專利名稱：拋光組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在制造存儲硬盤過程中適用于存儲硬盤表面最后拋光的拋光組合物，所述存儲硬盤即為磁盤基片(此后簡單地稱為“基片”)，它用于對例如計算機有用的存儲裝置。更確切地說，本發(fā)明涉及在制造各種基片的工藝的最后拋光工序中，能夠防止形成占很小表面面積的細凹坑、微凸起和其他表面缺陷的拋光組合物，所述基片為例如Ni-P盤、Ni-Fe盤、鋁盤、碳化硼盤和碳盤，同時，它也能夠拋光這種基片，提供對高容量和高記錄密度存儲硬盤有用的優(yōu)異拋光表面。存儲硬盤為例如計算機的一種存儲裝置，它的尺寸逐年變得更小，容量變得更大，目前使用最廣泛的基片，是一種對坯料施加Ni-P化學鍍的基片。這里，用于基片的坯料，是一種含有鋁或其他基礎材料的坯料，為了賦予平行性或平直度，基片的形狀是利用金剛石磨輪通過車床加工而成，利用由固化SiC磨料制成的PVA磨輪通過研磨而成，或者通過其他方法形成。
然而，通過這些成形方法，不可能完全去除較大的波度。而且Ni-P化學鍍也可以沿坯料的這種波度形成，并且這種波度會留在基片中。實施拋光是為了去除基片的波度，使表面平坦。
此外，隨著存儲硬盤向高容量發(fā)展，同時，記錄密度以每年百分之幾十的速度提高。因此，存儲硬盤上被預定量記錄信息所占據的空間會越來越狹窄，記錄所需的磁力就會變弱。因此，近來有使磁頭的飛行高度減至最小的需求，飛行高度是磁頭與存儲硬盤之間的間距。目前，磁頭的飛行高度已降低到至多1.0微英寸(約0.025微米)的水平。
此外，為了防止磁頭讀和寫信息時粘住存儲硬盤，或者為了防止由于拋光在基片表面上沿與存儲硬盤的旋轉方向不同的方向形成痕線，有時在拋光之后可以在基片上施加所謂的紋理，形成同心圓痕線，由此存儲硬盤上的磁場就會是不均勻的。近來，為了進一步降低飛行高度，有人建議實施淺紋理，以在基片上形成更淺的痕線，或者采用不施加紋理的無痕線的無紋理基片。支持這種低飛行高度磁頭發(fā)展趨勢的技術已經被開發(fā)出來，而且已經更深入地發(fā)展了磁頭的低飛行高度的趨勢。
磁頭沿著以很高速度旋轉的存儲硬盤的表面形狀飛行。如果存儲硬盤表面上存在數微米的凹坑，就會發(fā)生不能在盤上完全地寫入信息的現象，由此導致信息的丟失或記錄信息失敗，即所謂的會產生錯誤的比特誤差。
這里，“凹坑”可以是最初存在于基片內的凹痕，或在基片表面上由拋光形成的凹痕。微小凹坑是直徑小于約10微米的凹痕。
因此，作為一個制成存儲硬盤之前的步驟，在拋光工序中，降低基片的表面粗糙度，而同時必需完全去除較大的波度、微凸起、凹坑和其他的表面缺陷是很重要的。
出于該目的，迄今為止，通常利用含有氧化鋁或其他各種研磨劑、水和各種拋光促進劑的拋光組合物(從其性質考慮，下面也稱為“漿料”)，采用單一的拋光修飾。例如JP-B-64-436和JP-B-2-23589揭示了用于存儲硬盤的拋光組合物，它是通過向水和氫氧化鋁中加入作為拋光促進劑的例如硝酸鋁、硝酸鎳或硫酸鎳，并混合，而將其制成漿料的。此外，JP-B-4-38788揭示了用于鋁磁盤的酸性拋光組合物，它含有水、細粉末狀的氧化鋁磨料、作為拋光促進劑的葡糖酸或乳酸、和作為表面改善劑的氧化鋁膠體。
然而，任何一種這樣的拋光組合物，都很難通過單一拋光步驟來滿足需去除基片表面上的表面缺陷或較大波度，在預定的時間期間內使表面粗糙度降低至很低的水平，并防止形成微凸起、微小凹坑和其他表面缺陷的所有需求。因此，已經開始研究包括兩步或多步的拋光工藝。
所要求的表面粗糙度根據制成基片的工藝、存儲硬盤最終的記錄容量和其他的條件確定。根據所要求的表面粗糙度，可以采用包括兩步以上步驟的拋光工藝。
當拋光工藝以兩步的方式實施時，第一步拋光主要是去除基片表面上較大的波度、凹坑和其他表面缺陷，即修整形態(tài)。因此，需要這樣一種拋光組合物，它對上述波度或表面缺陷具有較大修正能力，同時使不能被第二步的最后拋光所去除的劃痕深度最淺，而不是降低表面粗糙度。由此，為了提高基料脫除的速度，將粒度較大的研磨劑用作組合物的磨料。
第二步拋光即最后的拋光，旨在將基片的表面粗糙度降至最小。因此，就要求拋光組合物能夠將表面粗糙度降至最小，并能防止形成微凸起、微凹坑或其他表面缺陷，而不是對較大波度或表面缺陷具有較大的修正能力，這是第一步拋光所要求的。
近來，為了降低加工成本，對利用PVA磨石對坯料的加工工藝進行了改進，它被設計成在使用拋光組合物之前，就可降低坯料的表面粗糙度，由此使基片的質量(例如表面粗糙度或波度)在拋光之前就可達到第一步拋光后的質量等級。如果實施這樣的加工，就不需要第一步拋光了，只有所謂的最后拋光是必需的。
因此，不管是第一步拋光或是第二步拋光，作為一種降低基片表面粗糙度的方法，通常采用較小粒度的研磨劑，作為拋光組合物中的磨料，或使用含有表面活性劑的拋光組合物。例如，JP-A-5-32959(現有技術1)就揭示了一種含有水、氧化鋁研磨劑和氟類表面活性劑的拋光組合物，JP-A-5-59351(現有技術2)揭示了用于金屬材料的拋光組合物，它含有水、氧化鋁研磨劑、作為拋光促進劑的可溶于水的金屬鹽、和氟類表面活性劑，或者JP-A-5-112775(現有技術3)揭示了用于金屬材料的拋光組合物，它含有水、氧化鋁研磨劑、氟類表面活性劑和氨基酸。
然而，就本發(fā)明人所知，當使用含有粒度較小、尤其平均粒度最大為2微米的氧化鋁研磨劑、水、可溶于水的金屬鹽或氨基酸、和氟類表面活性劑的拋光組合物時，存在一個問題，即基料脫除的速度很低，對于實際生產不適用；而且有可能形成微凹坑或劃痕，因為組合物的拋光能力小。
此外，即使不會形成缺陷例如凹坑，也有可能在基片表面上形成不能被洗掉的研磨粒子沉積物，或會粘著的殘留物；因為研磨劑的粒度小。因此，很難獲得充分好的表面質量。
本發(fā)明的一個目的是解決上述問題，并提供一種拋光組合物，它與常規(guī)拋光組合物相比，形成較少的表面殘留物，而且它的基料脫除速度高，并能夠形成處理過的優(yōu)異表面，而在用作存儲硬盤的基片的最后拋光中，能防止形成微凹坑、微凸起和其他表面缺陷。
本發(fā)明提供用于用作存儲硬盤的磁盤基片的拋光組合物，它含有(a)水；(b)至少一種選自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物；(c)(b)成分的磷酸酯化合物之外的至少一種選自無機酸、有機酸、及它們的鹽的拋光促進劑；
(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳的研磨劑。
下面將詳細說明本發(fā)明，下面的描述旨在容易地理解本發(fā)明，而決不限制本發(fā)明。
磷酸酯化合物作為本發(fā)明拋光組合物中一種成分的乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯，是可自醇或苯酚衍生物與環(huán)氧乙烷的反應獲得的醇的磷酸酯化合物，而且它們可以含有任意比例的單酯、二酯和三酯。此外，這些磷酸酯化合物可以在不損害本發(fā)明效果的范圍內以任意比例多個組合使用。
此外，乙氧基化的烷基醇的磷酸酯的烷基優(yōu)選具有12-18個碳原子，乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的芳基優(yōu)選為苯基或苯環(huán)上的氫被任選取代基取代的苯基，更優(yōu)選苯基或苯環(huán)上的氫被C1-10烷基取代的苯基。
對這種磷酸酯化合物的環(huán)氧乙烷加入量(摩爾)(下面稱為“EO”)沒有特別限制，但它優(yōu)選在3-15范圍內。通過將EO控制在上述范圍內，就有可能調整基料脫除的速度與阻止表面缺陷之間的平衡。
此外，磷酸酯化合物在拋光組合物中的含量通常為0.001-2％(重量)，優(yōu)選為0.005-1％(重量)，更優(yōu)選為0.01-0.6％(重量)，以組合物總重量為基準。如果含量增加，拋光基片上的表面殘留物就會減少，或形成的微凹坑和其他表面缺陷會減少。然而如果增加得太多，基料脫除的速度或加工能力就有可能劣化，就有可能形成微凹坑或劃痕。另一方面，如果含量過小，就很難獲得本發(fā)明的降低基片上表面殘留物或阻止凹坑和其他表面缺陷形成的效果。
拋光促進劑上述磷酸酯化合物以外的作為本發(fā)明拋光組合物中成分之一的所述至少一種選自無機酸、有機酸、和它們的鹽的拋光促進劑，可以是至少一種選自硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、杏仁酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、水合乙醛酸、蘋果酸、羥基乙酸、乳酸、葡糖酸、丁二酸、酒石酸和檸檬酸、和它們的鹽及衍生物的成分。它具體包括硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨。這些拋光促進劑可以在不損害本發(fā)明效果的范圍內以任意比例多個組合使用。
拋光組合物中拋光促進劑的含量隨所使用的拋光促進劑的種類而變。然而，它通常為0.01-30％(重量)，優(yōu)選為0.1-25％(重量)，更優(yōu)選為0.5-20％(重量)，以組合物總重為基準。增加拋光促進劑的含量，會提高基料脫除的速度。然而，如果含量過量，拋光組合物的化學作用會很強，由此有可能在基片表面上形成微凸起、微凹坑或其他表面缺陷。另一方面，如果含量過小，基料脫除的速度也會小，就不會獲得充足的阻止基片表面上微凹坑、微凸起和其他表面缺陷的效果。
研磨劑作為本發(fā)明拋光組合物的成分之一，研磨劑的主要研磨材料是氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鈦、氮化硅、氧化鋯和二氧化錳。
當應用需要時，這些研磨劑可以任選組合使用。當它們組合使用時，組合的方式或它們的比例，沒有特別限制。
氧化鋁包括α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁和其他不同形態(tài)的氧化鋁。此外，有一種由其制備方法得名的所謂鍛制氧化鋁。
二氧化硅包括膠體二氧化硅，鍛制二氧化硅和性能或制備方法不同的各種其他類型的二氧化硅。
氧化鈰包括氧化值為三價和四價的氧化鈰，從晶體晶系來說，它包括六角晶系、等軸晶系、面心立方晶系。
從晶體晶系來說，氧化鋯包括單斜晶系、四方晶系和無定形。另外，從其制備方法來說，有一種所謂的鍛制氧化鋯。
從其晶體晶系來說，氧化鈦包括一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦和其他類型。另外，從其制備方法來說，有一種所謂的鍛制二氧化鈦。
氮化硅包括α-氮化硅、β-氮化硅、無定形氮化硅和其他的不同形態(tài)的氮化硅。
從其形態(tài)來說，二氧化錳包括α-二氧化錳、β-二氧化錳、γ-二氧化錳、δ-二氧化錳、ε-二氧化錳、η-二氧化錳和其他的不同形態(tài)的二氧化錳。
上述研磨劑旨在通過研磨粒子的機械作用，拋光需要拋光的表面(即基片表面)。其中，二氧化硅的粒度通常為0.005-0.5微米，優(yōu)選0.01-0.3微米，這是通過BET方法自所測量的表面所獲得的平均粒度。同樣，氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或二氧化錳的粒度通常為0.01-2微米，優(yōu)選為0.05-1.5微米，這是由激光衍射體系的粒度測量儀LS-230(由美國的Coulter Co.制造)測得的平均粒度。此外，氧化鈰的粒度通常為0.01-0.5微米，優(yōu)選0.05-0.45微米，這是由掃描電子顯微鏡觀察到的平均粒度。如果這些研磨劑的平均粒度超過上述各自范圍，那么會出現拋光表面的表面粗糙度會很大的問題，或有可能形成劃痕。另一方面，如果平均粒度小于上述各自的范圍，那么基料脫除的速度就會非常低，以致于不可操作。
研磨劑在拋光組合物中的含量通常為0.1-50％(重量)，優(yōu)選1-25％(重量)，以組合物的總重為基準。如果研磨劑的含量過小，那么有可能在基片表面上形成微凸起、微凹坑或其他表面缺陷，而且基料脫除的速度有時也會降低。另一方面，如果含量過高，就很難保持在拋光組合物中的均勻分散，而且拋光組合物的粘度也會過大，由此，有時使操作變得困難。
水作為本發(fā)明拋光組合物成分之一的水，可以使用工業(yè)水、離子交換水、蒸餾水、純水和超純水中的任意一種。然而，考慮到拋光組合物的穩(wěn)定性，和拋光加工中不希望有金屬雜質，優(yōu)選采用盡可能脫除了這種雜質的去離子水、離子交換水、蒸餾水、純水或超純水。
拋光組合物本發(fā)明的拋光組合物通常通過將上述各種成分分散或溶解到水中來制備，即通過將選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳的研磨劑以所需的量混合并分散到水中，而且進一步將磷酸酯化合物和拋光促進劑也溶解進去。將這些成分分散或溶解入水中的方法是任選的。例如，它們可以通過超聲波分散來分散，或利用葉片類型攪拌器通過攪拌來分散。
為了使成品質量穩(wěn)定或保持成品質量，在制備上述拋光組合物時，根據需要處理的對象的類型、處理條件或拋光處理的其他必需物，可以進一步加入各種已知的添加劑。
這種另外的添加劑的例子包括以下添加劑(a)纖維素類，例如纖維素、羧甲基纖維素和羥乙基纖維素；(b)可溶于水的醇，例如乙醇、丙醇和乙二醇；(c)有機多陰離子材料，例如木質素磺酸鹽和聚丙烯酸酯；(d)可溶于水的聚合物(乳化劑)，例如聚乙烯醇；(e)螯合劑，例如二甲基乙二肟、雙硫腙、8-羥基喹啉、乙酰丙酮、甘氨酸、EDTA和NTA；(f)殺真菌劑，例如arginate？鈉和碳酸氫鉀；(g)羧酸類或磺酸類的表面活性劑，乙二醇類或聚硅氧烷類的消泡劑和脂肪酸類的分散劑。
另外，上述適用于本發(fā)明拋光組合物中的研磨劑、磷酸酯化合物或拋光促進劑，可以用作非上述目的的輔助添加劑，例如防止研磨劑的沉積。
本發(fā)明的拋光組合物可以以濃度較高的儲備液形式制備，使它可以以該形式儲存或運輸，而且可以在進行實際拋光操作時，稀釋后使用。上述優(yōu)選的濃度范圍是實際拋光操作時的濃度范圍。當組合物以這種原液形式制備時，當然，它是高濃度的液體，它以該狀態(tài)儲存或運輸。從加工效率的角度看，組合物優(yōu)選以這種濃度形式來制備。
關于為什么本發(fā)明拋光組合物與含有烷基苯磺酸鹽或氟類表面活性劑的常規(guī)拋光組合物相比，呈現較少的表面殘留物和小表面粗糙度，并能夠降低微凹坑、微凸起或其他表面缺陷，而呈現表面粗糙度小的拋光表面，詳細機理不清楚，但可以以鍍Ni-P的基片為例子，解釋如下第一，磷酸酯化合物具有使研磨粒子合適地絮凝的作用，由此，小研磨粒子會在較弱的絮凝力作用下產生絮凝?？偟膩碚f，當拋光組合物的拋光能力低時，會形成微凹坑。然而，用本發(fā)明的拋光組合物，粒度較小的拋光粒子在較弱的力作用下會絮凝，而且該絮凝在拋光處理期間會逐漸解離，由此對處理表面的損害就小，就能夠獲得表面粗糙度小的處理表面。另外，表面缺陷例如微凹坑(產生處理應變的部位)不會在上述絮凝的研磨粒子的機械作用和拋光促進劑的化學作用下，有選擇性地受到處理，來擴大這種缺陷，由此就能夠獲得均勻的處理表面。而且，聚認為，由拋光形成的切屑表面或組合物內的研磨劑被磷酸酯化合物所覆蓋，由此它幾乎不沉積在基片表面上，因此就減少了表面缺陷例如微凸起的形成。
當用本發(fā)明的拋光組合物實施拋光處理時，在拋光處理之前和/或之后，優(yōu)選用已除掉研磨劑的本發(fā)明拋光組合物的清洗組合物實施清洗處里。通過在拋光處理之前用清洗組合物處理，就能夠增強拋光組合物的化學作用。另外，通過在拋光處理之后用清洗組合物處理，就有可能有效地脫掉保留在基片表面上的切屑或拋光組合物的各種成分。
下面，將參照實施例進一步對本發(fā)明進行詳細說明。但是，應當明白，本發(fā)明決不受下述實施例的具體解釋的限制。
實施例1-7和對比例1-5拋光組合物的制備將作為研磨劑的氧化鋁用攪拌器分散入水中，獲得研磨劑濃度為10％(重量)的漿料。接著，以表1所示的用量，加入表1所示的拋光促進劑和至少一種選自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物，然后進行混合，獲得實施例1-7和對比例1-5的拋光組合物。在對比例1-3中，沒有加入磷酸酯化合物，而在對比例4-5中，分別加入聚苯乙烯磺酸鈉和季銨鹽，代替磷酸酯化合物。
表1
*A乙氧基化的壬基苯酚的磷酸酯(10EO)B乙氧基化的壬基苯酚的磷酸酯(9EO)C乙氧基化的二壬基苯酚的磷酸酯(10EO)D乙氧基化的烷基醇的磷酸酯(烷基＝C12-15，3EO)E乙氧基化的烷基醇的磷酸酯(烷基＝C12-15，6EO)F乙氧基化的烷基醇的磷酸酯(烷基＝C12-15，9EO)用于拋光測試的基片的制備制備了用于拋光測試的采用實施例1-7和對比例1-5拋光組合物的基片。為了評價兩步拋光(修整拋光)，首先，在下述條件下實施第一步拋光，制備用于拋光測試的基片。
拋光條件(第一步)工件 3.5英寸無電鍍Ni-P基片工件數 10盤拋光機 雙面拋光機(工作臺直徑640毫米)拋光墊 Politex DG(由美國Rodel Inc.制造)處理壓力 80克/厘米2工作臺轉速 60轉/分鐘拋光組合物 DISKLITE-3471(由FUJIMI INCORPORATED制造)組合物的稀釋 1∶2純水拋光組合物的喂入速率 100毫升/分鐘拋光時間 5分鐘拋光測試接著，使用實施例1-7和對比例1-5的拋光組合物，在下述條件下，對已完成第一步拋光的基片實施第二步拋光(修整拋光)。
拋光條件(第二步)工件 3.5英寸無電鍍Ni-P基片(已完成第一步拋光)工件數 10盤拋光機 雙面拋光機(工作臺直徑640毫米)拋光墊 Politex DG(由美國Rodel Inc.制造)處理壓力 60克/厘米2工作臺轉速 60轉/分鐘拋光組合物的喂入速率 100毫升/分鐘拋光時間 5分鐘拋光之后，將基片依序洗滌和干燥，并利用差分干涉顯微鏡(放大50倍)，檢測基片表面，測量有無微凸起或微凹坑，評價標準如下所述，獲得的結果如表2所示
目力未觀察到微凹坑O目力未觀察到大量的微凹坑×目力觀察到大量的微凹坑，認為它們不合格。
另外，利用掃描電子顯微鏡(放大20,000倍)，檢測了基片表面，目力評價了吸附或粘著研磨劑粒子的殘留物等級。評價標準如下所述，獲得的結果如表2所示。
未觀察到大量的殘留物O觀察到少量的殘留物，但在操作上屬合格。
×觀察到大量微凹坑，認為它們不合格。
表2
從表2顯而易見，在對比例1-3中，其中沒有加入磷酸酯化合物，觀察到大量的微凹坑和表面殘留物，而在對比例4和5中，其中加入了磷酸酯化合物之外的表面活性劑，雖然微凹坑的形成被阻止了，但仍觀察到大量的表面殘留物。此外，在對比例4和5情形中，必須增加表面活性劑的含量才能獲得防止形成微凹坑的效果。然而，在實施例1-9中，其中加入有磷酸酯，在每例中微凹坑的形成都被阻止，而且沒有觀察到大量的表面殘留物。從該結果顯而易見，用實施例1-9的拋光組合物，就有可能在修整拋光中獲得優(yōu)異的拋光表面。
如上所述，本發(fā)明的拋光組合物是用于用作存儲硬盤的磁盤基片的拋光組合物，它含有(a)水，(b)至少一種選自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯和乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物，(c)(b)成分的磷酸酯化合物以外的至少一種選自無機酸、有機酸、和它們的鹽的拋光促進劑，(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅、二氧化錳的研磨劑。
由此，就有可能獲得一種拋光組合物，它與常規(guī)的拋光組合物相比，幾乎不形成表面殘留物，它提供大的基料脫除的速度，并在用作存儲硬盤的基片的修整拋光中，能夠防止形成微凹坑、微凸起和其他表面缺陷，而且它能夠提供優(yōu)異的拋光表面。
本發(fā)明拋光組合物中(b)成分的磷酸酯化合物含量為0.001-2％(重量)，以組合物總重為基準，由此，有可能將拋光基片表面上的殘留物的形成降至最少，并阻止微凹坑和其他表面缺陷的形成。
本發(fā)明的拋光組合物中(c)成分的拋光促進劑含量為0.01-30％(重量)，以組合物的總重為基準，由此，有可能提高基料脫除的速度，并阻止微凹坑、微凸起和其他表面缺陷在基片表面上的形成。
此外，本發(fā)明的拋光組合物中(d)成分的研磨劑含量為0.01-50％(重量)，以組合物的總重為基準，由此，有可能阻止微凸起、微凹坑和其他表面缺陷在基片表面上的形成，并防止基料脫除速度下降，而且有可能保持研磨劑在組合物中的均勻分散性，并阻止組合物粘度的過度增加。
1999年9月21申請的日本專利申請的全部內容，包括說明書、權利要求書和概述，都在這里引入以供參考。
權利要求
1.用于存儲硬盤的磁盤基片的拋光組合物，它含有(a)水；(b)至少一種選自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯或乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物；(c)成分(b)的磷酸酯化合物之外的至少一種選自無機酸、有機酸及其鹽類的拋光促進劑；(d)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳的研磨劑。
2.如權利要求1所述的拋光組合物，其中所述的成分(b)的磷酸酯化合物是乙氧基化的芳基醇的磷酸酯，其中芳基是苯基、壬苯基或二壬苯基、或其混合物、或其中烷基的碳原子數為1-20的乙氧基化的烷基醇磷酸酯。
3.如權利要求1或2所述的拋光組合物，其中所述的成分(c)的拋光促進劑是至少一種選自硝酸、亞硝酸、硫酸、鹽酸、鉬酸、氨基磺酸、甘氨酸、甘油酸、杏仁酸、丙二酸、抗壞血酸、谷氨酸、水合乙醛酸、蘋果酸、羥基乙酸、乳酸、葡糖酸、丁二酸、酒石酸和檸檬酸、和它們的鹽及衍生物的成分。
4.如權利要求3所述的拋光組合物，其中所述的成分(c)的拋光促進劑是至少一種選自硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鐵(III)、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(III)、氯化銨、鉬酸鈉、鉬酸銨、氨基磺酸鎳和氨基磺酸銨的成分。
5.如權利要求1-4中任一項所述的拋光組合物，其中所述成分(b)的磷酸酯化合物的含量為0.001-2％(重量)，以組合物的總重為基準。
6.如權利要求1-5中任一項所述的拋光組合物，其中所述成分(c)的拋光促進劑的含量為0.01-30％(重量)，以組合物的總重為基準。
7.如權利要求1-6中任一項所述的拋光組合物，其中所述成分(d)的研磨劑的含量為0.01-50％(重量)，以組合物的總重為基準。
全文摘要
用于用作存儲硬盤的磁盤基片的拋光組合物,它含有:(a):水;(b):至少一種選自乙氧基化的烷基醇的磷酸酯、乙氧基化的芳基醇的磷酸酯的磷酸酯化合物;(c):成分(b)的磷酸酯化合物之外的至少一種選自無機酸、有機酸、及它們的鹽的拋光促進劑;(d):至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅和二氧化錳的研磨劑。
文檔編號B24B37/00GK1288920SQ0012884
公開日2001年3月28日 申請日期2000年9月21日 優(yōu)先權日1999年9月21日
發(fā)明者石橋智明, 橫道典孝, 杉山博保 申請人:不二見株式會社