技術特征：

1.一種氮化鎵傳感器制備裝置，包括底座，其特征在于，

2.如權利要求1所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，

3.如權利要求2所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，

4.如權利要求3所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，

5.如權利要求4所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，

6.如權利要求5所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，

7.如權利要求6所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，

8.如權利要求7所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，

9.一種氮化鎵傳感器制備方法，采用如權利要求8所述的氮化鎵傳感器制備裝置，其特征在于，包括如下步驟：

10.一種氮化鎵傳感器，采用如權利要求9所述的一種氮化鎵傳感器制備方法制備，其特征在于，

技術總結
本發(fā)明涉及氮化鎵傳感器制備技術領域，具體涉及一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置，包括底座和制備組件，制備組件包括底部移動單元、移動架、多個回彈單元、下壓板、防滑保護板、第一驅動單元、第一刀片、第二驅動單元、第二刀片和上推單元，通過第一刀片從上方對襯底切割，改變尺寸大小，啟動第二驅動單元，通過第二刀片從側面對襯底切割，改變襯底厚度，最后上推單元啟動，將下壓板襯底上推，然后底部移動單元帶動移動架和下壓板遠離襯底，不再抵持，將切割完成的襯底進行拋光，使其適配不同的氮化鎵傳感器需求，制備襯底方便快捷，從而大大提高氮化鎵傳感器的制備效率。

技術研發(fā)人員：王迎帥,耿莉
受保護的技術使用者：浙之芯（杭州）半導體技術有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19