專利名稱：具有利用氮?dú)獯祾叩捻敳客饪诘目焖傺h(huán)腔室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體制造，更具體來說，涉及一種半導(dǎo)體處理腔室，其被設(shè)計(jì)得從腔室內(nèi)半導(dǎo)體基板上方的區(qū)域中去除并且排除濕氣，以便快速地轉(zhuǎn)變腔室內(nèi)的壓力狀態(tài)。
背景技術(shù)：
通常，著眼于提高吞吐量來設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造系統(tǒng)。舉例來說，處理腔室被配置成組合工具(cluster tool)的形式，以允許整合工藝的多個(gè)步驟。這些系統(tǒng)一般包括用于在工作在大氣壓力及真空下的單元之間處理和傳輸晶片的其他腔室，從而通過消除對(duì)晶片傳輸步驟期間向處理腔室通氣的需要，來確保潔凈的工藝環(huán)境，并且改進(jìn)吞吐量。在半導(dǎo)體基板的處理期間，基板被輸入一負(fù)載鎖閉器(load lock)中并從中輸出，該負(fù)載鎖閉器是在真空與大氣壓力之間進(jìn)行循環(huán)的腔室。當(dāng)基板從大氣傳輸單元(atmospheric transfer module；ATM)中放入負(fù)載鎖閉器中時(shí)，負(fù)載鎖閉器將處于大氣壓力下。然后將負(fù)載鎖閉器中的空氣抽出以在負(fù)載鎖閉器腔室內(nèi)提供真空。然后，由機(jī)械臂將基板經(jīng)由真空傳輸單元傳輸至處理腔室。然后，在處理腔室中執(zhí)行處理操作(例如刻蝕、氧化、化學(xué)汽相淀積等)。
在處理完基板后，真空傳輸單元中的機(jī)械臂將基板移回至處于上述傳輸中的真空狀態(tài)下的負(fù)載鎖閉器。當(dāng)把基板放入負(fù)載鎖閉器中后，通過通入氮?dú)?N2)氣體使負(fù)載鎖閉器中的壓力回復(fù)至大氣壓力。當(dāng)達(dá)到大氣壓力后，則將已處理過的基板傳輸至基板盒，以便必要時(shí)進(jìn)行其他的處理步驟。在半導(dǎo)體處理中，處理系統(tǒng)的價(jià)值很大程度上取決于基板的處理速率。換句話說，在給定的時(shí)間量內(nèi)，吞吐量較高的處理系統(tǒng)將比處理速率較低的系統(tǒng)生產(chǎn)出更多的已處理基板。因此，在所有其他特征相同的情況下，吞吐量最高的處理系統(tǒng)是比較希望的系統(tǒng)。
然而，半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的吞吐量很大程度上取決于諸如負(fù)載鎖閉器的腔室可在低壓與高壓之間循環(huán)的速度。對(duì)于上述組合結(jié)構(gòu)而言，負(fù)載鎖閉器是在不同壓力狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變的腔室，因此，負(fù)載鎖閉器的循環(huán)時(shí)間對(duì)于系統(tǒng)吞吐量是關(guān)鍵的?？上У氖?，常規(guī)處理系統(tǒng)中負(fù)載鎖閉器腔室的循環(huán)速度通常受限于在不將粒子淀積在基板上的條件下負(fù)載鎖閉器可在真空狀態(tài)與大氣狀態(tài)間循環(huán)的速率。具體來說，在腔室內(nèi)部從大氣壓力向真空狀態(tài)的轉(zhuǎn)變受限于腔室中的真空抽取速率。換句話說，通過限制腔室中的真空抽取速率將避免濕氣的凝結(jié)。濕氣以空中的水蒸氣形式存在，當(dāng)抽取真空時(shí)，隨著溫度降至低于露點(diǎn)溫度，濕氣將凝結(jié)。單個(gè)的水滴會(huì)在空氣中所攜帶的顆粒周圍結(jié)核，并且如果真空抽取速率太快，則會(huì)因?yàn)榻Y(jié)核后物質(zhì)的重量而落到基板上。在抽取真空后水最終將蒸發(fā)，可是，顆粒卻作為污染物留在了基板表面上，其最后會(huì)導(dǎo)致器件的失效。受污染的基板會(huì)對(duì)半導(dǎo)體的合格率造成不利的影響。
圖1是負(fù)載鎖閉器的示意圖。負(fù)載鎖閉器100包括通道端口102、底部真空端口104及底部通氣端口106。在負(fù)載鎖閉器100內(nèi)，有一具有襯墊112的晶片支撐部件110，當(dāng)半導(dǎo)體基板108處于所述負(fù)載鎖閉器中時(shí)是停置在襯墊112上的。當(dāng)然，襯墊112可以是針型銷(pin)。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，負(fù)載鎖閉器100在不同壓力狀態(tài)間轉(zhuǎn)變。例如，如果已經(jīng)處理過晶片108，那么接著通常要將晶片108導(dǎo)入處于真空狀態(tài)下的負(fù)載鎖閉器100中。然后，通過經(jīng)由底部通氣端口106導(dǎo)入氣體來改變真空狀態(tài)。一旦負(fù)載鎖閉器100內(nèi)的壓力變至大氣壓力后，就將晶片從負(fù)載鎖閉器100中傳輸至大氣傳輸單元。若晶片108未經(jīng)處理，則將晶片從大氣傳輸單元導(dǎo)入負(fù)載鎖閉器100中，此時(shí)該負(fù)載鎖閉器處于大氣壓力下。然后通過真空端口104來對(duì)負(fù)載鎖閉器100進(jìn)行真空抽取以在該負(fù)載鎖閉器內(nèi)產(chǎn)生真空。
然而，負(fù)載鎖閉器100的一個(gè)設(shè)計(jì)缺點(diǎn)是當(dāng)任一個(gè)通道端口102開啟時(shí)，自負(fù)載鎖閉器外部而來的外部濕氣將經(jīng)由任一個(gè)開啟的通道端口進(jìn)入。因此，當(dāng)對(duì)負(fù)載鎖閉器100進(jìn)行真空抽取以產(chǎn)生真空時(shí)，通過通道端口102進(jìn)入腔室的濕氣116，即水蒸氣，將駐留在晶片108上方的區(qū)域114中。如上所述，如果負(fù)載鎖閉器內(nèi)的真空抽取得太快，那么水蒸氣116將在區(qū)域114中凝結(jié)。該凝結(jié)會(huì)在區(qū)域114中圍繞顆粒結(jié)核，并且最后落到晶片108的表面上，從而污染晶片。
負(fù)載鎖閉器100的另一設(shè)計(jì)缺點(diǎn)是當(dāng)通過底部通氣端口106通入氣體時(shí)，會(huì)將在底部通氣端口106的腔室入口附近落到腔室底部的微粒物質(zhì)攜帶到氣流中。也就是說，在通氣操作中，腔室100底部上的任何足夠輕的微粒物質(zhì)都會(huì)被揚(yáng)起。因此，所攜帶的微粒物質(zhì)會(huì)淀積在負(fù)載鎖閉器內(nèi)的基板上，從而導(dǎo)致合格率降低。
解決在晶片108表面上方的凝結(jié)降落這一問題的一種嘗試是限制負(fù)載鎖閉器100內(nèi)的真空抽取速率。也就是說，分兩個(gè)步驟來抽取真空，在第一步驟以較慢的速率進(jìn)行，以便不跨過露點(diǎn)以避免產(chǎn)生凝結(jié)。然而，限制真空抽取速率也將限制系統(tǒng)的吞吐量。
綜上所述，就需要改進(jìn)在不同壓力狀態(tài)之間循環(huán)的負(fù)載鎖閉器的循環(huán)速率，使得可以有更高的吞吐量，而不將基板暴露到污染物中。

發(fā)明內(nèi)容
一般來說，本發(fā)明通過提供一種腔室來滿足這些需要，該腔室可在不同壓力狀態(tài)之間快速循環(huán)，而不把腔室內(nèi)的晶片暴露于污染物中。本發(fā)明還提供了一種用于調(diào)節(jié)腔室內(nèi)的晶片上方的環(huán)境的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于調(diào)節(jié)一壓力變化接口內(nèi)的半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中的環(huán)境的方法。該方法首先通過一通道端口將半導(dǎo)體基板導(dǎo)入壓力變化接口中。該壓力變化接口處于第一壓力。然后，驅(qū)除該半導(dǎo)體基板的上方所限定的區(qū)域中的濕氣。在一個(gè)實(shí)施例中，通過經(jīng)由壓力變化接口的頂部通氣端口導(dǎo)入干燥流體來驅(qū)除濕氣。接著，關(guān)閉所述通道端口。然后，將壓力變化接口內(nèi)的壓力轉(zhuǎn)變至第二壓力。接著，從壓力變化接口傳輸半導(dǎo)體基板。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于使腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基板上方的區(qū)域中的濕氣最小化的方法。該方法首先設(shè)置貫穿腔室的頂部表面延伸的通氣端口。然后，設(shè)置貫穿腔室的底部表面延伸的真空端口。接著，禁止?jié)駳膺M(jìn)入置于腔室內(nèi)的一支撐部件上的半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域。然后，將腔室內(nèi)的壓力轉(zhuǎn)變至真空，其中，在向真空轉(zhuǎn)變期間，凝結(jié)在半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域之外形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于在工作在不同壓力下的單元之間轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體基板的腔室。該腔室包括底座，限定了一出口，該出口使得可以去除腔室內(nèi)的大氣以產(chǎn)生真空；基板支撐部件，用于支撐腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基板；腔室頂部，其具有一入口，該入口被配置得允許向腔室導(dǎo)入氣體以驅(qū)除基板支撐部件上方所限定的區(qū)域中的濕氣；以及多個(gè)側(cè)壁，其從底座延伸至腔室頂部，該側(cè)壁包括用于半導(dǎo)體基板進(jìn)、出腔室的多個(gè)通道端口。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種半導(dǎo)體基板的處理系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括第一傳輸單元，其被配置成在第一壓力下操作；和第二傳輸單元，其被配置成在第二壓力下操作。還包括一壓力變化接口，其與第一傳輸單元和第二傳輸單元相通。該壓力變化接口能夠在第一壓力與第二壓力之間轉(zhuǎn)變。該壓力變化接口包括一頂部通氣端口和一底部真空端口。頂部通氣口端口被配置成用于將流體導(dǎo)入壓力變化接口中，其中，流體的導(dǎo)入驅(qū)除了壓力變化接口中的半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中的濕氣。
需要明白的是，前述綜合說明和下面的詳細(xì)說明都僅為示例和解釋之用，而非對(duì)如權(quán)利要求所述的發(fā)明的限制。


所并入的附圖構(gòu)成了本說明書的部分，示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是半導(dǎo)體制造操作所用負(fù)載鎖閉器的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的自動(dòng)化處理晶片的示例半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的示意圖，該示例半導(dǎo)體處理系統(tǒng)包括具有頂部通氣端口的負(fù)載鎖閉器；
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有頂部通氣端口和底部真空端口的負(fù)載鎖閉器的簡化示意圖；圖4是第一階段抽取速率受限的兩階段式真空抽取與抽取速率不受限的真空抽取的比較圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有與擴(kuò)散器相通的頂部通氣端口的負(fù)載鎖閉器的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有頂部通氣端口和底部真空端口的負(fù)載鎖閉器的示意圖，其中在該負(fù)載鎖閉器內(nèi)有多個(gè)晶片；圖7是一流程圖，示出在壓力變化接口內(nèi)所執(zhí)行的調(diào)節(jié)半導(dǎo)體基板的區(qū)域上方的環(huán)境的方法操作；圖8是一流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用于使腔室中的半導(dǎo)體基板上方的區(qū)域中的濕氣最小化的方法操作；具體實(shí)施方式
下面參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的幾個(gè)示例實(shí)施例。圖1已在上述背景技術(shù)中討論過了。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種方法和設(shè)備，其使得可以通過去除負(fù)載鎖閉器內(nèi)的半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中的濕氣而應(yīng)用不受限制的真空抽取速率。通過在晶片上方而非在晶片下方設(shè)置通氣端口，當(dāng)通向壓力轉(zhuǎn)變腔室(例如負(fù)載鎖閉器)的外部大氣的通道端口被開啟時(shí)，就提供了氣體吹掃(gas purge)以去除晶片上方的濕氣并且避免濕氣流入晶片的區(qū)域中。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體吹掃是干燥的，即基本上是沒有濕氣的。如在此所用那樣，術(shù)語晶片與基板可以互換使用。由于基板上方的濕氣凝結(jié)不再需要考慮，所以真空抽取速率也不再受到限制。也就是說，氣體吹掃將任何濕氣都強(qiáng)迫至腔室內(nèi)低于基板和相對(duì)于基板的排出流下游的區(qū)域，從而消除了任何與跨過露點(diǎn)相關(guān)的問題。此外，基板被放置得靠近限定在腔室頂部中的通氣端口入口，以減小腔室頂部與基板之間的面積。因此，由于基板上方與腔室頂部下方之間所限定的體積被最小化了，所以氣體吹掃將更有效地調(diào)節(jié)基板上方的區(qū)域。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的自動(dòng)化處理晶片的示例半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的總體示意圖，其中該示例半導(dǎo)體處理系統(tǒng)包括具有頂部通氣端口的負(fù)載鎖閉器。為了使晶片處理流水線化，把一個(gè)或更多個(gè)未處理的晶片122放置在晶片盒124中，然后把該晶片盒124放置在負(fù)載鎖閉器126中。大氣傳輸單元(ATM)128中的機(jī)械臂130從盒124夾起一晶片122。負(fù)載鎖閉器126和ATM 128兩者都處于大氣壓力下。機(jī)械臂130將未處理的晶片122從ATM 128轉(zhuǎn)移至負(fù)載鎖閉器132內(nèi)的晶片支撐部件134。應(yīng)該明白的是，負(fù)載鎖閉器132是處于大氣壓力下的。然后，通過經(jīng)由真空端口136將空氣抽出負(fù)載鎖閉器132，來在負(fù)載鎖閉器132中抽取真空。當(dāng)然，在真空抽取操作期間，通向負(fù)載鎖閉器132的通道門是關(guān)閉的。一旦在負(fù)載鎖閉器132中建立了真空條件，就開啟真空傳輸單元140與所述負(fù)載鎖閉器之間的通道端口。然后，晶片122由機(jī)械臂144從晶片支撐部件134通過真空傳輸單元140移至處理腔室142。在晶片122已被處理后，從處理腔室142通過真空傳輸單元140將該晶片移至負(fù)載鎖閉器132中。通過經(jīng)由頂部通氣端口138把氣體通入負(fù)載鎖閉器直至在負(fù)載鎖閉器腔室內(nèi)達(dá)到了大氣壓力，將負(fù)載鎖閉器132轉(zhuǎn)變至大氣壓力。然后，處理過的晶片由機(jī)械臂130通過ATM128移至盒124。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，一個(gè)以上的晶片可以同時(shí)駐留在負(fù)載鎖閉器132中。例如，當(dāng)把晶片從真空傳輸單元140放置到負(fù)載鎖閉器132內(nèi)時(shí)，一未處理的晶片可以位于所述負(fù)載鎖閉器之內(nèi)。因此，機(jī)械臂144可將一處理過的晶片放置在負(fù)載鎖閉器132內(nèi)，并且移取一未處理的晶片以備處理。在一個(gè)實(shí)施例中，在抽氣和通氣次序期間，一個(gè)半導(dǎo)體基板位于負(fù)載鎖閉器132內(nèi)。應(yīng)該明白的是，由于處理腔室142并沒有閑置來等待晶片，所以吞吐量被最佳化了。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白，負(fù)載鎖閉器壓力與大氣壓的平衡是被精確控制的。也就是說，突然的壓力調(diào)節(jié)會(huì)導(dǎo)致混合，從而引起晶片上方有較高的濕氣含量。對(duì)負(fù)載鎖閉器壓力的平衡的精確控制是通過通氣處理來實(shí)現(xiàn)的，并且其避免了腔室內(nèi)的紊流，從而顆粒不會(huì)被揚(yáng)起。
繼續(xù)參照?qǐng)D2，通氣端口138位于負(fù)載鎖閉器132的頂部，以便在基板支撐部件134的上方和上游產(chǎn)生基本上沒有濕氣的環(huán)境。此外，通過將頂部通氣端口138置于負(fù)載鎖閉器132的頂部表面，可以避免進(jìn)入負(fù)載鎖閉器132的空氣占據(jù)基板134上方與頂部通氣端口138的下方所限定的區(qū)域，這一點(diǎn)將在下面更為詳細(xì)地說明。應(yīng)該明白的是，雖然這里所討論的實(shí)施例提及將負(fù)載鎖閉器132內(nèi)的壓力在真空與大氣壓力之間轉(zhuǎn)變，但此處所述的負(fù)載鎖閉器可以包括用于在兩個(gè)壓力之間操作的任何系統(tǒng)的任何腔室。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有頂部通氣端口和底部真空端口的負(fù)載鎖閉器的簡化示意圖。負(fù)載鎖閉器132包括頂部通氣端口138和底部真空端口136。通道端口146使得晶片122可以被傳輸?shù)截?fù)載鎖閉器132中并且從負(fù)載鎖閉器132中中傳輸出去。當(dāng)晶片122處于負(fù)載鎖閉器132內(nèi)時(shí)，晶片停置在具有針型銷150的基板支撐部件134上。例如，當(dāng)把晶片從大氣傳輸單元導(dǎo)入負(fù)載鎖閉器132時(shí)，通道端口146之一會(huì)開啟以允許晶片122進(jìn)入該負(fù)載鎖閉器。當(dāng)通道端口146之一開啟以允許晶片122進(jìn)入時(shí)，將通過通氣端口138提供流體進(jìn)入負(fù)載鎖閉器132。流體會(huì)隨著晶片122被移至負(fù)載鎖閉器132中而持續(xù)流動(dòng)，直至關(guān)閉了通道端口146。在一個(gè)實(shí)施例中，在關(guān)閉通道端口146之后，流體仍持續(xù)流動(dòng)一短暫的時(shí)間段。應(yīng)該理解的是，當(dāng)關(guān)閉通道端口146之后，負(fù)載鎖閉器132便被隔離了，因此，在啟動(dòng)真空泵以產(chǎn)生真空之前，負(fù)載鎖閉器內(nèi)會(huì)先建立起輕微的正壓。
如圖3所示，來自通氣端口138的流體產(chǎn)生了基本上沒有濕氣的區(qū)域148。區(qū)域148限定在晶片122與負(fù)載鎖閉器132的頂部之間。在一個(gè)實(shí)施例中，通氣端口138與一擴(kuò)散器相通，該擴(kuò)散器用于將來自所述通氣口端口的流體分散使之遍布區(qū)域148，如參照?qǐng)D5和圖6更加詳細(xì)地所示。當(dāng)在晶片傳輸期間通道端口146開啟時(shí)，通過通氣端口138的氣流將清除進(jìn)入負(fù)載鎖閉器132的濕氣。也就是說，伴隨晶片進(jìn)出負(fù)載鎖閉器132的移動(dòng)活動(dòng)而被攜帶的任何帶有濕氣的空氣都被強(qiáng)迫至晶片122的下方，如箭頭147所示。在一個(gè)實(shí)施例中，通過通氣端口138而通入負(fù)載鎖閉器132的流體是惰性無毒氣體，例如氮?dú)?、氬氣、氦氣等。此外，來自通氣端?38的氣流把任何存在的濕氣都從晶片122上方所限定的區(qū)域148強(qiáng)迫至晶片122下方的區(qū)域。因此，在防止外部濕氣滲入負(fù)載鎖閉器132的區(qū)域148的同時(shí)，也從區(qū)域148去除了存在的內(nèi)部濕氣。
繼續(xù)參照?qǐng)D3，一旦從大氣傳輸單元把晶片122放置到負(fù)載鎖閉器132中后，就移開攜載晶片的機(jī)械臂，并且關(guān)閉將晶片導(dǎo)入負(fù)載鎖閉器所通過的通道端口146。如上所述，在關(guān)閉通道端口146后，通過通氣端口138的氣體流動(dòng)可以持續(xù)一短暫時(shí)間段。另選地，通過通氣端口138的氣體流動(dòng)可在通道端口146關(guān)閉之后立即停止。為了將晶片122通過真空傳輸單元傳輸至處理腔室，必須對(duì)負(fù)載鎖閉器132進(jìn)行抽空以產(chǎn)生真空。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，一真空泵與真空端口136相通而在負(fù)載鎖閉器132內(nèi)產(chǎn)生真空。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，由于區(qū)域148是基本上沒有濕氣的，所以負(fù)載鎖閉器132中的真空抽取速率不再受到限制。也就是說，因?yàn)榫?22的表面上方?jīng)]有濕氣，所以不需要執(zhí)行分兩個(gè)步驟的真空處理。如對(duì)負(fù)載鎖閉器132進(jìn)行真空抽取時(shí)跨過露點(diǎn)溫度，則區(qū)域148之外的濕氣會(huì)凝結(jié)。例如，任何被強(qiáng)迫至晶片122下方的濕氣會(huì)凝結(jié)。然而，這種凝結(jié)不再需要考慮，因?yàn)樗辉傥挥诰?22上方的區(qū)域148中。因此，即使?jié)駳庠陬w粒周圍成核，濕氣和顆粒也將落至負(fù)載鎖閉器132的底部表面。再者，由于通氣端口138位于負(fù)載鎖閉器132的頂部，任何落至負(fù)載鎖閉器132的底部的顆粒仍將留在負(fù)載鎖閉器的底部。也就是說，由于通氣端口138位于負(fù)載鎖閉器132的頂部，在通氣操作期間不會(huì)揚(yáng)起任何位于負(fù)載鎖閉器132底部上的顆粒。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白，用來通入負(fù)載鎖閉器132的氣體，例如氮?dú)?，基本上是沒有濕氣的，并且經(jīng)過高度的過濾，以避免將微粒物質(zhì)導(dǎo)入負(fù)載鎖閉器內(nèi)。
圖4是第一階段抽取速率受限的兩階段式真空抽取與抽取速率不受限的真空抽取的比較圖。受限的真空抽取速率用線152和154來表示。在由線152所表示的受限真空抽取速率的第一階段期間，要注意的是不要跨過露點(diǎn)。一旦到達(dá)點(diǎn)156，真空抽取速率就會(huì)被提升，如由線154的起始斜率所示，因?yàn)橥ㄟ^兩階段式處理而避開了露點(diǎn)。這樣，凝結(jié)不會(huì)形成，但是吞吐量會(huì)受到該兩階段式處理的影響。此外，由于低壓大氣不太能移動(dòng)顆粒，第一階段的慢速抽取減弱了可以揚(yáng)起任何顆粒的紊流。因此，配置了單階段處理來對(duì)負(fù)載鎖閉器進(jìn)行抽空，而不揚(yáng)起微粒物。
另一方面，線158表示不受限制的真空抽取速率。例如，在從晶片上方所限定的區(qū)域例如區(qū)域148中將濕氣排除或基本上去除的情況下，如參照?qǐng)D3所述，可以應(yīng)用不受限制的真空抽取速率。通過經(jīng)由頂部通氣端口138提供氣流吹掃，由于能夠?qū)⒕戏降沫h(huán)境調(diào)節(jié)得基本上沒有濕氣，所以可以提高真空抽取速率。應(yīng)該明白的是，用來吹掃晶片上方的環(huán)境的氣體是干燥的氣體。也就是說，由于晶片上方的濕氣被經(jīng)由腔室頂部通入的干燥的惰性氣體驅(qū)除了，所以跨過露點(diǎn)不再需要考慮。因此，對(duì)于不受限的真空抽取速率，到達(dá)負(fù)載鎖閉器內(nèi)的真空狀態(tài)的時(shí)間更短，如由時(shí)間t1所示。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白，與不受限的抽取速率相關(guān)聯(lián)的閥門系統(tǒng)更為簡單，因此，與不受限的抽取速率相關(guān)聯(lián)的閥門系統(tǒng)更為便宜。反之，對(duì)于受限的真空抽取速率，由于要利用兩階段式處理來避免跨過露點(diǎn)，所以直到時(shí)間t2才到達(dá)希望的真空度。壓力變化接口(例如負(fù)載鎖閉器)的腔室的抽取真空的時(shí)間越短，就能導(dǎo)致越高的吞吐量，因?yàn)閴毫ψ兓涌诳梢栽诓煌瑝毫顟B(tài)之間更快地循環(huán)。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有與擴(kuò)散器相通的頂部通氣端口的負(fù)載鎖閉器的示意圖。此處，頂部通氣端口138與擴(kuò)散器160相通。擴(kuò)散器160將氣流均勻地導(dǎo)引到晶片122上方與擴(kuò)散器下方所限定的區(qū)域內(nèi)，例如圖3的區(qū)域148。因此，在晶片122上方就產(chǎn)生了一清掃流體流動(dòng)，從而調(diào)節(jié)了晶片上方的環(huán)境。也就是說，來自擴(kuò)散器160的惰性氣體流動(dòng)驅(qū)除了晶片122上方的任何濕氣，并且在晶片上方有效地提供了一惰性氣體環(huán)境。所示的擴(kuò)散器160具有比晶片122的直徑稍大的直徑，然而，應(yīng)該明白，擴(kuò)散器的直徑可以小于晶片的直徑。再者，擴(kuò)散器可以具有任何適合在晶片上方產(chǎn)生基本上沒有濕氣的環(huán)境的形狀。此外，如果開啟了任何一個(gè)通道端口146，進(jìn)入負(fù)載鎖閉器132的含有濕氣的空氣都被導(dǎo)引至晶片122下方。按照參照?qǐng)D3所述的方式，來自通氣端口138的惰性氣體吹掃防止了外部濕氣進(jìn)入晶片122上方與擴(kuò)散器160下方所限定的區(qū)域。因此，可以提高真空抽取速率。盡管真空端口出口136被示出基本上居中位于晶片122下方，應(yīng)該明白的是，真空端口出口可以位于負(fù)載鎖閉器132底部表面上的任何位置處。此外，邊沿164被示出為一圓角，以便有助于對(duì)腔室進(jìn)行抽空。對(duì)負(fù)載鎖閉器132進(jìn)行抽空以產(chǎn)生真空的真空泵162可以是任何適合負(fù)載鎖閉器132的商用真空泵。在一個(gè)實(shí)施例中把擴(kuò)散器160牢牢地固定在負(fù)載鎖閉器132頂部內(nèi)表面上。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白的是，盡管通氣端口138被示出位于晶片122上方居中處，然而只要可以輸送在晶片上方提供基本上沒有濕氣和顆粒的環(huán)境的氣流，通氣端口就可以位于腔室頂部的任何位置處。
繼續(xù)參照?qǐng)D5，在一個(gè)實(shí)施例中，晶片122的頂部表面與擴(kuò)散器160的底部表面之間的距離161在約3毫米(mm)與約3厘米(cm)之間。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，距離161在約5mm與2cm之間，而更為優(yōu)選的距離161是約1cm。如上所述，真空泵162可以在通道端口146關(guān)閉后立即啟動(dòng)，或者在關(guān)閉后過一短暫的時(shí)間段再啟動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，真空泵162在通道端口146關(guān)閉后約0秒至約2秒之間啟動(dòng)。優(yōu)選地，真空泵162在通道端口146關(guān)閉后約0秒至約0.5秒之間啟動(dòng)。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白的是，負(fù)載鎖閉器132被抽空的同時(shí)，通氣端口138是關(guān)閉的，以便可以在負(fù)載鎖閉器內(nèi)部抽出真空。應(yīng)該明白，可以使用任何合適的閥門139來關(guān)閉通向通氣端口138的通道，以允許在負(fù)載鎖閉器132內(nèi)抽出真空。此外，擴(kuò)散器160可以是任何適合于半導(dǎo)體操作的擴(kuò)散器，例如含有粉末金屬、燒結(jié)鎳、層疊為纖維狀的膨脹聚四氟乙烯(PTFE)膜和隔離薄膜(baffles)等的擴(kuò)散器。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，由于負(fù)載鎖閉器132是不同壓力下的腔室之間的壓力變化接口，所以不同時(shí)開啟兩個(gè)通道端口146。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有頂部通氣端口和底部真空端口的負(fù)載鎖閉器的示意圖，其中在該負(fù)載鎖閉器內(nèi)有多個(gè)晶片。此處，把多個(gè)晶片122和123按箭頭166所示移入和移出負(fù)載鎖閉器。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白，可以將一已處理過的晶片123從真空傳輸單元導(dǎo)入負(fù)載鎖閉器132中，而同時(shí)一未處理的晶片122留置于負(fù)載鎖閉器132內(nèi)。因此，放置已處理過的晶片123的機(jī)械臂可以接著抓取要處理的晶片122。在一個(gè)實(shí)施例中，在進(jìn)氣或抽氣操作期間，一個(gè)晶片處于負(fù)載鎖閉器132內(nèi)。也就是說，當(dāng)通道端口146之一開啟時(shí)，有兩個(gè)晶片處于負(fù)載鎖閉器132內(nèi)。如上所述，當(dāng)一通道端口146開啟時(shí)，氣體通過通氣端口138和擴(kuò)散器160流入，在晶片122頂部上方產(chǎn)生了一基本上沒有濕氣的區(qū)域。當(dāng)晶片122移入負(fù)載鎖閉器132內(nèi)時(shí)，通過擴(kuò)散器160的氣體流動(dòng)將對(duì)晶片上方的環(huán)境進(jìn)行調(diào)節(jié)。此外，潔凈的干燥氣體流動(dòng)在晶片122的表面上方以一清掃動(dòng)作呈放射狀流出。另一方面，當(dāng)已處理過的晶片123進(jìn)入負(fù)載鎖閉器132而未處理的晶片122位于該負(fù)載鎖閉器內(nèi)時(shí)，潔凈的干燥氣體的流動(dòng)為已處理過的晶片提供了增強(qiáng)的冷卻。此外，已處理過的晶片123可能有排出氣體，該排出氣體之后會(huì)凝結(jié)在未處理的晶片122上并且污染該未處理的晶片。由頂部通氣端口138所提供的流動(dòng)將任何排出氣體及殘留物沿向下的方向朝負(fù)載鎖閉器132的底部掃去。應(yīng)該明白的是，殘留物最終將由真空泵162通過真空端口136來抽出。將通氣端口138置于負(fù)載鎖閉器132頂部的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)氣體通入負(fù)載鎖閉器中時(shí)，停置在底部表面上的顆粒不會(huì)被進(jìn)入負(fù)載鎖閉器的空氣流揚(yáng)起。當(dāng)通氣端口被置于負(fù)載鎖閉器1 32的底部上時(shí)，顆?？梢员粩y帶到來自底部通氣端口的氣流中，并且淀積到負(fù)載鎖閉器132內(nèi)所存在的任何晶片的表面上。然而，通過將通氣端口138置于負(fù)載鎖閉器132的頂部，底部表面上的顆粒將繼續(xù)留在原處。
繼續(xù)參照?qǐng)D6，在一個(gè)實(shí)施例中，通氣端口138的直徑約為100mm。在一個(gè)實(shí)施例中，在負(fù)載鎖閉器132具有7公升容積的情況下，通過通氣端口138提供給負(fù)載鎖閉器的諸如氮?dú)獾臐崈舾稍锟諝獾牧髀试诩s10標(biāo)準(zhǔn)公升(SLM)每分鐘至約100SLM之間。對(duì)于7公升腔室而言，流率范圍優(yōu)選地是在約40SLM至約60SLM之間，而優(yōu)選的流率是50SLM。應(yīng)該明白的是，雖然是為7公升腔室提供了流率，不過可以根據(jù)腔室的大小來相應(yīng)成比例地設(shè)定流率。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白，這里所討論的實(shí)施例與溫度無關(guān)。在另一實(shí)施例中，從真空抽取循環(huán)開始，在不到10秒內(nèi)，優(yōu)選地在不到6秒內(nèi)，在負(fù)載鎖閉器132的內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了真空狀態(tài)。當(dāng)然，通過啟動(dòng)真空泵162，或者在真空泵已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)通過開啟真空泵的抽氣側(cè)與負(fù)載鎖閉器132之間的合適的閥門164，可以啟動(dòng)真空抽取循環(huán)。
圖7是一流程圖，示出了對(duì)壓力變化接口內(nèi)的半導(dǎo)體基板區(qū)域上方的環(huán)境進(jìn)行調(diào)節(jié)的方法操作。該方法始于操作170，在這里，把半導(dǎo)體基板通過一通道端口導(dǎo)入壓力變化接口。這里，壓力變化接口處于第一壓力下，例如當(dāng)半導(dǎo)體基板傳輸自ATM時(shí)第一壓力是大氣壓力。在一個(gè)實(shí)施例中，壓力變化接口是負(fù)載鎖閉器。接著該方法進(jìn)行至操作172，在這里，驅(qū)除半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中的濕氣。例如，通過頂部通氣端口流入的潔凈干燥氣體流，如參照?qǐng)D3、5和6所述，將驅(qū)除半導(dǎo)體基板上方的區(qū)域中的濕氣。如上所述，氣體是任何合適的惰性、無毒氣體。此外，在通向壓力變化接口的一通道端口開啟時(shí)，所述氣體流動(dòng)將防止任何外部濕氣進(jìn)入半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中。被驅(qū)除的濕氣以及通過一開啟通道端口而進(jìn)入的外部濕氣將被強(qiáng)迫至半導(dǎo)體基板的下方。然后該方法進(jìn)行至操作174，在這里，關(guān)閉所述通道端口。應(yīng)該明白的是，在關(guān)閉所述通道端口之前，半導(dǎo)體基板被放置在基板支撐部件上，并且由機(jī)械臂從壓力變化接口移走。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白的是，所述通道端口可以是任何用于提供進(jìn)入腔室的通道并且能夠密封腔室的合適通道端口，例如槽閥。
繼續(xù)參照?qǐng)D7，該方法接著進(jìn)行至操作176，在這里，將壓力變化接口轉(zhuǎn)變至第二壓力。例如，在一未處理的半導(dǎo)體基板從大氣傳輸單元進(jìn)入壓力變化接口后，壓力變化接口內(nèi)的壓力將從大氣壓力降至真空，以使未處理的半導(dǎo)體基板可以被轉(zhuǎn)移至真空傳輸單元。在將壓力變化接口轉(zhuǎn)變至第二壓力期間，腔室內(nèi)部的真空抽取速率不受限制。也就是說，半導(dǎo)體基板上方與負(fù)載鎖閉器的頂部通氣端口的入口下方所限定的區(qū)域基本上是沒有濕氣的。由于基板上方?jīng)]有濕氣，所以落至半導(dǎo)體基板表面上的凝結(jié)就不再需要考慮。應(yīng)該明白的是，參照操作172所述的氣體流動(dòng)基本上把濕氣從半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中去除了，從而也消除了與在半導(dǎo)體基板上方的顆粒周圍的凝結(jié)形成和成核有關(guān)的問題。因此，從大氣壓力向真空的快速轉(zhuǎn)變可以跨過露點(diǎn)。相應(yīng)地，由于負(fù)載鎖閉器可從正壓轉(zhuǎn)變至真空而不受限制，所以提高了吞吐量。然后該方法進(jìn)行至操作178，在這里，把半導(dǎo)體基板移出壓力變化接口。此處，可將半導(dǎo)體基板傳輸至真空傳輸單元，以便最終傳輸至一處理單元。
圖8是一流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于使腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基板上方的區(qū)域中的濕氣最小化的方法操作。該方法始于操作180，在這里，設(shè)置一貫穿腔室頂部表面延伸的通氣端口。此處，通氣端口可被配置成如圖3、5和6中所示那樣。該方法接著進(jìn)行至操作182，在這里，設(shè)置一從腔室底部表面開始延伸的真空端口。真空端口可以位于腔室底部表面上的任何位置處。在一個(gè)實(shí)施例中，與真空端口相通的真空泵提供了抽空腔室所必需的抽吸。該方法接著進(jìn)行至操作184，在這里，防止?jié)駳膺M(jìn)入腔室內(nèi)半導(dǎo)體基板上方與通氣端口下方所限定的區(qū)域中。例如，可以通過設(shè)置在腔室頂部表面上的通氣端口來提供氣流。如參照?qǐng)D3、5和6所述，在開啟腔室的一通道端口以便將半導(dǎo)體基板導(dǎo)入腔室或從腔室取出的過程中，所述氣流將防止?jié)駳膺M(jìn)入腔室內(nèi)的基板上方所限定的區(qū)域中。尤其是，氣流對(duì)于任何導(dǎo)入腔室內(nèi)的空氣會(huì)產(chǎn)生一障礙，并且強(qiáng)迫該空氣流至腔室中半導(dǎo)體基板支撐部件下方的區(qū)域中。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體是惰性、無毒氣體，例如氮?dú)狻?br> 圖8的方法接著進(jìn)行至操作186，在這里，將腔室內(nèi)的壓力轉(zhuǎn)變至真空。由于濕氣被防止進(jìn)入半導(dǎo)體基板上方的區(qū)域并且被強(qiáng)迫至半導(dǎo)體基板下方或旁側(cè)的區(qū)域中，如果有任何凝結(jié)形成，其將形成在半導(dǎo)體基板下方或旁側(cè)的區(qū)域中。由于不需考慮半導(dǎo)體基板上方的凝結(jié)，所以可以提高真空抽取速率，而不會(huì)產(chǎn)生紊流并且揚(yáng)起顆粒。這樣，由于腔室可在多個(gè)壓力狀態(tài)之間更高效地循環(huán)而不會(huì)影響半導(dǎo)體基板的質(zhì)量，所以改進(jìn)了系統(tǒng)的吞吐量。
此外，在多晶硅刻蝕操作期間，由通過上述實(shí)施例中的頂部通氣端口所供給的氣流來清掃溴化氫氣體。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)該明白的是，來自頂部通氣端口的清掃空氣流將防止由已處理過的晶片所排出的溴化氫氣體凝結(jié)在未處理的晶片上。氮?dú)鈱⒁烟幚磉^的晶片上的某些溴化氫清洗掉了，從而使交叉污染的機(jī)會(huì)最小化了。因此，將通氣口置于腔室頂部使得可以用一層惰性氣體覆蓋半導(dǎo)體基板，該層惰性氣體將保護(hù)晶片不接觸濕氣凝結(jié)和已處理過的基板所排出的活性成份。在一個(gè)實(shí)施例中，在具有多個(gè)晶片的負(fù)載鎖閉器之內(nèi)，已處理過的晶片位于未處理的晶片下方。
總之，本發(fā)明通過允許諸如負(fù)載鎖閉器的壓力變化接口更有效地在多個(gè)壓力狀態(tài)之間循環(huán)，而在腔室內(nèi)的基板上方的區(qū)域中提供了潔凈并且基本沒有濕氣的環(huán)境，同時(shí)增加了吞吐量。這里已通過幾個(gè)示例性的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員而言，通過考慮本發(fā)明書和實(shí)施本發(fā)明，將清楚本發(fā)明的其他實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)將上述實(shí)施例及優(yōu)選特征視為是示例性的，而本發(fā)明則由所附的權(quán)利要求書所限定。
權(quán)利要求
1.一種用于對(duì)壓力變化接口內(nèi)的半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中的環(huán)境進(jìn)行調(diào)節(jié)的方法，該方法包括通過一通道端口將半導(dǎo)體基板導(dǎo)入壓力變化接口中，該壓力變化接口處于第一壓力下；驅(qū)除半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中的濕氣；將壓力變化接口內(nèi)的壓力轉(zhuǎn)變至第二壓力；以及傳輸半導(dǎo)體基板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第二壓力是真空狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，將壓力變化接口轉(zhuǎn)變至第二壓力的方法操作還包括當(dāng)轉(zhuǎn)變至真空狀態(tài)時(shí)不限制真空抽取速率，避免在半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中形成凝結(jié)，以便該真空抽取速率不會(huì)將任何微粒物質(zhì)再導(dǎo)入半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，驅(qū)除半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域中的濕氣的方法操作還包括通過一貫穿所述壓力變化接口的頂部表面延伸的通氣端口流入惰性氣體。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，通氣端口位于半導(dǎo)體基板的中心區(qū)域上方。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，通過一貫穿所述壓力變化接口的頂部表面延伸的通氣端口流入氣體的方法操作還包括利用惰性氣體覆蓋半導(dǎo)體基板，以保護(hù)該半導(dǎo)體基板不接觸從壓力變化接口內(nèi)的已處理過的半導(dǎo)體基板所發(fā)出的活性成份。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，在通向腔室的一通道端口開啟時(shí)發(fā)生通過通氣端口流入惰性氣體的操作，以避免濕氣進(jìn)入半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域。
8.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括在半導(dǎo)體基板上方所限定的區(qū)域上方設(shè)置一擴(kuò)散器，該擴(kuò)散器與通氣端口相通。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，氣體流率在約10標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘至100標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘之間。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，半導(dǎo)體基板的頂部表面與擴(kuò)散器的底部表面之間的距離在約3毫米至約3厘米之間。
11.一種用于在工作在不同壓力下的單元之間轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體基板的腔室，該腔室包括底座，其限定一出口，該出口使得可以去除腔室內(nèi)的大氣以產(chǎn)生真空；基板支撐部件，其被配置得用來支撐腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基板；頂部，其具有一入口，該入口被配置得使得可以向腔室內(nèi)導(dǎo)入氣體以驅(qū)除基板支撐部件上方所限定的區(qū)域中的濕氣；以及多個(gè)側(cè)壁，其從底座延伸至頂部，該多個(gè)側(cè)壁包括用于半導(dǎo)體基板進(jìn)出的多個(gè)通道端口。
12.如權(quán)利要求11所述的腔室，還包括擴(kuò)散器，其與入口相通，該擴(kuò)散器位于基板支撐部件上方所限定的區(qū)域之上。
13.如權(quán)利要求11所述的腔室，其中，腔室的出口與用來在腔室中產(chǎn)生真空的真空泵相通。
14.如權(quán)利要求11所述的腔室，其中，被導(dǎo)入腔室中的氣體是惰性氣體。
15.如權(quán)利要求13所述的腔室，其中，擴(kuò)散器的底部表面與放置在基板支撐部件上的半導(dǎo)體基板的頂部表面之間的距離在約3毫米至約3厘米之間。
16.一種半導(dǎo)體基板的處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括第一傳輸單元，其被配置成在第一壓力下操作；第二傳輸單元，其被配置成在第二壓力下操作；壓力變化接口，其位于第一傳輸單元與第二傳輸單元之間，該壓力變化接口能夠在第一壓力及該第二壓力之間轉(zhuǎn)變，該壓力變化接口具有一基板支撐部件、一頂部通氣端口和一底部真空端口，頂部通氣端口被配置得用來將流體導(dǎo)入壓力變化接口中，其中流體的導(dǎo)入驅(qū)除了基板支撐部件上方所限定的區(qū)域中的濕氣。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，壓力變化接口是負(fù)載鎖閉器。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中，頂部通氣端口被配置成將流體輸送至位于基板支撐部件上方的擴(kuò)散器。
19.如權(quán)利要求16所述的處理系統(tǒng)，其中，被導(dǎo)入壓力變化接口中的流體是惰性氣體。
20.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，壓力變化接口包括第一通道端口，用于提供到第一傳輸單元的通道；和第二通道端口，用于提供到第二傳輸單元的通道，所述第一壓力是正壓力，所述第二壓力是真空。
21.如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中，流體是在第一通道端口開啟時(shí)通過頂部通氣端口被導(dǎo)入壓力變化接口中的。
全文摘要
提供了一種用于在工作在不同壓力下的單元之間轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體基板的腔室。該腔室包括底座，其限定一出口，該出口使得可以去除腔室內(nèi)的大氣以產(chǎn)生真空；基板支撐部件，用于支撐腔室內(nèi)的半導(dǎo)體基板；頂部，其具有一入口，該入口被配置得允許向腔室導(dǎo)入氣體以驅(qū)除基板支撐部件上方所限定的區(qū)域中的濕氣；以及多個(gè)側(cè)壁，其從底座延伸至頂部，該多個(gè)側(cè)壁包括用于半導(dǎo)體基板進(jìn)、出腔室的多個(gè)通道端口。還提供了一種用于對(duì)壓力變化接口內(nèi)的半導(dǎo)體基板區(qū)域上方的環(huán)境進(jìn)行調(diào)節(jié)的方法。
文檔編號(hào)C23C14/56GK1539027SQ02815473
公開日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2002年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月8日
發(fā)明者海爾倫·I·哈爾希, 海爾倫 I 哈爾希, E 杰可, 大衛(wèi)·E·杰可 申請(qǐng)人:拉姆研究公司