專利名稱：一種貼片式發(fā)光二極管的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于發(fā)光二極管技術領域，尤其涉及一種貼片式發(fā)光二極管。
背景技術：
隨著發(fā)光二極管應用的不斷拓展，對發(fā)光二極管的發(fā)光強度要求也越
來越高，對光衰要求更低；這就要求發(fā)光二'極管的發(fā)光效率要高，導熱散 熱效果要更好。盡管發(fā)光二極管芯片的內(nèi)量子效率不斷提升，但由于貼片 式發(fā)光二極管的封裝體積小及技術和成本的限制，無法將發(fā)光二極管芯片 的高效光能及熱量全部導引出來，使芯片大部份光能在平面全反射過程中 損耗了，高熱量又使的芯片發(fā)光內(nèi)量子效率降低。
目前，貼片式發(fā)光二極管通常有兩種封裝形式，第一種是采用BT板為 芯片承載基礎，加模壓塑封成型如0603、 0805等型號結構，第二種是采用 PPA反射膠杯支架封裝如3528、 3020、 5050等型號結構，第一種封裝形式 成本低、生產(chǎn)效率高，但出光率相對第二種較低，由于其導熱和散熱性較 差，光衰減也較大，但該產(chǎn)品的應用范圍非常廣泛,多年來其性能未能得 到提高。

實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種貼片式發(fā)光二極管，旨在提高貼片式 發(fā)光二極管封裝的出光效率，實現(xiàn)高效出光，降低光衰減，滿足市場對光 源的需求。
本實用新型提供的一種貼片式發(fā)光二極管，包括形成有金屬層的基板、片和封裝膠體，所述基板金屬層的表面上形成 有一可將所述封裝膠體出光面的折射光反射成垂直于出光面的光的廣角反 射區(qū)。本實用新型通過在發(fā)光二極管基板的金屬層表面定域形成一可將出光 面的折射光反射成垂直光的廣角反射區(qū)，使得發(fā)光二極管增加了最終發(fā)出 垂直于出光面的光，減少了由于平面反射造成的光損失，提高了出光效率， 同時還增大了金屬層面積，使芯片的導熱散熱效率得以提高，有益于提高 芯片的內(nèi)量子效率及降低光衰減。


圖1是本實用新型提供的貼片式發(fā)光二極管的基板結構示意圖； 圖2是采用圖1所示基板結構封裝的發(fā)光二極管產(chǎn)品的側視圖； 圖3是圖2中區(qū)域A的局部放大圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合 附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。此處所描述的具體實 施例僅僅用以解釋本實用新型，并不限定本實用新型實施例。本實用新型實施例中，在貼片式發(fā)光二極管基板的金屬層表面定域形 成一廣角反射區(qū)，該廣角反射區(qū)可進一步將出光面的折射光反射成垂直光， 使得發(fā)光二極管增加了最終發(fā)出垂直于出光面的光。圖1示出了本實用新型實施例提供的貼片式發(fā)光二極管的基板結構， 圖2為采用圖1所示基板結構封裝的發(fā)光二極管產(chǎn)品的側視圖，圖3為圖2 中區(qū)域A的局部放大圖，為了便于描述，以上各圖僅示出了與本實用新型 相關的部分。形成廣角反射區(qū)3,如在金屬層2上形成的發(fā)光芯片貼裝區(qū)4和焊線區(qū)5的 周圍形成，金屬層2表面的這種結構可經(jīng)過旋涂顯影膠、光刻、腐蝕形成， 金屬層2為銀白色。發(fā)光芯片6貼裝于發(fā)光芯片貼裝區(qū)4,發(fā)光芯片6外有 一層封裝膠體7?；?的兩側為外電極8。如圖3所示的局部放大圖，封 裝膠體7出光面的折射光L1被廣角反射區(qū)3反射成垂直于出光面的光L2， 從而減少了由于平面反射造成的光損失，提高了出光效率；同時還增大了 金屬層面積，使芯片的導熱散熱效率得以提高，有益于提高芯片的內(nèi)量子 效率及降低光衰減。
進一步地，廣角反射區(qū)3密布半球狀曲面，實現(xiàn)將全平面光反射變成 為廣角度光反射。同時這種密布半球狀曲面更有利于增強基板1同封裝封 膠體7的結合，才是高貼片式發(fā)光二極管的封裝可靠性。
進一步地，廣角反射區(qū)3鍍有銀層。
進一步地，金屬層2的周邊有鋸齒狀凸起9，可經(jīng)過旋涂顯影膠、光刻、 腐蝕形成的，這種鋸齒狀立體凹凸面更有利于增強基板1同封裝封膠體7 的結合，提高貼片式發(fā)光二極管的封裝可靠性。
本實用新型實施例通過在發(fā)光二極管基板的金屬層表面定域形成一可 將出光面的折射光反射成垂直光的廣角反射區(qū)，使得發(fā)光二極管增加了最 終發(fā)出垂直于出光面的光，減少了由于平面反射造成的光損失，提高了出 光效率，同時還增大了金屬層面積，使芯片的導熱散熱效率得以提高，有
益于提高芯片的內(nèi)量子效率及降低光衰減；并且金屬層密布半球狀曲面及 周邊的鋸齒狀凸起結構更有利于增強基板同封裝封膠體的結合，提高貼片 式發(fā)光二極管的封裝可靠性。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不限制于本實施例， 凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等， 均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權利要求1、一種貼片式發(fā)光二極管，包括形成有金屬層的基板、貼裝于所述基板上的發(fā)光芯片和封裝膠體，其特征在于，所述基板金屬層的表面形成有一可將所述封裝膠體出光面的折射光反射成垂直于出光面的光的廣角反射區(qū)。
2、 如權利要求1所述的貼片式發(fā)光二極管，其特征在于，所述基板金 屬層上形成有焊線區(qū)，所述廣角反射區(qū)形成于所述焊線區(qū)和發(fā)光芯片貼裝 區(qū)的周圍。
3、 如權利要求1所述的貼片式發(fā)光二極管，其特征在于，所述廣角反 射區(qū)密布半^M犬曲面。
4、 如權利要求l、 2或3所述的貼片式發(fā)光二極管，其特征在于，所 述廣角反射區(qū)鍍有銀層。
5、 如權利要求1所述的貼片式發(fā)光二極管，其特征在于，所述基板的 金屬層周邊有鋸齒狀凸起。
專利摘要本實用新型適用于發(fā)光二極管技術領域，尤其涉及一種貼片式發(fā)光二極管，包括形成有金屬層的基板、貼裝于所述基板上的發(fā)光芯片和封裝膠體，所述基板金屬層的表面形成有一可將所述封裝膠體出光面的折射光反射成垂直于出光面的光的廣角反射區(qū)。本實用新型通過在發(fā)光二極管基板的金屬層表面定域形成一可將出光面的折射光反射成垂直光的廣角反射區(qū)，使得發(fā)光二極管增加了最終發(fā)出垂直于出光面的光，減少了由于平面反射造成的光損失，提高了出光效率，同時還增大了金屬層面積，使芯片的導熱散熱效率得以提高，有益于提高芯片的內(nèi)量子效率及降低光衰減。
文檔編號F21V7/20GK201363667SQ200920135069
公開日2009年12月16日 申請日期2009年2月25日 優(yōu)先權日2009年2月25日
發(fā)明者周春生, 童文鵬 申請人:深圳市聚飛光電股份有限公司