專利名稱：發(fā)光二極管光源裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種照明裝置，尤其是一種發(fā)光二極管光源裝置。
背景技術：
發(fā)光二極管是一種節(jié)能、環(huán)保、長壽命的固體光源，因此近十幾年來對發(fā)光二極管技術的研究一直非?；钴S，發(fā)光二極管也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統(tǒng)光源的趨勢。在現有技術中，發(fā)光二極管光源裝置一般是將發(fā)光二極管設置在電路板上，然后利用參雜熒光粉的封裝膠體封裝該發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管發(fā)出的光激發(fā)熒光粉射出到光源外部。但是，由于封裝后的熒光粉層位置是固定不變的，所以發(fā)光二極管光源發(fā)出的光的色溫也是固定不變的，無法進行調整，不能夠滿足實際需要
發(fā)明內容
有鑒于此，有必要提供一種熒光粉層可調式發(fā)光二極管光源裝置。一種發(fā)光二極管光源裝置，其包括基板、設置在基板上的反射杯及容置在反射杯中并設置在基板上的至少一個發(fā)光二極管芯片。所述反射杯內表面分別開設有多組滑槽。所述發(fā)光二極管光源裝置還包括一熒光層，所述熒光層選擇性插設在多組滑槽中的一組并遮擋在發(fā)光二極管芯片的出光方向，以改變突光層相對于發(fā)光二極管芯片的距離而改變出光色溫。上述的發(fā)光二極管光源裝置在容置杯的內表面上開設多組滑槽，通過將熒光層插入到不同的滑槽，來改變熒光層與發(fā)光二極管芯片之間的距離，進而改變熒光層內的熒光粉被激發(fā)的效率，實現對發(fā)光二極管光源的出光色溫的調整。


圖I為本發(fā)明實施方式中熒光層插入到發(fā)光二極管光源裝置過程中的整體結構示意圖。圖2為沿圖I中所示的發(fā)光二極管光源裝置的II-II方向的剖面圖。圖3為沿圖I中所示的發(fā)光二極管光源裝置的III-III方向的剖面圖。主要元件符號說明
1 二極管光源裝置 110
基板_100
反射杯_200
發(fā)光二極管芯片M
喪光層
封裝體—500
電極—Ho
前壁^
后壁—
側壁
插口丨211B—滑槽|231
第二滑槽—
B三滑槽丨233
如下具體實施方式
將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式下面將結合附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細說明。請參閱圖I、圖2以及圖3，本發(fā)明一較佳實施方式提供的一種發(fā)光二極管光源裝置10包括基板100、設置在基板100上的反射杯200、容置在反射杯200中并設置在基板100上的多個發(fā)光二極管芯片300以及熒光層400。
所述基板100的材料為藍寶石、碳化硅、硅等材料構成，其上形成有電極110。所述反射杯200設置于基板100上，其用于設定發(fā)光二極管光源裝置10的光場。反射杯200包括前壁210、后壁220以及兩個連接前壁210和后壁220的側壁230。前壁
210、后壁220以及二側壁230共同圍成一容置杯。前壁210、后壁220以及側壁230的內表面分別為一傾斜面，該傾斜面自基板100向上向外傾斜，即這些傾斜面沿遠離基板100方向上延伸傾斜，使反射杯200的內部形成一漏斗形狀，并且前壁210、后壁220以及側壁230的內表面還分別涂敷有反光材料。其中，在兩個側壁230的內表面上沿平行基板100方向分別對應開設有一對第一滑槽231、一對第二滑槽232以及一對第三滑槽233，該第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233距離基板100的距離越來越遠，并且貫通側壁230的兩端。反射杯200的前壁210上分別開設有對應第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233 的插口 211。能夠想到的是，滑槽的數量并不限定于本實施方式中的三對滑槽，可以根據實際需要確定滑槽的數量。所述多個發(fā)光二極管芯片300設置在基板100上，并且與基板100上的電極110連接。該多個發(fā)光二極管芯片300上面還包覆一層封裝體500，所述封裝體500為一封膠樹月旨，用于保護發(fā)光二極管芯片300免受灰塵、水氣等影響。能夠想到的是，所述發(fā)光二極管芯片300的數量也可以為一個。所述熒光層400為一板狀結構，其由反射杯200的前壁210上的插口 211能夠選擇性的分別插設在第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233中，從而遮擋在發(fā)光二極管芯片300的出光光路上。發(fā)光二極管芯片300發(fā)出的光經過熒光層400，激發(fā)其中的熒光粉后射出。熒光層400是由參雜有熒光粉的封膠樹脂制成，所述熒光粉可選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石及硅酸鹽中的一種或幾種的組合。當然，能夠想到的是，所述熒光層400的數量可以為多個，該多個熒光層400可選擇性的分別插設在不同的滑槽中，從而增加出光色溫的可選擇性和多樣性。在使用時，當熒光層400分別插入到第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233中時，其相對于發(fā)光二極管芯片300的距離不同，所受到的光的強度不同，從而熒光層400內的熒光粉的被激發(fā)效率也是不同，進而使得從熒光層400射出的光線的色溫不同。當熒光層400距離發(fā)光二極管芯片300越近，照射到熒光層400上的光的強度越強，熒光層400內的熒光粉的被激發(fā)效率也就越高，反之，當熒光層400距離發(fā)光二極管芯片300越遠，照射到熒光層400上的光的強度越弱，熒光層400內的熒光粉的被激發(fā)效率也就越低。例如，請再次參閱2，當熒光層400插入到第一滑槽231時，其相對于基板100表面的高度為Hl，發(fā)光二極管芯片300照射到熒光層400的面積為SI，當熒光層400插入到第二滑槽232時，其相對于基板100表面的高度為H2，發(fā)光二極管芯片300照射到熒光層400的面積為S2。由于突光層400插入到第一滑槽231時距離發(fā)光二極管芯片300的高度Hl小于突光層400插入到第二滑槽232時距離發(fā)光二極管芯片300的高度H2，所以熒光層400所受到的光照強度不同，因而其內的熒光粉的被激發(fā)效率也就不同，從而導致最后的出光色溫不同。因此通過將熒光層400選擇性的插入第一滑槽231、第二滑槽232以及第三滑槽233中，從而調整熒光層400相對于基板100的高度，改變熒光層400所受到的光照強度，即可實現對發(fā)光二極管光源裝置10色溫的調節(jié)。相較于現有技術，本發(fā)明的發(fā)光二極管光源裝置在容置杯的內表面上開設多組滑槽，通過將熒光層插入到不同的滑槽，來改變熒光層與發(fā)光二極管芯片之間的距離，進而改變熒光層內的熒光粉被激發(fā)的效率，實現對發(fā)光二極管光源的出光色溫的調整?？梢岳斫獾氖?，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發(fā)明的技術構思做 出其它各種像應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管光源裝置，其包括基板、設置在基板上的反射杯及容置在反射杯中并設置在基板上的至少一個發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反射杯內表面分別開設有多組滑槽，所述發(fā)光二極管光源裝置還包括一熒光層，所述熒光層選擇性插設在多組滑槽中的一組并遮擋在發(fā)光二極管芯片的出光方向，以改變熒光層相對于發(fā)光二極管芯片的距離而改變出光色溫。
2.如權利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述反射杯包括前壁、后壁及兩個連接前壁和后壁的側壁，所述前壁、后壁及側壁的內表面分別涂敷有反光材料。
3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述前壁、后壁及側壁的內表面分別為一傾斜面，該傾斜面自基板向上向外傾斜。
4.如權利要求2所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述多組滑槽分別對應形成在所述側壁上，所述反射杯的前壁上開設有多個對應所述滑槽的插口，所述熒光層能夠由該多個插口分別插入到多個滑槽中。
5.如權利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述多組滑槽分別平行所述基板并且距離所述基板的距離越來越遠。
6.如權利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片上還包覆一層封裝體，所述封裝體為一封膠樹脂。
7.如權利要求I所述的發(fā)光二極管光源裝置，其特征在于所述熒光層由參雜有熒光粉的封膠樹脂制成，所述熒光粉選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石及硅酸鹽中的一種或幾種的組合。
全文摘要
一種發(fā)光二極管光源裝置，其包括基板、設置在基板上的反射杯及容置在反射杯中并設置在基板上的至少一個發(fā)光二極管芯片。所述反射杯內表面分別開設有多組滑槽。所述發(fā)光二極管光源裝置還包括一熒光層，所述熒光層選擇性插設在多組滑槽中的一組并遮擋在發(fā)光二極管芯片的出光方向，以改變熒光層相對于發(fā)光二極管芯片的距離而改變出光色溫。本發(fā)明的發(fā)光二極管光源裝置在容置杯的內表面上開設多組滑槽，通過將熒光層插入到不同的滑槽，來改變熒光層與發(fā)光二極管芯片之間的距離，進而改變熒光層內的熒光粉被激發(fā)的效率，實現對發(fā)光二極管光源的出光色溫的調整。
文檔編號F21V13/08GK102748595SQ20111009734
公開日2012年10月24日 申請日期2011年4月19日 優(yōu)先權日2011年4月19日
發(fā)明者曾文良, 林新強 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司