專利名稱：等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板的放電穩(wěn)定化，特別涉及觸發(fā)粒子(priming particle)釋方文。
背景技術(shù)：
放電的穩(wěn)定化是等離子體顯示面板中的重要技術(shù)。為了實(shí)現(xiàn)該放電的穩(wěn)定化，必須使用在低電壓開始放電并供給豐富的觸發(fā)粒子的構(gòu)造·材料。作為該構(gòu)造·材料，提出在與放電相接觸的表面上形成氧化鎂的蒸鍍膜的方法，并使用氧化鎂晶體作為觸發(fā)供給材料。特別是在使用氧化鎂晶體作為觸發(fā)供給材料的技術(shù)中，氧化鎂晶體必須維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間(至少1幀的顯示期間，即16. 6msec以上)釋放觸發(fā)粒子(電子)。日本特開2006-147417號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中公開了設(shè)置包含晶體粉末的結(jié)晶氧化鎂層的方法，其中，該進(jìn)行陰極射線致發(fā)光的氧化鎂晶體粉末的粒度分布為粉末中粒徑在規(guī)定值以上的晶體的所占比例為規(guī)定值以上。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-147417號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
通過仔細(xì)研究使觸發(fā)粒子維持16.6msec以上的時(shí)間的結(jié)晶參數(shù)，發(fā)現(xiàn)了觸發(fā)粒子釋放時(shí)間與粒子的平均粒徑之間有很強(qiáng)的關(guān)系。并且發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過減少氧化鎂蒸鍍膜(保護(hù)膜層)和該保護(hù)膜層上涂敷的作為放電穩(wěn)定化材料粒子的氧化鎂中的雜質(zhì)即鋁等的含量，能夠顯著地增加觸發(fā)粒子的釋放持續(xù)時(shí)間。本發(fā)明的目的是提供如下技術(shù)，即，利用上述特性，通過增大氧化鎂的粒徑并調(diào)整該氧化鎂內(nèi)的雜質(zhì)的殘留量，從而使得等離子體顯示面板的放電穩(wěn)定化。本發(fā)明的上述和其它的目的以及新的特征，能夠通過本說明書的記載和附圖來加以明確。以下對(duì)本申請(qǐng)中公開的發(fā)明中具有代表性的方式的概要進(jìn)行簡(jiǎn)單說明。本發(fā)明的代表性的實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的特征在于，包含玻璃基板模塊，該玻璃基板模塊包括玻璃基板、與該玻璃基板接觸的電介質(zhì)層、和保護(hù)該電介質(zhì)層的保護(hù)膜層，作為涂敷于保護(hù)膜層上的放電穩(wěn)定化材料粒子，使用BET比表面積為3m2/mg以下的氧化鎂。本發(fā)明的代表性的實(shí)施方式中的另一等離子體顯示面板的特征在于，包含玻璃基板模塊，該玻璃基板模塊包括玻璃基板、與該玻璃基板接觸的電介質(zhì)層、和保護(hù)該電介質(zhì)層的保護(hù)膜層，作為涂敷于保護(hù)膜層上的放電穩(wěn)定化材料粒子，使用雜質(zhì)含量為20ppm以下的氧化鎂。該氧化鎂的雜質(zhì)為鋁、鐵、鎳、錳、鉻，該特性也可作為一項(xiàng)特征。本發(fā) 明的代表性的實(shí)施方式中的等離子體顯示面板的特征在于，包含玻璃基板模塊，該玻璃基板模塊包括玻璃基板、與該玻璃基板接觸的電介質(zhì)層、和保護(hù)該電介質(zhì)層的保護(hù)膜層，作為涂敷于保護(hù)膜層上的放電穩(wěn)定化材料粒子，使用包含由鋁、鐵、鎳、錳、鉻的全部或者一部分混合而成的雜質(zhì)的氧化鎂，上述氧化鎂中鋁、鐵、鎳、錳、鉻的各自的含量為 20ppm以下。這些等離子體顯示面板的特征亦可有，作為保護(hù)膜層的材料，使用氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇或它們的復(fù)合氧化物。以下對(duì)根據(jù)本申請(qǐng)中公開的發(fā)明中具有代表性的方式而得的效果進(jìn)行簡(jiǎn)單說明。本發(fā)明的代表性的實(shí)施方式中的等離子體顯示面板中，將大粒徑且雜質(zhì)稀少的氧化鎂單晶體粒子作為觸發(fā)供給材料，將其作為放電穩(wěn)定化材料粒子使用，由此，可獲得持續(xù) 1幀以上長(zhǎng)時(shí)間的良好的觸發(fā)效果。


圖1是表示在第1實(shí)施方式中假定的等離子體顯示面板的正面玻璃基板側(cè)模塊的結(jié)構(gòu)的立體截面圖。圖2是使用了圖1的正面玻璃基板側(cè)模塊的等離子體顯示面板100的截面立體圖。圖3是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鋁的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。圖4是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鐵的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。圖5是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鎳的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。圖6是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的錳的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。圖7是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鉻的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。圖8是表示第2實(shí)施方式中使用的兩種不同粒度的氧化鎂粉體的粒度分布的圖表。圖9是表示將第2實(shí)施方式中使用的兩種不同粒度的氧化鎂粉體作為放電穩(wěn)定化材料粒子以一定量散布在保護(hù)膜表面的狀態(tài)下，休止時(shí)間與放電延遲的關(guān)系的圖表。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。(第1實(shí)施方式)圖1是表示在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中假定的等離子體顯示面板的正面玻璃基板側(cè)模塊10的結(jié)構(gòu)的立體截面圖。而圖2是使用該正面玻璃基板側(cè)模塊10的等離子體顯示面板100的截面立體圖。該正面玻璃基板側(cè)模塊10包含正面玻璃基板1、電介質(zhì)層2、保護(hù)膜層3、放電穩(wěn)定化材料粒子4、X電極5、Y電極6構(gòu)成。正面玻璃基板1用于在與本圖中未圖示的背面玻璃基板(圖2中的背面玻璃基板21)之間密封等離子體顯示面板的構(gòu)成要素。 電介質(zhì)層2為覆于正面玻璃基板1上的透明的電介質(zhì)的層。通過構(gòu)成X電極5和 Y電極6之后再形成20微米厚的低熔點(diǎn)玻璃層而構(gòu)成。保護(hù)膜層3是防止因放電現(xiàn)象使電介質(zhì)層2受到傷害的絕緣保護(hù)膜。通過真空蒸鍍法形成1微米厚的保護(hù)膜材料層(氧化鎂、氧化鍶、氧化鈣、氧化鋇等)而制成。放電穩(wěn)定化材料粒子4供給觸發(fā)粒子，進(jìn)行發(fā)光。通過在保護(hù)膜層3形成后將作為放電穩(wěn)定化材料的氧化鎂粉末散布于保護(hù)膜上而構(gòu)成。X電極5與Y電極6是透明的電極，其作用是當(dāng)設(shè)置于圖1中未圖示的背面玻璃基板上的尋址電極(圖2中的尋址電極27)進(jìn)行預(yù)備放電后，通過在X電極5與Y電極6 之間施加電壓，使得封入正面玻璃基板1和背面玻璃基板之間的氙等稀有氣體發(fā)生等離子體放電。這些各電極由透明電極14和總線電極(BUS電極)15構(gòu)成。等離子體產(chǎn)生的放電使熒光體(紅色熒光體24、綠色熒光體25、藍(lán)色熒光體26的任一個(gè))激勵(lì)·發(fā)光。這些X電極5與Y電極6，在正面玻璃基板1由ΙΤ0、Cr/Cu/Cr形成。使用了該正面玻璃基板側(cè)模塊10的等離子體顯示面板100，由上述正面玻璃基板側(cè)模塊10與背面玻璃基板側(cè)模塊20構(gòu)成。背面玻璃基板側(cè)模塊20由背面玻璃基板21、基底層22、肋23、紅色熒光體24、綠色熒光體25、藍(lán)色熒光體26以及尋址電極27構(gòu)成。背面玻璃基底層21用于在與正面玻璃基板1之間密封等離子體顯示面板的構(gòu)成要素?；讓?2是用于在肋23的結(jié)構(gòu)等中保護(hù)尋址電極27的電介質(zhì)層。肋23是用于使等離子體放電以單元(cell)單位獨(dú)立的間隔壁。在由其與正面玻璃基板側(cè)模塊10、背面玻璃基板21所劃分的空間(放電空間)中，填充入放電氣體。紅色熒光體24是熒光體，會(huì)因向X電極5、Y電極6以及尋址電極27施加電壓產(chǎn)生的等離子體而激發(fā)，發(fā)出紅色光。主要使用釔系化合物。綠色熒光體25是在等離子體的紫外線激勵(lì)下發(fā)出綠光的熒光體。作為綠色熒光體25主要使用綠色硅酸鹽系的熒光體。藍(lán)色熒光體26是在等離子體的紫外線激勵(lì)下發(fā)出藍(lán)光的熒光體。作為藍(lán)色熒光體26主要使用藍(lán)色鋁酸鹽系的熒光體。尋址電極27是進(jìn)行用于等離子體放電的預(yù)備放電的電極。組合這些正面玻璃基板側(cè)模塊10和背面玻璃基板側(cè)模塊20，使用低熔點(diǎn)玻璃將周邊密封。密封后，將面板內(nèi)部抽真空排氣，進(jìn)行升溫脫氣處理。之后在面板內(nèi)部封入放電氣體(氙10% +氖90% )。以上對(duì)等離子體顯示面板的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，在本說明書中列舉的各種數(shù)據(jù)也是基于如圖1和圖2所示的等離子體顯示面板的基本結(jié)構(gòu)測(cè)量而得的。本實(shí)施方式中， 對(duì)放電穩(wěn)定化粒子4進(jìn)行說明。圖3是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鋁的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。圖的橫軸表示氧化鎂粉末中的鋁雜質(zhì)含量。其單位為PPM。另一方面，縱軸表示穩(wěn)定(static)放電的延遲，單位是μ (微)sec。從圖中即可知，當(dāng)休止時(shí)間(維持時(shí)間)為50msec時(shí)，放電延遲的濃度依賴性較小。而相對(duì)地，當(dāng)休止時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)，由于放電氣體中的觸發(fā)粒子濃度會(huì)降低，鋁濃度較小時(shí) (=雜質(zhì)較少)觸發(fā)粒子供給的持續(xù)時(shí)間顯著地變長(zhǎng)。該驟變發(fā)生在鋁含量為20ppm時(shí)。圖4是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鐵的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。同樣，該圖的橫軸表示氧化鎂粉末中的鐵雜質(zhì)的含量(ppm)，縱軸表示穩(wěn)定(static )放電的延遲(μ sec) ο可知，當(dāng)雜質(zhì)為鐵時(shí)，同樣地，休止時(shí)間越長(zhǎng)，雜質(zhì)對(duì)放電延遲的影響越大，而且當(dāng)含量超過20ppm時(shí)對(duì)放電延遲的影響會(huì)變大。圖5是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鎳的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。圖6 是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的錳的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。當(dāng)雜質(zhì)為鎳或錳時(shí)，雖然斜率的變化較緩，但仍可看出在含量為20ppm時(shí)放電延遲的變化。因此，氧化鎂粉末中這些雜質(zhì)的含量均優(yōu)選為20ppm以下。另一方面，圖7是表示氧化鎂粉末內(nèi)的雜質(zhì)之一的鉻的濃度與放電延遲的關(guān)系的圖表。在鉻的情況下，圖的斜率在含量40ppm之前的測(cè)量點(diǎn)上發(fā)生變化。但是，作為等離子體顯示面板的放電延遲，實(shí)用上重要的數(shù)據(jù)是1 μ sec。該1 μ sec以下的區(qū)域意味著，與前述的其他雜質(zhì)同樣，鉻的含量?jī)?yōu)選在20ppm以下。在實(shí)際上使用氧化鎂粉末時(shí)，可知它們會(huì)因制造、流通的過程而作為雜質(zhì)存在，但即使混合有這些雜質(zhì)，只要各自為20ppm以下就沒有問題。如上所述，通過使作為放電穩(wěn)定化材料粒子4的氧化鎂粉末內(nèi)的每種雜質(zhì)濃度都為20ppm以下，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制放電延遲的目的。(第2實(shí)施方式)接著，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。本實(shí)施方式中，將討論粒度的不同引起的放電延遲的不同。圖8是表示本實(shí)施方式中使用的“粒度小”、“粒度大”這兩種不同粒度的氧化鎂粉末的粒度分布的圖表。而圖9是表示將這些粉末作為放電穩(wěn)定化材料粒子4以一定量散布在保護(hù)膜層表面的狀態(tài)下，休止時(shí)間與放電延遲的關(guān)系的圖表。在本圖中“小粒度”測(cè)量時(shí)使用的氧化鎂粉體為宇部材料公司生產(chǎn)的氣相合成 MgO(粒徑2000A品種)。該制品有以下性質(zhì)。BET比表面積8平方米/gBET 粒徑2793 埃算術(shù)平均徑0.9254 ( μ m)算術(shù)標(biāo)準(zhǔn)差0·9790 ( μ m)眾數(shù)徑0·6267(μπι)幾何平均徑0·732I ( μ m)同時(shí)，在“粒度大”測(cè)量時(shí)使用的氧化鎂粉體是將上述“粒度小”的制品通過固相合成增大粒徑所得的。具有以下性質(zhì)。BET比表面積2· 4平方米/gBET 粒徑8950 埃算術(shù)平均徑1.4202 ( μ m)算術(shù)標(biāo)準(zhǔn)差0·8222 ( μ m)
眾數(shù)徑1.O812 (μ m)幾何平均徑1.2587 ( μ m)另外，在實(shí)際上不可能使每個(gè)粉體準(zhǔn)確地一致，因此實(shí)際上存在偏差。該偏差如圖 8所示。接下來，基于圖9對(duì)將這兩種氧化鎂粉體涂敷于保護(hù)膜表面時(shí)的放電延遲的維持時(shí)間進(jìn)行說明。圖9的橫軸表示再放電之前的休止時(shí)間。另一方面縱軸表示施加電壓脈沖后放電成功的累積概率成為90%的90%成功放電延遲。橫軸與縱軸的單位都是μ sec。不管粒子的粒徑如何，再放電之前的休止時(shí)間越長(zhǎng)，放電的延遲越大。這是因?yàn)椋?由于休止期間變長(zhǎng)，放電空間內(nèi)的觸發(fā)粒子的量會(huì)減少。在使用“粒度小”的粉體作為放電穩(wěn)定化材料粒子4的情況下，在休止時(shí)間Imsec 以上時(shí)放電延遲顯著地增大。而另一方面，在使用“粒度大”的粉體作為放電穩(wěn)定化材料粒子4的情況下，直到休止時(shí)間100msec (100000 μ sec)以上，放電延遲時(shí)間都能維持在 1 μ sec。由此可知，通過使用粒度較大的氧化鎂粉體作為放電穩(wěn)定化材料粒子4，能夠使充足的觸發(fā)粒子長(zhǎng)時(shí)間地在放電空間中滯留。以上基于實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明者的發(fā)明進(jìn)行了具體的說明，但本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，可以在不脫離本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種更改。例如，本說明書中所述的等離子體顯示面板可以不以原本的形態(tài)提供給終端用戶，而在實(shí)際上與高壓電路、控制電路、框體等組合后，以商品的形式流通。使用本發(fā)明的等離子體顯示面板的商品也包含在本說明書的范圍內(nèi)。如上所述，本發(fā)明假定使用在等離子體顯示面板中。不過，對(duì)于使用等離子放電引起的熒光體發(fā)光這一相同技術(shù)的等離子顯示管(PDT)、和其制品都可適用本發(fā)明。此外，在正面玻璃基板側(cè)模塊的正面玻璃基板的保護(hù)膜上涂敷放電穩(wěn)定化材料粒子是當(dāng)前普遍的做法。不過，只要通過X電極和Y電極(它們亦可不在正面玻璃基板側(cè)模塊上)的通電來進(jìn)行觸發(fā)粒子的供給即可，即使是放電穩(wěn)定化材料粒子涂敷于背面玻璃基板側(cè)模塊的情況下也能夠適用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包含玻璃基板模塊，該玻璃基板模塊包括玻璃基板、與所述玻璃基板接觸的電介質(zhì)層、和保護(hù)所述電介質(zhì)層的保護(hù)膜層，該等離子體顯示面板的特征在于作為涂敷于所述保護(hù)膜層上的放電穩(wěn)定化材料粒子，使用金屬雜質(zhì)含有率為20ppm以下的氧化鎂。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述金屬雜質(zhì)為鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述金屬雜質(zhì)為鐵。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述金屬雜質(zhì)為鎳。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述金屬雜質(zhì)為錳。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述金屬雜質(zhì)為鉻。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述金屬雜質(zhì)為鋁，所述鋁的含有率P為O < P < 20ppm。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述金屬雜質(zhì)為鉻，所述鉻的含有率P為O < P < IOppm0
9.一種等離子體顯示面板，包含玻璃基板模塊，該玻璃基板模塊包括玻璃基板、與所述玻璃基板接觸的電介質(zhì)層、和保護(hù)所述電介質(zhì)層的保護(hù)膜層，該等離子體顯示面板的特征在于作為涂敷于所述保護(hù)膜層上的放電穩(wěn)定化材料粒子，使用包含金屬雜質(zhì)的氧化鎂，所述金屬雜質(zhì)混合有鋁、鐵、鎳、錳、鉻的全部或者一部分，所述氧化鎂中所述鋁、所述鐵、所述鎳、所述錳、所述鉻的各自的含有率為20ppm以下。
全文摘要
本發(fā)明提供等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置。通過增大氧化鎂的粒徑并調(diào)整該氧化鎂內(nèi)的雜質(zhì)殘留量，從而使等離子體顯示面板的放電穩(wěn)定化。即，著眼于涂敷在保護(hù)電極的保護(hù)層上、并向放電區(qū)間供給豐富的觸發(fā)粒子的放電穩(wěn)定化材料粒子。通過使作為放電穩(wěn)定化材料使用的氧化鎂內(nèi)的雜質(zhì)均為20ppm以下來抑制放電延遲。
文檔編號(hào)H01J17/49GK102324361SQ20111026019
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2008年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者三澤智也, 井上一, 別井圭一, 小坂忠義, 瀬尾欣穗, 福田晉也, 長(zhǎng)谷川實(shí) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所