專利名稱：激光加工方法以及激光加工裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光加工方法以及激光加工裝置，其照射脈沖激光，將層疊在導(dǎo)體層上的樹脂制絕緣層的規(guī)定部位除去。
背景技術(shù)：
由層疊的導(dǎo)體層和絕緣層構(gòu)成的印刷基板，在電氣設(shè)備 通信 汽車等各產(chǎn)業(yè)中， 已成為不可欠缺的產(chǎn)業(yè)物資之一。在該印刷基板的加工中，當(dāng)然也要求低成本·高可靠性 高生產(chǎn)能力。并且，近來還增加了降低環(huán)境負(fù)荷的要求，將現(xiàn)有的化學(xué)加工置換為激光加工的做法已經(jīng)盛行起來。專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-118344號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 美國(guó)專利第5593606號(hào)說明書專利文獻(xiàn)3 日本專利第38M522號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人對(duì)上述現(xiàn)有的激光加工技術(shù)詳細(xì)地進(jìn)行研究，其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)如下所述的課題。S卩，印刷基板的激光加工如在專利文獻(xiàn)1的段落“0012”、“0013”中記載所示，由于與導(dǎo)體層相接的絕緣層為極薄的層(厚度0. 2 3 μ m)，所以向絕緣層進(jìn)行激光照射所產(chǎn)生的熱量，向熱傳導(dǎo)率較高的導(dǎo)體層擴(kuò)散，難以實(shí)施以除去絕緣層為目的的激光加工。另外， 當(dāng)前，對(duì)于特別重要的撓性印刷基板，在上述絕緣層中使用聚酰亞胺類樹脂的情況最多，但如圖1所示，在比0.8μπι長(zhǎng)的波長(zhǎng)區(qū)域(即，近紅外區(qū)域)中，聚酰亞胺類樹脂的透過率大于或等于80%，更使得利用由激光照射產(chǎn)生的熱量對(duì)聚酰亞胺類樹脂進(jìn)行的加工變得困難。為了克服上述困難，在專利文獻(xiàn)1及2中，提出了使用絕緣層的透過率較低(即， 吸收率較高)的波長(zhǎng)小于或等于400nm的UV激光。但是，在該波長(zhǎng)區(qū)域中，如圖2所示，作為導(dǎo)體層而最多被使用的銅的吸收率也較高，由此，雖然在貫通絕緣層以及導(dǎo)體層這兩者的開孔加工時(shí)等不存在問題，但在專利文獻(xiàn)1中記載的需要去鉆污(desmear)工序的盲孔加工等的情況下，產(chǎn)生下述問題，即，不僅將絕緣層除去而且對(duì)導(dǎo)體層也進(jìn)行了除去加工。為了避免上述情況，在專利文獻(xiàn)1中提出了下述激光加工方法等，即，在利用CO2 激光粗略除去絕緣層后，利用UV激光進(jìn)行精加工工序，在該精加工工序中將激光照射的能量密度(J/cm2)(以下稱為能流密度)設(shè)定為與導(dǎo)體層的分解閾值相比較低、并且與絕緣層的分解閾值相比較高。但是，特意采用上述多種波長(zhǎng)的激光這一點(diǎn)，當(dāng)然會(huì)導(dǎo)致制造設(shè)備的高成本，也導(dǎo)致可靠性下降和生產(chǎn)能力下降。尤其是，使用UV激光這一點(diǎn)本身，如專利文獻(xiàn)2所述，為了產(chǎn)生高次諧波而需要非線性光學(xué)晶體，導(dǎo)致由非線性光學(xué)晶體本身的光損傷的危險(xiǎn)性所引起的可靠性下降、輸出功率下降及不穩(wěn)定化、出射光束波面(beam profile)的不穩(wěn)定化、以及成本提高等，與上述對(duì)印刷基板加工的要求不一致。另外，對(duì)于波長(zhǎng)小于或等于400nm的UV激光，在用于產(chǎn)生3次諧波的波長(zhǎng)變換的過程中，其變換效率最多僅為40%。由此，消耗電力增大，常常還需要水冷設(shè)備，從降低消耗電力的角度出發(fā)也不優(yōu)選。本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于，提供一種激光加工方法以及激光加工裝置，其在對(duì)作為印刷基板等的構(gòu)成要素之一的絕緣層進(jìn)行的激光加工、特別是絕緣層的選擇性除去中，不使用通過非線性光學(xué)晶體進(jìn)行波長(zhǎng)變換的技術(shù)，而且在除去加工的整個(gè)過程中僅使用1種波長(zhǎng)。在本發(fā)明所涉及的激光加工方法中，通過向印刷基板等包含由導(dǎo)體層和樹脂制絕緣層(用于與導(dǎo)體層直接接觸的粘接劑也包含在絕緣層中)構(gòu)成的層疊構(gòu)造的對(duì)象物照射脈沖激光，從而將絕緣層中位于導(dǎo)體層上的規(guī)定區(qū)域中的部分除去。在該激光加工方法的一個(gè)實(shí)施方式中，實(shí)施對(duì)象物的設(shè)置工序、照射的脈沖激光的波長(zhǎng)選擇工序、照射的脈沖激光的能量設(shè)定工序、以及脈沖激光的照射工序。另外，上述各工序是利用本發(fā)明所涉及的激光加工裝置(第1構(gòu)造)執(zhí)行的，在該第1構(gòu)造的激光加工裝置中，由種光源、放大用光纖、 波長(zhǎng)選擇單元等構(gòu)成 MOPA(Master Oscillator Power Amplifier)構(gòu)造。具體地說，在對(duì)象物的設(shè)置工序中，以脈沖激光通過絕緣層后到達(dá)導(dǎo)體層的方式設(shè)置對(duì)象物。在波長(zhǎng)選擇工序中，選擇相對(duì)于導(dǎo)體層的吸收率小于10%的波長(zhǎng)作為脈沖激光的波長(zhǎng)。在能量設(shè)定工序中，脈沖激光的每一個(gè)脈沖的能流密度設(shè)定為大于或等于絕緣層的破壞損傷閾值。另外，所謂“破壞損傷閾值”如專利文獻(xiàn)1的公開所示是指絕緣層的分解閾值，是通過破壞、損傷、氣化開始除去該絕緣層的最小能流密度。另外，在照射工序中， 將具有如上述所示選擇的波長(zhǎng)以及所設(shè)定的每一個(gè)脈沖的能流密度的脈沖光，向設(shè)置的對(duì)象物的規(guī)定區(qū)域照射。另外，在本發(fā)明所涉及的激光加工方法的其它實(shí)施方式中，也可以實(shí)施對(duì)象物的設(shè)置工序、照射的脈沖激光的波長(zhǎng)選擇工序、照射的脈沖激光的能量設(shè)定工序、照射的脈沖激光的重復(fù)頻率設(shè)定工序、以及脈沖激光的照射工序。另外，上述各工序也可以利用上述第 1構(gòu)造的激光加工裝置執(zhí)行。具體地說，在對(duì)象物的設(shè)置工序中，以脈沖激光通過絕緣層后到達(dá)導(dǎo)體層的方式設(shè)置對(duì)象物。在波長(zhǎng)選擇工序中，選擇相對(duì)于導(dǎo)體層的吸收率小于10%的波長(zhǎng)作為脈沖激光的波長(zhǎng)。在能量設(shè)定工序中，針對(duì)脈沖激光的每一個(gè)脈沖的能流密度，根據(jù)與絕緣層被破壞后的導(dǎo)體層表面上的碳檢測(cè)濃度之間的關(guān)系而設(shè)定。另外，設(shè)定的每一個(gè)脈沖的能流密度，例如只要在10 13J/cm2的容許范圍內(nèi)即可。另外，在重復(fù)頻率設(shè)定工序中，脈沖激光的重復(fù)頻率設(shè)定為，使脈沖激光的半高寬小于5ns。在照射工序中，將具有所選擇的波長(zhǎng)、 所設(shè)定的每一個(gè)脈沖的能流密度以及重復(fù)頻率的脈沖激光，向設(shè)置的對(duì)象物的規(guī)定區(qū)域照射。在本發(fā)明所涉及的激光加工方法的各實(shí)施方式中，優(yōu)選脈沖激光的波長(zhǎng)相對(duì)于絕緣層具有大于或等于70%的透過率。另外，作為本發(fā)明所涉及的激光加工裝置的第2構(gòu)造，也可以將上述第1構(gòu)造的激光加工裝置用作為激光光源，并且具有在脈沖激光所到達(dá)的絕緣層表面的加工區(qū)域內(nèi)使脈沖激光進(jìn)行掃描的照射光學(xué)系統(tǒng)。在此情況下，在絕緣層表面上，以下一次照射的脈沖激光的束斑相對(duì)于已照射的脈沖激光的束斑的重疊率(通過2個(gè)束斑中心的直線上的重疊區(qū)域?qū)挾?束斑直徑X 100)為40% 90%的萬式，一邊使脈沖激光在絕緣層表面上掃描一邊進(jìn)行照射。在本發(fā)明所涉及的激光加工方法的各實(shí)施方式中，優(yōu)選脈沖激光的波長(zhǎng)為可以從利用含有稀土類元素的光活性介質(zhì)的激光光源直接輸出的波長(zhǎng)。在此情況下，優(yōu)選光活性介質(zhì)為％添加光纖。在本發(fā)明所涉及的激光加工方法的各實(shí)施方式中，優(yōu)選脈沖激光的半高寬設(shè)定為，不使絕緣層的加工殘?jiān)阅罨驆u狀殘留在導(dǎo)體層表面上的程度。優(yōu)選脈沖激光的半高寬大于IOps且小于5ns。優(yōu)選脈沖激光的脈沖峰值時(shí)的照射強(qiáng)度設(shè)定為，不使絕緣層的加工殘?jiān)阅罨驆u狀殘留在導(dǎo)體層表面上的程度。其原因在于，可以使絕緣層被破壞后的導(dǎo)體層表面上的碳檢測(cè)濃度進(jìn)一步下降。另外，在上述第2構(gòu)造的激光加工裝置中，優(yōu)選在將一邊在加工區(qū)域內(nèi)描繪任意的圖案一邊從掃描起點(diǎn)朝向掃描終點(diǎn)的光束掃描作為一個(gè)單位時(shí)，激光光源在該一個(gè)單位的光束掃描的期間中，對(duì)脈沖激光的生成條件中脈寬及重復(fù)頻率的至少一個(gè)進(jìn)行1次或大于1次的變更。另外，優(yōu)選激光光源將一個(gè)單位的光束掃描中包含掃描開始時(shí)刻在內(nèi)的光束掃描初期的脈沖激光的每一個(gè)脈沖的能流密度，設(shè)定為比該光束掃描初期以后的期間中的脈沖激光的每一個(gè)脈沖的能流密度大。其原因在于，通過上述構(gòu)造，可以大幅度地提高加工效率。另外，光束掃描圖案可以與加工區(qū)域的形狀相對(duì)應(yīng)而任意地設(shè)定，例如除了僅由曲線成分構(gòu)成的螺旋狀掃描圖案以外，可以考慮僅由直線成分構(gòu)成的掃描圖案、由曲線成分和直線成分的組合構(gòu)成的掃描圖案等各種掃描圖案。另外，在第2構(gòu)造的激光加工裝置中，優(yōu)選激光光源將一個(gè)單位的光束掃描中包含掃描結(jié)束時(shí)刻在內(nèi)的光束掃描末期的脈沖激光的脈沖峰值時(shí)的照射強(qiáng)度，設(shè)定為比該光束掃描末期以前的期間中的脈沖激光的脈沖峰值時(shí)的照射強(qiáng)度大。并且，優(yōu)選照射光學(xué)系統(tǒng)在絕緣層表面上，以下一次照射的脈沖激光的束斑相對(duì)于已照射的脈沖激光的束斑的重疊率為40% 90%的方式，一邊使脈沖激光在絕緣層表面上進(jìn)行掃描，一邊進(jìn)行照射。在此情況下，可以有效地減少絕緣層的加工殘?jiān)Ａ硗?，也可以避免位于絕緣層下方的導(dǎo)體層的損傷。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明所涉及的激光加工方法以及激光加工裝置，在印刷基板等的絕緣層的選擇性除去中，不使用通過非線性光學(xué)晶體進(jìn)行波長(zhǎng)變換的技術(shù)，而且可以在所有工序中僅使用一種波長(zhǎng)。


圖1是表示各種絕緣體的透過率頻譜的圖。圖2是表示各種金屬的吸收率頻譜的圖。圖3是表示在本發(fā)明所涉及的激光加工方法中優(yōu)選使用的激光加工裝置的第1實(shí)施方式(第1構(gòu)造)的結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示在通過調(diào)整設(shè)置于種光源后段的帶通濾波器的中心波長(zhǎng)，從而使種光源的輸出脈沖變形的情況下的脈沖波形以及頻譜的圖。
圖5是示意地表示利用圖3的第1實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置中的帶通濾波器除去ASE的情況的圖。圖6是示意地表示利用圖3的第1實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置中的帶通濾波器除去ASE的情況的圖。圖7是表示模式1下的激光加工裝置(圖幻的輸出脈沖激光的脈沖波形的圖。圖8是表示模式1下的激光加工裝置(圖幻的輸出脈沖激光的重復(fù)頻率和脈沖能量的關(guān)系的圖。圖9是表示模式2下的激光加工裝置(圖幻的輸出脈沖激光的脈沖波形的圖。圖10是表示模式2下的激光加工裝置(圖幻的輸出脈沖激光的重復(fù)頻率和脈沖能量的關(guān)系的圖。圖11是表示在本發(fā)明所涉及的激光加工方法中優(yōu)選使用的激光加工裝置的第2 實(shí)施方式(第2構(gòu)造)的結(jié)構(gòu)的圖。圖12是表示在本發(fā)明所涉及的激光加工方法中優(yōu)選使用的激光加工裝置的第3 實(shí)施方式(第3構(gòu)造)的結(jié)構(gòu)的圖。圖13是表示在模式1及模式2各自下的脈沖半高寬和每一個(gè)脈沖的能流密度之間的關(guān)系的曲線圖。圖14是印刷基板(包括導(dǎo)體層和絕緣層的層疊構(gòu)造在內(nèi))的剖面圖。圖15是在模式1下使脈沖的重復(fù)頻率變化為500、400、312. 5,200,166. 7、IOOkHz 時(shí)，通路孔的利用光學(xué)顯微鏡觀察得到的照片以及SEM照片。圖16是在模式1下使脈沖的重復(fù)頻率變化為500、400、312. 5,200,166. 7、IOOkHz 時(shí)，通路孔的利用光學(xué)顯微鏡觀察得到的照片以及SEM照片。圖17是表示在模式1下，上述重復(fù)頻率下的每一個(gè)脈沖的能流密度、和殘留在通路孔底部的碳的檢測(cè)濃度之間的關(guān)系的曲線圖。圖18是表示加工區(qū)域內(nèi)的脈沖激光的掃描圖案的一個(gè)例子的圖。圖19是表示在模式2下將種光源的調(diào)制電流脈寬設(shè)為5ns的情況下的輸出脈沖波形的圖。圖20是將模式1、2、2A各情況下的重復(fù)頻率、脈寬以及能流密度的關(guān)系匯總的表。符號(hào)的說明1、2、3…激光加工裝置(激光光源)、200a、200b…照明光學(xué)系統(tǒng)、100…種光源、 110…YbDFUll…光耦合器、112…激勵(lì)光源、113…光耦合器、114、115…光隔離器、120··· 帶通濾波器、130…YbDF、131…光耦合器、140…帶通濾波器、150…YbDF、151…光耦合器、 152…激勵(lì)光源、153…光耦合器、160…YbDF、161…合并器、162 166…激勵(lì)光源、167… 光隔離器、170…端蓋、171…準(zhǔn)直儀、172…偏振無關(guān)隔離器、173…擴(kuò)束器、174…電掃描器、 175…遠(yuǎn)心F θ透鏡、175、176…風(fēng)洞。
具體實(shí)施例方式下面，參照?qǐng)D3至20，詳細(xì)說明用于描述本發(fā)明所涉及的激光加工方法以及激光加工方法的實(shí)施方式。另外，在附圖的說明中，對(duì)于相同部位、相同要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，省略重復(fù)說明。
圖3是表示本實(shí)施方式所涉及的激光加工方法中優(yōu)選使用的激光加工裝置的第1 實(shí)施方式(第1構(gòu)造)的結(jié)構(gòu)的圖。在圖3中，第1實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置1具有 種光源100、YbDF 110、帶通濾波器120、YbDF 130、帶通濾波器140、YbDF 150以及YbDF 160 等，利用這些要素構(gòu)成MOPA構(gòu)造。該激光加工裝置1輸出適合用于激光加工的波長(zhǎng)lOeOnm 附近的脈沖激光，具體地說，輸出1040nm至1150nm的脈沖激光。種光源100包含可以直接調(diào)制的半導(dǎo)體激光器，從該半導(dǎo)體激光器中輸出脈沖激光。從高功率化的角度出發(fā)，另外，從避免感應(yīng)布里淵散射(SBQ等非線性效應(yīng)的角度出發(fā)，優(yōu)選半導(dǎo)體激光器為法布里-珀羅型激光器。另外，該半導(dǎo)體激光器輸出使作為放大用光纖的％DF 20、40、50具有增益的波長(zhǎng)1060nm附近的脈沖激光。YbDF 110、130、150、160是對(duì)從種光源100輸出的波長(zhǎng)1060nm附近的脈沖激光進(jìn)行放大的光學(xué)元件，是分別通過向由玻璃形成的光纖的纖芯中作為活性物質(zhì)添加％元素而得到的。％DF 110、130、150、160的優(yōu)勢(shì)在于，激勵(lì)光波長(zhǎng)和被放大光波長(zhǎng)彼此接近，功率變換效率高。另外，％DF 110、130、150、160的優(yōu)勢(shì)在于，在波長(zhǎng)1060nm附近具有較高增益。利用上述YbDF 110、130、150、160構(gòu)成4級(jí)光纖放大器。向第1級(jí)％DF 110順向供給從激勵(lì)光源112輸出且依次通過光耦合器113以及光耦合器111后的激勵(lì)光。并且，％DF 110對(duì)從種光源100輸出且依次通過光隔離器114 以及光耦合器111后的脈沖激光進(jìn)行放大。110放大后的脈沖激光經(jīng)由光隔離器 115輸出。帶通濾波器120輸入在第1級(jí)％DF 110中放大并通過光隔離器115后的脈沖激光，使該輸入的脈沖激光的波長(zhǎng)頻帶中特定波長(zhǎng)頻帶成分衰減。向第2級(jí)％DF 130順向供給從激勵(lì)光源112輸出且依次通過光耦合器113以及光耦合器131后的激勵(lì)光。并且，YbDF 130對(duì)從帶通濾波器120輸出且通過光隔離器131 后的脈沖激光進(jìn)行放大。帶通濾波器140輸入在第2級(jí)％DF 130中放大后的脈沖激光，使該輸入的脈沖激光的波長(zhǎng)頻帶中特定波長(zhǎng)頻帶成分衰減。向第3級(jí)％DF 150順向供給從激勵(lì)光源152輸出且通過光耦合器151后的激勵(lì)光。并且，％DF 150對(duì)從帶通濾波器140輸出且通過光隔離器153后的脈沖激光進(jìn)行放大。向第4級(jí)％DF 160順向供給從各個(gè)激勵(lì)光源162 166輸出且通過合并器161 后的激勵(lì)光。并且，％DF 160對(duì)在第3級(jí)％0 150中放大且依次通過光隔離器167以及合并器161后的脈沖激光進(jìn)行放大。由該％DF 160放大的脈沖激光經(jīng)由端蓋170，向該激光加工裝置(激光光源)的外部輸出。更優(yōu)選的構(gòu)成例如下所述。第1級(jí)％DF 110為單一包層Al共添加石英類％DF， 具有5wt %的Al濃度、10 μ m的纖芯直徑、125 μ m的包層直徑、70dB/m的915nm頻帶激勵(lì)光非飽和吸收、240dB/m的975nm頻帶激勵(lì)光非飽和吸收峰值、7m的光纖長(zhǎng)度。第2級(jí)％DF 130為單一包層Al共添加石英類％DF，具有5wt %的Al濃度、10 μ m的纖芯直徑、125 μ m的包層直徑、70dB/m的915nm頻帶激勵(lì)光非飽和吸收、240dB/m的975nm頻帶激勵(lì)光非飽和吸收峰值、7m的光纖長(zhǎng)度。第3級(jí)YbDF 150為雙層包層磷酸鹽玻璃類YbDF，具有洸濃度、0.8wt% 的Al濃度、10 μ m的纖芯直徑、外徑為125 μ m且其剖面形狀為8邊形的第一包層直徑、1.8dB/m的915nm頻帶激勵(lì)光非飽和吸收、: 的光纖長(zhǎng)度。第4級(jí)％DF 160為雙層包層Al 共添加石英類％DF，具有5wt %的Al濃度、10 μ m的纖芯直徑、125 μ m的包層直徑、80dB/m 的915nm頻帶激勵(lì)光非飽和吸收、3. 5m的光纖長(zhǎng)度。向％0 110、130、150、160供給的激勵(lì)光的波長(zhǎng)均為0.975 μ m頻帶。向％DF 110 供給的激勵(lì)光為功率200mW的單模光。向％0 130供給的激勵(lì)光為功率200mW的單模光。 向％0 150供給的激勵(lì)光為功率2W的多模光。另外，向％0 160供給的激勵(lì)光為功率 14W的多模光。在本第1實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置1中，作為種光源100使用法布里-珀羅型半導(dǎo)體激光器。另外，為了短脈沖化，如圖4的區(qū)域(a)及區(qū)域(b)所示，設(shè)置在種光源100后段的帶通濾波器120的中心波長(zhǎng)調(diào)整為在各區(qū)域中示出的曲線C2或者C3的狀態(tài)， 脈沖激光的半高寬可以從大約5ns壓縮至0. 5ns。圖4的區(qū)域(a)表示在通過對(duì)設(shè)置于種光源100后段的帶通濾波器120的中心波長(zhǎng)進(jìn)行調(diào)整而使種光源100的輸出脈沖變形的情況下的脈沖波形。圖4的區(qū)域(b)表示該情況下的頻譜。另外，圖4的區(qū)域(c)是將圖4的區(qū)域(a)的局部放大的圖。各區(qū)域中示出的曲線Cl表示不存在帶通濾波器的情況。曲線C2至C7表示帶通濾波器120的中心波長(zhǎng)從長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)逐漸移至短波長(zhǎng)側(cè)的情況。另外，如曲線C2、C3所示，如果使帶通濾波器120的中心波長(zhǎng)相對(duì)于種光源100的頻譜的中心波長(zhǎng)大幅地失調(diào)，則在其下游中產(chǎn)生的ASE增大。為了抑制上述ASE成分，如圖3所示，優(yōu)選在與種光源的下游連接的光放大器的內(nèi)部插入多個(gè)帶通濾波器。帶通濾波器120、140各自的透過頻譜的半高寬為3nm。圖5及圖6是示意地表示利用激光加工裝置1 (圖3)中的帶通濾波器120、140除去ASE的情況的圖。如圖5所示，在帶通濾波器120的透過頻譜(圖5的區(qū)域(a)及區(qū)域(b)中的Dl) 的中心波長(zhǎng)與種光源10的輸出光的頻譜(圖5的區(qū)域(b)中的D2)的峰值波長(zhǎng)大致一致的情況下，可以較高地保持從帶通濾波器120輸出的光(圖5的區(qū)域(b)中的D3)的功率。 其結(jié)果，可以較高地保持與從位于帶通濾波器120后段的％DF 130輸出的光(圖5的區(qū)域 (b)中的D4)中包含的ASE成分相比較的S/N比。與此相對(duì)，如圖6所示，在帶通濾波器120的透過頻譜(圖6的區(qū)域(a)至(c)中的E 1)的中心波長(zhǎng)與種光源10的輸出光的頻譜(圖6的區(qū)域(a)中的E2)的峰值波長(zhǎng)大幅偏離的情況下，從帶通濾波器120輸出的光(圖6的區(qū)域(b)中的E3)的功率相對(duì)于輸入時(shí)較大地衰減。其結(jié)果，與從位于帶通濾波器120后段的％DF 130輸出的光(圖6的區(qū)域 (b)及區(qū)域(c)中的E4)中包含的ASE成分相比較的S/N比大幅度地惡化。為了避免上述情況，通過在YbDF130的下游進(jìn)一步插入帶通濾波器140，從而可以改善從帶通濾波器120 中輸出的光(圖6的區(qū)域(c)中的E5)的S/N比。另外，此時(shí)，優(yōu)選帶通濾波器140的中心波長(zhǎng)設(shè)定為與帶通濾波器120的中心波長(zhǎng)相比，接近種光源10的輸出頻譜的峰值波長(zhǎng)。并且，作為第3級(jí)％DF 150，使用ASE頻帶比Al共添加石英類％DF更窄的磷酸鹽玻璃類％DF。在如上所述構(gòu)成的激光加工裝置1中，如圖7所示實(shí)現(xiàn)脈沖峰值最高至56kW的輸出。在該圖 7 中，示出重復(fù)頻率為 100kHzU66. 7kHz,200kHz,312. 5kHz,500kHzUMHz 以及 2. 5MHz的脈沖波形。另外，在測(cè)定該脈沖波形時(shí)，在位于激光加工裝置1的輸出端的端蓋170后，插入衰減量65dB左右的空間衰減器，來自端蓋170的輸出光由「〃 一，#」制造的光電變換模塊(SIR5-FC型)受光，利用「橫河電機(jī)」制造的示波器(DL9M0)對(duì)來自該光電變換模塊的電氣輸出波形進(jìn)行觀測(cè)。在重復(fù)頻率2. 5MHz IOOkHz的任意條件下，脈寬均在0. 5士0. Inm的范圍內(nèi)。圖8是表示激光加工裝置1的輸出脈沖激光的重復(fù)頻率和脈沖能量之間的關(guān)系的圖。如該圖8所示，輸出脈沖激光的脈沖能量最高為0.041mJ。以下為了方便，將該動(dòng)作狀態(tài)稱為模式1。另外，為了比較，基于從圖3所示的結(jié)構(gòu)中去掉帶通濾波器140后的結(jié)構(gòu)，在不進(jìn)行以上述短脈沖化為目的的帶通濾波器120的調(diào)整的情況下，也試行使用脈沖半高寬大于或等于5ns的輸出脈沖激光的激光加工。以下為了方便，將該動(dòng)作狀態(tài)稱為模式2。圖9是表示模式2下的激光加工裝置1的輸出脈沖激光的脈沖波形的圖。圖10是表示模式2下的激光加工裝置1的輸出脈沖激光的重復(fù)頻率和脈沖能量之間的關(guān)系的圖。另外，由于將電脈沖調(diào)制寬度設(shè)定為20ns，所以在重復(fù)頻率為500kHz時(shí)，脈沖半高寬為18ns，但重復(fù)頻率越低，由于光纖放大部的過渡響應(yīng)，脈沖的半高寬越小。例如，在重復(fù)頻率為50kHz時(shí)，脈沖的半高寬為5. 3ns。如圖10所示，其脈沖能量最高為0. 24mJ，達(dá)到模式1的情況下的大約6倍。下面，說明將從激光加工裝置1輸出的脈沖激光向加工對(duì)象物照射的實(shí)驗(yàn)。具體地說，圖11示出實(shí)現(xiàn)上述實(shí)驗(yàn)的第2實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置2的結(jié)構(gòu)。如圖11的區(qū)域(a)所示，第2實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置2將上述第1實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置1作為激光光源，此外，還具有照明光學(xué)系統(tǒng)200a。從激光加工裝置1 (激光光源) 的端蓋170至對(duì)象物的照射光學(xué)系統(tǒng)，依次由出射光束直徑1. 6mm的準(zhǔn)直儀171、偏振無關(guān)隔離器172、8倍的擴(kuò)束器173、電掃描器174以及遠(yuǎn)心F θ透鏡175構(gòu)成。從端蓋170輸出的脈沖激光相對(duì)于通過上述光學(xué)元件時(shí)的該脈沖激光的透過率為75%。上述F θ透鏡的焦距為164mm。對(duì)象物10上的束斑直徑d由“d = (4/ π ) ·(焦距X波長(zhǎng))/(透鏡前光束直徑)”這一公式給出，得到17. 3 μ m。其結(jié)果，對(duì)象物上的激光的束斑面積為2. 35 X IO-6Cm20另外，電掃描器174經(jīng)由F θ透鏡175，使脈沖激光P從掃描起點(diǎn)Pl沿箭頭Sl所示的方向一邊掃描一邊向?qū)ο笪?0的表面照射。另外，對(duì)象物10具有至少由導(dǎo)體層11和絕緣層12構(gòu)成的層疊構(gòu)造，該絕緣層12設(shè)置在該導(dǎo)體層11的表面Ila上，與該表面Ila 直接接觸。另外，向絕緣層12的表面1 上照射的脈沖激光P的中心，如圖11的區(qū)域(b) 所示，在加工區(qū)域AS內(nèi)，從起點(diǎn)Pl沿箭頭Sl所示的方向螺旋狀地掃描。另外，如圖11的區(qū)域(c)所示，相鄰的脈沖激光P的中心Pla、Plb(脈沖激光的中心向箭頭S2所示的方向移動(dòng))，以各自的束斑在區(qū)域AlO重合的方式，滿足規(guī)定的重疊率(優(yōu)選為40% 90% )。 另外，在圖11的區(qū)域(b)中，作為光束掃描圖案的一個(gè)例子，示出了螺旋狀掃描圖案，但不限定于此。例如，除了螺旋狀掃描圖案以外，可以設(shè)定僅由直線成分構(gòu)成的掃描圖案、由曲線成分和直線成分的組合構(gòu)成的掃描圖案等任意的光束掃描圖案。如上所述，通過使脈沖激光P在加工區(qū)域AS內(nèi)進(jìn)行掃描，如圖11的區(qū)域(d)所示， 可以使位于絕緣層12中的被除去部分(相當(dāng)于加工區(qū)域AS)處的導(dǎo)體層11的表面Ila露出ο另外，為了提高絕緣層12的除去性能，向脈沖激光的照射區(qū)域(加工區(qū)域AS)作為輔助氣體吹入氧氣等助燃?xì)怏w這一點(diǎn)更加有效。但是，對(duì)于印刷基板的開孔加工，絕大多數(shù)情況是要求高效率，如上所述(參照本申請(qǐng)的說明書第9頁第2段)，需要利用電掃描器 174以及遠(yuǎn)心F θ透鏡175進(jìn)行光束高速掃描。在此情況下，由于脈沖激光的束斑高速地移動(dòng)，所以不可能僅向束斑吹入助燃?xì)怏w。作為其對(duì)策，在第3實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置3中具有下述結(jié)構(gòu)，即，在F θ透鏡175的正下方(F θ透鏡175和絕緣層12的表面1 之間)設(shè)置風(fēng)洞176，向該風(fēng)洞176內(nèi)注入助燃?xì)怏w(O2)。具體地說，第3實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置3如圖12所示，實(shí)質(zhì)上具有與第2實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置2相同的結(jié)構(gòu)，但在構(gòu)造上，其不同點(diǎn)在于，在F θ透鏡175和絕緣層12的表面1 之間設(shè)置有風(fēng)洞 176。圖13是表示在模式1及模式2各自下的脈沖半高寬和每一個(gè)脈沖的能流密度之間的關(guān)系的曲線圖。在該圖13中，模式1的數(shù)據(jù)由Δ符號(hào)表示，模式2的數(shù)據(jù)由 符號(hào)表示。另外，后述的模式2Α的數(shù)據(jù)由□符號(hào)表示。另外，在圖13中，由虛線表示專利文獻(xiàn)3 的段落“0005”中記載的“能流密度破壞閾值與脈寬的平方根成正比”的關(guān)系。如圖13所示，每一個(gè)脈沖的能流密度，在模式1下最高為13J/cm2，在模式2下最高為77J/cm2。使上述模式1及模式2的脈沖激光，一邊在重復(fù)頻率為IOOkHz時(shí)的重疊率為88% 的條件下進(jìn)行掃描，一邊向在圖14中示出了剖面構(gòu)造的印刷基板10 (相當(dāng)于圖11的區(qū)域 (a)以及圖12的對(duì)象物)照射，從而進(jìn)行通路孔加工。該印刷基板10具有下述構(gòu)造，S卩，層疊有厚度18 μ m的銅箔11 (相當(dāng)于圖11的區(qū)域(a)以及圖12的導(dǎo)體層)、厚度14μπι的聚酰亞胺類樹脂層12b以及厚度18 μ m的銅箔13。另外，印刷基板10也包含將上述層11、 12b、13粘接的粘接層(TPI)。由此，聚酰亞胺類樹脂層12b以及粘接層構(gòu)成絕緣層12 (相當(dāng)于圖11的區(qū)域(a)以及圖12的絕緣層)。另外，在印刷基板10的銅箔13上，利用化學(xué)加工或者激光加工預(yù)先開孔。該通路孔加工的結(jié)果如圖15及圖16所示。圖15及圖16分別是在模式1下使脈沖變化為重復(fù)頻率500、400、312. 5、200、 166. 7、100kHz時(shí)，通路孔的利用光學(xué)顯微鏡觀察獲得的照片以及SEM照片。特別地，在圖 15中示出沒有利用輔助氣體，在通常的大氣中進(jìn)行加工時(shí)的結(jié)果。在圖16中示出一邊作為輔助氣體而吹入氧氣，一邊進(jìn)行加工時(shí)的結(jié)果。另外，圖15及圖16各自的區(qū)域(a)表示光學(xué)顯微鏡照片，圖15及圖16各自的區(qū)域(b)表示SEM照片。另外，圖17是表示在模式1 下，上述重復(fù)頻率下的每一個(gè)脈沖的能流密度和殘留在通路孔底部的碳的檢測(cè)濃度之間的關(guān)系的曲線圖。其中，在檢測(cè)碳時(shí)，使用能量色散型X射線熒光分析裝置(以下稱為EDX)。即使在利用UV激光進(jìn)行加工時(shí)，也殘留20At. %左右的殘?jiān)?，但如圖16所示可知， 如果在模式1下將氧氣作為輔助氣體，使能流密度大于或等于lOJ/cm2，則殘?jiān)鼭舛认陆抵僚cUV激光同等水平。另一方面，如圖15所示，即使在沒有使用氧氣作為輔助氣體的情況下，在能流密度為13J/cm2時(shí)，殘?jiān)臐舛纫蚕陆抵僚cUV激光同等水平。并且，導(dǎo)體層的表面幾乎沒有被除去。另外，鉆污(smear 以膜狀或者島狀殘留在導(dǎo)體層表面上的加工殘?jiān)?，如上所述 (參照本申請(qǐng)的說明書第1頁15 17行)，由于脈沖激光照射所產(chǎn)生的熱量向熱傳導(dǎo)率較高的導(dǎo)體層11傳導(dǎo)，所以作為成功除去絕緣層12的條件，需要與能流密度同時(shí)考慮瞬間照射的最大功率、即脈沖峰值時(shí)的照射強(qiáng)度。在模式1下，在使用了氧氣輔助氣體的情況下， 在照射強(qiáng)度大于或等于18GW/cm2時(shí)成功除去絕緣層12。即使在不使用氧氣輔助氣體的情況下，如果照射強(qiáng)度大于或等于MGW/cm2，則也成功除去絕緣層12。對(duì)于上述照射強(qiáng)度的閾值，考慮到其也依賴于導(dǎo)體層11的材質(zhì)、厚度、以及放置導(dǎo)體層11的工作臺(tái)的材質(zhì)，認(rèn)為必須與作為對(duì)象物的印刷基板10的設(shè)計(jì)相對(duì)應(yīng)而成為規(guī)定的值。根據(jù)上述內(nèi)容，用于設(shè)置印刷基板10的工作臺(tái)上表面的材質(zhì)不采用熱傳導(dǎo)性較高的金屬等，而優(yōu)選采用熱傳導(dǎo)性較低的陶瓷、玻璃等。另外，在除去絕緣層12的初始階段(在如圖11的區(qū)域(b)所示的加工區(qū)域AS內(nèi)進(jìn)行1次光束掃描的情況下的初始掃描階段)中，利用后述的圖19的模式2A的能流密度較高的脈沖，對(duì)除去區(qū)域(加工區(qū)域AS)進(jìn)行掃描，在除去絕緣層12的后期階段(在如圖 11的區(qū)域(b)所示的加工區(qū)域AS內(nèi)進(jìn)行1次光束掃描的情況下的后期掃描階段)、即鉆污的除去階段中，適合使用最大照射強(qiáng)度優(yōu)良且能流密度被抑制的模式1，如果對(duì)加工區(qū)域 AS(除去區(qū)域)的整個(gè)區(qū)域進(jìn)行光束掃描，則可以期待將除去絕緣層12所花費(fèi)的時(shí)間、導(dǎo)體層11的損傷均抑制為最小限度。雖然與專利文獻(xiàn)1的(X)2激光和UV激光并用的方式類似，但在本發(fā)明中，可以由1臺(tái)激光器進(jìn)行這兩種加工。圖18示出此時(shí)的光束掃描圖案的一個(gè)例子。在這里，圖18的區(qū)域(a)是表示在直徑50μπι的孔內(nèi)部(預(yù)先形成在導(dǎo)體層13上的孔，且其底部相當(dāng)于加工區(qū)域AQ從掃描起點(diǎn)Pl沿箭頭S3所示的方向朝向掃描終點(diǎn)Ρ2 (加工區(qū)域AS的中心)的阿基米德螺旋狀的光束掃描圖案(相當(dāng)于1次光束掃描)。最靠近外周附近的照射斑的中心彼此之間的距離為 11 μ m，如果考慮束斑直徑為17. 3 μ m，則重疊率為36%左右(=(17. 3-11)/17. 3X 100)。 另外，圖18的區(qū)域(b)表示下述光束掃描圖案，即，在從掃描起點(diǎn)P 1朝向掃描終點(diǎn)P2的 1次光束掃描中的前半段，從掃描起點(diǎn)Pl沿箭頭S4所示的方向，朝向加工區(qū)域AS的中心， 另一方面，在1次光束掃描的后半段，從加工區(qū)域AS的中心沿箭頭S5所示的方向，朝向掃描終點(diǎn)P2。最靠近外周附近的照射斑的中心彼此之間的距離為7 μ m,如果考慮束斑直徑為 17. 3μπι，則重疊率為 59% 左右(=(17. 3-7)/17. 3X100)。另外，圖18的區(qū)域(a)的光束掃描圖案是在從掃描起點(diǎn)P 1朝向掃描終點(diǎn)P2的 1次光束掃描的期間中，僅進(jìn)行后述的模式2A下的光束掃描。圖18的區(qū)域(b)的光束掃描圖案的半徑變化量為圖18的區(qū)域(a)所示的光束掃描圖案的2倍。另外，在圖18的區(qū)域(b)的光束掃描圖案中，在1次光束掃描中的前半段(從掃描起點(diǎn)Pl至加工區(qū)域AS的中心)進(jìn)行模式2A下的光束掃描，另一方面，在后半段(從加工區(qū)域AS的中心至掃描終點(diǎn) P2)進(jìn)行模式1下的光束掃描。加工區(qū)域AS內(nèi)的脈沖發(fā)射數(shù)均為100。下面，返回至圖17進(jìn)行說明，在模式2下，即使重復(fù)頻率在50 500kHz的范圍 (即，每一個(gè)脈沖的能流密度在8 77J/cm2的范圍)內(nèi)變化，利用EDX得到的碳的檢測(cè)濃度不變，為60At. %左右。只要將以上的加工結(jié)果和圖13進(jìn)行比較，則成為L(zhǎng)IB閾值的能流密度對(duì)脈寬的依賴性，不是如專利文獻(xiàn)3的記載所示，能流密度破壞閾值與脈寬的平方根成正比這樣的傳統(tǒng)關(guān)系?？赡苋鐚＠墨I(xiàn)1的記載所示，由于成為殘?jiān)呐c導(dǎo)體層11相接的絕緣層12部分，即使利用激光照射，熱量也容易向?qū)w傳導(dǎo)，所以期望集中于更短時(shí)間而進(jìn)行加熱，其結(jié)果，與假設(shè)為材料單體時(shí)的上述LIB閾值的論證不符。但是，總之不會(huì)是如專利文獻(xiàn)3所記載那樣，如果沒有使脈寬小于或等于IOps則無法成功地進(jìn)行加工等，如圖7所示，即使脈沖半高寬為0. 6ns左右，也可以成功地進(jìn)行加工，所以在CPA等光放大部中不需要特殊的脈沖壓縮方式。
但是，對(duì)于構(gòu)成印刷基板10的聚酰亞胺類樹脂層12b以及粘接層(構(gòu)成絕緣層 12，均可以成為鉆污)，各自存在各種組成，有時(shí)即使并非模式1所示的短脈沖，也可以除去絕緣層12。例如，在模式2下將種光源100的調(diào)制電流脈寬設(shè)為5ns的情況下，輸出脈沖波形如圖19所示，在100 400kHz的重復(fù)頻率下，其脈沖半高寬為2ns左右。以下將該動(dòng)作稱為模式2A。在模式2A下，利用第3實(shí)施方式所涉及的激光加工裝置3的照射光學(xué)系統(tǒng)200b， 使用氧氣作為輔助氣體，向印刷基板照射脈沖激光，進(jìn)行通路孔加工，其結(jié)果，在重復(fù)頻率 300 800kHz這種比較高(即，每一個(gè)脈沖的能流密度為較低的lOJ/cm2左右)的動(dòng)作區(qū)域中，碳的EDX檢測(cè)濃度可以為20At. %左右或更小(最佳情況為OAt. % )。并且，此時(shí)在導(dǎo)體層的表面上幾乎沒有損傷。并且，在向上述絕緣層照射模式1的脈沖列時(shí)，反而在重復(fù)頻率300 400kHz的情況(即，每1個(gè)脈沖的能流密度為較低的5J/cm2左右的情況)下，碳的EDX檢測(cè)濃度可以降低至20At. %左右。S卩，不僅存在隨著絕緣層的材質(zhì)的不同而優(yōu)選每1個(gè)脈沖的能流密度較高的情況，而且也存在即使每1個(gè)脈沖的能流密度較低，也優(yōu)選重復(fù)頻率較高(大于或等于 300kHz,即重疊率為96% )的情況。但是，如圖11所示，在脈寬大于或等于5ns的情況下， 無論重復(fù)頻率如何均無法得到良好的結(jié)果。其原因如上所述被認(rèn)為是，由于對(duì)于成為鉆污的與導(dǎo)體相接的絕緣層部分，即使進(jìn)行激光照射，熱量也容易向?qū)w傳導(dǎo)，所以優(yōu)選集中于更短時(shí)間以高峰值功率(如圖19所示，光源輸出大于或等于10kW，加工對(duì)象上為大于或等于7. 5kff)進(jìn)行加熱。圖20是將模式1、模式2、模式2A各情況下的重復(fù)頻率、脈寬以及能流密度的關(guān)系匯總的表。特別地，在圖20中，區(qū)域(a)表示模式1的情況，區(qū)域(b)表示模式2的情況， 區(qū)域(c)表示模式IA的情況。另外，在上述圖20的區(qū)域(a) (c)中示出絕緣層12加工成功的情況的實(shí)施例序號(hào)。另外，實(shí)施例1以及實(shí)施例2已在圖13中對(duì)應(yīng)地示出。在本實(shí)施方式中，利用原本會(huì)透過絕緣層的波長(zhǎng)區(qū)域的激光對(duì)由導(dǎo)體層和絕緣層構(gòu)成的印刷基板或者與其類似的復(fù)合材料中的絕緣層進(jìn)行的選擇性除去，不一定限于銅和聚酰亞胺類樹脂的組合，例如在將主要成分為金(Au)、鋁(Al)等的合金，使用于導(dǎo)體層或者附著于導(dǎo)體層表面上的鍍層中的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)良好的選擇性除去加工。
權(quán)利要求
1.一種激光加工方法，在該方法中，將包含導(dǎo)體層和層疊在所述導(dǎo)體層上的樹脂制絕緣層的對(duì)象物，設(shè)置在脈沖激光的光路上，通過向所述對(duì)象物照射脈沖激光，從而將所述絕緣層中位于所述導(dǎo)體層上的規(guī)定區(qū)域中的部分除去，其特征在于，將選擇相對(duì)于所述導(dǎo)體層的吸收率小于10%且相對(duì)于所述絕緣層的透過率大于或等于70%的波長(zhǎng)作為所述脈沖激光的波長(zhǎng)的所述脈沖激光，向所述對(duì)象物的規(guī)定區(qū)域照射， 使所述脈沖激光在通過所述絕緣層后到達(dá)所述導(dǎo)體層。
2.一種激光加工方法，在該方法中，將包含導(dǎo)體層和層疊在所述導(dǎo)體層上的樹脂制絕緣層的對(duì)象物，設(shè)置在脈沖激光的光路上，通過向所述對(duì)象物照射脈沖激光，從而將所述絕緣層中位于所述導(dǎo)體層上的規(guī)定區(qū)域中的部分除去，其特征在于，選擇相對(duì)于所述導(dǎo)體層的吸收率小于10%且相對(duì)于所述絕緣層的透過率大于或等于 70%的波長(zhǎng)作為所述脈沖激光的波長(zhǎng)，根據(jù)與除去所述絕緣層后的所述導(dǎo)體層表面上的碳檢測(cè)濃度的容許水平之間的關(guān)系， 設(shè)定所述脈沖激光的每一個(gè)脈沖的能流密度，以使所述脈沖激光的半高寬小于5ns的方式，設(shè)定所述脈沖激光的重復(fù)頻率，將具有所述選擇的波長(zhǎng)、所述設(shè)定的每一個(gè)脈沖的能流密度以及所述設(shè)定的重復(fù)頻率的所述脈沖激光，向所述對(duì)象物的規(guī)定區(qū)域照射，使所述脈沖激光在通過所述絕緣層后到達(dá)所述導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于，在所述絕緣層表面上，以下一次照射的脈沖激光的照射斑相對(duì)于已照射的脈沖激光的照射斑的重疊率為40% 90%的方式，一邊使所述脈沖激光在所述絕緣層表面上進(jìn)行掃描，一邊進(jìn)行照射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于，所述脈沖激光的波長(zhǎng)為可以從利用含有稀土類元素的光活性介質(zhì)的激光光源直接輸出的波長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的激光加工方法，其特征在于，所述光活性介質(zhì)為％添加光纖。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于，所述脈沖激光的半高寬設(shè)定為，不使所述絕緣層的加工殘?jiān)阅罨驆u狀殘留在所述導(dǎo)體層表面上的程度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，所述脈沖激光的半高寬小于5ns。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于，所述脈沖激光的半高寬大于10ps。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于，所述脈沖激光的脈沖峰值時(shí)的照射強(qiáng)度設(shè)定為，不使所述絕緣層的加工殘?jiān)阅罨驆u狀殘留在所述導(dǎo)體層表面上的程度。
10.一種激光加工裝置，其執(zhí)行權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的激光加工方法，其特征在于，該激光加工裝置具有激光光源，其生成所述脈沖激光；以及照射光學(xué)系統(tǒng)，其在所述脈沖激光所到達(dá)的所述絕緣層表面的加工區(qū)域內(nèi)，使所述脈沖激光進(jìn)行光束掃描，并且，在將一邊在所述加工區(qū)域內(nèi)描繪任意的圖案一邊從掃描起點(diǎn)朝向掃描終點(diǎn)的光束掃描作為一個(gè)單位時(shí)，所述激光光源在該一個(gè)單位的光束掃描的期間中，對(duì)所述脈沖激光的生成條件中脈寬及重復(fù)頻率的至少一個(gè)進(jìn)行1次或大于1次的變更，所述激光光源將所述一個(gè)單位的光束掃描中包含掃描開始時(shí)刻在內(nèi)的光束掃描初期的所述脈沖激光的每一個(gè)脈沖的能流密度，設(shè)定為比所述光束掃描初期以后的期間中的所述脈沖激光的每一個(gè)脈沖的能流密度大。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的激光加工裝置，其特征在于，所述激光光源將所述一個(gè)單位的光束掃描中包含掃描結(jié)束時(shí)刻在內(nèi)的光束掃描末期的所述脈沖激光的脈沖峰值時(shí)的照射強(qiáng)度，設(shè)定為比所述光束掃描末期以前的期間中的所述脈沖激光的脈沖峰值時(shí)的照射強(qiáng)度大。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的激光加工裝置方法，其特征在于，所述照射光學(xué)系統(tǒng)在所述絕緣層表面上，以下一次照射的脈沖激光的束斑相對(duì)于已照射的脈沖激光的束斑的重疊率為40% 90%的方式，一邊使所述脈沖激光在所述絕緣層表面上進(jìn)行掃描，一邊進(jìn)行照射。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種激光加工方法以及激光加工裝置，在印刷基板的絕緣層的選擇性除去中，不使用通過非線性光學(xué)晶體進(jìn)行波長(zhǎng)變換的技術(shù)，而且可以在除去加工的整個(gè)過程中僅使用1種波長(zhǎng)。在該激光加工方法中優(yōu)選使用的激光加工裝置(1)具有MOPA構(gòu)造，并且具有種光源(100)、YbDF(110)、帶通濾波器(120)、YbDF(130)、帶通濾波器(140)、YbDF(150)以及YbDF(160)等。在本發(fā)明的激光加工方法中，照射從激光加工裝置(1)輸出的脈沖激光，對(duì)層疊在導(dǎo)體層上的樹脂制絕緣層的規(guī)定部位進(jìn)行除去加工，其中，使用被導(dǎo)體層吸收的光小于10％的波長(zhǎng)的激光，使每一個(gè)脈沖的能流密度大于或等于絕緣層的破壞損傷閾值。
文檔編號(hào)B23K26/36GK102196880SQ200980142278
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2009年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月23日
發(fā)明者仲前一男, 玉置忍, 角井素貴 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社