專利名稱：新型等離子體刻蝕機(jī)及其進(jìn)氣機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及等離子體刻蝕機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種新型等離子體刻蝕機(jī)及其進(jìn)氣機(jī)構(gòu)。
背景技術(shù)：
等離子體刻蝕機(jī)使用射頻將反應(yīng)氣體CF4和O2轉(zhuǎn)化成等離子體，用離子轟擊硅片邊緣達(dá)到邊緣刻蝕的目的。但現(xiàn)有機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)會(huì)造成部分CF4和O2未離化或離化后被直接抽走，導(dǎo)致硅片邊緣刻蝕不充分，電性能Rsh偏低，硅片漏電現(xiàn)象嚴(yán)重。如圖1所示，三孔式進(jìn)氣孔I設(shè)置在排氣端3與射頻電極板2之間的等離子體區(qū)中間部位，氣體與射頻電極板2未充分反應(yīng)，就快速被排氣端3抽出腔外，這種結(jié)構(gòu)反應(yīng)氣體不能充分電離，等離子體與硅片反應(yīng)不充分，等離子體被氣體阻隔，不能與硅片接觸，硅片刻蝕效率低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供了一種新型等離子體刻蝕機(jī)及其進(jìn)氣機(jī)構(gòu)。本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。一種新型等離子體刻蝕機(jī)，包括等離子體區(qū)、與等離子體區(qū)連通的排氣端和進(jìn)氣機(jī)構(gòu)、以及設(shè)置在等離子體區(qū)并遠(yuǎn)離排氣端的射頻電極板，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)設(shè)置在射頻電極板附近。優(yōu)選地，所述進(jìn)氣 機(jī)構(gòu)包括若干細(xì)密進(jìn)氣孔，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔均勻分布于射頻電極板附近。優(yōu)選地，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔為噴淋式小孔結(jié)構(gòu)。一種用于上述新型等離子體刻蝕機(jī)的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，包括若干細(xì)密進(jìn)氣孔，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔均勻排布。優(yōu)選地，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔為噴淋式小孔結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型提供的新型等離子體刻蝕機(jī)及其進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，采用噴淋式小孔結(jié)構(gòu)，且均勻分布在射頻電極板附近，使CF4和O2的混合氣體分散在射頻電極板形成的射頻區(qū)域，充分離化，產(chǎn)生能量粒子。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)特點(diǎn):1、提聞了娃片刻蝕質(zhì)量；2、增加了電性能Rsh，減少邊緣漏電失效；3、提高了化學(xué)品的利用率，使通入的氣體充分電離并獲得足夠的能量。

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:圖1為現(xiàn)有技術(shù)中三孔式進(jìn)氣孔等離子體刻蝕機(jī)機(jī)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖中:1為進(jìn)氣孔，2為射頻電極板，3為排氣端，4為進(jìn)氣機(jī)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本實(shí)用新型，但不以任何形式限制本實(shí)用新型。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。如圖2所示，本實(shí)施例提供了一種新型等離子體刻蝕機(jī)，包括等離子體區(qū)、與等離子體區(qū)連通的排氣端3和進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4、以及設(shè)置在等離子區(qū)并遠(yuǎn)離排氣端3的射頻電極板2，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4設(shè)置在射頻電極板2附近。進(jìn)一步地，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)4包括若干細(xì)密進(jìn)氣孔，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔均勻分布于射頻電極板2附近。進(jìn)一步地，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔為噴淋式小孔結(jié)構(gòu)。用于本實(shí)施例提供的新型等離子體刻蝕機(jī)的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，包括若干細(xì)密進(jìn)氣孔，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔均勻排布。進(jìn)一步地，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔為噴淋式小孔結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)采用噴淋式小孔結(jié)構(gòu)，且均勻分布在射頻電極板附近，其氣體運(yùn)送方式?jīng)]有改變，通過(guò)本實(shí)施例的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，使CF4和O2的混合氣體分散在射頻電極板形成的射頻區(qū)域，充分離化，產(chǎn)生能量粒子。以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實(shí)用新型并不局限于上述特定實(shí)施方 式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求1.一種新型等離子體刻蝕機(jī)，包括等離子體區(qū)、與等離子體區(qū)連通的排氣端和進(jìn)氣機(jī)構(gòu)、以及設(shè)置在等離子體區(qū)并遠(yuǎn)離排氣端的射頻電極板，其特征在于，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)設(shè)置在射頻電極板附近。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型等離子體刻蝕機(jī)，其特征在于，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括若干細(xì)密進(jìn)氣孔，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔均勻分布于射頻電極板附近。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型等離子體刻蝕機(jī)，其特征在于，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔為噴淋式小孔結(jié)構(gòu)。
4.一種用于權(quán)利要求1所述的新型等離子體刻蝕機(jī)的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括若干細(xì)密進(jìn)氣孔，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔均勻排布。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于權(quán)利要求1所述的新型等離子體刻蝕機(jī)的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，其特征在于， 所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔為噴淋式小孔結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種新型等離子體刻蝕機(jī)及其進(jìn)氣機(jī)構(gòu)，包括等離子體區(qū)、與等離子體區(qū)連通的排氣端和進(jìn)氣機(jī)構(gòu)、以及設(shè)置在等離子區(qū)并遠(yuǎn)離排氣端的射頻電極板，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)設(shè)置在射頻電極板附近。所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括若干細(xì)密進(jìn)氣孔，所述若干細(xì)密進(jìn)氣孔均勻分布于射頻電極板附近。本實(shí)用新型提高了硅片刻蝕質(zhì)量；增加了電性能Rsh，減少邊緣漏電失效；提高了化學(xué)品的利用率，使通入的氣體充分電離并獲得足夠的能量。
文檔編號(hào)H01J37/32GK203085499SQ20132008855
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月27日
發(fā)明者戴熙明, 孟利萍 申請(qǐng)人:上海艾力克新能源有限公司