等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】提供一種能夠正確地檢測電弧放電的產(chǎn)生的等離子體處理裝置。使用等離子體對(duì)基板(G)實(shí)施處理的等離子體處理裝置(10)具備：腔室(11)，其被提供高頻電力而在內(nèi)部產(chǎn)生等離子體；第一微分電路(21)，其對(duì)高頻電力的行波電壓Vf進(jìn)行時(shí)間微分；第二微分電路(23)，其對(duì)高頻電力的反射波電壓Vr進(jìn)行時(shí)間微分；比較器(22)，其計(jì)算dVr/dt-dVf/dt，在計(jì)算出的該dVr/dt-dVf/dt超過電弧放電檢測值的情況下，判斷為在腔室(11)內(nèi)產(chǎn)生了電弧放電而發(fā)送信號(hào)；以及二極管(25)，其在dVf/dt為負(fù)值的情況下，將dVf/dt設(shè)為0，使得dVr/dt-dVf/dt變小。
【專利說明】等離子體處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種防止電弧放電的產(chǎn)生的等離子體處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在使用提供高頻電力所產(chǎn)生的等離子體對(duì)基板、例如用于制造FPD的玻璃基板、半導(dǎo)體晶圓實(shí)施規(guī)定處理的等離子體處理裝置中，在產(chǎn)生等離子體的處理室內(nèi)有時(shí)產(chǎn)生電弧放電。當(dāng)電弧放電持續(xù)時(shí)有可能對(duì)處理室內(nèi)的部件、玻璃基板、半導(dǎo)體晶圓造成損傷，因此，如果檢測出電弧放電的產(chǎn)生則需要迅速停止用于生成等離子體的高頻電力的提供。
[0003]當(dāng)產(chǎn)生電弧放電時(shí)高頻電力的反射波電壓產(chǎn)生峰值，因此通常監(jiān)視反射波電壓，當(dāng)檢測出峰值的產(chǎn)生時(shí)切斷高頻電力的提供。
[0004]高頻電力的提供方式與規(guī)定處理的內(nèi)容相應(yīng)地存在各種方式，以往，作為提供方式變化的方式，階梯性地增加所提供的高頻電力的方式為主流方式。
[0005]但是，在階梯性地增加高頻電力時(shí)，行波電壓也增加，而在該情況下，在通過匹配電路取得行波電壓與反射波電壓的阻抗匹配之前有時(shí)反射波電壓產(chǎn)生峰值。
[0006]因此，為了避免將由行波電壓的增加引起的反射波電壓的峰值的產(chǎn)生誤認(rèn)為是由電弧放電的產(chǎn)生引起的反射波電壓的峰值的產(chǎn)生，通常，在以下式成立的情況下判斷為產(chǎn)生了由電弧放電的產(chǎn)生引起的反射波電壓的峰值(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0007]dVr/dt-dVf/dt>電弧放電檢測值
[0008]在此，Vr為反射波電壓，Vf為行波電壓，電弧放電檢測值為預(yù)先設(shè)定的規(guī)定的閾值。
[0009]在上述式中，在行波電壓增加的情況下，dVr/dt-dVf/dt的值變小，因此即使產(chǎn)生由行波電壓的增加引起的反射波電壓的峰值，上述式也幾乎不成立。
[0010]專利文獻(xiàn)1:國際公開第03/037047號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明要解決的問題
[0012]另外，近年來，隨著等離子體處理的復(fù)雜化，不僅是高頻電力(行波電壓)的增加，如圖7所示，還要求伴隨行波電壓的降低的高頻電力的提供方式。
[0013]在行波電壓降低的情況下，也在通過匹配電路取得行波電壓與反射波電壓的阻抗匹配之前有時(shí)反射波電壓產(chǎn)生峰值，而此時(shí)，上述式的dVf/dt成為負(fù)值，因此dVr/dt-dVf/dt的值變得過大而使得上述式成立，從而有可能錯(cuò)誤地判斷為產(chǎn)生了由電弧放電的產(chǎn)生引起的反射波電壓的峰值。
[0014]如果增大電弧放電檢測值，則上述錯(cuò)誤判斷的可能性會(huì)降低，但是在僅產(chǎn)生由不那么強(qiáng)的電弧放電的產(chǎn)生引起的反射波電壓的峰值而dVr/dt不大的情況下，有可能無法檢測電弧放電的產(chǎn)生。
[0015]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠正確地檢測電弧放電的產(chǎn)生的等離子體處理裝置。
[0016]用于解決問題的方案
[0017]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第一方面所述的等離子體處理裝置具備被提供高頻電力的處理室，使上述處理室內(nèi)產(chǎn)生等離子體而使用該等離子體對(duì)被處理體實(shí)施處理，該等離子體處理裝置的特征在于，還具備:第一時(shí)間微分部，其對(duì)施加給上述處理室的高頻電力的行波電壓進(jìn)行時(shí)間微分；第二時(shí)間微分部，其對(duì)從上述處理室返回的高頻電力的反射波電壓進(jìn)行時(shí)間微分；判斷部，其計(jì)算與上述反射波電壓的時(shí)間微分值和上述行波電壓的時(shí)間微分值的差分對(duì)應(yīng)的值，在計(jì)算出的該與差分對(duì)應(yīng)的值超過規(guī)定的閾值的情況下，判斷為在上述處理室內(nèi)產(chǎn)生了電弧放電；以及微分值變更部，其在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，至少變更上述反射波電壓的時(shí)間微分值和上述行波電壓的時(shí)間微分值中的某一個(gè)，使得上述與差分對(duì)應(yīng)的值變得小于規(guī)定的閾值。
[0018]本發(fā)明第二方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本發(fā)明第一方面所述的等離子體處理裝置中，上述判斷部具有被輸入上述行波電壓的時(shí)間微分值的第一輸入部以及被輸入上述反射波電壓的時(shí)間微分值的第二輸入部，上述微分值變更部至少與第一輸入部和第二輸入部中的某一個(gè)相連接。
[0019]本發(fā)明第三方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本發(fā)明第一方面或第二方面所述的等離子體處理裝置中，上述與差分對(duì)應(yīng)的值是從上述反射波電壓的時(shí)間微分值減去上述行波電壓的時(shí)間微分值所得的值。
[0020]本發(fā)明第四方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本發(fā)明第一?第三方面的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置中，在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，上述微分值變更部將上述行波電壓的時(shí)間微分值設(shè)為O。
[0021]本發(fā)明第五方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本發(fā)明第四方面所述的等離子體處理裝置中，上述微分值變更部包括二極管。
[0022]本發(fā)明第六方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本發(fā)明第一?第三方面的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置中，在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，上述微分值變更部減小上述行波電壓的時(shí)間微分值的絕對(duì)值。
[0023]本發(fā)明第七方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本發(fā)明第一?第三方面的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置中，在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，上述微分值變更部減小上述反射波電壓的時(shí)間微分值。
[0024]發(fā)明的效果
[0025]根據(jù)本發(fā)明，在行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，至少變更反射波電壓的時(shí)間微分值和行波電壓的時(shí)間微分值中的某一個(gè)，使得與高頻電力的反射波電壓的時(shí)間微分值和行波電壓的時(shí)間微分值的差分對(duì)應(yīng)的值變小，因此，計(jì)算出的與差分對(duì)應(yīng)的值不容易超過規(guī)定的閾值。由此，能夠抑制雖然產(chǎn)生由行波電壓的減小引起的反射波電壓的峰值、但錯(cuò)誤地判斷為產(chǎn)生了由電弧放電的產(chǎn)生引起的反射波電壓的峰值的情況，由此能夠正確地檢測電弧放電的產(chǎn)生。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是概要地表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。[0027]圖2是用于說明通過圖1的等離子體處理裝置執(zhí)行的行波電壓的時(shí)間微分值的變更處理的圖。
[0028]圖3是概要地表示圖1的等離子體處理裝置的第一變形例的結(jié)構(gòu)的圖。
[0029]圖4是用于說明通過圖3的等離子體處理裝置執(zhí)行的行波電壓的時(shí)間微分值的變更處理的圖。
[0030]圖5是概要地表示圖1的等離子體處理裝置的第二變形例的結(jié)構(gòu)的圖。
[0031]圖6是用于說明通過圖5的等離子體處理裝置執(zhí)行的反射波電壓的時(shí)間微分值的變更處理的圖。
[0032]圖7是表示伴隨復(fù)雜化的等離子體處理的高頻電力的提供方式的圖。
[0033]附圖標(biāo)記說明
[0034]10、26、28:等離子體處理裝置；11:腔室；12:高頻電源；18:電力計(jì)；21:第一微分電路；22:比較器；22a:負(fù)輸入側(cè)；22b:正輸入側(cè)；23:第二微分電路；24:輸出切斷電路；25:二極管；29:微分值檢測電路；27、30:微分值減小電路。
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0036]圖1是概要地表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0037]在圖1中，等離子體處理裝置10具備內(nèi)部被減壓的長方體狀的腔室11 (處理室)和高頻電源12，腔室11在內(nèi)部具有配置在底部的臺(tái)狀的基座13和配置在頂部的噴頭14，高頻電源12與基座13相連接來對(duì)該基座13提供高頻電力?；?3作為下部電極而發(fā)揮功能，噴頭14作為上部電極而發(fā)揮功能。由此，能夠向基座13與噴頭14之間的處理空間S施加提供給基座13的高頻電力。
[0038]在腔室11中，向基座13載置作為被處理體的玻璃基板(以下，簡單稱為“基板”。)G，噴頭14向內(nèi)部的處理空間S導(dǎo)入處理氣體，并且基座13向處理空間S施加高頻電力而在處理空間S中使處理氣體產(chǎn)生等離子體。該等離子體中的離子、自由基到達(dá)基板G來對(duì)該基板G實(shí)施規(guī)定的等離子體處理、例如干蝕刻處理。
[0039]在腔室11與高頻電源12之間，從腔室11側(cè)起依次存在直流截止電容器15、匹配電路16、同軸線纜17以及電力計(jì)18，從而形成高頻電流提供路徑。在高頻電流提供路徑中，電力計(jì)18對(duì)從高頻電源12向基座13提供的高頻電力的行波電壓Vf和反射波電壓Vr進(jìn)行測量，并輸出各自的值。
[0040]電力計(jì)18的行波電壓Vf的輸出側(cè)與第一放大器19相連接，第一放大器19將所輸入的行波電壓Vf放大或者衰減到適當(dāng)大小的信號(hào)。另外，電力計(jì)18的反射波電壓Vr的輸出側(cè)與第二放大器20相連接，第二放大器20將所輸入的反射波電壓Vr放大或者衰減到適當(dāng)大小的信號(hào)。
[0041]通過第一微分電路21 (第一時(shí)間微分部)對(duì)從第一放大器19輸出的行波電壓Vf進(jìn)行時(shí)間微分，微分得到的該行波電壓Vf(以下，稱為“dVf/dt”。)(行波電壓的時(shí)間微分值)被輸入到比較器22 (判斷部)的負(fù)輸入側(cè)22a (第一輸入部)。
[0042]通過第二微分電路23(第二時(shí)間微分部)對(duì)從第二放大器20輸出的反射波電壓Vr進(jìn)行時(shí)間微分，微分得到的該反射波電壓Vr(以下，稱為“dVr/dt”。)(反射波電壓的時(shí)間微分值)被輸入到比較器22的正輸入側(cè)22b (第二輸入部)。
[0043]雖然能夠通過監(jiān)視反射波電壓Vr的時(shí)間微分值來判斷在處理空間S中是否產(chǎn)生了電弧放電，但是為了排除由行波電壓Vf引起的反射波電壓Vr的變化量，使用從反射波電壓Vr的時(shí)間微分值減去行波電壓Vf的時(shí)間微分值得到的評(píng)價(jià)值，根據(jù)該評(píng)價(jià)值是否超過規(guī)定的閾值來判斷在處理空間S中是否產(chǎn)生了電弧放電。具體地說，用比較器22來判斷以下式⑴是否成立，在以下式(I)成立的情況下，從比較器22向輸出切斷電路24(判斷部)發(fā)送信號(hào)。
[0044]dVr/dt-dVf/dt>電弧放電檢測值(規(guī)定的閾值)...(I)
[0045]在處理空間S中產(chǎn)生的電弧放電影響反射波電壓，另一方面，不影響行波電壓或者即使影響行波電壓、該影響也小，因此能夠根據(jù)上述式(I)來判斷在處理空間S中是否產(chǎn)生了電弧放電，上述式(I)成立的情況相當(dāng)于雖然產(chǎn)生反射波電壓Vr的峰值、但行波電壓Vf未增加或者變化微小的情況，因此相當(dāng)于在處理空間S中產(chǎn)生了電弧放電的情況。
[0046]上述式⑴成立而接收到從比較器22發(fā)送的信號(hào)的輸出切斷電路24判斷為在處理空間S中產(chǎn)生了電弧放電，從而向高頻電源12發(fā)送輸出切斷信號(hào)。接收到該輸出切斷信號(hào)的高頻電源12在規(guī)定的期間內(nèi)停止提供高頻電力。由此，防止在處理空間S中持續(xù)產(chǎn)生電弧放電。
[0047]但是，在與等離子體處理的制程相應(yīng)地行波電壓Vf降低的情況下，dVf/dt成為負(fù)值，因此，即使在反射波電壓Vr不變動(dòng)時(shí)(dVr/dt為O)、在只不過產(chǎn)生了噪聲級(jí)別的微小的峰值時(shí)、或者在通過匹配電路16取得行波電壓Vf與反射波電壓Vr的阻抗匹配之前反射波電壓Vr只不過產(chǎn)生了微小的峰值(Vr的增加微小)時(shí)，上述式(I)也有可能成立，從而判斷為在處理空間S中產(chǎn)生了電弧放電而停止提供高頻電力。即，在行波電壓Vf降低的情況下，有可能錯(cuò)誤地判斷為在處理空間S中產(chǎn)生了電弧放電。
[0048]在本實(shí)施方式中，應(yīng)對(duì)上述情況，在行波電壓Vf降低的情況下，將輸入到比較器22的負(fù)輸入側(cè)22a的dVf/dt設(shè)為O以避免dVr/dt-dVf/dt過多增加。具體地說，在第一微分電路21與比較器22之間配置二極管25 (微分值變更部)，該二極管25 (微分值變更部)在從第一放大器19向比較器22的方向上對(duì)電流進(jìn)行整流。二極管25在通過第一微分電路21得到的dVf/dt為正、即在二極管25的整流方向上產(chǎn)生電位差的情況下，或者在dVf/dt為O、即在二極管25中未產(chǎn)生電位差的情況下，直接輸出dVf/dt，在dVf/dt為負(fù)值、即在與二極管25的整流方向相反的方向上產(chǎn)生電位差的情況下，切斷電流而輸出O。
[0049]圖2是用于說明通過圖1的等離子體處理裝置執(zhí)行的行波電壓的時(shí)間微分值的變更處理的圖。
[0050]在圖2中，示出反射波電壓Vr產(chǎn)生不是由電弧放電引起的微小的峰值、但是行波電壓Vf減小的情況。圖中的dVf/dt如虛線所示那樣一部分向負(fù)的方向突出，但是在等離子體處理裝置10中，通過第一微分電路21得到的dVf/dt通過二極管25被變更為0，使得dVf/dt的突出部變?yōu)槠教埂Ｓ纱?本來如圖中的虛線所示那樣變化而超過電弧放電檢測值的dVr/dt-dVf/dt如實(shí)線所示那樣偏移(參照?qǐng)D中的箭頭)，從而不會(huì)超過電弧放電檢測值。即，上述式(I)不成立。由此，能夠防止錯(cuò)誤地判斷為在處理空間S中產(chǎn)生了電弧放電。
[0051]根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置10，即使在行波電壓Vf降低而dVf/dt為負(fù)值的情況下，由于將輸入到比較器22的負(fù)輸入側(cè)22a的dVf/dt設(shè)為O以避免dVr/dt-dVf/dt過大，因此dVr/dt-dVf/dt也不容易超過電弧放電檢測值。由此，在反射波電壓Vr不變動(dòng)時(shí)、在只不過產(chǎn)生了噪聲級(jí)別的微小的峰值時(shí)、或者在通過匹配電路16取得行波電壓Vf與反射波電壓Vr的阻抗匹配之前反射波電壓Vr只不過產(chǎn)生了微小的峰值時(shí)，即使執(zhí)行使高頻電力減小的等離子體處理的制程而行波電壓Vf降低，也能夠抑制錯(cuò)誤地判斷為產(chǎn)生了由電弧放電的產(chǎn)生引起的反射波電壓Vr的峰值，由此，能夠正確地檢測電弧放電的產(chǎn)生。
[0052]另外，通過正確地檢測電弧放電的產(chǎn)生，能夠抑制不必要地停止高頻電力的提供，由此能夠在處理空間S中穩(wěn)定地維持等離子體。
[0053]以上，用實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。
[0054]在上述實(shí)施方式中，在比較器22中，將從反射波電壓Vr的時(shí)間微分值減去行波電壓Vf的時(shí)間微分值得到的差分直接用作評(píng)價(jià)值來判斷是否產(chǎn)生了電弧放電，但是也可以使用利用上述差分計(jì)算出的其它評(píng)價(jià)值、例如變換為以階梯函數(shù)的方式變化的值的評(píng)價(jià)值、僅提取上述差分的絕對(duì)值而得到的評(píng)價(jià)值來判斷是否產(chǎn)生電弧放電。
[0055]在上述等離子體處理裝置10中，作為將dVf/dt設(shè)為O的單元使用了二極管25，但是也可以代替二極管25，在第一微分電路21與比較器22的負(fù)輸入側(cè)22a之間配置以下電路:該電路在dVf/dt為正或者O的情況下輸出該dVf/dt，在dVf/dt為負(fù)值的情況下輸出O0
[0056]另外，在上述等離子體處理裝置10中，在行波電壓Vf降低而dVf/dt為負(fù)值的情況下，將dVf/dt設(shè)為0，但是不一定必須將dVf/dt設(shè)為0，例如也可以僅減小dVf/dt的絕對(duì)值。
[0057]圖3是概要地表示圖1的等離子體處理裝置的第一變形例的結(jié)構(gòu)的圖。
[0058]在圖3中，等離子體處理裝置26具備微分值減小電路27以代替二極管25，該微分值減小電路27配置在第一微分電路21與比較器22的負(fù)輸入側(cè)22a之間。
[0059]微分值減小電路27在通過第一微分電路21得到的dVf/dt為正或O的情況下，直接輸出dVf/dt，在dVf/dt為負(fù)值的情況下，減小dVf/dt的絕對(duì)值后輸出。
[0060]圖4是用于說明通過圖3的等離子體處理裝置執(zhí)行的行波電壓的時(shí)間微分值的變更處理的圖。
[0061]在圖4中，示出反射波電壓Vr產(chǎn)生不是由電弧放電引起的微小的峰值、但是行波電壓Vf降低的情況。圖中的dVf/dt如虛線所示那樣一部分突出，但是在等離子體處理裝置26中，通過第一微分電路21得到的dVf/dt的絕對(duì)值通過微分值減小電路27而減小，使得dVf/dt的突出量減小。由此，本來如圖中的虛線所示那樣變化而超過電弧放電檢測值的dVr/dt-dVf/dt如實(shí)線所示那樣偏移(參照?qǐng)D中的箭頭)，從而不會(huì)超過電弧放電檢測值。由此，能夠抑制錯(cuò)誤地判斷為在處理空間S中產(chǎn)生了電弧放電。
[0062]并且，在行波電壓Vf降低而dVf/dt為負(fù)值的情況下，也可以不變更dVf/dt而變更 dVr/dt。
[0063]圖5是概要地表示圖1的等離子體處理裝置的第二變形例的結(jié)構(gòu)的圖。
[0064]在圖5中，等離子體處理裝置28具備微分值檢測電路29和微分值減小電路30以代替二極管25，該微分值檢測電路29配置在第一微分電路21與比較器22的負(fù)輸入側(cè)22a之間，該微分值減小電路30與該微分值檢測電路29相連接，且配置在第二微分電路23與比較器22的正輸入側(cè)22b之間。
[0065]微分值檢測電路29當(dāng)檢測出通過第一微分電路21得到的dVf/dt為負(fù)值時(shí)，向微分值減小電路30發(fā)送信號(hào)，接收到該信號(hào)的微分值減小電路30將通過第二微分電路23得到的dVr/dt減小后輸出。
[0066]圖6是用于說明通過圖5的等離子體處理裝置執(zhí)行的反射波電壓的時(shí)間微分值的變更處理的圖。
[0067]在圖6中，示出反射波電壓Vr產(chǎn)生不是由電弧放電引起的微小的峰值、但是行波電壓Vf降低的情況。圖中的dVr/dt如虛線所示那樣上下變動(dòng)，但是在等離子體處理裝置28中，通過第二微分電路23得到的dVr/dt通過微分值減小電路30而減小,使得dVr/dt的變動(dòng)量減小。由此,本來如圖中的虛線所示那樣變化而超過電弧放電檢測值的dVr/dt-dVf/dt如實(shí)線所示那樣變動(dòng)量減小，從而不會(huì)超過電弧放電檢測值。由此，能夠抑制錯(cuò)誤地判斷為在處理空間S中產(chǎn)生了電弧放電。
[0068]此外，如果是使用高頻電力產(chǎn)生等離子體的等離子體處理裝置，則能夠應(yīng)用本發(fā)明。例如，本發(fā)明不僅能夠應(yīng)用于圖1示出的具備平行平板型(CCP型)的腔室11的等離子體處理裝置10，還能夠應(yīng)用于具備ICP型的腔室的等離子體處理裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理裝置，具備被提供高頻電力的處理室，使上述處理室內(nèi)產(chǎn)生等離子體而使用該等離子體對(duì)被處理體實(shí)施處理，該等離子體處理裝置的特征在于，還具備: 第一時(shí)間微分部，其對(duì)施加給上述處理室的高頻電力的行波電壓進(jìn)行時(shí)間微分； 第二時(shí)間微分部，其對(duì)從上述處理室返回的高頻電力的反射波電壓進(jìn)行時(shí)間微分； 判斷部，其計(jì)算與上述反射波電壓的時(shí)間微分值和上述行波電壓的時(shí)間微分值的差分對(duì)應(yīng)的值，在計(jì)算出的該與差分對(duì)應(yīng)的值超過規(guī)定的閾值的情況下，判斷為在上述處理室內(nèi)產(chǎn)生了電弧放電；以及 微分值變更部，其在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，至少變更上述反射波電壓的時(shí)間微分值和上述行波電壓的時(shí)間微分值中的某一個(gè)，使得上述與差分對(duì)應(yīng)的值變得小于規(guī)定的閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述判斷部具有被輸入上述行波電壓的時(shí)間微分值的第一輸入部以及被輸入上述反射波電壓的時(shí)間微分值的第二輸入部， 上述微分值變更部至少與第一輸入部和第二輸入部中的某一個(gè)相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述與差分對(duì)應(yīng)的值是從上述反射波電壓的時(shí)間微分值減去上述行波電壓的時(shí)間微分值所得的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，上述微分值變更部將上述行波電壓的時(shí)間微分值設(shè)為O。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 上述微分值變更部包括二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，上述微分值變更部減小上述行波電壓的時(shí)間微分值的絕對(duì)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在上述行波電壓的時(shí)間微分值為負(fù)值的情況下，上述微分值變更部減小上述反射波電壓的時(shí)間微分值。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK104008944SQ201410069006
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月27日
【發(fā)明者】古屋敦城, 樋川和志 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社