本發(fā)明涉及氮化鎵傳感器制備，尤其涉及一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置。

背景技術(shù)：

1、目前傳統(tǒng)的氮化鎵壓力傳感器的壓力檢測范圍和靈敏度是通過芯片懸膜尺寸和厚度來設(shè)計(jì)的，一旦壓力傳感器制備完成，則壓力檢測范圍、精度以及靈敏度均已固定，無法進(jìn)行二次調(diào)整。

2、在現(xiàn)有技術(shù)中，在第二襯底的一側(cè)形成外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的gan緩沖層、gan溝道層、aln插入層、algan勢壘層和gan帽層，所述gan緩沖層位于所述第二襯底一側(cè)的表面上；在所述外延結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二襯底的一側(cè)形成源極、漏極和柵極，所述源極和所述漏極分別位于所述柵極相對的兩側(cè)，所述柵極的數(shù)量為大于等于2的正整數(shù)；所述源極和所述漏極之間具有溝道區(qū)域；對所述第二襯底遠(yuǎn)離所述外延結(jié)構(gòu)的一側(cè)進(jìn)行刻蝕，形成凹槽；在所述第二襯底遠(yuǎn)離所述外延結(jié)構(gòu)的一側(cè)形成第一襯底，其中，所述溝道區(qū)域在所述第一襯底上的正投影與所述凹槽在所述第一襯底上的正投影至少部分重疊，由該方法制備得到的氮化鎵壓力傳感器具有前文所述的氮化鎵壓力傳感器所具有的全部特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述?？偟膩碚f，由該方法制備得到的氮化鎵壓力傳感器具有兩個以上的柵極，通過在柵極上施加電壓調(diào)控溝道寬度，從而調(diào)控源極和漏極之間的輸出電流，可以擴(kuò)展壓力傳感器的壓力檢測范圍，提升壓力傳感器的精度和靈敏度。

3、但在前述的現(xiàn)有技術(shù)中，由襯底作為主要支撐體，然后再將基底層、絕緣層和硅層進(jìn)行安裝，而制備時無法對襯底以及各種生產(chǎn)材料進(jìn)行切割，需人工手動選擇合適的襯底尺寸來使用，導(dǎo)致無法快速的制備出不同型號的氮化鎵傳感器所需的尺寸，因此十分不便，影響了氮化鎵傳感器制備的效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中由襯底作為主要支撐體，然后再將基底層、絕緣層和硅層進(jìn)行安裝，而制備時無法對襯底以及各種生產(chǎn)材料進(jìn)行切割，需人工手動選擇合適的襯底尺寸來使用，導(dǎo)致無法快速的制備出不同型號的氮化鎵傳感器所需的尺寸，因此十分不便，影響了氮化鎵傳感器制備的效率的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種氮化鎵傳感器制備裝置，包括底座和制備組件；

3、所述制備組件包括底部移動單元、移動架、多個回彈單元、下壓板、防滑保護(hù)板、第一驅(qū)動單元、第一刀片、第二驅(qū)動單元、第二刀片和上推單元，所述底部移動單元設(shè)置于所述底座的下方，所述移動架的兩端分別設(shè)置于所述底部移動單元和多個所述回彈單元上，多個所述回彈單元遠(yuǎn)離所述移動架的一端與所述下壓板固定連接，所述上推單元設(shè)置于所述底座的內(nèi)部，所述下壓板安放在所述上推單元上，所述防滑保護(hù)板與所述下壓板固定連接，并位于所述下壓板的一側(cè)，所述第一驅(qū)動單元設(shè)置于所述下壓板上，所述第一刀片設(shè)置于所述第一驅(qū)動單元上，所述第二驅(qū)動單元設(shè)置于所述底座的一側(cè)，所述第二刀片設(shè)置于所述第二驅(qū)動單元上。

4、其中，所述底部移動單元包括電動滑軌、滑塊和兩個支架，所述電動滑軌通過兩個所述支架與所述底座固定連接，并位于所述底座的下方，所述滑塊與所述電動滑軌滑動連接，所述移動架的一端與所述滑塊固定連接，并位于所述滑塊的上方。

5、其中，所述回彈單元包括伸縮桿和彈簧，所述伸縮桿的兩端分別與所述移動架的另一端和所述下壓板的上方固定連接，所述彈簧的兩端分別與所述移動架的另一端和所述下壓板的上方活動連接，所述彈簧套設(shè)在所述伸縮桿的外部。

6、其中，所述第一驅(qū)動單元包括第一氣缸、支撐板、第二氣缸、按壓板和多個第三氣缸，所述第一氣缸與所述按壓板固定連接，并位于所述按壓板的一側(cè)，所述第一氣缸的輸出端貫穿所述按壓板，并與所述支撐板固定連接，所述第二氣缸與所述支撐板固定連接，并位于所述支撐板的上方，所述第二氣缸的輸出端貫穿所述支撐板，并與所述按壓板固定連接，多個所述第三氣缸均與所述支撐板固定連接，并依次位于所述支撐板的上方，所述第三氣缸的輸出端貫穿所述支撐板，所述第一刀片與多個所述第三氣缸的輸出端螺栓連接。

7、其中，所述第二驅(qū)動單元包括多個第四氣缸和多個第四氣缸支座，多個所述第四氣缸支座均與所述底座固定連接，并依次分布在所述底座的一側(cè)，多個所述第四氣缸分別安裝在對應(yīng)的所述第四氣缸支座的上方，多個所述第四氣缸的輸出端均與所述第二刀片螺栓連接。

8、其中，所述上推單元包括第五氣缸和上推板，所述第五氣缸與所述底座固定連接，并位于所述底座的下方，所述第五氣缸的輸出端貫穿所述底座，并與所述上推板固定連接。

9、其中，所述氮化鎵傳感器制備裝置還包括推出組件，所述推出組件設(shè)置于所述底座上。

10、其中，所述推出組件包括第六氣缸、第六氣缸支座和橫推板，所述第六氣缸支座與所述底座固定連接，并位于所述底座的一端，所述第六氣缸安裝在所述第六氣缸支座的上方，所述橫推板與所述第六氣缸的輸出端固定連接。

11、本發(fā)明還提供一種氮化鎵傳感器制備方法，采用上述所述的氮化鎵傳感器制備裝置，包括如下步驟：

12、將氮化鎵傳感器的襯底放入底座內(nèi)部，然后啟動底座移動單元，將移動架移至襯底上方；

13、下壓板由于回彈單元的作用，抵持在上推板的上方，然后靠近襯底，防滑保護(hù)板對襯底的側(cè)面進(jìn)行抵持；

14、啟動第一驅(qū)動單元，通過第一刀片從上方對襯底切割，改變尺寸大小；

15、啟動第二驅(qū)動單元，通過第二刀片從側(cè)面對襯底切割，改變襯底厚度；

16、最后上推單元啟動，依靠上推板將下壓板襯底上推，然后底部移動單元帶動移動架和下壓板遠(yuǎn)離襯底，不再抵持；

17、第六氣缸啟動，帶動橫推板將襯底推出；

18、將切割完成的襯底進(jìn)行拋光，在拋光面形成基底層；

19、在基底層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成緩沖層，在基底層上設(shè)置硅層，依靠緩沖層、基底層和硅層，形成第二支撐襯底；

20、在硅層上方設(shè)置絕緣層和氮化鎵層，在氮化鎵層設(shè)置表面鈍化層，用于保護(hù)氮化鎵層；

21、將陽極和陰極對稱安裝在表面鈍化層上方，并使陽極和陰極貫穿表面鈍化層與氮化鎵層接觸。

22、本發(fā)明還包括一種氮化鎵傳感器，采用上述所述的一種氮化鎵傳感器制備方法制備，包括襯底、基底層、緩沖層、硅層、絕緣層、表面鈍化層、氮化鎵層、陽極和陰極，所述襯底上設(shè)置有所述基底層，所述緩沖層設(shè)置于所述基底層的上方，所述硅層設(shè)置于所述緩沖層的上方，所述絕緣層設(shè)置于所述硅層的上方，所述氮化鎵層設(shè)置于所述絕緣層的上方，所述表面鈍化層設(shè)置于所述氮化鎵層的上方，所述陽極和所述陰極依次設(shè)置于所述氮化鎵層的上方，并與所述氮化鎵層接觸。

23、本發(fā)明的一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置，將氮化鎵傳感器的襯底放入所述底座內(nèi)部，然后啟動所述底座移動單元，將所述移動架移至襯底上方，所述下壓板由于所述回彈單元的作用，抵持在所述上推單元的上方，然后靠近襯底，所述防滑保護(hù)板對襯底的側(cè)面進(jìn)行抵持，啟動所述第一驅(qū)動單元，通過所述第一刀片從上方對襯底切割，改變尺寸大小，啟動所述第二驅(qū)動單元，通過所述第二刀片從側(cè)面對襯底切割，改變襯底厚度，最后所述上推單元啟動，將所述下壓板襯底上推，然后所述底部移動單元帶動所述移動架和所述下壓板遠(yuǎn)離襯底，不再抵持，將切割完成的襯底進(jìn)行拋光，在拋光面形成基底層，在基底層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成緩沖層，在基底層上設(shè)置硅層，依靠緩沖層、基底層和硅層，形成第二支撐襯底，在硅層上方設(shè)置絕緣層和氮化鎵層，在氮化鎵層設(shè)置表面鈍化層，用于保護(hù)氮化鎵層，將陽極和陰極對稱安裝在表面鈍化層上方，并使陽極和陰極貫穿表面鈍化層與氮化鎵層接觸，通過上述結(jié)構(gòu)設(shè)置，對襯底進(jìn)行自動切割，可完成尺寸大小和厚度的更改，使其適配不同的氮化鎵傳感器需求，制備襯底方便快捷，從而大大提高氮化鎵傳感器的制備效率。