專利名稱：雙向加熱半導體器件焊接裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種裝置，涉及半導體加工技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導體器件焊接裝置。
背景技術(shù)：
半導體器件是將晶塊焊接在瓷板上形成的，焊接裝置具有焊接底座，焊接座下部具有加熱底板，上部具有壓緊的壓盤，現(xiàn)有技術(shù)中，壓盤不具有加熱裝置，半導體器件往往需要在兩面二次焊接，這樣的就具有工藝麻煩、效率低、容易出現(xiàn)廢品的缺點。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的就是針對上述缺點，提供一種效率高、使用工藝簡單、產(chǎn)品質(zhì)量高的雙向加熱半導體器件焊接裝置。本實用新型所采取的技術(shù)方案是這樣的，雙向加熱半導體器件焊接裝置，包括底座和底座上活動的壓盤，所述的底座具有加熱底板，其特征是所述的壓盤是導熱性能好的金屬制成的，壓盤上具有加熱裝置。較佳的技術(shù)方案是所述加熱裝置是在壓盤內(nèi)具有安裝加熱管的空槽，加熱管安裝在空槽內(nèi)。本實用新型的有益效果是這樣的雙向加熱半導體器件焊接裝置具有效率高、使用工藝簡單、產(chǎn)品質(zhì)量高的優(yōu)點。

圖1為本實用新型雙向加熱半導體器件焊接裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、底座2、壓盤3、空槽4、加熱管。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。如圖1所示，雙向加熱半導體器件焊接裝置，包括底座1和底座1上活動的壓盤2， 所述的底座1具有加熱底板，其特征是所述的壓盤2是導熱性能好的金屬制成的，壓盤2 上具有加熱裝置。較佳的技術(shù)方案是所述加熱裝置是在壓盤內(nèi)具有安裝加熱管的空槽3，加熱管4 安裝在空槽3內(nèi)。這樣它就能上下雙向加熱，加工半導體時不易兩次加熱，簡化了工藝。
權(quán)利要求1.雙向加熱半導體器件焊接裝置，包括底座和底座上活動的壓盤，所述的底座具有加熱底板，其特征是所述的壓盤是導熱性能好的金屬制成的，壓盤上具有加熱裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向加熱半導體器件焊接裝置，其特征是所述加熱裝置是在壓盤內(nèi)具有安裝加熱管的空槽，加熱管安裝在空槽內(nèi)。
專利摘要本實用新型涉及一種雙向加熱半導體器件焊接裝置，包括底座和底座上活動的壓盤，所述的底座具有加熱底板，所述的壓盤是導熱性能好的金屬制成的，壓盤上具有加熱裝置，所述加熱裝置是在壓盤內(nèi)具有安裝加熱管的空槽，加熱管安裝在空槽內(nèi)，這樣的雙向加熱半導體器件焊接裝置具有效率高、使用工藝簡單、產(chǎn)品質(zhì)量高的優(yōu)點。
文檔編號B23K3/04GK202240031SQ20112038589
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月24日
發(fā)明者陳建衛(wèi), 陳建民, 陳磊 申請人:河南鴻昌電子有限公司