專利名稱：：化學(xué)檢測方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本文的主題通常涉及化學(xué)檢測系統(tǒng)，尤其涉及包括一個(gè)或多個(gè)離子淌度譜儀和質(zhì)譜儀的化學(xué)檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：化學(xué)檢測系統(tǒng)用于檢測特定的威脅物。這些威脅物包括(例如)爆炸物、違禁藥、化學(xué)戰(zhàn)藥物、污染物和毒素。若干這種檢測系統(tǒng)包括離子淌度譜儀。離子淌度譜儀測定從樣品中的分析物內(nèi)獲得的離子的存在。離子是通過電離得自樣品的氣態(tài)分子產(chǎn)生的。樣品是以氣體形式從環(huán)境空氣中獲得的，或者以顆粒物形式從環(huán)境空氣中、正在進(jìn)行檢查爆炸物、藥品或其他化學(xué)試劑的包裹、行李、或人中獲得的。從樣品中的分析物獲得的離子在離子淌度譜上表現(xiàn)為峰。使用光譜中的峰來確定所關(guān)注的特定離子是否存在于樣品中。所關(guān)注離子是與所關(guān)注分析物相關(guān)的離子。所關(guān)注分析物為通常與待檢測的爆炸物、藥物、化學(xué)戰(zhàn)藥物和其他化學(xué)物相關(guān)的化學(xué)物質(zhì)。與離子淌度譜儀相關(guān)的一個(gè)問題是此光譜儀的分辨率。在某些情況下，已知的光譜儀可難于將存在于樣品的背景中的化學(xué)物以及所關(guān)注分析物區(qū)分開。這些裝置會產(chǎn)生假陽性和假陰性警告。當(dāng)光譜儀將光譜中的峰誤譯為表示威脅物時(shí)，產(chǎn)生假陽性警告。當(dāng)光譜儀將光譜中對應(yīng)于所關(guān)注分析物的峰誤譯為對應(yīng)于非關(guān)注分析物時(shí)，產(chǎn)生假陰性警告。當(dāng)所關(guān)注峰被其他峰抑制或淹沒時(shí)也可產(chǎn)生假陰性警告。這些其他峰可與樣品中為非關(guān)注分析物的其他分析物相關(guān)。因此，需要改善的化學(xué)檢測系統(tǒng)，以便更準(zhǔn)確地檢測樣品中一種或多種所關(guān)注分析物的存在。這種系統(tǒng)可改善用于檢測爆炸物、違禁藥、化學(xué)戰(zhàn)藥物、毒素或污染物的現(xiàn)有工序。
發(fā)明內(nèi)容在一個(gè)實(shí)施例中，提供了用于檢測樣品中的所關(guān)注分析物的方法。該方法包括使一組得自樣品的離子穿過離子淌度譜儀以便濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生離子淌度譜。利用質(zhì)譜儀產(chǎn)生離子中的至少一些的質(zhì)譜。該方法還包括當(dāng)所關(guān)注峰見于離子淌度譜和質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)并且當(dāng)所關(guān)注峰符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案時(shí)確定所關(guān)注分析物存在于樣品中。可任選地是，穿過操作包括使離子穿過多個(gè)彼此串聯(lián)連接的離子淌度譜儀。所關(guān)注峰包括下述峰中的一個(gè)或多個(gè)產(chǎn)生自與所關(guān)注分析物中的分子(單體)及其聚集體(如，二聚體、三聚體等)相關(guān)的離子的分子峰、產(chǎn)生自從所關(guān)注分析物獲得的離子碎片的離子碎片峰、產(chǎn)生自由所關(guān)注分析物(單體、二聚體、三聚體等或其單體碎片)和攙雜劑之間的反應(yīng)形成的化學(xué)物質(zhì)的攙雜劑相關(guān)峰、或與所關(guān)注分析物(包括所關(guān)注分析物的分子和碎片與基質(zhì)中的高電子/質(zhì)子親和力組分之間的特定絡(luò)合物)相關(guān)的任何其他峰。在一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括當(dāng)質(zhì)譜中的所關(guān)注峰包括分子峰(單體、二聚體、三聚體等中的至少一個(gè))以及離子碎片峰或攙雜劑相關(guān)峰或與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的任何一個(gè)時(shí)來確定所關(guān)注分析物存在于樣品中。在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了用于檢測樣品中的所關(guān)注分析物的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括離子淌度譜儀、質(zhì)譜儀和計(jì)算裝置。離子淌度譜儀被配置為接收得自樣品的一組離子以便濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生離子淌度譜。質(zhì)譜儀與離子淌度譜儀串聯(lián)連接以便接收得自離子淌度譜儀的離子中的至少一些并且產(chǎn)生從離子淌度譜儀接收的離子的質(zhì)譜。計(jì)算裝置的用途為當(dāng)所關(guān)注峰見于離子淌度譜和質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)并且當(dāng)所關(guān)注峰符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案或者離子淌度峰得到確認(rèn)時(shí)，來確定所關(guān)注分析物存在于樣品中。可任選地是，該系統(tǒng)包括至少一個(gè)與離子淌度譜儀和質(zhì)譜儀串聯(lián)連接的附加質(zhì)譜儀。在另一個(gè)實(shí)施例中，該系統(tǒng)包括連接至單一質(zhì)譜儀的一系列場補(bǔ)償式離子淌度譜儀。在另一個(gè)實(shí)施例中，一系列的離子淌度譜儀連接到一系列的質(zhì)譜儀上。使用由質(zhì)譜儀和附加質(zhì)譜儀中的每一個(gè)接收的離子來產(chǎn)生質(zhì)譜。在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算裝置的用途為當(dāng)所關(guān)注峰包括分子峰以及離子碎片峰、攙雜劑相關(guān)峰、和質(zhì)譜中與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的至少一個(gè)并且符合已知的峰圖案時(shí)，來確定所關(guān)注分析物存在于樣品中。在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了用于計(jì)算裝置的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計(jì)算裝置被配置為確定所關(guān)注分析物是否存在于樣品中。計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)包括下述指令，所述指令用于指示計(jì)算裝置產(chǎn)生得自樣品的離子的離子淌度譜和質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)以及檢測所述離子淌度譜和質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)的所關(guān)注峰。所述指令還指示計(jì)算裝置確定所關(guān)注峰是否符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案以及當(dāng)所關(guān)注峰符合預(yù)定峰圖案時(shí)提供所關(guān)注分析物存在樣品中的通知?？扇芜x地是，所述指令指示計(jì)算裝置提供所關(guān)注分子峰(如，單體、二聚體、三聚體等)以及所關(guān)注的離子碎片峰或所關(guān)注的攙雜劑相關(guān)峰(如，分子攙雜劑或碎片攙雜劑)或者與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的至少一個(gè)是否見于質(zhì)譜中的通知。在一個(gè)實(shí)施例中，所述指令指示計(jì)算裝置通過利用離子淌度譜儀中的第一電場獲得所關(guān)注峰的一部分并且利用離子淌度譜儀中的第二電場獲得所關(guān)注峰的其他部分來確認(rèn)所關(guān)注峰的存在。在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了用于檢測樣品中的所關(guān)注分析物的另一個(gè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀和計(jì)算裝置。第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀接收產(chǎn)生自樣品的一組離子，以便從該組中濾出為非關(guān)注離子的離子并且/或者產(chǎn)生離子淌度譜。第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀與第一FCIMS相連并且接收得自第一FCIMS的離子以產(chǎn)生第二離子淌度譜，其中第二電場是第一電場的至少四倍。計(jì)算裝置分析第一和第二離子淌度譜以便當(dāng)所關(guān)注峰存在于第一和第二離子淌度譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)時(shí)，來確定所關(guān)注分析物存在于樣品中?？扇芜x地是，計(jì)算裝置在所關(guān)注峰位于第一和第二FCIMS中的至少一者內(nèi)得到確認(rèn)時(shí)來確定所關(guān)注分析物的存在。在一個(gè)實(shí)施例中，第一6和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀包括相對的電極板，所述電極板被配置為產(chǎn)生使離子在通過第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀進(jìn)行檢測或過濾之前從中穿過的電場。第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀的電極板與第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀的電極板各自間隔不同的距離。圖1為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)檢測系統(tǒng)的示意圖。圖2為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)檢測系統(tǒng)的示意圖。圖3為圖1中所示的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀的示意圖。圖4為陽離子在圖3所示的過濾級中的第一和第二電極板之間移動(dòng)的示意性剖視圖。圖5為提供了三種離子物質(zhì)中的每一種在不同電場強(qiáng)度下的離子淌度曲線的圖7J\ο圖6為圖1中所示的聯(lián)接器的示意圖。圖7為圖1中所示的質(zhì)譜儀的示意圖。圖8為由圖1中的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀或質(zhì)譜儀104產(chǎn)生的光譜的示例性實(shí)施例。圖9為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的檢測所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法的流程圖。圖10為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的檢測所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法的流程圖。圖11為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的檢測所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法的流程圖。圖12為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的確認(rèn)所關(guān)注峰是否存在于光譜中的方法的流程圖。圖13為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的利用確認(rèn)模式下的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得的光譜中的所關(guān)注峰。圖14為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得的光譜中的峰的另一種類型。圖15為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的檢測和確認(rèn)所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法的流程圖。圖16示出了本發(fā)明的實(shí)施例可在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上進(jìn)行存儲、分配以及安裝的示例性方式的框圖。具體實(shí)施例方式圖1為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)檢測系統(tǒng)100的示意圖。系統(tǒng)100檢測樣品中所關(guān)注分析物的存在。樣品得自包裹或其他物體、空氣、或者人。所關(guān)注分析物為與特定化學(xué)物或與例如一種或多種爆炸物、違禁藥、化學(xué)戰(zhàn)藥物、工業(yè)毒素、或環(huán)境污染物相關(guān)的分析物。例如，某些化學(xué)物質(zhì)常見于鄰近爆炸裝置的位置中。這些化學(xué)物質(zhì)可以是所關(guān)注分析物。檢測系統(tǒng)100包括與質(zhì)譜儀104互連的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102為能夠電離得自樣品108的分析物以產(chǎn)生一組離子的光譜儀。在示例性實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102測定所述組離子中產(chǎn)生峰值(示于圖8中)的光譜810(稱為離子淌度譜810)的離子的存在。如下文所述，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102通過使離子在產(chǎn)生電場的電極板316、318(示于圖3中)之間穿過來產(chǎn)生離子淌度譜810。一些離子被吸引到極板316、318中的一個(gè)上，而其余的離子在極板316、318之間穿過并且被檢測到。峰表示從樣品中的各種分析物獲得的離子。樣品中分析物的特征可從下述各項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行確定包括離子淌度譜810上峰的位置、峰的高度、峰的寬度、峰的形狀、以及在檢測到多個(gè)峰的位置處的峰的圖案。針對特定樣品108產(chǎn)生的離子淌度譜810為樣品108的單一或多峰信號?？蓪蓚€(gè)或多個(gè)離子淌度譜810彼此進(jìn)行比較以識別出樣品108中的分析物。另外，可將兩個(gè)或多個(gè)離子淌度譜810進(jìn)行比較以確認(rèn)或驗(yàn)證樣品108中的分析物的檢測。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102從所述組的離子中濾出非關(guān)注的離子。例如，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102可濾出為非關(guān)注離子的離子并且提供離子淌度譜810，或者場補(bǔ)償式離子淌度譜儀可濾出為非關(guān)注離子的離子而不提供離子淌度譜810。所關(guān)注離子為產(chǎn)生自所關(guān)注分析物的離子。將該組離子中剩余的所關(guān)注離子從場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中輸出作為離子流110。在質(zhì)譜儀104中，如果離子的質(zhì)量或質(zhì)荷比位于所關(guān)注的質(zhì)量范圍或質(zhì)荷比范圍內(nèi)，那么可將該離子確定為所關(guān)注離子。在示例性實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102僅檢測所述組的離子中所關(guān)注離子的存在。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102通過僅檢測所關(guān)注離子的存在來代替試圖檢測得自樣品108的所有離子的存在，從而使產(chǎn)生特定樣品108的離子淌度譜810所需的時(shí)間量得以減小。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102在濾出為非關(guān)注離子的離子之后以及在將所述組的一種或多種剩余離子傳送到離子流110中之前來檢測所關(guān)注離子的存在。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102將得自樣品108的離子淌度譜810傳送給計(jì)算裝置112。離子流110從場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102傳送至聯(lián)接器106。聯(lián)接器106使場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102與質(zhì)譜儀104互連。聯(lián)接器106使場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102與質(zhì)譜儀104進(jìn)行連接同時(shí)保持質(zhì)譜儀104內(nèi)的真空水平。聯(lián)接器106接收并且聚焦離子流110。隨后聯(lián)接器106引導(dǎo)離子流110進(jìn)入質(zhì)譜儀104。在示例性的實(shí)施例中，聯(lián)接器106包括離子漏斗。在另一個(gè)實(shí)施例中，聯(lián)接器106包括離子采樣器和離子切削錐(ionskimmercone)。質(zhì)譜儀104接收來自聯(lián)接器106的離子流110。質(zhì)譜儀104測定在所述組的離子中是否存在所關(guān)注離子。在示例性的實(shí)施例中，質(zhì)譜儀104產(chǎn)生分子和碎片離子并且也檢測它們的存在。例如，質(zhì)譜儀104可通過使用電子轟擊、大氣壓化學(xué)電離或其他的電離方法在離子和中性樣品分子流110上產(chǎn)生附加離子。質(zhì)譜儀104產(chǎn)生表示分子離子和/或離子片段、和/或攙雜劑相關(guān)峰、和/或與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰的光譜810(稱為質(zhì)譜810)。質(zhì)譜810被傳送至計(jì)算裝置112。計(jì)算裝置112接收得自場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102的離子淌度譜810以及得自質(zhì)譜儀104的質(zhì)譜810。計(jì)算裝置112然后將離子淌度譜和質(zhì)譜810中的一個(gè)或多個(gè)峰進(jìn)行比較以確定所關(guān)注分析物是否存在于樣品108中。例如，計(jì)算裝置112檢測由質(zhì)譜儀104產(chǎn)生的質(zhì)譜810以確定樣品108中是否存在一種或多種所關(guān)注分析物。計(jì)算裝置112檢測由場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102產(chǎn)生的離子淌度譜810以及由質(zhì)譜儀104產(chǎn)生的質(zhì)譜810。計(jì)算裝置112檢測這些光譜810以確定每個(gè)光譜810中是否存在一個(gè)或多個(gè)特定的分子峰。如果計(jì)算裝置112確定在兩個(gè)光譜810中存在一種或多個(gè)特定的分子峰，那么計(jì)算裝置112就確定與每個(gè)光譜810中的所述分子峰相關(guān)的分析物存在于樣品108中。在一個(gè)實(shí)施例中，分子峰包括所關(guān)注的分子峰并且為與可見于所關(guān)注分析物中的一個(gè)或多個(gè)分子相關(guān)的峰。分子峰可包括分子單體、二聚體、三聚體等以及這些物質(zhì)與存在于FCIMS的電離區(qū)域中的其他離子(包括攙雜劑離子)的聚集體。計(jì)算裝置112可確定在質(zhì)譜810中是否存在一個(gè)或多個(gè)離子碎片峰。在一個(gè)實(shí)施例中，離子碎片峰包括從得自所關(guān)注分析物的離子碎片獲得的峰。碎片可產(chǎn)生于質(zhì)譜儀104中(如下文所述)以及FCIMS中。在一個(gè)實(shí)施例中，離子淌度譜810可包括排列成圖案的一個(gè)或多個(gè)分子峰以及一個(gè)或多個(gè)離子碎片峰(或者離子碎片峰與電離區(qū)域中的其他離子的聚集體)。離子淌度譜810中的圖案包括分子峰和離子碎片峰彼此的相對位置以及峰的幅值或高度外加峰的形狀和寬度。如果特定分子峰存在于離子淌度譜和質(zhì)譜810中的每一個(gè)內(nèi)、與特定離子碎片相關(guān)的一個(gè)或多個(gè)特定離子碎片峰見于質(zhì)譜810中、并且質(zhì)譜810中的分子和離子碎片峰的圖案類似于所關(guān)注分析物的質(zhì)譜810中的分子和離子碎片峰的圖案，那么計(jì)算裝置112就確定與這些峰相關(guān)的分析物存在于樣品108中?？蓪⒁环N或多個(gè)攙雜劑引入到場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中，如下文所述。該攙雜劑可優(yōu)選地與樣品108中的所關(guān)注分析物結(jié)合或以其他方式反應(yīng)。攙雜劑與所關(guān)注分析物或所關(guān)注分析物的碎片與攙雜劑的結(jié)合體或聚集體、或者所關(guān)注分析物與攙雜劑的任何其他結(jié)合體可在離子淌度譜810中產(chǎn)生峰，其被稱為攙雜劑相關(guān)峰。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)分子峰、離子碎片峰以及一個(gè)或多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰存在于離子淌度譜810中時(shí)，計(jì)算裝置112就確定所關(guān)注分析物存在于樣品108中。在一個(gè)實(shí)施例中，與所關(guān)注分析物相關(guān)的其他峰可存在于光譜中并且當(dāng)分子峰、離子碎片峰、一個(gè)或多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰以及與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰存在于離子淌度譜810中時(shí)，計(jì)算裝置112就確定所關(guān)注分析物存在于樣品108中。作為另外一種選擇，檢測系統(tǒng)100可包括兩個(gè)不同的彼此互連的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀。例如，圖1中的參考標(biāo)號102和104代表兩個(gè)不同的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104可通過具有間隔開不同距離的電極板316、318(示于圖3中)而不同。例如，第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102的電極板316、318與第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀104的電極板316、318相比，可被隔開較大的間距330(示于圖3中)。可用作第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104的裝置的一個(gè)實(shí)例包括將由SionexCorp.生產(chǎn)的microDMx傳感器用作第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102并且將由OwlstoneNanotechInc.生產(chǎn)的用于Lonestar監(jiān)控器中的FAIMS傳感器或Tourist測試平臺用作第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀104。在另一個(gè)實(shí)例中，裝置的次序可以相反。在一個(gè)實(shí)施例中，位于第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104之間的聯(lián)接器106沒有在第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104之間保持真空。例如，當(dāng)在第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104中的任何一個(gè)內(nèi)可以無需建立或保持真空時(shí)，聯(lián)接器106可不保持任何真空。在另一個(gè)實(shí)施例中，位于第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104之間的聯(lián)接器106務(wù)必在第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104之間保持真空。例如，當(dāng)在第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104中的任何一個(gè)或者兩者內(nèi)可需要建立或保持真空時(shí)，聯(lián)接器106可能必須保持真空。在另一個(gè)實(shí)施例中，位于第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104之間的聯(lián)接器106與位于第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104之間的環(huán)境壓力相比，務(wù)必保持較高的壓力。例如，當(dāng)在第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104中的任何一個(gè)或者兩者內(nèi)可能需要建立或保持高于環(huán)境的壓力時(shí)，聯(lián)接器106可必須保持較高的壓力。當(dāng)?shù)谝粓鲅a(bǔ)償式離子淌度譜儀102在電極板316、318之間具有較大的間隔距離330時(shí)，其與第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀104相比可在極板316、318之間獲得較低的電場同時(shí)在辨別樣品中的不同離子方面具有改善的分辨率。第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102可利用這種相對第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀104改善的分辨率來濾出為非關(guān)注離子的離子，然后將剩余的離子傳送到第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀104中。相反，第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀104可產(chǎn)生明顯更高的電場，該電場可允許提高樣品中的特定離子之間的分離性并且形成新的和特定的離子，而這在第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中是無法形成的。第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀也在采集第二離子光譜之前濾出為非關(guān)注離子的離子。將得自第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102與得自第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀104的特定峰結(jié)合使用可使得在樣品108中檢測所關(guān)注分析物的整體特異性得到提高。圖2為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)檢測系統(tǒng)200的示意圖。檢測系統(tǒng)200類似于檢測系統(tǒng)100(如圖1所示)，不同之處在于外加了場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202的系列件206以及質(zhì)譜儀104、210的系列件(series)214。例如，可使用由GriffinAnalyticalTechnologies,LLC生產(chǎn)的圓柱形離子阱(CylindricalIonTraps)來使質(zhì)譜儀104、210彼此相連或者系列件214可包括一系列得自Griffin的圓柱形離子阱。系列件206包括兩個(gè)或多個(gè)彼此互連的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202。盡管在系列件206中示出了兩個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202，但系列件206可包括數(shù)量更多的以串聯(lián)形式互連的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202。作為另外一種選擇，系列件206可包括單個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102。系列件214包括兩個(gè)或多個(gè)彼此互連的質(zhì)譜儀104、210。盡管在系列件214中示出了兩個(gè)質(zhì)譜儀104、210，但系列件214可包括數(shù)量更多的質(zhì)譜儀104、210或單個(gè)質(zhì)譜儀104。第一聯(lián)接器204使場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202中的相鄰光譜儀互相連接。在一個(gè)實(shí)施例中，聯(lián)接器204與聯(lián)接器106(示于圖1中)相似或相同。在另一個(gè)實(shí)施例中，聯(lián)接器204不同于聯(lián)接器106，不同之處在于聯(lián)接器204不會保持場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202中的任何一者內(nèi)的真空。另外，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202中的系列件206與質(zhì)譜儀104互連。系列件206通過第二聯(lián)接器208與質(zhì)譜儀104互連。第二聯(lián)接器208與聯(lián)接器106和第一聯(lián)接器204相似或相同。第三聯(lián)接器212使質(zhì)譜儀104、210中的相鄰質(zhì)譜儀互相連接。在一個(gè)實(shí)施例中，聯(lián)接器212與聯(lián)接器106(示于圖1中)相似或相同。在實(shí)施中，將樣品108引入到系列件206中的第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102內(nèi)。如上文所述，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102從樣品108中獲得一組樣品分子、使其電離、產(chǎn)生離子淌度譜810、并且確定在離子淌度譜810(示于圖8中)中一種或多種所關(guān)注離子的存在。離子淌度譜810被傳送至計(jì)算裝置112。在一個(gè)實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102從所述組的離子中濾出至少一些離子。第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102濾出為非關(guān)注離子的離子中的至少一些。第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102然后將離子流110中的離子傳送至第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202。第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102通過聯(lián)接器204將離子流110傳送至第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202。與第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102相似，第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202檢測接收自離子流110的一種或多種所關(guān)注離子的存在以產(chǎn)生第二離子淌度譜810。然后第二離子淌度譜810被傳送至計(jì)算裝置112。第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202也從所述組中濾出離子中的至少一些。第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202濾出為非關(guān)注離子的離子中的至少一些。第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202然后將離子流110中所述組內(nèi)的剩余離子傳送至質(zhì)譜儀104。第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202通過聯(lián)接器208將離子流110傳送至質(zhì)譜儀104。如果系列件206包括超過兩個(gè)的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202，那么第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀202將離子流110傳送至系列件206中的下一個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀。系列件206中的每一個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀均濾出為非關(guān)注離子的那些離子并且檢測離子淌度譜810中所關(guān)注離子的存在。另外，系列件206中的每一個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀均將離子淌度譜810傳送至計(jì)算裝置112。在一個(gè)實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202中的全部均濾出為非關(guān)注離子的離子但它們并非均產(chǎn)生其離子淌度譜810。例如，第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102可濾出為非關(guān)注離子的離子而不產(chǎn)生離子淌度譜810。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202的系列件206可連續(xù)濾出為非關(guān)注離子的離子，然后將剩余的離子傳送至場補(bǔ)償式離子淌度譜儀以利用所述剩余的離子產(chǎn)生離子淌度譜810。作為另外一種選擇，第一離子淌度譜儀102可產(chǎn)生離子淌度譜810并且隨后將離子傳送至一個(gè)或多個(gè)附加的離子淌度譜儀102、202。附加的離子淌度譜102、202可濾出為非關(guān)注離子的離子并且僅有最后的離子淌度譜202可產(chǎn)生離子淌度譜810。剩余的離子然后被傳送至質(zhì)譜儀104。質(zhì)譜儀104、210的系列件214從場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202的系列件206中接收離子。質(zhì)譜儀104、210中的一個(gè)或多個(gè)基于從場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202的系列件206中接收的以及/或者在第一質(zhì)譜儀中利用中性樣品分子產(chǎn)生的離子來產(chǎn)生質(zhì)譜810。與場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202相似，質(zhì)譜儀104、210中的一個(gè)或多個(gè)可進(jìn)行過濾并且/或者產(chǎn)生離子的質(zhì)譜810。例如，第一質(zhì)譜儀104可濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生質(zhì)譜810。第二質(zhì)譜儀210可隨后進(jìn)一步地濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生另一個(gè)質(zhì)譜810。在另一個(gè)實(shí)例中，第一質(zhì)譜儀104可濾出為非關(guān)注離子的離子但不產(chǎn)生質(zhì)譜810。第二質(zhì)譜儀210隨后產(chǎn)生質(zhì)譜810。計(jì)算裝置112可利用由系列件206中的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202產(chǎn)生的離子淌度譜810中的一個(gè)或多個(gè)以及由系列件214中的質(zhì)譜儀104、210產(chǎn)生的質(zhì)譜810中的一個(gè)或多個(gè)來確定或驗(yàn)證特定分析物是否存在于樣品108中。在可供選擇的實(shí)施例中，檢測系統(tǒng)不包括質(zhì)譜儀104、210的系列件214。例如，檢測系統(tǒng)200包括通過一個(gè)或多個(gè)聯(lián)接器204進(jìn)行互連的多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202分別產(chǎn)生由各自的光譜儀102、202接收的離子的離子淌度譜810。每個(gè)光譜儀102、202隨后將光譜810報(bào)送給計(jì)算裝置112。計(jì)算裝置112可使用由系列件206中的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202產(chǎn)生的離子淌度譜810中的一個(gè)或多個(gè)來確定或驗(yàn)證特定分析物是否存在于樣品108中。作為另外一種選擇，檢測系統(tǒng)200可在系列件206中包括兩個(gè)不同的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀。例如，圖2中的參考標(biāo)號102和202代表兩個(gè)不同的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202可通過具有間隔開不同距離330的電極板316、318(示于圖3中)而不同(如上文所述)，并且可類似于圖1中所示的第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、104。第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202之間的聯(lián)接器204可類似于聯(lián)接器106(示于圖1中)。第一和第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102、202的系列件206可與系列件214中的一個(gè)或多個(gè)光譜儀104相連(如上文所述)或者可在不含質(zhì)譜儀(如圖1中的102、104)的情況下進(jìn)行使用。圖3為圖1中的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102的示意圖。在一個(gè)實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102為微型場離子光譜儀(“FIS”)、橫場補(bǔ)償式離子淌度譜儀(“TFC-IMS”)、微分淌度譜儀(“DMS”)、或高場非對稱波形離子淌度譜儀(“FAIMS”)。例如，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102可為由SionexCorp.生產(chǎn)的microDMx傳感器、由OwlstoneNanotechInc.生產(chǎn)的用于Lonestar監(jiān)控器中的FAIMS傳感器或Tourist測試平臺。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102用于在從樣品108獲得的所述組的離子中檢測所關(guān)注離子的存在。如上文所述，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102濾出為非關(guān)注離子的離子中的至少一些。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102通過使離子穿過過濾級302和采集級304來過濾和檢測離子。為非關(guān)注離子的離子中的至少一些可在過濾級302中被濾出。所關(guān)注離子中的一部分由采集級304處的采集器上的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102進(jìn)行采集以及檢測，并且剩余部分中的至少一些從出口306穿出而作為離子流110到達(dá)聯(lián)接器106。作為另外一種選擇，幾乎沒有離子被采集器310檢測到并且離子中的基本上全部都作為離子流110到達(dá)聯(lián)接器106。例如，可修改場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的采集器310以允許未被場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102過濾的離子中的全部均作為離子流110穿過并到達(dá)聯(lián)接器106。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102包括設(shè)置在入口334和出口306之間的內(nèi)腔312。內(nèi)腔312分成三個(gè)級電離級300、過濾級302和采集級304。電離級300包括電離裝置336。電離裝置336為電離氣體樣品340以產(chǎn)生一組諸如(例如)陽離子338之類的離子的裝置或設(shè)備。氣體樣品340為氣相的樣品108中的分析物的至少一部分。可通過加熱樣品108使分析物汽化來將樣品108中的分析物轉(zhuǎn)變成氣相?？蓪怏w樣品340通過入口334引入到電離級300內(nèi)。在示例性的實(shí)施例中，電離裝置336為電暈放電針。作為另外一種選擇，電離裝置336可為放射源、紫外燈、或?qū)崟r(shí)直接分析(“DART”)離子源。放射源的實(shí)例為63M。盡管離子338被稱為陽離子338，但可基于用于電離氣體樣品340的電離裝置等在電離裝置336中形成陽離子和陰離子。電離級300還包括連接至第一直流電(“DC”)源314的第一檢測電極308。第一檢測電極308和第二檢測電極310將電場施加到場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的內(nèi)腔312的至少一部分兩端。此電場驅(qū)使離子338向第二檢測電極310移動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體樣品340可流入到場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102內(nèi)，以使得氣體樣品340從第一檢測電極308朝第二檢測電極310流過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102。在這種實(shí)施例中，電場以及氣體樣品340的流動(dòng)均可驅(qū)使離子338朝第二檢測電極310移動(dòng)。第一檢測電極308包括開口326。開口326允許氣體樣品340穿過第一檢測電極308。僅以舉例的方式，過濾級302包括至少兩個(gè)分隔開間隔距離330的平行電極板316和318。過濾級302可包括若干多個(gè)電極板316、318。第一電極板316連接至交流電(“AC”)源320上。AC源320將非對稱AC波形施加到第一電極板316上。由AC源320施加到第一電極板316上的所述組的電壓為分散電壓(dispersionvoltage)。如下文所述，當(dāng)離子338向采集器電極310移動(dòng)時(shí)，分散電壓使得一些離子338向第一或第二電極板316、318偏移并且與其結(jié)合。第二電極板318連接到第二DC源322上。第二DC源322將直流電施加到第二電極板318上。由DC源322施加到第二電極板318上的電壓為補(bǔ)償電壓。如下文所述，當(dāng)離子338向采集器電極310移動(dòng)時(shí)，補(bǔ)償電壓阻止一些離子338向第一或第二電極板316、318偏移并且與其結(jié)合。作為另外一種選擇，將第二DC源322連接到第一電極板316而不是第二電極板318。采集級304包括第二檢測電極310。第二檢測電極310采集得自樣品108的所關(guān)注離子，如下文所述。在一個(gè)實(shí)施例中，第二檢測電極310為法拉第盤。第二檢測電極310包括開口324。開口324允許離子338中的一些穿過第二檢測電極310而未在310上被檢測到。在實(shí)施中，將氣體樣品340通過入口334以及第一檢測電極308中的開口326引入到電離級300內(nèi)。通過電離裝置336來電離氣體樣品340。電離裝置336發(fā)射能量328以形成反應(yīng)性離子，所述反應(yīng)性離子反過來又電離氣體樣品340。離子組338是通過電離氣體樣品340產(chǎn)生的。在另一個(gè)實(shí)施例中，電離裝置336發(fā)射直接電離氣體樣品340的能量而不使用反應(yīng)性離子。在一個(gè)實(shí)施例中，將一種或多個(gè)攙雜劑332通過入口334引入到電離級300中，如上文所述。在一個(gè)實(shí)施例中，攙雜劑332為具有高電子或質(zhì)子親合力的化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)將攙雜劑332引入到電離級300中時(shí)，攙雜劑332被電離并且隨后與氣體樣品340中的分析物進(jìn)行聚集或化學(xué)反應(yīng)。例如，攙雜劑332的離子可與所關(guān)注的中性分析物進(jìn)行反應(yīng)。攙雜劑332的離子與所關(guān)注分析物之間的反應(yīng)可產(chǎn)生具有較大質(zhì)量的較大離子。這些離子與由原始分析物的直接電離產(chǎn)生的離子相比可具有不同的質(zhì)量和/或質(zhì)荷比。在一個(gè)實(shí)施例中，攙雜劑332不與為非關(guān)注分析物的分析物進(jìn)行反應(yīng)，從而避免了干擾電離以及假警告。例如，攙雜劑332可優(yōu)選不與為非關(guān)注分析物的分析物進(jìn)行反應(yīng)并且在場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中不產(chǎn)生對所關(guān)注離子的檢測形成干擾的離子。在一個(gè)實(shí)施例中，對于給定的分散電壓，由攙雜劑332和所關(guān)注分析物的組合所產(chǎn)生的離子在補(bǔ)償電壓的良好限定的狹窄范圍(窗)內(nèi)顯示為峰。因此，攙雜劑離子可用作所關(guān)注的特定離子的一種標(biāo)記物。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)這些離子可對于給定的分散電壓而在已知的補(bǔ)償電壓下出現(xiàn)時(shí)，在光譜中與這些離子相關(guān)的峰的位置也將是已知的。13由第一和第二檢測電極308、310產(chǎn)生的電場以及氣體樣品340的流動(dòng)驅(qū)使離子338從電離級300進(jìn)入過濾級302中。離子338在第一和第二電極板316、318之間移動(dòng)。通過AC源320將非對稱AC波形、或分散電壓施加到第一電極板316上。另外，通過第二DC源322將補(bǔ)償電壓施加到第二電極板318或第一電極板316上。圖4為陽離子338在圖3的過濾級302中的第一和第二電極板316、318之間移動(dòng)的示意性剖視圖。箭頭110表示離子338和氣體樣品340在第一和第二電極板316、318之間的流動(dòng)方向。圖4中的坐標(biāo)圖464提供了AC源320施加至第一電極板316的非對稱AC波形的簡化表示。坐標(biāo)圖464中的非對稱AC波形包括持續(xù)第一時(shí)間段tl的第一電壓成分Vl以及隨后的持續(xù)第二時(shí)間段t2的第二電壓成分V2。此非對稱AC波形以周期方式重復(fù)這些成分和時(shí)間段。對于每個(gè)完整周期，電場-時(shí)間乘積的積分為零。例如，Vl和tl的乘積與V2和t2的乘積的和為零。第一和第二電壓成分VI、V2具有相反的極性。例如，第一電壓成分Vl為負(fù)電壓而第二電壓成分V2為正電壓。第一時(shí)間段tl長于第二時(shí)間段t2。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電壓成分V2的幅值高于第一電壓成分Vl的幅值。例如，非對稱波形可包括每個(gè)間隔距離330具有的+2000V的持續(xù)10微秒的第二時(shí)間段t2的第二電壓成分V2以及每個(gè)間隔距離330具有的-1000V的持續(xù)20微秒的第一時(shí)間段tl的第一電壓成分。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二電壓成分VI、V2之間的電壓差超過間隔距離330X20,000V/cm。對于由OwlstoneNanotechInc.生產(chǎn)的FAIMS傳感器而言，該差值可達(dá)到間隔距離330X100,000V/cm的數(shù)值。繼續(xù)參照圖4，圖5為提供了三種離子物質(zhì)中的每一種在不同電場強(qiáng)度下的離子淌度曲線502、504和506的坐標(biāo)圖500。坐標(biāo)圖500包括垂直軸508和水平軸510。垂直軸508表示標(biāo)準(zhǔn)化的離子淌度。水平軸510表示電場強(qiáng)度的范圍，單位為千伏/厘米。離子淌度曲線502、504和506示出了離子淌度與電場強(qiáng)度的相關(guān)性。例如，其淌度由離子淌度曲線502表示的第一離子物質(zhì)具有較高的淌度，所述淌度隨著電場強(qiáng)度的增加而增加。另外，在較高的電場強(qiáng)度下，第一離子物質(zhì)的淌度高于第二和第三離子物質(zhì)(每種物質(zhì)分別具有由離子淌度曲線504和506中的一者表示的離子淌度)的淌度。相反地，第三離子物質(zhì)(其淌度由離子淌度曲線506表示)在較高的電場強(qiáng)度下具有較低的淌度并且所述淌度隨著電場強(qiáng)度的增加而降低。非對稱AC波形對于在第一和第二電極板316、318之間行進(jìn)的正電荷離子338的作用表示為圖4中路徑460。路徑460表示正電荷離子338相對第一和第二電極板316、318的偏移。在第一時(shí)間段tl內(nèi)，正電荷離子338被吸引朝第一極板316移動(dòng)。在第一時(shí)間段tl內(nèi)，施加到第一電極板316上的電壓成分Vl為負(fù)電壓。離子338的偏移距離取決于離子338的質(zhì)量、電荷以及形狀。較小質(zhì)量和/或較大電荷的離子338與具有較大質(zhì)量和/或較小電荷的另一種離子338相比，可使得離子338朝第一電極板316偏移較遠(yuǎn)的距離。在第一時(shí)間段tl末，施加到第一電極板316上的電壓改變成第二電壓V2。所施加的第二電壓V2持續(xù)第二時(shí)間段β。由于第二電壓V2為正電壓，因此排斥正電荷離子338遠(yuǎn)離第一電極板316。相比于第一時(shí)間段tl，正電荷離子338在第二時(shí)間段t2內(nèi)以更高速率被排斥。例如，離子338以較快的速率朝遠(yuǎn)離第一電極板316的方向移動(dòng)，這是因?yàn)榈诙妷篤2的幅值高于第一電壓Vl的幅值。不管Vltl+V2t2=0的事實(shí)，離子338在t2間期內(nèi)的偏移將取決于離子在高壓V2下的淌度。例如，如上文所示以及如圖5的坐標(biāo)圖500中所示，不同的高電場可使得不同離子物質(zhì)相對彼此具有不同的淌度。因此，不同分析物的離子將在第一和第二電極板316、318之間進(jìn)行不同的偏移。離子達(dá)到特有淌度的這種現(xiàn)象在所有物質(zhì)的淌度是相同的低電場強(qiáng)度下不會發(fā)生(如圖5所示)。為了避免與特定分析物相關(guān)的離子和第一或第二電極板316、318再結(jié)合，將不同的補(bǔ)償電壓施加到第二電極板318上。離子338被排斥而遠(yuǎn)離第一電極板316，直至下一個(gè)第一時(shí)間段tl開始并且第一電壓Vl再次被施加到第一電極板316上。施加到第一電極板316上的非對稱AC波形使得離子338朝第二電極板318進(jìn)行凈偏移或漂移。如果允許離子338偏移過遠(yuǎn)，那么離子338將移動(dòng)到第二電極板318上并且與其結(jié)合。如果離子338與第二電極板318相結(jié)合，那么離子338就不會到達(dá)采集級304(示于圖3中)。如果離子338沒有到達(dá)采集級304，那么離子338就不會被場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102測定或檢測到并且也不會通過出口306離開場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102。為了避免離子338與第二電極板318相結(jié)合，將補(bǔ)償電壓施加到電極板316或318上。例如，如果非對稱AC波形使得正電荷離子向第二電極板318漂移，那么將正電壓施加到第二電極板308上(或?qū)⒇?fù)電壓施加到第一電極板316上)以便驅(qū)使離子338返回第一電極板316。這種補(bǔ)償電壓反轉(zhuǎn)或者補(bǔ)償了離子338向第二電極板318的漂移。如果補(bǔ)償電壓避免離子338與第二電極板318相結(jié)合，那么離子338可到達(dá)采集級304。避免離子338向第二電極板318漂移并且與其結(jié)合所需的補(bǔ)償電壓幅值針對不同的離子338而改變。為了獲得得自氣體樣品的各種離子338的光譜，在整個(gè)電壓范圍上掃描或者改變施加到第二電極板318上的補(bǔ)償電壓。例如，可將補(bǔ)償電壓從-50V掃描至OV或者從OV掃描至+50V。在另一個(gè)實(shí)施例中，可將補(bǔ)償電壓從-5V掃描至OV或者從OV掃描至+5V。對于給定的補(bǔ)償電壓，離子338的子集將行進(jìn)通過過濾級302并且不與第二電極板318相結(jié)合。當(dāng)所述子集的離子338不與第二電極板318結(jié)合時(shí)，離子338可到達(dá)采集級304。另外，可改變施加到第一電極板316的非對稱AC波形，以避免特定離子338與第二電極板318相結(jié)合并且增加不同分析物的峰之間的間距。為了獲得338組中的各種離子的光譜，可改變非對稱AC波形但在給定的分析期間可保持恒定?？赏ㄟ^增加或降低第一和第二電壓成分VI、V2以及第一和第二時(shí)間段tl、t2中的一個(gè)或多個(gè)來改變此波形。另外，可通過變化第一和第二電壓成分VI、V2中的一者或兩者的極性來改變此波形。隨著第一和第二電壓成分VI、V2以及第一和第二時(shí)間段tl、t2中的一個(gè)或多個(gè)變化，不同的離子會穿過過濾級302到達(dá)采集級304。一旦離子338到達(dá)采集級304(示于圖3中)，離子338就會被采集到第二檢測電極310上或者通過第二檢測電極310中的開口324穿出。當(dāng)離子338被采集到第二檢測電極310時(shí)，則會由離子338產(chǎn)生電流。隨著采集到第二檢測電極310上的離子338的數(shù)量的增加，電流也隨之增加。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102可基于由離子338產(chǎn)生的電流來產(chǎn)生采集到第二檢測電極310上的離子338的光譜。隨著到達(dá)第二檢測電極310的離子338的數(shù)量的增加，光譜中的對應(yīng)峰也變得越來越大。穿過第二檢測電極310的離子338進(jìn)入聯(lián)接器106內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，為了縮短分析時(shí)間以及濾出與所關(guān)注分析物不相關(guān)的離子338，僅將補(bǔ)償電壓值施加到第一或第二電極316或318上，所述補(bǔ)償電壓值對應(yīng)于與所關(guān)注離子相關(guān)的峰的位置。圖6為圖1中的聯(lián)接器106的示意圖。在示出的實(shí)施例中，聯(lián)接器106為離子漏斗。在另一個(gè)實(shí)施例中，聯(lián)接器106為一組采樣器和離子切削錐。聯(lián)接器106包括殼體602，所述殼體包括入口616以及位于殼體602相對面上的出口600。通過入口616將離子流110接收到殼體602內(nèi)。殼體602部分地封入多個(gè)同心環(huán)形電極604。電極604設(shè)置在殼體602的縱軸614方向上。電極604中的每一個(gè)都具有穿過電極604中央的開口612。電極604中的開口612的尺寸在鄰近電極604中變小。例如，距入口616最近的電極604具有最大的開口608而距出口600最近的電極604具有最小的開口610。在一個(gè)實(shí)施例中，電極604中的每一個(gè)均為射頻(“RF”)電極。將交流電施加到電極604中的每一個(gè)上，從而在沿縱軸614的方向上產(chǎn)生穿過電極604中的開口612的導(dǎo)電通道。例如，電極604可電離殼體602內(nèi)并且沿開口612方向的空氣或氣體，從而產(chǎn)生沿縱軸614方向的導(dǎo)電通道606。離子流110從入口616沿導(dǎo)電通道606中的縱軸614向出口600行進(jìn)。隨著電極604中的開口612的尺寸的減小，導(dǎo)電通道606的尺寸也減小。隨著導(dǎo)電通道606的尺寸的減小，離子流110的尺寸或直徑也減小。因此，隨著離子流110進(jìn)入入口616并通過出口600離開殼體602，離子流110的大小得以減小或聚焦。如上文所述，離子流110從出口600傳送到質(zhì)譜儀104(示于圖1中)。圖7為圖1中的質(zhì)譜儀104的示意圖。在一個(gè)實(shí)施例中，質(zhì)譜儀104為微型質(zhì)譜儀。微型質(zhì)譜儀的實(shí)例包括由INFICONHoldingAG生產(chǎn)的HAPSITE化學(xué)鑒別系統(tǒng)、由ConstellationTechnologyCorp生產(chǎn)的CT_1128PortableGC-MS>由MicrosaicSystemsLtd.生產(chǎn)的Ionchip、包括由CMSFieldProducts,DivisionofOIAnalytical生產(chǎn)的Ion-Camera以及由GriffinAnalyticalTechnologies,LLC生產(chǎn)的圓柱形離子阱或其系列的微型質(zhì)譜儀。質(zhì)譜儀104可包括離子源700。離子源700包括內(nèi)部腔體702，所述內(nèi)部腔體接收來自離子源700的入口704的離子和中性分子流110。在一個(gè)實(shí)施例中，入口704連接到聯(lián)接器106(示于圖1中)的出口600上。離子源700可包括位于腔體702內(nèi)的電子發(fā)射體706。在一個(gè)實(shí)施例中，電子發(fā)射體706是在真空中進(jìn)行加熱的燈絲，加熱方式為使電流流過該燈絲。當(dāng)電子發(fā)射體706被加熱時(shí)，產(chǎn)生電子710并且所述電子從電子發(fā)射器706向腔體702內(nèi)的陽極708發(fā)射。電子發(fā)射體706和陽極708位于腔體702內(nèi)，這樣使得離子和中性分子流110在電子發(fā)射體706和陽極708之間穿過。電子710從電子發(fā)射體710發(fā)出并且穿過離子和中性分子流110。當(dāng)電子710穿過離子流110時(shí)，電子710中的至少一些撞擊所述流110中的中性分子和離子338并且將電子710的能量傳遞給中性分子和離子338。作為另外一種選擇，離子流110可繞過離子源700并且僅將離子流110(示于圖3中)中的中性樣品載氣340和(諸)中性攙雜劑332引入到離子源700內(nèi)。中性樣品載氣隨后可通過離子源700進(jìn)行電離以產(chǎn)生新離子流，其與FCIMS的初始離子流110中的離子一起用于質(zhì)譜儀104進(jìn)行分析。當(dāng)電子710撞擊中性分子和離子338時(shí)，中性分子和離子338可碎片化和電離化。分子離子、離子碎片、攙雜劑相關(guān)離子、以及與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他(諸)離子、初始離子338、以及其他離子繼續(xù)穿過腔體702形成離子束712。離子束712通過離子源700的出口714離開離子源700。在另一個(gè)實(shí)施例中，無離子源700用于質(zhì)譜儀704中，而是由場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102的(諸)離子源形成的離子流將形成為離子束712。離子束712沿行進(jìn)方向716向磁場718移動(dòng)。磁場718是由質(zhì)譜儀104中的一個(gè)或多個(gè)磁體或電磁體(未示出)產(chǎn)生的。磁場718將作用力施加到離子束712中的每個(gè)離子338以及其他離子上。由磁場718施加的作用力處于方向720中。由磁體718施加的作用力的方向720垂直于離子束712的行進(jìn)方向716。在另一個(gè)實(shí)例中，可使用不同類型的質(zhì)譜儀，其中未使用磁場來控制離子移動(dòng)。由磁場718施加的作用力使離子束712中的離子338以及其他離子偏轉(zhuǎn)。此作用力使得離子338和其他離子偏轉(zhuǎn)并且改變離子338和其他離子的行進(jìn)方向716。離子338和其他離子在行進(jìn)方向716上的偏轉(zhuǎn)量基于離子338和其他離子的質(zhì)荷比和速率而改變。具有較小質(zhì)量的離子338和其他離子與具有較大質(zhì)量的離子338和其他離子相比，偏轉(zhuǎn)更大。由于在離子束712中具有不同質(zhì)量的離子338和其他離子，因此離子束712被分成多個(gè)次級離子束724。次級離子束724中的每一個(gè)表示各組具有相同或相似質(zhì)荷比和速率的離子338或其他離子的不同行進(jìn)方向。次級離子束724中的每一個(gè)均撞擊檢測器722并且被其采集。檢測器722是檢測每個(gè)次級離子束724中包括的離子338和其他離子的存在的裝置。當(dāng)次級離子束724的每一個(gè)中的離子338和其他離子與檢測器722的不同位置接觸時(shí)，檢測器722測定感應(yīng)的電荷或產(chǎn)生的電流。檢測器722基于每個(gè)次級離子束724撞擊檢測器722的位置以及由每個(gè)次級離子束724所感應(yīng)電荷或所產(chǎn)生電流的相對強(qiáng)度來檢測離子338和其他離子的存在。質(zhì)譜儀104基于通過檢測器722對于各種離子338和其他離子的檢測來產(chǎn)生光譜810(示于圖8中)。質(zhì)譜儀104將此光譜傳送至計(jì)算裝置112。檢測器722的示例包括線陣電荷耦合器件，其也稱為離子-CCD或Ion-Camera，可由CMSFieldProducts,DivisionofOIAnalytical提供。在另一個(gè)實(shí)例中，可使用具有不同類型檢測器的不同類型的質(zhì)譜儀。圖8為由圖1中的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102或質(zhì)譜儀104產(chǎn)生的光譜810的示例性實(shí)施例。如上文所述，光譜810表示通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102或質(zhì)譜儀104測定的各種離子338和/或其他離子的相對數(shù)量。離子338和/或其他離子中的每一種的相對數(shù)量是通過峰828到峰840中的一個(gè)或多個(gè)來表示的。沿兩個(gè)軸812、842方向來繪制光譜810。第一軸812表示在場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102(示于圖1中)中施加到第一電極板316或第二電極板318上的補(bǔ)償電壓或者在檢測器(示于圖7中)處接收到的各種離子338和其他離子的質(zhì)荷比。例如，對于由場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102產(chǎn)生的光譜810而言，第一軸812表示施加到第一電極板316或第二電極板318上的補(bǔ)償電壓。對于由質(zhì)譜儀104產(chǎn)生光譜810而言，第一軸812表示在質(zhì)譜儀104的檢測器722處接收到的離子338和其他離子的質(zhì)荷比。第二或y軸842表示通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102或質(zhì)譜儀104測定的各種離子338和/或其他離子的相對數(shù)量?？赏ㄟ^在光譜810中位于沿第一軸812方向的已知位置處的與分析物相關(guān)的峰的存在來確定樣品108(示于圖1中)中的各種分析物的存在。例如，峰828至840可表示一系列分析物峰，所述分析物峰在沿第二軸842的方向上具有峰828至840的高度。與所關(guān)注分析物相關(guān)的或得自所關(guān)注分析物的離子338或其他離子在沿第一軸812的已知位置814至826處具有一個(gè)或多個(gè)峰828至840。例如，可已知離子338中的第一離子的峰832的位置位于第一軸812上的位置818處。可已知離子338中的第二離子的另一峰840的位置位于位置826處。另外，可已知峰828至840在第一軸812上的位置對應(yīng)于與攙雜劑332(示于圖3中)相結(jié)合的分析物。例如，在場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中，峰840中的一個(gè)可對應(yīng)于所檢測的與攙雜劑332相結(jié)合的分析物?？赏ㄟ^檢查位于沿第一軸812的位置826處的峰840的高度、寬度和位置來確定樣品108(示于圖1中)中分析物的存在。在某些情況下，攙雜劑332的使用會降低特定分析物或離子338的漏檢數(shù)以及低特定分析物或離子338的假陽性數(shù)。例如，得自特定分析物的所關(guān)注離子在光譜810中可具有位于沿第一軸812的位置822處的峰836。這種所關(guān)注離子的峰836可靠近于沿第一軸812的另一個(gè)第二離子的峰。第二離子可得自為非關(guān)注分析物的分析物。如果所關(guān)注離子的峰836與第二離子的峰在第一軸812上過度靠近，那么所關(guān)注離子的存在可能被漏過或者被誤認(rèn)為是第二離子的存在。然而，使攙雜劑332與所關(guān)注分析物相結(jié)合可移動(dòng)所關(guān)注離子的峰在第一軸812上的位置。另外，使攙雜劑332與所關(guān)注分析物相結(jié)合可淹沒非關(guān)注離子的峰。例如，使攙雜劑332與所關(guān)注分析物相結(jié)合可導(dǎo)致在沿第一軸812的位置826處形成與所關(guān)注離子相關(guān)的峰840。此另一位置826可充分遠(yuǎn)離其他峰828至836，從而會避免漏過所關(guān)注離子的存在。相似地，峰832在第一軸812上的位置818可已知對應(yīng)于由質(zhì)譜儀104測定的離子碎片。例如，當(dāng)離子338和/或中性分子受到由質(zhì)譜儀104(示于圖1中)中的電子發(fā)射體706發(fā)射的電子710的撞擊時(shí)，中性分子和離子338中的一些可產(chǎn)生特定的離子碎片。如果對應(yīng)于與特定離子338相關(guān)的離子碎片中的一者的峰832的形狀和位置818為已知的并且對應(yīng)于離子338的峰見于光譜810中，那么可基于離子碎片的峰以及其他碎片和分子離子(如果存在)的特征圖案來確認(rèn)特定離子338的存在。如果分子離子不存在，那么可使用所有其他離子和碎片(包括攙雜劑相關(guān)離子)的明確圖案，所述圖案是通過場補(bǔ)償離子淌度譜法和質(zhì)譜法鑒定的?；谝阎x子338(包括分子離子、離子碎片、以及從攙雜劑332和分析物的結(jié)合體形成的離子338、以及與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他離子338)的峰828至840的相對高度，可確定樣品108(示于圖1中)中存在的各種所關(guān)注分析物。如上文所述，計(jì)算裝置112可將場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102和質(zhì)譜儀104產(chǎn)生的光譜810進(jìn)行比較以確定特定峰是否見于每個(gè)光譜810中。此峰可對應(yīng)于得自特定所關(guān)注分析物的離子。計(jì)算裝置112檢查由場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102和質(zhì)譜儀104中的每一個(gè)產(chǎn)生的光譜810以確定這兩個(gè)光譜810中是否具有與所關(guān)注分析物的峰相匹配的峰。例如，計(jì)算裝置112檢查光譜810以確定每個(gè)光譜810中的峰是否與所關(guān)注分析物的峰位于相同位置、具有相同或相似的高度、寬度和/或形狀，以及是否為峰的相同圖案的一部分(如果可以檢測多個(gè)峰)。計(jì)算裝置112通知用戶與所關(guān)注分析物相關(guān)的特定峰840是否見于由光譜儀102、104中的每一個(gè)產(chǎn)生的光譜810中。設(shè)置特殊強(qiáng)調(diào)標(biāo)記以識別得自兩個(gè)光譜儀的光譜中的(諸)分子峰(如果可獲得的話)?？扇芜x地是，如果所關(guān)注分析物的峰840僅見于由光譜儀102、104產(chǎn)生的兩個(gè)光譜810中的一個(gè)內(nèi)(例如，在質(zhì)譜儀光譜中)，那么當(dāng)該峰表示分析物的分子離子并且在質(zhì)譜810中存在附加碎片、攙雜劑相關(guān)峰、任何其他的所關(guān)注分析物相關(guān)的(諸)峰時(shí)，則所關(guān)注分析物存在于樣品108中。如果無分子離子峰存在，那么當(dāng)質(zhì)譜810中的一個(gè)或多個(gè)峰對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰的已知圖案時(shí)，可確定所關(guān)注分析物存在于樣品108中。例如，質(zhì)譜810中的離子碎片和/或攙雜劑相關(guān)峰可對應(yīng)于通常與所關(guān)注分析物相關(guān)的離子碎片和/或攙雜劑相關(guān)峰的已知圖案。在一個(gè)實(shí)施例中，與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰的圖案為得自此前在所關(guān)注分析物中獲得的一個(gè)或多個(gè)質(zhì)量和離子淌度譜中的圖案。圖9為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的檢測所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法950的流程圖。盡管方法950的各個(gè)功能框在本文中是按照一個(gè)或多個(gè)順序進(jìn)行示出和描述的，但方法950的各個(gè)實(shí)施例可改變功能框中的兩個(gè)或多個(gè)的順序和/或跳過功能框中的一個(gè)或多個(gè)。另外，功能框中的兩個(gè)或多個(gè)彼此可同時(shí)或并行發(fā)生。在952處，通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得一組離子的第一光譜。例如，可通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102獲得得自樣品的離子的離子淌度譜810。在954處，獲得從場補(bǔ)償離子淌度譜發(fā)出的離子的第二光譜，如上文所述。例如，可通過質(zhì)譜儀104獲得在952之后離開場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102的離子中的至少一些的質(zhì)譜810。如上文所述，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀可濾出與所關(guān)注分析物不相關(guān)的離子。方法950根據(jù)多條分析路徑956、958來分析在952和954處通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀和質(zhì)譜儀獲得的光譜。離子淌度譜分析路徑956分析通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得的光譜，而質(zhì)譜分析路徑958分析通過質(zhì)譜儀獲得的光譜。在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算裝置112執(zhí)行下文在圖9中所示以及所述的功能框960、962、964、966、968、970、972和974中所述的行為中的一個(gè)或多個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合分析路徑956、958中的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是并行進(jìn)行的。例如，離子淌度譜分析路徑956中功能框960、962的至少一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段可與質(zhì)譜分析路徑958中功能框964、966的至少一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段相交迭。作為另外一種選擇，在一個(gè)實(shí)施例中結(jié)合分析路徑956、958中的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是同時(shí)進(jìn)行的。例如，離子淌度譜分析路徑956中功能框960、962的至少一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段可與質(zhì)譜分析路徑958中功能框964、966的至少一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段相同。在另一個(gè)實(shí)施例中，離子淌度譜分析路徑956中所述的行為是在質(zhì)譜分析路徑958中所述的行為之前發(fā)生的。在離子淌度譜分析路徑956中，在960處確定分子峰是否存在于離子淌度譜中。例如，檢查在952處獲得離子淌度譜以確定所關(guān)注的(諸)分子峰是否存在于光譜中并確定是否符合峰圖案或者(諸)峰是否得到確認(rèn)。所關(guān)注(諸)分子峰可對應(yīng)于所關(guān)注特定分析物的(諸)分子峰。例如，在960處做出的決策可檢查與所關(guān)注分析物相關(guān)的特定分子峰是否存在于離子淌度譜中以及是否滿足峰圖案或者峰是否得到確認(rèn)。在一個(gè)實(shí)施例中，利用下文在圖12中所示以及所述的方法1250、1550(或其部分)中的一個(gè)或多個(gè)來確認(rèn)在960處對于離子淌度譜中的分子峰的檢測。如果在960處的離子淌度譜中所關(guān)注分子峰可見并且符合所述圖案或者(諸)峰得到確認(rèn)，那么方法950前進(jìn)到960和968之間的A處。如果在960處所關(guān)注分子峰不可見、或者(諸)峰可見但圖案不符合或者(諸)峰不能得到確認(rèn)，那么方法950從960和962之間。在962處，確定多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰、離子碎片峰以及其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰是否見于在952處獲得的離子淌度譜中。例如，在962處，檢查在952處獲得離子淌度譜以確定至少一個(gè)攙雜劑相關(guān)峰、至少一個(gè)離子碎片峰、以及至少一個(gè)其他所關(guān)注分析物相關(guān)峰、多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰、和/或多個(gè)離子碎片峰、和/或多個(gè)其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰是否出現(xiàn)在離子淌度譜中并確定是否符合峰圖案或者峰是否得到確認(rèn)。如上文所述，離子淌度譜中的一個(gè)或多個(gè)峰可與一種或多種攙雜劑相關(guān)，所述攙雜劑優(yōu)選地與待檢查樣品中的所關(guān)注分析物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或結(jié)合。離子碎片峰包括離子淌度譜中與所關(guān)注分析物的離子碎片相關(guān)的峰。另外，在離子淌度譜中可存在其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰。在一個(gè)實(shí)施例中，利用下文在圖12和15中所示以及所述的方法1250、1550(或其部分)中的一個(gè)或多個(gè)來確認(rèn)在962處對于離子淌度譜中的多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰、和/或離子碎片峰以及其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰的檢測。如果在962處多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰和/或離子碎片峰、和/或其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰見于離子淌度譜中并且所述峰符合峰圖案或者經(jīng)測定得到確認(rèn)，那么方法950前進(jìn)到962和968之間的A處。如果多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰和/或離子碎片峰、和/或其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰在962處不可見或者這些圖案不符合所述圖案并且這些峰的存在得不到確認(rèn)，那么方法950前進(jìn)到962和970之間的B處。在質(zhì)譜分析路徑958中，在964處確定(i)所關(guān)注分子峰以及至少一個(gè)離子碎片/攙雜劑相關(guān)峰或者其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰是否存在于在954處獲得的質(zhì)譜中以及(ii)所關(guān)注分子峰以及離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他的所關(guān)注分析物相關(guān)(諸)峰是否對應(yīng)于已知的峰圖案。例如，檢查質(zhì)譜以確定對應(yīng)于所關(guān)注分析物的分析峰以及另外對應(yīng)于所關(guān)注分析物的離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰是否存在于在954處獲得的質(zhì)譜中。如果分子峰以及離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰可見，也可確定分子峰以及離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰是否對應(yīng)或匹配與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案。如上文所述，所關(guān)注分析物可與分子峰、離子碎片峰、和/或攙雜劑相關(guān)峰/其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰的圖案相關(guān)。此圖案可認(rèn)為是所關(guān)注分析物的峰“指紋”。所述圖案包括峰彼此的相對位置以及峰的相對強(qiáng)度或高度。如果分子峰以及離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰存在于質(zhì)譜中并且所述峰匹配或?qū)?yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法950前進(jìn)到964和968之間的A處。如果分子峰以及離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰未存在于質(zhì)譜中或者所述峰不匹配或?qū)?yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法950從964前進(jìn)到966。在966處，確定與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰或者與所關(guān)注分析物相關(guān)的多個(gè)離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰是否存在于在954處獲得的質(zhì)譜中，以及與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰或者多個(gè)離子碎片/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰是否對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案。如果分子峰以及離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰可見并且分子峰或離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法950前進(jìn)到966和968之間的A處。如果分子峰以及離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰不20可見，或者分子峰或離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰不對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法950前進(jìn)到966和970之間的B處。在968處，確定所關(guān)注分析物是否存在于通過方法950進(jìn)行檢查的樣品中。此決策基于如下結(jié)果中的一個(gè)或多個(gè)，所述結(jié)果得自在960、962、964和966中的一者或多者處做出的確定和決策。在一個(gè)實(shí)施例中，如果與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰和離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰見于質(zhì)譜中并且這些峰對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案(如在964處所確定的)，那么在968處就確定所關(guān)注分析物存在于樣品中并且方法950前進(jìn)到972處。在952處通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得的并且在960和/或962處進(jìn)行檢查的離子淌度譜810可與質(zhì)譜810結(jié)合使用，以便確認(rèn)或強(qiáng)化對于樣品中的所關(guān)注分析物的檢測。例如，如果分子峰和/或攙雜劑相關(guān)峰或任何其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰在960和/或962處見于離子淌度譜810中，那么分子峰和離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰在964處見于質(zhì)譜中的事實(shí)可得到進(jìn)一步地強(qiáng)化。另一方面，如果與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰和離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰未見于質(zhì)譜中或者這些峰不對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案(如在964和966處所確定的)，那么在970處就確定所關(guān)注分析物不存在于樣品中并且方法950前進(jìn)到970和974之間。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果(i)在968處確定分子峰或分子峰群見于離子淌度譜810中(如在960處所確定的)并且利用下文在圖12和15中所示以及所述的方法1250、1550中的一個(gè)或多個(gè)確認(rèn)出分子峰或分子峰群的存在，(ii)與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰或者多個(gè)離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰見于質(zhì)譜中(如在966處所確定的)，并且(iii)質(zhì)譜中的分子峰或者離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰對應(yīng)于所關(guān)注分析物在質(zhì)譜中的已知峰圖案，那么在968處就確定所關(guān)注分析物存在于樣品中并且方法950前進(jìn)到968和972之間。例如，可通過檢測符合離子淌度譜810中與所關(guān)注分析物相關(guān)的圖案的附加峰來強(qiáng)化分子峰或其群在離子淌度譜810中的存在以及分子峰或離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰在質(zhì)譜810中的存在。另一方面，如果(i)與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰未見于離子淌度譜中(如在960處所確定的)，(ii)離子淌度譜中的分子峰不符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，Gii)與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰或者多個(gè)離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他(諸)峰未見于質(zhì)譜中(如在964和966處所確定的)，或(iv)質(zhì)譜中的分子峰或者離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰不對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案(如在964和966處所確定的)，那么在970處就確定所關(guān)注分析物不存在于樣品中并且方法950從970前進(jìn)到974。例如，在966處進(jìn)行的操作適用于其中分子離子峰未見于質(zhì)譜中的情況。在這種情況下，可檢查質(zhì)譜中的多個(gè)離子碎片峰和/或攙雜劑相關(guān)峰或者任何其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰以確定它們是否與已知的峰圖案相匹配，并且需要離子淌度譜中的支撐確認(rèn)峰，包括分子峰。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過下文結(jié)合圖12和15所述的方法1250、1550中的一個(gè)或多個(gè)來確認(rèn)見于離子淌度譜中的峰。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果在968處確定與所關(guān)注分析物相對應(yīng)的多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰、離子碎片峰、以及其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰見于離子淌度譜中(如在962處所確定的)、離子淌度譜中的攙雜劑相關(guān)峰和/或離子碎片峰以及其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案、與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰或與所關(guān)注分析物相關(guān)的多個(gè)離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰存在于質(zhì)譜中(如在966處所確定的)、并且質(zhì)譜中的分子峰和/或離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰或任何可能的所關(guān)注峰對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案(如在966處所確定的)，那么在968處就確定所關(guān)注分析物存在于樣品中并且方法950前進(jìn)到968和972之間。另一方面，如果與所關(guān)注分析物相對應(yīng)的多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰、離子碎片峰、以及任何可能的所關(guān)注峰未見于離子淌度譜中(如在962處所確定的)、離子淌度譜中的攙雜劑相關(guān)峰和/或離子碎片峰以及任何其他的所關(guān)注分析物相關(guān)峰不對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案、與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰或與所關(guān)注分析物相關(guān)的多個(gè)離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰不存在于質(zhì)譜中(如在966處所確定的)、或者質(zhì)譜中的分子峰和/或離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰不對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案(如在966處所確定的)，那么在970處就確定所關(guān)注分析物不存在于樣品中并且方法950前進(jìn)到970和974之間。在一個(gè)實(shí)施例中，如果(i)在按照960和962進(jìn)行的操作期間所關(guān)注分析物的分子峰或攙雜劑相關(guān)峰(包括分子峰的單體、二聚體、以及三聚體)和離子碎片、以及任何其他的所關(guān)注峰未見于離子淌度譜中，并且Gi)在按照964和966進(jìn)行的操作期間分子峰或離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰未見于質(zhì)譜中，那么在970處就確定所關(guān)注分析物不存在于樣品中。在另一個(gè)實(shí)例中，如果在按照960和962進(jìn)行的操作期間于離子淌度譜中檢測到的峰以及在按照964和966進(jìn)行的操作期間于質(zhì)譜中檢測到的峰不符合它們已知的圖案，并且利用圖12和15中所示的方法不能確認(rèn)離子淌度峰，那么在970處就確定所關(guān)注分析物不存在于樣品中。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果在按照964和966進(jìn)行的操作期間，至少分子峰以及一個(gè)碎片/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰存在于質(zhì)譜中或者在不存在分子離子峰的情況下而有至少3個(gè)與所關(guān)注分析物相關(guān)的離子碎片峰/攙雜劑相關(guān)峰/其他峰見于質(zhì)譜中，并且它們符合已知的所關(guān)注圖案，那么在968處就確定所關(guān)注分析物存在于樣品中。在該實(shí)施例中，在離子淌度譜中符合已知圖案并且/或者得到確認(rèn)的任何附加峰的存在將強(qiáng)化此肯定決策。在972處，通知用戶所關(guān)注分析物存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物見于樣品108中。在974處，通知用戶所關(guān)注分析物不存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物未見于樣品108中。圖10為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的檢測所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法1050的流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，諸如計(jì)算裝置112之類的計(jì)算裝置執(zhí)行圖10中所示的以及下文所述的功能框1052、1054、1056、1058、1060、1062和1064中所述的行為中的一個(gè)或多個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合圖10中所示的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是并行進(jìn)行的。例如，功能框1052發(fā)生的時(shí)間段可與功能框1054交迭，并且/或者功能框1056發(fā)生的時(shí)間段可與功能框1058交迭。作為另外一種選擇，在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合圖10中所示的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是同時(shí)進(jìn)行的。在1052處，分別使用一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀從得自樣品的一組離子中濾出一種或多種離子。例如，可使用一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102從樣品中濾出一種或多種為非關(guān)注離子的離子。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的每一個(gè)均可移除為非關(guān)注離子的附加離子。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102彼此進(jìn)行串聯(lián)連接。在1054處，一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得所述離子組中剩余離子的一個(gè)或多個(gè)光譜。例如，在一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102濾出為非關(guān)注離子的離子中的至少一些后，一個(gè)或多個(gè)附加場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的每一個(gè)均獲得剩余離子的光譜。用于濾出為非關(guān)注離子的離子的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中的一個(gè)或多個(gè)以及用于獲得光譜的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中的一個(gè)或多個(gè)可為相同的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀。在1056處，確定一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注峰是否存在于在1054處獲得的一個(gè)或多個(gè)光譜中。例如，檢查在1054處獲得的光譜中的每一個(gè)以確定每個(gè)光譜中是否均包括一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注峰。在另一個(gè)實(shí)例中，檢查在1054處獲得的光譜的子集中的每一個(gè)以確定該子集中的每個(gè)光譜內(nèi)是否均包括一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注峰。在另一個(gè)實(shí)例中，檢查在1054處獲得的單個(gè)光譜(例如，獲得的最后一個(gè)光譜)以確定此光譜中是否包括一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注峰。所關(guān)注峰包括與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰、離子碎片峰、攙雜劑相關(guān)峰、以及任何其他峰，如上文所述。如果一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注峰見于光譜中，那么方法1050前進(jìn)到1056和1058之間。如果所關(guān)注峰未見于光譜中，那么方法1050前進(jìn)到1056和1064之間。在1058處，確定在1056處可見的所關(guān)注峰是否對應(yīng)于與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案。峰圖案可包括與所關(guān)注分析物相關(guān)的所關(guān)注峰的已知相對位置和強(qiáng)度、或高度、以及形狀。如果所關(guān)注峰對應(yīng)于峰圖案，那么方法1050前進(jìn)到1058和1062之間。如果所關(guān)注峰不對應(yīng)于峰圖案，那么方法1050前進(jìn)到1058和1060之間。例如，如果在1056處與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰以及與所關(guān)注分析物相關(guān)的至少一個(gè)離子碎片峰和/或攙雜劑相關(guān)峰、或與所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰見于光譜中并且這些峰對應(yīng)于峰圖案，那么所述方法前進(jìn)到1058和1062之間。在另一個(gè)實(shí)例中，如果在1056處，⑴與所關(guān)注分析物相關(guān)的多個(gè)離子碎片峰中的至少一個(gè)以及Gi)與所關(guān)注分析物相關(guān)的多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰中的至少一個(gè)見于光譜中并且這些峰對應(yīng)于峰圖案，那么所述方法前進(jìn)到1058和1062之間。在另一個(gè)實(shí)例中，如果在1056處與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰見于光譜中并且在1060處分子峰的存在得到確認(rèn)，那么方法1050前進(jìn)到1060和1062之間。在一個(gè)實(shí)例中，可利用下文在圖12和15中所示以及所述的方法1250、1550(或其部分)中的一個(gè)或多個(gè)來確認(rèn)分子峰的存在。在1060處，確定在1056處可見并且在1058處已確定不對應(yīng)于峰圖案的所關(guān)注峰是否得到確認(rèn)。例如，如果在1056處可見但在1058處未能對應(yīng)于峰圖案的多個(gè)所關(guān)注峰的存在得到確認(rèn)，那么方法1050從1060前進(jìn)到1062。如果在1056處可見的所關(guān)注峰未得到確認(rèn)，那么方法1050從1060前進(jìn)到1064。在一個(gè)實(shí)例中，可利用下文在圖12和15中所示以及所述的方法1250、1550(或其部分)中的一個(gè)或多個(gè)來確認(rèn)所關(guān)注分子峰的存在。在1062處，通知用戶所關(guān)注分析物存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物見于樣品108中。在1064處，通知用戶所關(guān)注分析物不存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物未見于樣品108中。23圖11為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的檢測所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法1150的流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，諸如計(jì)算裝置112之類的計(jì)算裝置執(zhí)行圖11中所示的以及下文所述的功能框1152、1154、1156、1158、1160、1162、1164、1166、1168、1170和1172中所述的行為中的一個(gè)或多個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合圖11中所示的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是并行進(jìn)行的。例如，功能框1158、1160、1162和1164中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)生的時(shí)間段可與功能框1158、1160、1162和1164中的另一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段相交迭。作為另外一種選擇，在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合圖11中所示的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是同時(shí)進(jìn)行的。例如，功能框1158、1160、1162和1164中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)生的時(shí)間段可與功能框1158、1160、1162和1164中的另一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段相同。在1152處，分別使用一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀從一組離子中濾出一種或多種離子。例如，可使用一個(gè)或多個(gè)串聯(lián)連接的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102來從一組離子中濾出一種或多種為非關(guān)注離子的離子并且采集離子淌度譜。所述組的離子得自通過方法1150進(jìn)行檢查的樣品中。所關(guān)注離子包括與所關(guān)注分析物或與所關(guān)注分析物和攙雜劑的結(jié)合體相關(guān)的離子，如上文所述。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的每一個(gè)均移除為非關(guān)注離子的附加離子。在1154處，利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中的一個(gè)或多個(gè)來獲得諸如光譜810之類的光譜。例如，在若干場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102已濾出為非關(guān)注離子的離子中的至少一些后，一個(gè)或多個(gè)附加場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的每一個(gè)進(jìn)一步地過濾離子樣品并且獲得剩余離子的光譜。此光譜稱為離子淌度譜，如上文所述。在1156處，質(zhì)譜儀獲得已在1152和1154處進(jìn)行過濾的剩余離子中的至少一些的光譜。在一個(gè)實(shí)施例中，質(zhì)譜儀104與場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102串聯(lián)連接并且接收從最后一個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102獲得的所述組的離子中的剩余離子。質(zhì)譜儀104隨后獲得剩余離子的光譜，例如光譜810。此光譜稱為質(zhì)譜，如上文所述。在1158處，確定質(zhì)譜中的多個(gè)峰是否包括所關(guān)注峰。所關(guān)注峰為在按照1156獲得的質(zhì)譜中與下述峰相關(guān)的峰，即與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰、離子碎片峰或攙雜劑相關(guān)峰或任何其他的峰，如上文所述。如果在1158處所關(guān)注峰未見于光譜中，那么方法1150前進(jìn)到1158和1164之間。如果一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注峰見于質(zhì)譜中，那么方法1150前進(jìn)到1158與1160、1162中的至少一個(gè)之間。例如，如果所關(guān)注分子峰以及所關(guān)注的攙雜劑相關(guān)峰和/或所關(guān)注的離子碎片峰中的至少一個(gè)或者任何其他的所關(guān)注峰中的一個(gè)見于質(zhì)譜中，并且這些所關(guān)注峰符合于所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1150前進(jìn)到1158、1160和1168之間。峰圖案為質(zhì)譜中與所關(guān)注分析物相關(guān)的已知峰圖案。例如，已知圖案可包括已知與所關(guān)注分析物相關(guān)的多個(gè)峰的相對位置、強(qiáng)度、或高度、以及形狀，如上文所述。在另一個(gè)實(shí)例中，如果多個(gè)所關(guān)注非分子峰見于質(zhì)譜中并且所關(guān)注非分子峰符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法前進(jìn)到1158、1162和1168之間。在一個(gè)實(shí)施例中，所關(guān)注非分子峰包括所關(guān)注的攙雜劑相關(guān)峰和離子碎片峰中的至少兩個(gè)。在另一個(gè)實(shí)例中，如果所關(guān)注峰未見于質(zhì)譜中或者如果一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注峰見于質(zhì)譜中但所述峰不符合于所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1150前進(jìn)到1158和1164之間。在1164處，確定所關(guān)注分子峰是否見于在1154處獲得的離子淌度譜中。例如，可確定與所關(guān)注分析物相關(guān)的一個(gè)或多個(gè)分子峰是否見于在1154處獲得的離子淌度譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)。如果一個(gè)或多個(gè)所關(guān)注分子峰見于離子淌度譜中，那么方法1150前進(jìn)到1164和1166之間。反之，如果所關(guān)注分子峰未見于一個(gè)或多個(gè)離子淌度譜中，那么方法1150前進(jìn)到1164和1170之間。在1166處，確定在1164處見于離子淌度譜中的(諸)分子峰是否得到確認(rèn)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可利用下文在圖12和15中所示以及所述的方法1250、1550(或其部分)中的一個(gè)或多個(gè)來確認(rèn)所關(guān)注分子峰在離子淌度譜中的存在。如果所關(guān)注分子峰在一個(gè)或多個(gè)離子淌度譜中的存在得到確認(rèn)，那么方法1150前進(jìn)到1166和1168之間。反之，如果所關(guān)注分子峰在一個(gè)或多個(gè)離子淌度譜中的存在未得到確認(rèn)，那么方法1150前進(jìn)到1166和1172之間。在某些情況下，在1164中僅有(諸)分子峰的存在及其在1166中的確認(rèn)可足以使方法1150前進(jìn)到1166和1168之間。在1168處，通知用戶所關(guān)注分析物存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物未見于樣品108中。在1170處，確定得到確認(rèn)的所關(guān)注非分子峰、攙雜劑相關(guān)峰、碎片峰和任何其他峰是否存在于離子淌度譜中。如果多個(gè)這些峰存在于離子淌度譜中，那么方法1150前進(jìn)到1168。反之，如果這些峰不存在，那么方法1150前進(jìn)到1172。在1172處，通知用戶所關(guān)注分析物不存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物未見于樣品108中。圖12為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的確認(rèn)所關(guān)注峰存在于光譜中的方法1250的流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，方法1250可單獨(dú)使用或與一個(gè)或多個(gè)其他方法結(jié)合使用以確認(rèn)所關(guān)注峰是否存在于通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得的光譜中。例如，可使用方法1250來確認(rèn)所關(guān)注峰是否存在于利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102獲得的光譜810中。如上文所述，所關(guān)注峰包括與通過方法1250進(jìn)行檢查的樣品中的所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰、攙雜劑相關(guān)峰、離子碎片峰以及任何其他峰。在一個(gè)實(shí)施例中，諸如計(jì)算裝置112之類的計(jì)算裝置執(zhí)行圖12中所示的以及下文所述的功能框1252、1254、1256、1258、1260、1262、1264中所述的行為中的一個(gè)或多個(gè)。在1252處，利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得光譜直至所關(guān)注峰的至少一部分出現(xiàn)在光譜中。例如，可利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102來采集光譜的測定值直至所關(guān)注分子峰的至少一部分見于光譜中。在場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中利用初始場補(bǔ)償電壓和初始分散電壓來獲得所關(guān)注峰的部分。在1254處，當(dāng)獲得所關(guān)注峰的最大強(qiáng)度之后停止采集在1252處部分獲得的光譜的測定值。例如，利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀繼續(xù)獲取或產(chǎn)生光譜和所關(guān)注峰，直至所關(guān)注峰的測定強(qiáng)度達(dá)到最大值并且開始減小。在一個(gè)實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀隨后停止采集或獲取所關(guān)注峰。繼續(xù)參照圖12，圖13為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得的光譜1302中的所關(guān)注峰1300。在方法1250中的1252處，利用設(shè)置在初始分散電壓和初始補(bǔ)償電壓下的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀從左向右來采集圖13中的所關(guān)注峰1300。所關(guān)注峰1300的第一部分1304是在1252處采集的。第一部分1304包括所關(guān)注峰1300的上升側(cè)1312、最大強(qiáng)度1306以及下降側(cè)1314。最大強(qiáng)度1306為通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀測得的所關(guān)注峰1300的最大強(qiáng)度，且所關(guān)注峰1300的最大強(qiáng)度是沿垂直軸1308進(jìn)行測定的。上升側(cè)1312為在采集到所關(guān)注峰1300的最大強(qiáng)度1306之前通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀采集到的所關(guān)注峰1300的部分。下降側(cè)1314為在采集到所關(guān)注峰1300的最大強(qiáng)度1306之后通過場補(bǔ)償式離子淌度譜儀采集到的所關(guān)注峰1300的部分。在方法1250中的1252處采集所關(guān)注峰1300，從而獲得上升側(cè)1312、最大強(qiáng)度1306以及下降側(cè)1314的一部分。在方法1250的1254中，于停止點(diǎn)1310處停止所關(guān)注峰1300的采集。所關(guān)注峰1300在停止點(diǎn)1310處的強(qiáng)度小于最大強(qiáng)度1306。在一個(gè)實(shí)施例中，所關(guān)注峰1300在停止點(diǎn)1310處的強(qiáng)度大約為最大強(qiáng)度1306的75%。作為另外一種選擇，所關(guān)注峰1300在停止點(diǎn)1310處的強(qiáng)度可為最大強(qiáng)度1306的不同百分比或比率。方法1250前進(jìn)到1254和1256之間。在1256處，將場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中的分散電壓和補(bǔ)償電壓中的至少一個(gè)從用于在1252處采集所關(guān)注峰1300的一部分的驅(qū)散和/或補(bǔ)償電壓進(jìn)行調(diào)整。例如，可改變場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102所用驅(qū)散和補(bǔ)償電壓中的至少一個(gè)。在1258處，采集所關(guān)注峰1300的附加部分。例如，在1258處，可利用在1256處改變的驅(qū)散和/或補(bǔ)償電壓來采集所關(guān)注峰1300的附加部分或余部1316。盡管圖13示出的附加部分或余部1316包括所關(guān)注峰1300的剩余部分，但附加部分或余部1316包括的部分可少于所關(guān)注峰1300的剩余部分。在1260處，確定所關(guān)注峰1300的附加部分或余部1316是否與所關(guān)注峰1300相匹配。例如，圖13中所示的附加部分或余部1316與所關(guān)注峰1300相匹配，因?yàn)榇烁郊硬糠只蛴嗖?316繼續(xù)沿著所關(guān)注峰1300的下降側(cè)1314下降。反之，如果所關(guān)注峰1300在停止點(diǎn)1310后的強(qiáng)度明顯不同于在停止點(diǎn)1310處的強(qiáng)度并且/或者所關(guān)注峰1300的測定強(qiáng)度沒有沿著下降側(cè)1314繼續(xù)下降，那么此附加部分或余部1316將不與所關(guān)注峰1300相匹配。繼續(xù)參照圖12和13，圖14為利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀獲得的光譜1402中的峰1400。峰1400類似于所關(guān)注峰1300，不同之處在于峰1400的強(qiáng)度不包括所關(guān)注峰1300的附加部分或余部1316。例如，可根據(jù)方法1250按照與所關(guān)注峰1300相類似的方式來采集峰1400。在1252處，采集到上升側(cè)1404、最大強(qiáng)度1406以及下降側(cè)1408位于最大強(qiáng)度1406和停止點(diǎn)1410之間的部分。上升側(cè)1404、最大強(qiáng)度1406以及下降側(cè)1408位于最大強(qiáng)度1406和停止點(diǎn)1410之間的部分可類似于上升側(cè)1312、最大強(qiáng)度1306以及下降側(cè)1314位于最大強(qiáng)度1306和停止點(diǎn)1310之間的部分。作為對照，當(dāng)在1258處試圖采集峰1400的附加部分時(shí)，峰1400的強(qiáng)度(沿垂直軸1412進(jìn)行測定)顯著下降并且不是按照類似于圖13中的所關(guān)注峰1300的附加部分或余部1316的方式沿著下降側(cè)1408繼續(xù)進(jìn)行逐步下降。返回到圖12中的方法1250的1260處，如果在1258處利用與在1252處所用不同的補(bǔ)償和/或分散電壓未獲得所關(guān)注峰的附加部分或余部，那么方法1250前進(jìn)到1260和1264之間。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，如果在1252至1258處獲得的峰相比于所關(guān)注峰1300(示于圖13中)的形態(tài)看起來更類似于峰1400(示于圖14中)，那么方法1250前進(jìn)到1260和1264之間。反之，如果在1258處獲得了所關(guān)注峰的附加部分或余部，那么方法1250前進(jìn)到1260和1262之間。在1262處，通知用戶所關(guān)注分析物存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物見于樣品108中。在1264處，通知用戶所關(guān)注分析物不存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物未見于樣品108中。圖15為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的檢測所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的方法1550的流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，諸如計(jì)算裝置112之類的計(jì)算裝置執(zhí)行圖15中所示的以及下文所述的功能框1552、1554、1556、1558、1560、1562、1564、1566、1568、1570、1572、1574、1576中所述的行為中的一個(gè)或多個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合圖15中所示的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是并行進(jìn)行的。例如，功能框1552、1554、1556、1558、1560、1562、1564、1566、1568、1570、1572、1574、1576中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)生的時(shí)間段可與功能框1552、1554、1556、1558、1560、1562、1564、1566、1568、1570、1572、1574、1576中的另一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段相交迭。作為另外一種選擇，在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合圖15中所示的功能框進(jìn)行描述的多個(gè)行為是同時(shí)進(jìn)行的。例如，功能框1552、1554、1556、1558、1560、1562、1564、1566、1568、1570、1572、1574、1576中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)生的時(shí)間段可與功能框1552、1554、1556、1558、1560、1562、1564、1566、1568、1570、1572、1574、1576中的另一個(gè)發(fā)生的時(shí)間段相同。在1552處，分別使用一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀從得自樣品的一組離子中濾出一種或多種離子。例如，可使用一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102從樣品中濾出一種或多種為非關(guān)注離子的離子。場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的每一個(gè)均可移除為非關(guān)注離子的附加離子。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102彼此進(jìn)行串聯(lián)連接。在1554處，一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀在初始電場強(qiáng)度下獲得所述離子組中剩余離子的一個(gè)或多個(gè)光譜。例如，在一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102濾出為非關(guān)注離子的離子中的至少一些后，一個(gè)或多個(gè)附加場補(bǔ)償式離子淌度譜儀102中的每一個(gè)均利用第一和第二電極板316和318(示于圖4中)之間的初始電場強(qiáng)度來獲得剩余離子的光譜。用于濾出為非關(guān)注離子的離子的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中的一個(gè)或多個(gè)以及用于獲得光譜的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中的一個(gè)或多個(gè)可為相同的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀。在1556處，確定多個(gè)所關(guān)注峰是否存在于在1554處獲得的光譜中以及這些所關(guān)注峰是否符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案。例如，檢查在1554處獲得的光譜中的每一個(gè)以確定每個(gè)光譜中是否包括多個(gè)所關(guān)注峰。在另一個(gè)實(shí)例中，檢查在1554處獲得的光譜的子集中的每一個(gè)以確定子集中的每個(gè)光譜中是否包括多個(gè)所關(guān)注峰。在另一個(gè)實(shí)例中，檢查在1554處獲得的單個(gè)光譜(例如，獲得的最后一個(gè)光譜)以確定此光譜中是否包括多個(gè)所關(guān)注峰。所關(guān)注峰包括與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰、離子碎片峰、攙雜劑相關(guān)峰、以及任何其他峰，如上文所述。如果多個(gè)所關(guān)注峰見于光譜中并且這些峰符合峰圖案，那么方法1550通過1558和1560中的一個(gè)或多個(gè)前進(jìn)到1556和1564之間。另一方面，如果多個(gè)所關(guān)注峰未見于光譜中，那么方法1550從1556前進(jìn)到1576。在另一個(gè)實(shí)例中，如果這些峰見于光譜中但它們不符合峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1556和271562之間。例如，如果所關(guān)注分子峰以及所關(guān)注攙雜劑相關(guān)峰和/或所關(guān)注離子碎片峰、和/或任何其他的所關(guān)注峰的至少一個(gè)見于在1554處獲得的離子淌度譜中并且這些所關(guān)注峰符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1556、1558和1564之間。在另一個(gè)實(shí)例中，如果所關(guān)注非分子峰見于在1554處獲得的離子淌度譜中并且這些所關(guān)注峰符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1556、1560和1564之間。非分子峰可包括與所關(guān)注分析物相關(guān)的多個(gè)攙雜劑相關(guān)峰、離子碎片峰以及任何其他峰。在另一個(gè)實(shí)例中，如果僅有單個(gè)所關(guān)注分子峰見于在1554處獲得的光譜中或者如果所關(guān)注峰見于在1554處獲得的光譜中但這些峰不符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1556和1562之間。在1562處，確定在1556處可見的單個(gè)所關(guān)注分子峰或多個(gè)所關(guān)注峰(均不符合峰圖案)是否得到確認(rèn)。在一個(gè)實(shí)施例中，通過圖12中所示的以及上文所述的方法1250來確認(rèn)所關(guān)注分子峰或多個(gè)所關(guān)注峰。上述確認(rèn)步驟1250可與1554處的峰采集并行或同時(shí)實(shí)施，其中所述峰是利用所關(guān)注的補(bǔ)償電壓獲得的。如果所關(guān)注的分子峰或多個(gè)峰得到確認(rèn)，那么方法1550前進(jìn)到1562和1564之間。如果所關(guān)注的分子峰或多個(gè)峰未得到確認(rèn)，那么方法1550前進(jìn)到1562和1576之間。在1564處，一個(gè)或多個(gè)場補(bǔ)償式離子淌度譜儀在明顯更高的電場強(qiáng)度下獲得一個(gè)或多個(gè)光譜。例如，利用場補(bǔ)償式離子淌度譜儀以在1554處所用初始電場強(qiáng)度至少四倍的電場強(qiáng)度來獲得離子的另外一個(gè)或多個(gè)光譜，所述場補(bǔ)償式離子淌度譜儀與在1554處以初始電場強(qiáng)度獲得光譜所用的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀相同或不同。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電場強(qiáng)度是初始電場強(qiáng)度的至少四倍(fourtimesgreater)。例如，在1554處所用的初始電場強(qiáng)度可為大約20,000伏特/厘米，而在1564處所用的電場強(qiáng)度可為大約100,000伏特/厘米。作為另外一種選擇，可將不同的電場強(qiáng)度用于初始和/或明顯更高的電場強(qiáng)度中。對于距初始電場強(qiáng)度的差異程度，在1554處所用的第二電場強(qiáng)度可沒有在1564處(其中使用了另一種確認(rèn)方法)所用的第二電場強(qiáng)度大。在另一個(gè)實(shí)施例中，在1564處進(jìn)行的分析可在1554處進(jìn)行，其中使用了與初始場補(bǔ)償式離子淌度譜儀串聯(lián)的相同或不同場補(bǔ)償式離子淌度譜儀，同時(shí)使用了在初始FCIMS中形成的離子的一部分。在又一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)相同類型的峰在明顯更高的電場強(qiáng)度下得到預(yù)期時(shí)，可在1554中利用部分峰采集的確認(rèn)方法1250來完成分析1564，如圖12所述。在這種情況下，明顯更高的電場變成用于采集峰的剩余部分的第二電場。在1566處，確定多個(gè)所關(guān)注峰是否存在于在1564處獲得的光譜中以及這些所關(guān)注峰是否符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案。例如，檢查在1564處獲得的光譜中的每一個(gè)以確定每個(gè)光譜中是否包括多個(gè)所關(guān)注峰。在另一個(gè)實(shí)例中，檢查在1564處獲得的光譜的子集中的每一個(gè)以確定該子集中的每個(gè)光譜中是否包括多個(gè)所關(guān)注峰。在另一個(gè)實(shí)例中，檢查在1564處獲得的單個(gè)光譜(例如，獲得的最后一個(gè)光譜)以確定此光譜中是否包括多個(gè)所關(guān)注峰。所關(guān)注峰可包括與所關(guān)注分析物相關(guān)的分子峰、離子碎片峰、攙雜劑相關(guān)峰、以及任何其他峰中的一個(gè)或多個(gè)，如上文所述。如果多個(gè)所關(guān)注峰見于光譜中并且這些峰符合峰圖案，那么方法1550通過1568和1570中的一個(gè)或多個(gè)前進(jìn)到1566和1574之間。另一方面，如果多個(gè)所關(guān)注峰未見于光譜中，那么方法1550從前進(jìn)到1566和1576之間。在另一個(gè)實(shí)例中，如果1566中的峰不符合峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1566和1572之間。例如，如果所關(guān)注分子峰以及所關(guān)注攙雜劑相關(guān)峰和/或所關(guān)注離子碎片峰、和/或任何其他峰的至少一個(gè)見于在1564處獲得的離子淌度譜中并且這些所關(guān)注峰符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1566、1568和1574之間。在另一個(gè)實(shí)例中，如果多個(gè)所關(guān)注非分子峰見于在1564處獲得的離子淌度譜中并且這些所關(guān)注峰符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1566、1570和1574之間。非分子峰可包括與所關(guān)注分析物相關(guān)的攙雜劑相關(guān)峰和離子碎片峰以及任何其他峰。在另一個(gè)實(shí)例中，如果僅有單個(gè)所關(guān)注分子峰見于在1564處獲得的光譜中或者如果所關(guān)注峰見于在1564處獲得的光譜中但這些峰不符合與所關(guān)注分析物相關(guān)的峰圖案，那么方法1550前進(jìn)到1566和1572之間。在1572處，確定在1566處可見的單個(gè)所關(guān)注分子峰或多個(gè)所關(guān)注峰(均不符合峰圖案)是否得到確認(rèn)。在一個(gè)實(shí)施例中，通過圖12中所示的以及上文所述的方法1250來確認(rèn)所關(guān)注分子峰或多個(gè)所關(guān)注峰。如果所關(guān)注的分子峰或多個(gè)峰得到確認(rèn)，那么方法1550前進(jìn)到1572和1574之間。如果所關(guān)注的分子峰或多個(gè)峰未得到確認(rèn)，那么方法1550前進(jìn)到1572和1576之間。在1574處，通知用戶所關(guān)注分析物存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物見于樣品108中。在1576處，通知用戶所關(guān)注分析物不存在于被檢查的樣品中。例如，計(jì)算裝置112可激活聽覺和/或視覺報(bào)警以通知檢測系統(tǒng)100的用戶所關(guān)注分析物未見于樣品108中。在一個(gè)實(shí)施例中，方法1550提供了用于確認(rèn)一個(gè)或多個(gè)峰是否存在于光譜中的過程。例如，可使用功能框1556至1572來確認(rèn)一個(gè)或多個(gè)峰是否存在，其確認(rèn)方式為在場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中利用初始電場強(qiáng)度來檢測峰并且隨后在不同(或相同)的場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中利用明顯更高的電場強(qiáng)度來檢測峰(或者與初始檢測峰相關(guān)的并且代表僅在明顯更高的電場強(qiáng)度下形成的新特定分子的峰)。圖16示出了本發(fā)明的實(shí)施例可在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上進(jìn)行存儲、分配以及安裝的示例性方式的框圖。在圖16中，“應(yīng)用”表示上文所述的方法和過程操作中的一個(gè)或多個(gè)。例如，應(yīng)用可表示結(jié)合上文所述的圖1至15來執(zhí)行的過程。如圖16所示，開始產(chǎn)生應(yīng)用并將其在源計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1602上存儲為源代碼1600。然后將源代碼1600通過路徑1604進(jìn)行傳送并且利用編譯器1606進(jìn)行處理以產(chǎn)生目標(biāo)代碼1608。將目標(biāo)代碼1608通過路徑1610進(jìn)行傳送并且作為一個(gè)或多個(gè)應(yīng)用主件保存在主計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1612上。然后按路徑1610所示，將目標(biāo)代碼1608復(fù)制若干次以產(chǎn)生產(chǎn)品應(yīng)用拷貝1616并將其保存在單獨(dú)的產(chǎn)品計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1618中。然后按路徑1620所示，將產(chǎn)品計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1618傳送給各個(gè)系統(tǒng)、裝置、終端等等。在圖16的實(shí)例中，將用戶終端1622、裝置1624和系統(tǒng)1626示為硬件組件的實(shí)例，將產(chǎn)品計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1618安裝在這些硬件組件上作為應(yīng)用(如通過1628至1632所示)。例如，可將產(chǎn)品計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1610安裝在圖1中所示的計(jì)算機(jī)裝置112上。源代碼可寫成腳本、或以任意高級語言或低級語言進(jìn)行書寫。源、主、和產(chǎn)品計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1602、1612和1618的實(shí)例包括但不限于CDROM、RAM、ROM、閃速29存儲器、RAID驅(qū)動(dòng)器、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上的存儲器等等。路徑1604、1610、1614和1620的實(shí)例包括(但不限于)網(wǎng)絡(luò)路徑、因特網(wǎng)、藍(lán)牙、GSM、紅外無線LAN、HIPERLAN、3G、衛(wèi)星等等。路徑1604、1610、1614和1620還可表示在兩個(gè)地理位置之間傳送源、主、或產(chǎn)品計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1602、1612或1618中的一個(gè)或多個(gè)物理拷貝的公共或私有載體服務(wù)。路徑1604、1610、1614和1620可表示由一個(gè)或多個(gè)處理器并行執(zhí)行的線程。例如，一個(gè)計(jì)算機(jī)可保有源代碼1600、編譯器1606和目標(biāo)代碼1608。多個(gè)計(jì)算機(jī)可并行操作以產(chǎn)生產(chǎn)品應(yīng)用拷貝1616。路徑1604、1610、1614和1620可為州內(nèi)的、州際的、國內(nèi)的、國際的、洲內(nèi)的、洲際的等等。圖16中指明的操作可在世界范圍內(nèi)以廣泛分布的方式來進(jìn)行，且僅其一部分是在美國境內(nèi)來進(jìn)行的。例如，應(yīng)用源代碼1600可在美國境內(nèi)進(jìn)行編寫并且可保存在美國境內(nèi)的源計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上，但可在編譯、復(fù)制和安裝之前傳送至另一個(gè)國家(對應(yīng)于路徑1604)。作為另外一種選擇，應(yīng)用源代碼1600可在美國境內(nèi)或境外進(jìn)行編寫、可在位于美國境內(nèi)的編譯器1606處進(jìn)行編譯并且可保存在美國境內(nèi)的主計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1612上，但目標(biāo)代碼1608可在復(fù)制和安裝之前被傳送至另一個(gè)國家(對應(yīng)于路徑1614)。作為另外一種選擇，可在美國境內(nèi)或境外來產(chǎn)生應(yīng)用源代碼1600和目標(biāo)代碼1608，但產(chǎn)品應(yīng)用拷貝1616可在美國境內(nèi)產(chǎn)生或?qū)⑵鋫魉椭撩绹?例如，作為分級操作的一部分)，然后將產(chǎn)品應(yīng)用拷貝1616作為應(yīng)用1628至1632安裝到位于美國境內(nèi)或境外的用戶終端1622、裝置1624、以及/或系統(tǒng)1626上。如貫穿本說明書和權(quán)利要求書中所用，術(shù)語“計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”以及“指令被配置為”應(yīng)指G)源計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1602和源代碼1600，(ii)主計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)和目標(biāo)代碼1608，(iii)產(chǎn)品計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)1618和產(chǎn)品應(yīng)用拷貝1616，以及/或者(iv)保存在終端1622中的存儲器內(nèi)的應(yīng)用1628至1632中任何一項(xiàng)或全部。應(yīng)當(dāng)理解，上述說明旨在進(jìn)行說明而非進(jìn)行限制。例如，上述實(shí)施例(以及/或者其各方面)可相互結(jié)合使用。另外，在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下，可進(jìn)行多種修改以便使特定情況或材料適應(yīng)本發(fā)明的教導(dǎo)內(nèi)容。本文所述的各種組件的尺寸、材料類型、方位以及各種組件的數(shù)量和位置旨在定義某些實(shí)施例的參數(shù)，并且決非是限制性的，而是僅為示例性實(shí)施例。在權(quán)利要求書的精神和范圍之內(nèi)的多個(gè)其他實(shí)施例和修改形式對于本領(lǐng)域中已閱讀過上述說明的那些技術(shù)人員而言將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)參照所附權(quán)利要求書以及此權(quán)利要求書授權(quán)的等同物的完整范圍進(jìn)行確定。在所附權(quán)利要求書中，術(shù)語“包含”和“在此之中”用作各自的術(shù)語“包括”和“其中”的易懂英語等價(jià)形式。此外，在下述權(quán)利要求書中，術(shù)語“第一”、“第二”、和“第三”等僅用作標(biāo)號，并且不旨在將數(shù)字要求強(qiáng)加在其對象上。此外，下述權(quán)利要求書的限制性未寫入“裝置加功能”格式中并且并非旨在基于35U.S.C.§112，第六段進(jìn)行解釋，除非并且直到此權(quán)利要求限制性明確地使用由不含其它結(jié)構(gòu)的功能陳述限定的術(shù)語“用于...的裝置”。權(quán)利要求1.一種用于檢測樣品中的所關(guān)注分析物的方法，所述方法包括使得自所述樣品的一組離子穿過離子淌度譜儀以濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生離子淌度譜；利用質(zhì)譜儀產(chǎn)生所述離子中的至少一些的質(zhì)譜；以及當(dāng)所關(guān)注峰見于所述離子淌度譜和所述質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)并且所述所關(guān)注峰符合與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案時(shí)確定所述所關(guān)注分析物存在于所述樣品中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述穿過操作包括使所述離子穿過多個(gè)彼此串聯(lián)連接的離子淌度譜儀。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述產(chǎn)生操作包括使所述離子穿過多個(gè)彼此串聯(lián)連接的質(zhì)譜儀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述所關(guān)注峰包括產(chǎn)生自與所述所關(guān)注分析物中的分子相關(guān)的離子的分子峰、產(chǎn)生自從所述所關(guān)注分析物獲得的離子碎片的離子碎片峰、產(chǎn)生自由所述所關(guān)注分析物和攙雜劑之間的反應(yīng)形成的化學(xué)物質(zhì)的攙雜劑相關(guān)峰、以及代表所述所關(guān)注分析物的任何其他峰中的一個(gè)或多個(gè)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述確定操作包括當(dāng)所述質(zhì)譜中的所關(guān)注峰包含所述分子峰與所述離子碎片峰、所述攙雜劑相關(guān)峰以及和所述所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的至少一個(gè)時(shí)，確定所述所關(guān)注分析物存在于所述樣品中。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過在場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中利用分散電壓和補(bǔ)償電壓獲得所述所關(guān)注峰的初始部分以及在所述場補(bǔ)償式離子淌度譜儀中利用不同的分散電壓和不同的補(bǔ)償電壓中的至少一個(gè)獲得所述所關(guān)注峰的附加部分來確認(rèn)所述所關(guān)注峰中的至少一個(gè)的存在。7.一種用于檢測樣品中的所關(guān)注分析物的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括離子淌度譜儀，所述離子淌度譜儀被配置為接收得自所述樣品的一組離子以便濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生離子淌度譜；質(zhì)譜儀，所述質(zhì)譜儀與所述離子淌度譜儀串聯(lián)連接以便接收得自所述離子淌度譜儀的離子中的至少一些并且產(chǎn)生接收自所述離子淌度譜儀的所述離子的質(zhì)譜；以及計(jì)算裝置，所述計(jì)算裝置用于當(dāng)所關(guān)注峰見于所述離子淌度譜和所述質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)并且所述所關(guān)注峰符合與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案時(shí)來確定所述所關(guān)注分析物存在于所述樣品中。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，還包括至少一個(gè)與所述離子淌度譜儀和所述質(zhì)譜儀串聯(lián)連接的附加離子淌度譜儀，所述離子從所述離子淌度譜儀和所述附加離子淌度譜儀中的每一個(gè)內(nèi)穿過以便濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生離子淌度譜。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，還包括至少一個(gè)與所述離子淌度譜儀和所述質(zhì)譜儀串聯(lián)連接的附加質(zhì)譜儀，所述離子由所述質(zhì)譜儀和所述附加質(zhì)譜儀中的每一個(gè)來接收以產(chǎn)生質(zhì)譜。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述所關(guān)注峰包括產(chǎn)生自與所述所關(guān)注分析物中的分子相關(guān)的離子的分子峰、產(chǎn)生自從所述所關(guān)注分析物獲得的離子碎片的離子碎片峰、產(chǎn)生自由所述所關(guān)注分析物和攙雜劑之間的反應(yīng)形成的化學(xué)物質(zhì)的攙雜劑相關(guān)峰、以及與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的一個(gè)或多個(gè)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算裝置在所述質(zhì)譜中的所關(guān)注峰包括所述分子峰與所述離子碎片峰、所述攙雜劑相關(guān)峰以及和所述所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的至少一個(gè)時(shí)來確定所述所關(guān)注分析物存在于所述樣品中。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述離子淌度譜儀包括場補(bǔ)償式離子淌度譜儀，所述場補(bǔ)償式離子淌度譜儀被配置為通過利用分散電壓和補(bǔ)償電壓獲得所述所關(guān)注峰的初始部分以及利用不同的分散電壓和不同的補(bǔ)償電壓中的至少一個(gè)獲得所述所關(guān)注峰的附加部分確認(rèn)所述所關(guān)注峰中的至少一個(gè)的存在。13.—種用于計(jì)算裝置中被配置成確定所關(guān)注分析物是否存在于樣品中的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)包括指令以指示所述計(jì)算裝置進(jìn)行如下操作產(chǎn)生從所述樣品中獲得的離子的離子淌度譜和質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)；檢測所述離子淌度譜和所述質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)的所關(guān)注峰；確定所述所關(guān)注峰是否符合與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案；當(dāng)所述所關(guān)注峰符合所述預(yù)定峰圖案時(shí)提供所述所關(guān)注分析物存在于所述樣品中的通知。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中所述所關(guān)注峰包括產(chǎn)生自與所述所關(guān)注分析物中的分子相關(guān)的離子的分子峰、產(chǎn)生自從所述所關(guān)注分析物獲得的離子碎片的離子碎片峰、產(chǎn)生自由所述所關(guān)注分析物和攙雜劑之間的反應(yīng)形成的化學(xué)物質(zhì)的攙雜劑相關(guān)峰、以及與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的一個(gè)或多個(gè)。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中如果所述所關(guān)注峰中的一個(gè)或多個(gè)存在于所述離子淌度譜中、符合所述預(yù)定的峰圖案、或者所述所關(guān)注峰中的至少一個(gè)在所述離子淌度譜中的存在得到確認(rèn)，則所述指令指示所述計(jì)算裝置提供所述通知。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中如果所關(guān)注峰分子峰與所關(guān)注離子碎片峰、所關(guān)注攙雜劑相關(guān)峰以及和所述所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的至少一個(gè)見于所述質(zhì)譜中并且符合所述預(yù)定的峰圖案，則所述指令指示所述計(jì)算裝置提供所述通知。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中所述指令指示所述裝置通過在所述離子淌度譜儀中利用第一分散電壓和第一補(bǔ)償電壓獲得所述所關(guān)注峰的一部分以及在所述離子淌度譜儀中利用第二分散電壓和第二補(bǔ)償電壓中的一個(gè)或多個(gè)獲得所述所關(guān)注峰的附加部分來確認(rèn)所述所關(guān)注峰的存在。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中所述指令指示所述裝置通過在離子淌度譜儀中利用第一電場獲得所述所關(guān)注峰以及在所述離子淌度譜儀中利用第二電場獲得所述所關(guān)注峰或不同的所關(guān)注峰來確認(rèn)所述所關(guān)注峰的存在，所述第二電場是所述第一電場的至少四倍。19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中所述所關(guān)注峰包括所關(guān)注分子峰與所關(guān)注離子碎片峰、所關(guān)注攙雜劑相關(guān)峰以及在所述離子淌度譜中檢測到的另一個(gè)所關(guān)注峰中的至少一個(gè)，并且其中所述指令指示所述計(jì)算裝置確認(rèn)所述所關(guān)注峰在所述離子淌度譜中的存在。20.一種用于檢測樣品中的所關(guān)注分析物的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括第一場補(bǔ)償式離子淌度譜儀(“第一FCIMS”)，所述第一FCIMS接收產(chǎn)生自所述樣品的一組離子、從所述組中濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生第一離子淌度譜；與所述第一FCIMS相連的第二場補(bǔ)償式離子淌度譜儀(“第二FCIMS”)，所述第二FCIMS接收得自所述第一FCIMS的離子以產(chǎn)生第二離子淌度譜；以及計(jì)算裝置，所述計(jì)算裝置分析所述第一和第二離子淌度譜以便當(dāng)所關(guān)注峰存在于所述第一和第二離子淌度譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)時(shí)確定所述所關(guān)注分析物存在于所述樣品中。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述所關(guān)注峰包括產(chǎn)生自與所述所關(guān)注分析物中的分子相關(guān)的離子的分子峰、產(chǎn)生自從所述所關(guān)注分析物獲得的離子碎片的離子碎片峰、產(chǎn)生自由所述所關(guān)注分析物和攙雜劑之間的反應(yīng)形成的化學(xué)物質(zhì)的攙雜劑相關(guān)峰、以及與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的任何其他峰中的一個(gè)或多個(gè)。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算裝置在所述所關(guān)注峰符合與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案時(shí)確定所述所關(guān)注分析物的存在。23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算裝置在所述所關(guān)注峰被所述第一和第二FCIMS中的至少一個(gè)確認(rèn)時(shí)確定所關(guān)注分析物的存在。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二FCIMS中的至少一個(gè)通過利用第一電場獲得所述所關(guān)注峰中的至少一個(gè)的第一部分以及利用第二電場獲得所述所關(guān)注峰的附加部分來確認(rèn)所述所關(guān)注分析物的存在。25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二FCIMS中的每一個(gè)均包括相對的電極板，所述電極板被配置為產(chǎn)生使所述離子在由所述第一和第二FCIMS進(jìn)行檢測或?yàn)V出之前從中穿過的電場，其中所述第一FCIMS的電極板與所述第二FCIMS的電極板各自分開不同的距離。全文摘要本發(fā)明提供了用于檢測樣品中的所關(guān)注分析物的系統(tǒng)和方法。所述方法包括使得自所述樣品的一組離子穿過離子淌度譜儀以便濾出為非關(guān)注離子的離子并且產(chǎn)生離子淌度譜。利用質(zhì)譜儀產(chǎn)生所述離子中的至少一些的質(zhì)譜。所述方法還包括當(dāng)所關(guān)注峰見于所述離子淌度譜和所述質(zhì)譜中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)并且所述所關(guān)注峰符合與所述所關(guān)注分析物相關(guān)的預(yù)定峰圖案或通過離子淌度譜法得到確認(rèn)時(shí)確定所述所關(guān)注分析物是否存在于所述樣品中。還公開了本方法的多個(gè)變體。文檔編號H01J49/00GK102016561SQ200980115116公開日2011年4月13日申請日期2009年3月5日優(yōu)先權(quán)日2008年3月8日發(fā)明者A·E·斯塔烏布斯,M·S·馬特加茲奇克申請人:斯科特科技股份有限公司