專利名稱：等離子體顯示面板的復(fù)合介質(zhì)保護膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氣體放電領(lǐng)域，特別涉及一種等離子體顯示面板復(fù)合介質(zhì)保護膜及其 制備方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器(PDP)是一種利用氣體放電產(chǎn)生紫外線，進而激發(fā)熒光粉發(fā)出可 見光而顯像的一種顯示器。等離子顯示面板是實現(xiàn)放電發(fā)光的主要結(jié)構(gòu)，其由前后兩個基 板組成。在前基板上，設(shè)置有橫向的ITO電極和BUS電極、以及之上的介質(zhì)層和介質(zhì)保護膜； 在后基板上，設(shè)置有縱向的尋址電極和障壁結(jié)構(gòu)。放電發(fā)生在前后基板及障壁所組成的空 間內(nèi)。等離子顯示器的放電性能決定著等離子顯示器的亮度、光效、功耗等指標，而提高放 電性能的主要手段是提高等離子顯示面板介質(zhì)保護膜的性能。當前，等離子體顯示面板介質(zhì)保護膜主要由MgO構(gòu)成，其具有耐濺射性能優(yōu)良、電 阻率高、二次電子發(fā)射系數(shù)高、高可見光透過率等特點。該介質(zhì)保護膜能夠有效保護前基板 的電極和介質(zhì)層、延長等離子顯示器的使用壽命、存儲壁電荷、發(fā)揮內(nèi)存效果、降低電壓、限 制放電電流，從而改善等離子顯示器的放電性能。因此，各大公司將研究重點集中在介質(zhì)保 護膜的改進上，尤其是對其著火電壓和放電延遲性能更是進行了大量的研究。目前，通過對控制MgO薄膜密度、結(jié)晶取向進行研究，得到這樣的結(jié)論高密度、 <111>方向生長的薄膜有利于提高其二次電子發(fā)射系數(shù)和降低著火電壓。但這樣的結(jié)果仍 然不令人滿意，研究者們因此開展了大量基于摻雜技術(shù)的研究。最先進行的是與Mg處于 同一主族的元素摻雜，如摻雜堿土金屬氧化物CaO、SrO, BaO等。研究者發(fā)現(xiàn)這的確能夠降 低PDP的著火電壓，但存在的問題是此類氧化物極不穩(wěn)定，難以在大氣中或溶劑載體內(nèi)存 放，從而帶來較大的工藝困難。為解決這一難題，在大氣中或溶劑載體內(nèi)穩(wěn)定存在的各種物 質(zhì)被摻入 MgO 中，如 Mn02、&02、Ti02、ai0、Al203、Ce02、L￡i203、LiF、MgF2、KCl、CaF2、Si02、C(金 剛石薄膜)等，但收效甚微，沒有達到實用化的程度。另一方面，由于MgO薄膜的固有特性，PDP的放電延遲較長，難以達到高性能化的 要求?；谶@一問題，先鋒公司等開發(fā)出晶體發(fā)射層的立方MgO技術(shù)，使得放電延遲大為縮 短。然而，這一技術(shù)并沒有帶來著火電壓的降低。綜上所述，目前所研究的MgO改進技術(shù)只能帶來著火電壓或者放電延遲單一方面 性能的提升，而不能同時兼顧這兩種性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體顯示面板復(fù)合介質(zhì)保護膜，通過引入高價帶 能級、窄禁帶寬度和高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料，并設(shè)置核殼保護結(jié)構(gòu)，使得能夠降低等離 子體顯示面板的著火電壓和放電延遲，同時保持在空氣中較高的穩(wěn)定性。本發(fā)明一方面提供一種用于等離子體顯示面板的復(fù)合介質(zhì)保護膜，該復(fù)合介質(zhì)保 護膜包含具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒，該晶體顆粒的內(nèi)層核為具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料，外層殼為氧化鎂。根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其中，具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料選自CaO、 SrO, BaO、TiO2, ZnO2, ZrO2, Al2O3> Ce02、MgF2、CaF2, KF、NaF、CsF、KCl.CsI 或它們的組合。根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其中，晶體顆粒的的直徑為10-4000nm，外層殼的 厚度為l_500nm。根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其中，復(fù)合介質(zhì)保護膜為單層結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的單層復(fù)合介質(zhì)保護膜，其中，晶體顆粒在等離子體顯示面板的介質(zhì) 層表面的覆蓋度為100%。根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其中，復(fù)合介質(zhì)保護膜為多層結(jié)構(gòu)，包括晶體顆粒 層和氧化鎂薄膜層。根據(jù)本發(fā)明的多層復(fù)合介質(zhì)保護膜，其中，晶體顆粒在介質(zhì)層表面的投影面積覆 蓋度為3-30%。根據(jù)本發(fā)明的多層復(fù)合介質(zhì)保護膜，其中，晶體顆粒層位于靠近介質(zhì)層一側(cè)、或氧 化鎂薄膜層之間、或靠近放電空間一側(cè)。本發(fā)明另一方面提供一種用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，該方法包括以具有 高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料或其反應(yīng)物前體為內(nèi)層核，利用熱蒸發(fā)法、溶膠凝膠法、化學(xué)氣 相沉積法、或金屬有機物氣相沉積法在內(nèi)層核表面包覆氧化鎂外層殼，以形成具有核殼結(jié) 構(gòu)的晶體顆粒；將形成的晶體顆粒與載體溶劑混合，形成復(fù)合介質(zhì)保護膜漿料或懸浮液，通 過印刷、噴涂、涂覆或流延方法使?jié){料分散于介質(zhì)層表面；以及干燥、燒結(jié)，以形成復(fù)合介質(zhì) 保護膜。根據(jù)本發(fā)明用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，還包括通過電子束蒸發(fā)、熱蒸鍍、濺 射、化學(xué)氣相沉積、金屬有機物氣相沉積、或分子束外延法形成氧化鎂薄膜層。根據(jù)本發(fā)明用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，其中，具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的 材料選自 CaO、SrO, BaO、TiO2, ZnO2, ZrO2, A1203、CeO2、或 MgF2、CaF2, KF、NaF、CsF、KCl.CsI 或它們的組合。根據(jù)本發(fā)明用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，其中，反應(yīng)物前體選自以下元素的 碳酸鹽、氫氧化物或單質(zhì)金屬、或者它們的組合Ca、Sr、Ba、Ti、Zn、Zr、Al、Ce。根據(jù)本發(fā)明用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，其中，載體溶劑選自纖維素醚、乙 醇、異丙醇或它們的組合。根據(jù)本發(fā)明用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，其中，漿料在25攝氏度下的粘度范 圍為 0. OOl-IOOPa · S。根據(jù)本發(fā)明用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，其中，干燥溫度在80-200°C范圍內(nèi)， 燒結(jié)溫度在400-600 °C范圍內(nèi)。本發(fā)明中所包含的具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)，能夠 降低PDP著火電壓、減小放電延遲，且能夠在大氣中或溶劑載體內(nèi)穩(wěn)定存在。使用印刷、涂 覆或者噴涂等工藝時，能夠免去真空蒸鍍設(shè)備，大幅度降低生產(chǎn)成本。當與MgO薄膜組合使 用時能夠提高晶體顆粒的使用壽命。除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點。 下面將參照附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明。


附圖構(gòu)成本說明書的一部分、用于進一步理解本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選 實施例，并與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。圖中圖1示出了包含實施例1的復(fù)合介質(zhì)保護膜的PDP前面板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2示出了本發(fā)明復(fù)合介質(zhì)保護膜中具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒的結(jié)構(gòu)示意圖；以 及圖3示出了具有包括晶體顆粒層與氧化鎂薄膜層的復(fù)合介質(zhì)保護層的PDP前面板 的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供一種等離子顯示面板(PDP)復(fù)合介質(zhì)保護膜，該保護膜為單層或者多 層結(jié)構(gòu)，其中包含具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒層和MgO薄膜層，晶體顆粒的內(nèi)層核為具有高 二次電子發(fā)射系數(shù)的材料，外層殼結(jié)構(gòu)為氧化鎂。本發(fā)明還提供了 PDP復(fù)合介質(zhì)保護膜的 制備方法。本發(fā)明提供的復(fù)合介質(zhì)保護膜具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)、較快的滯后電子 發(fā)射、較好的耐濺射性能，能夠顯著降低等離子體顯示面板的著火電壓和維持電壓，縮短尋 址時間，延長等離子體顯示面板的使用壽命。在本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜中，優(yōu)選地，所述晶體顆粒的內(nèi)層核由高二次電子發(fā) 射系數(shù)材料，如氧化物、鹵化物所構(gòu)成，包括但不限于CaO、SrO、BaO, TiO2, ZnO2, ZrO2,Al2O3> CeO2, MgF2, CaF2, KF、NaF、CsF、KC1、CsI等。其中，高二次電子發(fā)射系數(shù)材料優(yōu)選為CaO、 SrO。在本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜中，晶體顆粒直徑為10-4000nm，優(yōu)選為500-2000nm ； 外層殼的厚度為l_500nm，優(yōu)選為l-100nm。本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜可以為單層結(jié)構(gòu)。當復(fù)合介質(zhì)保護膜為單層結(jié)構(gòu)時，晶 體顆粒在介質(zhì)層表面的覆蓋度為100%。本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜還可以為多層結(jié)構(gòu)。例如，核殼結(jié)構(gòu)晶體顆?？膳c純MgO 薄膜層組合而形成具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒層和MgO薄膜層的雙層或更多層結(jié)構(gòu)，以增強 介質(zhì)保護膜的致密度，從而提高PDP的使用壽命。其中，核殼結(jié)構(gòu)晶體顆粒層可位于氧化鎂 薄膜層的下層(靠近介質(zhì)層的一側(cè))、中間層(晶體顆粒層上下均有氧化鎂薄膜層)或者上 層(靠近放電空間的一側(cè))。當復(fù)合介質(zhì)保護膜為多層結(jié)構(gòu)時，晶體顆粒在介質(zhì)層表面的投 影面積覆蓋度為3-30%。優(yōu)選地，包括晶體顆粒層和MgO薄膜層的雙層或者更多層結(jié)構(gòu)，也可根據(jù)電極的 位置，在對應(yīng)電極區(qū)域或者其他區(qū)域做出任意一層或多層的圖案化設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明用于制備復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，包括以具有高二次電子發(fā)射系數(shù) 的材料或其反應(yīng)物前體為內(nèi)層核，利用熱蒸發(fā)法、溶膠凝膠法、化學(xué)氣相沉積法、或金屬有 機物氣相沉積法在所述內(nèi)層核表面包覆氧化鎂外層殼，以形成具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒； 將形成的所述晶體顆粒與載體溶劑混合，形成復(fù)合介質(zhì)保護膜漿料，通過印刷、噴涂、涂覆 或流延方法使所述漿料分散于介質(zhì)層表面；以及干燥、燒結(jié)，以形成復(fù)合介質(zhì)保護膜。根據(jù)本發(fā)明的方法優(yōu)選還包括通過電子束蒸發(fā)、熱蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積、金屬有機物氣相沉積、或分子束外延法形成氧化鎂薄膜層。優(yōu)選地，上述具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒利用溶膠凝膠法或者熱蒸發(fā)法制作，并且 更優(yōu)選利用熱蒸發(fā)法制作。上述高二次電子發(fā)射系數(shù)材料例如為氧化物、鹵化物，包括但不限于CaO、SrO, BaO、TiO2, ZnO2, ZrO2, A1203、CeO2, MgF2, CaF2, KF、NaF、CsF、KCl、CsI 等，更優(yōu)選為 CaO 和 / 或SrO。上述反應(yīng)物前體包括但不限于所述氧化物金屬的碳酸鹽、氫氧化物或單質(zhì)金屬。具 體而言，上述反應(yīng)物前體包括但不限于Ca、Sr、Ba、Ti、Zn、Zr, Al>Ce的碳酸鹽、氫氧化物或 單質(zhì)金屬、或者它們的組合。具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒的內(nèi)層核可直接采用金屬氧化物、鹵化物，或采用其反 應(yīng)物前體而形成。晶體顆粒的直徑范圍為10-4000nm。優(yōu)選地，氧化物、商化物材料或其反 應(yīng)物前體的顆粒粒徑范圍為500-2000nm。優(yōu)選地，上述述MgO外層殼的厚度為l-lOOnm。上述載體溶劑選自纖維素醚、乙醇、異丙醇或它們的組合。上述漿料在25攝氏度 下的粘度范圍為0. OOl-lOOpa. s,以印刷、噴涂、涂覆、流延等方法進行制膜。優(yōu)選地，以涂覆 方法制膜。優(yōu)選地，上述干燥溫度在80_200°C范圍內(nèi)；優(yōu)選地，上述燒結(jié)溫度在400-600°C范圍內(nèi)。圖1示出了包含實施例1的復(fù)合介質(zhì)保護膜的PDP前面板的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖 1中，PDP前面板的結(jié)構(gòu)是以玻璃基板1為基礎(chǔ)，在其表面形成橫向的銦錫氧化物(ITO) 電極對2，為了增加電極對2的電導(dǎo)率，設(shè)置BUS電極對3，在1、2和3的表面設(shè)置厚度為 20-40 μ m的介質(zhì)層4，以限制電極的放電電流。將具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒5布置在介質(zhì) 層4的表面，形成復(fù)合介質(zhì)保護膜。圖2示出了本發(fā)明復(fù)合介質(zhì)保護膜中具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒的結(jié)構(gòu)示意圖。根 據(jù)本發(fā)明所提供的復(fù)合介質(zhì)保護膜結(jié)構(gòu)，所述核殼結(jié)構(gòu)晶體顆粒具有雙層或更多層結(jié)構(gòu)， 如圖2所示，其直徑范圍為10-4000nm，其中內(nèi)層核顆粒8的直徑為10-3500nm，外層MgO 殼9的厚度為l-500nm。按照本發(fā)明，晶體顆粒的內(nèi)層核由高二次電子發(fā)射系數(shù)材料，如氧 化物、鹵化物所構(gòu)成，包括但不限于 CaO、SrO, BaO、TiO2, ZnO2, ZrO2, Al2O3> CeO2, MgF2, CaF2, KF、NaF, CsF、KC1、CsI等，更優(yōu)選為CaO和/或SrO。按照本發(fā)明，晶體顆粒的外層殼物質(zhì) 為 MgO。圖3示出了具有包括晶體顆粒層與氧化鎂薄膜層的復(fù)合介質(zhì)保護層的PDP前面板 的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，按照本發(fā)明所述的核殼結(jié)構(gòu)晶體顆粒，可與純MgO薄膜層進行 組合，形成核殼結(jié)構(gòu)晶體顆粒層5和薄膜層6的雙層或者更多層結(jié)構(gòu)，以增強介質(zhì)保護膜的 致密度，提高顆粒的使用壽命。核殼結(jié)構(gòu)顆粒層可位于純MgO氧化鎂薄膜層的下層(靠近 介質(zhì)層的一側(cè))、中間層(晶體顆粒層上下均有氧化鎂薄膜層)或者上層(靠近放電空間的 一側(cè))。圖3所示為核殼結(jié)構(gòu)晶體顆粒層位于純MgO薄膜層的上層，其靠近放電空間的一 側(cè)。按照本發(fā)明所述的核殼結(jié)構(gòu)顆粒，其單獨用作復(fù)合介質(zhì)保護膜時，顆粒投影面積 覆蓋度為100% ；當與純MgO配合使用時，其顆粒投影面積覆蓋度為3-30%。以下介紹本發(fā)明的若干實施例。實施例用以說明本發(fā)明提供的PDP復(fù)合介質(zhì)保護 膜及其制備方法，并不形成對本發(fā)明方法的限制。
實施例1選取平均粒徑為1-2 μ m的CaO顆粒，置于熱蒸發(fā)爐坩堝中，坩堝帶有攪拌裝置，蒸 發(fā)爐以Mg為蒸發(fā)源，A為載氣，進行熱蒸發(fā)鍍膜，待CaO表面形成厚度為50nm的MgO時，停 止鍍膜，制備出具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒。將該晶體顆粒置于載體溶劑纖維素醚內(nèi)，經(jīng)過袞扎，形成均勻分散的漿料，利用涂 覆機將該漿料均勻分散在介質(zhì)層的表面，在150°C干燥30min后，置于燒結(jié)爐中，經(jīng)550°C燒 結(jié)，形成透明的復(fù)合介質(zhì)保護膜。實施例2 選取平均粒徑為1-2 μ m的SrO顆粒，置于熱蒸發(fā)爐坩堝中，坩堝帶有攪拌裝置，蒸 發(fā)爐以Mg為蒸發(fā)源，A為載氣，進行熱蒸發(fā)鍍膜，待SrO表面形成厚度為50nm的MgO時，停 止鍍膜，制備出具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒。將該晶體顆粒置于載體溶劑纖維素醚內(nèi)，經(jīng)過袞扎，形成均勻分散的漿料，利用涂 覆機將該漿料均勻分散在介質(zhì)層的表面，在150°C干燥30min后，置于燒結(jié)爐中，經(jīng)550°C燒 結(jié)，形成透明的復(fù)合介質(zhì)保護膜。實施例3選取平均粒徑為1-2 μ m的ZnO顆粒，置于熱蒸發(fā)爐坩堝中，坩堝帶有攪拌裝置，蒸 發(fā)爐以Mg為蒸發(fā)源，&為載氣，進行熱蒸發(fā)鍍膜，待ZnO表面形成厚度為50nm的MgO時，停 止鍍膜，制備出具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒。將該晶體顆粒置于載體溶劑纖維素醚內(nèi)，經(jīng)過袞扎，形成均勻分散的漿料，利用涂 覆機將該漿料均勻分散在介質(zhì)層的表面，在150°C干燥30min后，置于燒結(jié)爐中，經(jīng)550°C燒 結(jié)，形成透明的復(fù)合介質(zhì)保護膜。表1為根據(jù)本發(fā)明的實施例1-3與現(xiàn)有技術(shù)之間的對比，比較例為包含單層MgO 介質(zhì)保護膜的等離子顯示屏。根據(jù)以上實施例和比較例，制作出分辨率為XGA的13英寸PDP屏幕。各種電壓數(shù) 據(jù)和放電延遲時間Ts均是基于此種13英寸屏幕進行測量的。最小著火電壓為在屏幕上不 斷增加電壓，出現(xiàn)第一個亮點時的電壓，最大著火電壓為屏幕全部像素點亮?xí)r的電壓；最大 滅火電壓為在屏幕上不斷降低電壓，出現(xiàn)第一個暗點時的電壓，最小滅火電壓為屏幕整體 熄滅時的電壓。放電延遲時間Ts的測量是記錄從屏幕尋址電極上施加電壓信號開始，到像 素點亮?xí)r所用的時間。表 1
性能實施例1實施例2實施例3比較例最小著火電壓185200212220最大著火電壓198200230232最大滅火電壓132135162145最小滅火電壓125132138139放電延遲Ts時間(us)1. 11. 21. 41. 5由表1可以看出，與現(xiàn)有技術(shù)相比，包含本發(fā)明的復(fù)合介質(zhì)保護膜的等離子顯示 屏的電壓性能和放電延遲得到大大改善。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的 技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于等離子體顯示面板的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述復(fù)合介質(zhì)保護膜 包含具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒，所述晶體顆粒的內(nèi)層核為具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材 料，外層殼為氧化鎂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述具有高二次電子發(fā)射系 數(shù)的材料選自 CaO、SrO, BaO、TiO2, ZnO2, ZrO2,Al2O3> CeO2、MgF2、CaF2、KF、NaF、CsF、KCl、CsI 或它們的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述晶體顆粒的直徑為 10-4000nm，外層殼的厚度為l_500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其特征在于，所述復(fù)合介質(zhì)保 護膜為單層結(jié)構(gòu)或包括晶體顆粒層和氧化鎂薄膜層的多層結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合介質(zhì)保護膜，其特征在于，當所述復(fù)合介質(zhì)保護膜為單 層結(jié)構(gòu)時，所述晶體顆粒在等離子體顯示面板的介質(zhì)層表面的覆蓋度為100% ；當所述復(fù)合 介質(zhì)保護膜為多層結(jié)構(gòu)時，所述晶體顆粒在等離子體顯示面板的介質(zhì)層表面的投影面積覆 蓋度為3-30%。
6.用于制備權(quán)利要求1-3中任一項所述的復(fù)合介質(zhì)保護膜的方法，其特征在于，所述 方法包括以下步驟以具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料或其反應(yīng)物前體為內(nèi)層核，利用熱蒸發(fā)法、溶膠凝 膠法、化學(xué)氣相沉積法、或金屬有機物氣相沉積法在所述內(nèi)層核表面包覆氧化鎂外層殼，以 形成具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒；將形成的所述晶體顆粒與載體溶劑混合以形成復(fù)合介質(zhì)保護膜漿料，通過印刷、噴涂、 涂覆或流延方法使所述漿料分散于等離子體顯示面板的介質(zhì)層表面；以及干燥、燒結(jié)，以形成復(fù)合介質(zhì)保護膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括通過電子束蒸發(fā)、熱蒸 鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積、金屬有機物氣相沉積、或分子束外延法進一步形成氧化鎂薄膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料 選自 CaO、SrO, BaO、TiO2, ZnO2, ZrO2, A1203、Ce02、MgF2、CaF2, KF、NaF、CsF、KCl、CsI 或它們 的組合；所述反應(yīng)物前體選自以下元素的碳酸鹽、氫氧化物或單質(zhì)金屬、或者它們的組合 Ca、Sr、Ba、Ti、Zn、Zr、Al、Ce。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述載體溶劑選自纖維素醚、乙醇、異 丙醇或它們的組合，所述漿料在25攝氏度下的粘度范圍為0. OOl-IOOPa · S。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述干燥溫度在80-200°C范圍內(nèi)， 所述燒結(jié)溫度在400-600 °C范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示面板復(fù)合介質(zhì)保護膜，在等離子體顯示面板前基板的介質(zhì)層上的復(fù)合介質(zhì)保護膜包含有具有核殼結(jié)構(gòu)的晶體顆粒，內(nèi)層核為具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料，外層殼為氧化鎂。該復(fù)合介質(zhì)保護膜具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)、較快的滯后電子發(fā)射、較好的耐濺射性能，能夠顯著降低等離子體顯示面板的著火電壓和維持電壓，縮短尋址時間，延長等離子體顯示面板的使用壽命。同時，本發(fā)明中還提供了一種上述等離子體顯示面板復(fù)合介質(zhì)保護膜的制備方法。
文檔編號H01J9/20GK102087944SQ20101062006
公開日2011年6月8日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者嚴群, 郭盛昌 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司