處理的基片1傳送到盒式單元200或 帶出已處理的基片1。
排氣系統(tǒng)，用于排放在反應(yīng)室100的內(nèi)部壓力控制以及執(zhí)行半導(dǎo)體 處理之后而剩余在反應(yīng)室100中的氣體、副產(chǎn)品等，設(shè)置在反應(yīng)室100 中。排氣系統(tǒng)連接于真空泵(未示出)，通過(guò)排氣管530,以在真空氣壓 下保持在反應(yīng)室100中。排氣管530可以根據(jù)安裝環(huán)境等而有不同地設(shè) 置。排氣管530直接地連接于處理空間形成單元，以控制由處理空間形 成單元形成的處理空間S的內(nèi)部壓力和氣體排放。
在本發(fā)明中，由于連接于真空泵的排氣管530連接于處理空間形成 單元，反應(yīng)室100的內(nèi)部壓力能夠通過(guò)排氣管530保持在比大氣壓低的 壓力上。同樣，當(dāng)進(jìn)行半導(dǎo)體處理時(shí)，由處理空間形成單元形成的處理 空間S內(nèi)的壓力通過(guò)排氣管530保持在真空狀態(tài)。因此，處理空間S中 的半導(dǎo)體處理被執(zhí)行。
晶圓支撐單元120支撐基片1,以在基片l上執(zhí)行半導(dǎo)體處理，例如 加熱、沉積以及蝕刻，并且可以不同地實(shí)現(xiàn)為階段加熱器、靜電卡盤(pán)、 基座等等。
晶圓支撐單元120被安裝，以通過(guò)設(shè)置在反應(yīng)室IOO之下的驅(qū)動(dòng)單 元121垂直地可移動(dòng)。
晶圓支撐單元120可以設(shè)置有多個(gè)起模頂桿(lift pin) 531，用于支 撐被傳送單元300傳送的基片1,并且通過(guò)晶圓支撐單元120向上地移動(dòng) 時(shí)而向下移動(dòng)從而將基片1安裝至晶圓支撐單元120的支撐表面。
處理空間形成單元通過(guò)密封環(huán)繞噴頭和晶圓支撐單元120的空間， 以在反應(yīng)室100內(nèi)部形成分離的空間而實(shí)現(xiàn)。也就是"^兌，處理空間S4皮 設(shè)置以與外圍空間相分離，以在基片1被安裝的環(huán)繞晶圓支撐單元120 的空間處執(zhí)行例如沉積和蝕刻的半導(dǎo)體處理。處理空間形成單元可以有 不同的實(shí)現(xiàn)和修改。
例如，處理空間形成單元可以實(shí)現(xiàn)為設(shè)置在反應(yīng)室100中的氣缸閥 400,以垂直可移動(dòng)，并且當(dāng)向上地移動(dòng)時(shí)與下板151的下表面一起形成 處理空間S。因此，用于密封處理空間S的密封件411設(shè)置在處理空間形 成單元的上表面或者下板151的下表面。
處理空間形成單元可以被構(gòu)造以通過(guò)接觸形成在噴頭處的突起(未 示出)或者反應(yīng)室100而形成處理空間S，而不是下板151的下表面。
也就是說(shuō)，氣缸閥400，作為處理空間形成單元可以包括氣缸閥體 410，用于開(kāi)啟和關(guān)閉處理空間S,以及驅(qū)動(dòng)單元430,用于上下垂直地 移動(dòng)氣缸閥體410。
氣缸閥體410通過(guò)驅(qū)動(dòng)單元430，向上和向下地垂直地移動(dòng)。由于氣 缸閥體410向上地移動(dòng)，包括噴頭和晶圓支撐單元120的空間被關(guān)閉，
由此以形成用于半導(dǎo)體處理的處理空間S。
氣缸閥體410可以具有不同的剖面形狀，也可以是圓柱剖面形狀、 多邊形剖面形狀。排氣管530連接于氣缸閥體410的下表面。
由于根據(jù)本發(fā)明的氣缸閥400具有對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體處理的時(shí)候， 在室內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)一致的處理環(huán)境。同樣，室內(nèi)的晶圓支撐單元120彼此 相分離，而較差的處理，例如反應(yīng)氣體發(fā)生、氣體混合、等離子體源干
涉等等并不會(huì)發(fā)生。
氣缸閥400可以被構(gòu)造成多個(gè)，從而能夠形成多個(gè)處理空間S。不同 的半導(dǎo)體處理可以在每個(gè)處理空間S中執(zhí)行。也就是說(shuō)，基片1在第一 處理空間S處受到蝕刻處理，并且然后經(jīng)過(guò)盒式單元200傳送到下一個(gè) 處理空間S,從而受到沉積處理。根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體處理的裝置可 以對(duì)基片1同時(shí)地和/或連續(xù)地執(zhí)行不同的半導(dǎo)體處理，例如在多個(gè)處理 空間S中的蝕刻處理和沉積處理。
根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體處理的裝置可以包括用于在晶圓支撐單元 120和通道110之間傳送基片l的傳送單元300,以及用于在半導(dǎo)體處理 之前或之后裝載基片1的盒式單元200。
傳送單元300設(shè)置在晶圓支撐單元120和通道IIO之間，并且傳送 要被處理的基片l至晶圓支撐單元120或帶出已處理的基片1。
傳送單元300可以包括一個(gè)或多個(gè)機(jī)械臂320,具有一端，連接于設(shè) 置在反應(yīng)室100處的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)單元310的轉(zhuǎn)動(dòng)軸311,以及另一端，在晶 圓支撐單元120和通道IIO之間往復(fù)地轉(zhuǎn)動(dòng)，用于傳送基片1。如圖4所 示，機(jī)械臂320設(shè)置有安裝部321,用于在其端部安裝基片1。安裝部321 可以具有不同形狀，例如"S"和叉狀。
傳送單元300可以構(gòu)造成一對(duì)機(jī)械臂320彼此獨(dú)立地轉(zhuǎn)動(dòng)。這里， 機(jī)械臂320通過(guò)一對(duì)具有彼此同心的轉(zhuǎn)動(dòng)軸311的轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)單元310而 驅(qū)動(dòng)。
機(jī)械臂320可以彼此設(shè)置有不同高度，以當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)防止彼此之間的 干涉。
如圖4和圖5所示，盒式單元200設(shè)置在傳送單元300和通道110 之間，并且包括一對(duì)具有多個(gè)用于裝載多個(gè)基片1的多個(gè)裝載板211的 側(cè)壁；以及用于連接側(cè)壁的下板230。
下板230連接于驅(qū)動(dòng)單元240，以垂直地上下移動(dòng)。 盒式單元200可以由具有卓越的導(dǎo)熱性能，例如鋁或者鋁合金的耐 熱材料形成。
如果盒式單元200由鋁或鋁合金形成，基片1能夠自然地冷卻，由 此并不需要額外的用于冷卻基片1的冷卻設(shè)備。
用于控制堆放的基片1的溫度的溫度控制器250可以進(jìn)而安裝在盒 式單元200處。通過(guò)使用氣體或冷卻劑等等，溫度控制器250用作冷卻 或加熱盒式單元200中的堆放的基片1。
當(dāng)盒式單元200設(shè)置在傳送單元300和通道110之間時(shí)，傳送單元 300在晶圓支撐單元120和盒式單元200之間轉(zhuǎn)動(dòng)，并且傳送要被處理的 基片l至晶圓支撐單元120或者傳送已處理的基片l至盒式單元200。
每一個(gè)處理空間形成單元形成用于半導(dǎo)體處理的獨(dú)立的處理空間S。 每一個(gè)處理空間S設(shè)置有用于半導(dǎo)體處理的最佳條件。
圖6是局部地示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的用于半導(dǎo)體處理的 裝置的垂直剖視圖，而圖7是局部地示出了圖6的用于半導(dǎo)體處理的裝 置的4黃斷面視圖。
處理空間形成單元可以包括至少一個(gè)氣體注入單元710,用于注入氣 體至基片1的邊緣，以防止基片1的邊緣被沉積；溫度控制器720設(shè)置 在氣缸閥400中，用于根據(jù)半導(dǎo)體處理的條件而控制氣缸閥400的溫度；
以及襯墊730,用于保護(hù)作為密封件411,安裝在氣缸閥400處的O形環(huán)。
氣體注入單元710可以作為氣體注入通道設(shè)置在氣缸閥400的氣缸 閥體410處，用于通過(guò)將氣體注入到基片1的邊緣或下表面而防止基片1 被沉積?；蛘呷鐖D6和圖7中所示，氣體注入單元710還可以作為氣缸 閥體410內(nèi)部的具有多個(gè)注入孔71 la的氣體注入環(huán)711，并且通過(guò)供氣 管712而連接于安裝在室外側(cè)的供氣單元710。
優(yōu)選地，氣體注入單元710被設(shè)置，以向基片1的側(cè)表面注入氣體， 更優(yōu)選地為從基片1的下表面向基片1的側(cè)表面。
溫度控制器720安裝在氣缸閥400處，由此最優(yōu)化半導(dǎo)體處理，例 如沉積處理，并且控制氣缸閥體410的溫度，以在半導(dǎo)體處理過(guò)程中， 連接/分離副產(chǎn)品至/從氣缸閥體410的內(nèi)壁。
溫度控制器720可以具有不同的構(gòu)造，例如使用制冷劑、導(dǎo)電體或 加熱器等的構(gòu)造，并且可以安裝在氣缸閥體410的外壁上或內(nèi)部。
例如，溫度控制器720可以包括通道721，形成在氣缸閥體410壁之 內(nèi)，并且沿著流體流動(dòng)；通道管722連接通道721以及流體供應(yīng)單元723， 用于加熱或冷卻流體并且然后供應(yīng)加熱的或冷卻的流體至安裝在室外側(cè) 的通道721。
用于半導(dǎo)體處理的等離子體可以對(duì)密封件411施加危害，或者使得 處理空間S的密封狀態(tài)更惡劣。這里，密封件411被設(shè)置形成在氣缸閥 體410的端部處的密封件嵌入溝槽411a處。
襯墊730由陶瓷制品形成，例如SiC,用于通過(guò)阻止等離子體出現(xiàn)， 或者通過(guò)屏蔽熱量可以分離地安裝在氣缸閥體410的內(nèi)壁處。
當(dāng)襯墊730安裝在氣缸閥體410處時(shí)，襯墊730的外表面優(yōu)選地被 設(shè)置為與氣缸閥體400相同的表面，以使半導(dǎo)體處理上的影響最小化。
優(yōu)選地，村墊730的下端延伸的比基片的底端之下，以至于防止氣
缸閥體410影響等離子體的產(chǎn)生。
優(yōu)選地，氣缸閥400的端部在處理空間S和氣缸閥400的外表面之 間具有階梯形狀，以保護(hù)密封件411。同樣，密封件411被安裝的氣缸閥 的 一部分具有與處理空間S相接觸的那部分不同的高度。
接下來(lái)將描述;^艮據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體處理的裝置的操作。
首先，通道IIO通過(guò)通道門(mén)111而開(kāi)啟，從而傳送機(jī)械540被設(shè)置 在反應(yīng)室100的外側(cè)，能夠;陂傳送到反應(yīng)室100中。
一旦通道110被開(kāi)啟，傳送機(jī)械540裝載基片1至盒式單元200的 裝載板上用于順序地半導(dǎo)體處理。這里，盒式單元200垂直地移動(dòng)，從 而每一個(gè)基片1能夠裝載到每一個(gè)裝載板211之上。當(dāng)基片1完全地裝 載(堆;改)至盒式單元200時(shí)，通道110通過(guò)通道門(mén)111關(guān)閉。
因此，反應(yīng)室IOO并不接觸外部空氣，并且具有通過(guò)排氣管530，具 有比大氣壓低的內(nèi)部壓力。反應(yīng)室100內(nèi)的灰塵或外部材料向上地排出。
與常規(guī)的用于半導(dǎo)體處理的具有暴露于空氣的盒式單元200的裝置 不同的是，本發(fā)明的盒式單元安裝在反應(yīng)室100中，具有比空氣中的更 少的微粒。因此，在半導(dǎo)體處理過(guò)程中，基片被防止被灰塵和外部材料 污染。
一旦通道110通過(guò)通道門(mén)111關(guān)閉，傳送單元300通過(guò)可轉(zhuǎn)動(dòng)的往 復(fù)傳送盒式單元200中裝載的基片l至每個(gè)晶圓支撐單元120。這里，盒 式單元200垂直地移動(dòng)，以被設(shè)置在期望的位置，從而基片1能夠平滑 地傳送至晶圓支撐單元120。同樣，氣缸閥400保持在開(kāi)啟的狀態(tài)，也就 是說(shuō)，氣缸閥體410較低的狀態(tài)。
一旦基片1通過(guò)傳送單元300被傳送到晶圓支撐單元120,晶圓支撐 單元120及氣缸閥體410向上地移動(dòng)，由此形成用于半導(dǎo)體處理的處理 空間S。然后，處理空間S中的基片1開(kāi)始受到半導(dǎo)體處理，例如蝕刻處 理或者沉積處理。真空泵通過(guò)排氣管530控制處理空間S內(nèi)的壓力，以
適于半導(dǎo)體處理。
一旦對(duì)于基片1的半導(dǎo)體處理完全完成，用于半導(dǎo)體處理的裝置相 反地執(zhí)行上述操作。
也就是說(shuō)，如果處理空間形成單元的處理空間s內(nèi)的半導(dǎo)體處理完
成，處理空間S內(nèi)的氣體排出和壓力通過(guò)排氣管530控制。然后，氣缸 閥體410被降低，由此以開(kāi)啟處理空間S。已處理的基片l通過(guò)傳送單元 300而裝載至盒式單元200。
基片l裝載至盒式單元200,被通過(guò)用于下一步處理的傳送單元300 傳送到氣缸閥體410的另一個(gè)晶圓支撐單元120,或者由機(jī)械臂540通過(guò) 通道門(mén)111帶出反應(yīng)室100。
在本發(fā)明中，處理空間形成單元，例如安裝有氣缸閥，由此防止處 理過(guò)程中氣體的產(chǎn)生，并且防止等離子體源的干涉。同樣， 一致的處理 環(huán)境被實(shí)現(xiàn)，由此以提高處理的穩(wěn)定性。
此外，每一個(gè)半導(dǎo)體處理能夠同時(shí)地被執(zhí)行，并且合成程序能夠被 連續(xù)地執(zhí)行，由此減少整個(gè)處理時(shí)間并且提高產(chǎn)能。
同樣，由于盒式單元被設(shè)置在反應(yīng)室處，基片被防止被灰塵和外部 材料污染，由此提高了產(chǎn)量。由于基片被迅速地傳送，并且用于冷卻由 耐熱材料形成的盒式單元所用的等待時(shí)間減少，整個(gè)處理的時(shí)間減少， 由此提高產(chǎn)能。
另外，氣體注入單元、溫度控制器、襯墊等被安裝在處理空間形成 單元處以形成處理空間，用于半導(dǎo)體處理的最優(yōu)條件被實(shí)現(xiàn)，由此實(shí)現(xiàn) 了一致的處理環(huán)境。因此，半導(dǎo)體處理的穩(wěn)定性提高。
上述實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅僅用作示例，并且并不用于限制本發(fā)明。本介 紹能夠容易地施加于裝置的其他類(lèi)型。該描述做解釋之用，并不用于限
制權(quán)利要求的范圍。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，許多替換、修改以及變 化是顯而易見(jiàn)的。此處描述的示例形實(shí)施例的特征、結(jié)構(gòu)、方法以及其 他特性可以不同方式結(jié)合以獲取額外和/或可替換的示例性實(shí)施例。
由于本發(fā)明的特征可以以幾種形式具體體現(xiàn)，而沒(méi)有與其特征相分 離，可以理解上述實(shí)施例并不被上述描述的任意細(xì)節(jié)所限制，除非另有 說(shuō)明，但也應(yīng)當(dāng)在附屬權(quán)利要求限定的范圍內(nèi)廣泛地解釋?zhuān)⑶矣纱怂?有的變化和修改均屬于權(quán)利要求的限制和范圍，或者由此被附屬權(quán)利要 求所包含的這些限制和范圍的等同物之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體處理的裝置，包括反應(yīng)室，具有通道，要被處理的基片從其中傳送通過(guò)；一個(gè)或多個(gè)噴頭，設(shè)置在所述反應(yīng)室的上側(cè)處，用于噴射氣體以執(zhí)行半導(dǎo)體處理；一個(gè)或多個(gè)晶圓支撐單元，設(shè)置在所述反應(yīng)室的內(nèi)部下側(cè)處，與每一個(gè)所述噴頭相對(duì)應(yīng)，用于支撐所述基片；處理空間形成單元，設(shè)置在所述反應(yīng)室中，用于形成并且密封用于半導(dǎo)體處理的處理空間，環(huán)繞所述噴頭以及所述晶圓支撐單元；以及排氣系統(tǒng)，連接于所述處理空間形成單元，用于控制所述反應(yīng)室內(nèi)的壓力及氣體排放，以及由所述處理空間形成單元形成的所述處理空間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括傳送單元，設(shè)置在所述晶圓支撐 單元和所述通道之間，用于將要被處理的基片傳送至所述晶圓支撐單元， 或者通過(guò)通道取出已處理的基片。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述傳送單元實(shí)現(xiàn)為一個(gè)或多個(gè)機(jī)械 手，具有一端連接于設(shè)置在所述反應(yīng)室處的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元，而另一端在 所述晶圓支撐單元和所述通道之間往復(fù)轉(zhuǎn)動(dòng)，用于傳送所述基片。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，所述機(jī)械臂可以彼此以不同的高度設(shè)置， 當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，防止4皮此之間的干涉。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，用于裝載多個(gè)基片的盒式單元進(jìn) 一步的設(shè)置在所述傳送單元和所述通道之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述盒式單元布置為可以通過(guò)驅(qū) 動(dòng)單元垂直地移動(dòng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述盒式單元包括溫度控制器， 用于控制被裝載的基片的溫度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7所述的裝置，其中，所述操作空間形成單元可以 做為氣缸閥而實(shí)現(xiàn)，設(shè)置在所述反應(yīng)室中，垂直地可移動(dòng)，并且當(dāng)向上 移動(dòng)時(shí)形成操作空間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，氣體注入單元，用于注入氣體至 基片的邊緣部分，以阻止所述基片被沉積，進(jìn)而被設(shè)置在所述氣缸閥處。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述裝置，其中所述氣體注入單元包括氣體注入環(huán)，具有多個(gè)注入孔，位于氣缸閥的內(nèi)側(cè)，所述氣體注入 環(huán)連接于通過(guò)供氣管安裝在外側(cè)的氣體供應(yīng)單元。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，用于根據(jù)半導(dǎo)體處理的條件而控 制所述氣缸閥的溫度的溫度控制器進(jìn)而設(shè)置在所述氣體閥中。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，用于保護(hù)密封件的襯墊進(jìn)而設(shè)置 在所述氣缸閥的內(nèi)壁處。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述襯墊的下端可以延伸的比 基片的底部表面更低，以阻止等離子體的出現(xiàn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述氣缸閥位于所述處理空間及所述氣缸閥外表面之間的末端具有階梯狀，以保護(hù)所述密封件，并且 所述氣缸閥上所述密封件安裝的那部分具有與所述處理空間相接觸的部 分不同的高度。
全文摘要
一種裝置，用于半導(dǎo)體處理，能夠執(zhí)行在例如晶圓的基片的表面上的例如蝕刻、沉積等的半導(dǎo)體處理。該裝置用于半導(dǎo)體處理，包括反應(yīng)室，具有通道，要被處理的基片從中傳送通過(guò)；一個(gè)或多個(gè)噴頭，設(shè)置在反應(yīng)室的上側(cè)處，用于噴射氣體以執(zhí)行半導(dǎo)體處理；一個(gè)或多個(gè)晶圓支撐單元，設(shè)置在反應(yīng)室的內(nèi)部下側(cè)處，與每一個(gè)噴頭相對(duì)應(yīng)，用于支撐基片；處理空間形成單元，設(shè)置在反應(yīng)室中，用于形成并且密封用于半導(dǎo)體處理的處理空間，環(huán)繞噴頭以及晶圓支撐單元；以及排氣系統(tǒng)，連接于處理空間形成單元，用于控制反應(yīng)室內(nèi)的壓力及氣體排放，以及由處理空間形成單元形成的處理空間。
文檔編號(hào)H01L21/67GK101097844SQ20071012307
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月29日
發(fā)明者樸相俊, 李昊榮, 李春雨 申請(qǐng)人:Ips有限公司