技術(shù)編號：2924490
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及等離子體刻蝕機，具體是一種新型等離子體刻蝕機及其進氣機構(gòu)。背景技術(shù)等離子體刻蝕機使用射頻將反應(yīng)氣體CF4和O2轉(zhuǎn)化成等離子體，用離子轟擊硅片邊緣達到邊緣刻蝕的目的。但現(xiàn)有機臺結(jié)構(gòu)會造成部分CF4和O2未離化或離化后被直接抽走，導(dǎo)致硅片邊緣刻蝕不充分，電性能Rsh偏低，硅片漏電現(xiàn)象嚴(yán)重。如圖1所示，三孔式進氣孔I設(shè)置在排氣端3與射頻電極板2之間的等離子體區(qū)中間部位，氣體與射頻電極板2未充分反應(yīng)，就快速被排氣端3抽出腔外，這種結(jié)構(gòu)反應(yīng)氣體不能充分...
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