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蔭罩式等離子體顯示器的制作方法

文檔序號:2849262閱讀:258來源:國知局
專利名稱:蔭罩式等離子體顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種顯示器,尤其是一種高效率、易實施、能夠消除感應(yīng)電 壓的等離子體顯示器,具體地說是一種蔭罩式等離子體顯示器。
背景技術(shù)
等離子平板顯示器Plasma Display Panel簡稱PDP,是利用氣體放電發(fā)光 進行顯示的平面顯示板。蔭罩式等離子體顯示器Shadow Mask Plasma Display Panel,簡稱SMPDP,是在現(xiàn)有PDP技術(shù)基礎(chǔ)上,利用彩色陰極射線管CRT 中的蔭罩板即金屬柵網(wǎng)板代替PDP中復(fù)雜的障壁制造,獨立加工蔭罩板,并 在其上制作熒光粉,最后將前基板、蔭罩板、后基板以"三明治"的方式裝配來 制作整屏,如圖5所示。包含電極的前后基板結(jié)構(gòu)如圖6所示。蔭罩是由導(dǎo) 電材料加工而成的,是包含網(wǎng)孔陣列的金屬薄網(wǎng)板。放電單元由蔭罩板上的 三個蔭罩孔構(gòu)成,紅、綠、藍三色熒光粉漿料分別順序涂敷在蔭罩孔內(nèi),如 圖7、 8所示。
等離子平板顯示器按引起放電時施加電壓的方式不同,可分為直流型與 交流型,蔭罩式等離子顯示器電極表面覆以透明介電層及保護層,通過絕緣 體的介電層表面產(chǎn)生放電,在交流電壓下工作,因此屬于交流型PDP。由于 導(dǎo)體之間存在電容效應(yīng),因而在強交流電附近的導(dǎo)體會產(chǎn)生感應(yīng)電壓。然而 影響感應(yīng)電壓的因素有很多,如交流電的頻率、交流電的幅值,以及產(chǎn)生感 應(yīng)電壓的導(dǎo)體是否帶有負載或負載的大小等,所以難以對感應(yīng)電壓進行準確 的定量測量。但是在感應(yīng)電壓產(chǎn)生的同時,蔭罩上會積累大量的電荷,當電 荷積累到一定的量以后,就會在顯示區(qū)域產(chǎn)生錯誤的放電信號,導(dǎo)致放電異 常。某個區(qū)域在不該亮的時候亮,我們稱之為誤點火。這種誤點火現(xiàn)象是由 于感應(yīng)電壓產(chǎn)生的?,F(xiàn)有的顯示器中沒有消除感應(yīng)電壓的裝置,沒有采取相應(yīng)的措施去降低蔭罩上的電荷數(shù)量,顯示區(qū)的像素區(qū)域會出現(xiàn)非正常發(fā)光的 現(xiàn)象,不能滿足現(xiàn)有生產(chǎn)技術(shù)的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有蔭罩式等離子顯示器不能消除感應(yīng)電壓,易產(chǎn) 生錯誤的放電信號導(dǎo)致放電異常的問題,提出一種能夠有效消除感應(yīng)電壓的 蔭罩式等離子體顯示器。
本發(fā)明的技術(shù)方案是-
一種蔭罩式等離子體顯示器,它包括等前基板、匯流電極、前基板介質(zhì)
層、前基板MgO保護層、后基板、尋址電極、后基板介質(zhì)層、后基板MgO 保護層和蔭罩,其特征是所述的蔭罩邊緣設(shè)有蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)即網(wǎng)格孔像 素區(qū)域以外設(shè)有蔭罩電位引出結(jié)構(gòu),所述的前基板上設(shè)有接觸電極塊、引出 電極塊和平行電極,接觸電極塊和引出電極塊上不被前基板介質(zhì)層和前基板 MgO保護層覆蓋,接觸電極塊與蔭罩上的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的安裝在 前基板上,引出電極塊的一端通過平行電極與接觸電極塊相連,引出電極塊 的另一端接地。
本發(fā)明的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)包括殼體和耳絲,耳絲在殼體的內(nèi)部,耳絲 的形狀可以為脈沖方波形、三角波形或正弦波形。
本發(fā)明的引出電極塊與接觸電極塊的形狀均可以為圓形、橢圓形、正方 形、長方形、菱形、多邊形或所述的各種圖形的組合。
本發(fā)明的接觸電極塊和引出電極塊上不被前基板介質(zhì)層和前基板MgO保 護層覆蓋的部分采用酸或酸的混合液腐蝕、機械打磨或貼附膠帶輔助打磨的 方法去除。
本發(fā)明的酸為硝酸或鹽酸。
本發(fā)明的機械打磨的方法要選擇合適的鉆頭與合理的角度,利用打磨機 去除前基板的介質(zhì)層。
本發(fā)明的貼附膠帶輔助打磨的方法是在接觸電極塊上預(yù)貼具有一定黏度 的膠帶,制作前基板的介質(zhì)層后,撕除貼附的膠帶,然后將撕除膠帶的邊緣部位打磨平整。
本發(fā)明的有益效果
1、 本發(fā)明在蔭罩上裝有蔭罩電位引出結(jié)構(gòu),它與前基板裸露的接觸電極 塊充分、良好地接觸,從而獲得較小的接觸電阻。通過前基板上裸露的引出 電極塊接地處理的方式,引出感應(yīng)電壓,減少了蔭罩上電荷的積累,.從而最 大限度地去除了錯誤的放電信號,使得蔭罩式等離子顯示器中所有的像素區(qū) 域正常發(fā)光。
2、 本發(fā)明的蔭罩式等離子體顯示器結(jié)構(gòu)簡單,效率高,實施方便,能夠 消除感應(yīng)電壓。


圖1是包含接觸電極塊與引出電極塊的前基板結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3是引出電極塊和接觸電極塊的多種形狀示意圖。
圖4是蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)的多種形狀示意圖。
圖5是蔭罩式等離子顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是蔭罩式等離子顯示屏前后基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是蔭罩孔俯視圖。
圖8是蔭罩孔剖視圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
如圖1所示, 一種蔭罩式等離子體顯示器,它包括等前基板l、匯流電極 2、前基板介質(zhì)層S、前基板MgO保護層3、后基板6、尋址電極5、后基板 介質(zhì)層7、后基板MgO保護層4和蔭罩15,其特征是所述的蔭罩15邊緣設(shè) 有蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)11即網(wǎng)格孔像素區(qū)域以外設(shè)有蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)11,所 述的前基板l上設(shè)有接觸電極塊9、引出電極塊10和平行電極12,接觸電極 塊9和引出電極塊10上不被前基板介質(zhì)層8和前基板MgO保護層3覆蓋,接觸電極塊9與蔭罩15上的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)11相對應(yīng)的設(shè)計在前基板1 上,引出電極塊10的一端通過平行電極12與接觸電極塊9相連,引出電極 塊10的另一端接地。
本發(fā)明的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)11包括殼體13和耳絲14,耳絲14在殼體 13的內(nèi)部,耳絲14的形狀可以為脈沖方波形、三角波形或正弦波形。
本發(fā)明的引出電極塊10與接觸電極塊9的形狀均可以為圓形、橢圓形、 正方形、長方形、菱形、多邊形或所述的各種圖形的組合。
本發(fā)明的接觸電極塊9和引出電極塊10上不被前基板介質(zhì)層8和前基板 MgO保護層3覆蓋的部分可以采用酸或酸的混合液腐蝕、機械打磨或貼附膠 帶輔助打磨的方法去除。
本發(fā)明的酸為硝酸或鹽酸。
本發(fā)明的機械打磨的方法要選擇合適的鉆頭與合理的角度,利用打磨機 去除前基板介質(zhì)層8。
本發(fā)明的貼附膠帶輔助打磨的方法是在接觸電極塊9上預(yù)貼具有一定黏 度的膠帶,制作前基板的介質(zhì)層8后,撕除貼附的膠帶,然后將撕除膠帶的 邊緣部位打磨平整。
具體實施時
如圖5所示,等離子體顯示器包括前基板、后基板和蔭罩,具體如圖6 所示,等離子體顯示器包括前基板1、匯流電極2、前基板介質(zhì)層8、前基板 MgO保護層3、后基板6、尋址電極5、后基板介質(zhì)層7、后基板MgO保護 層4。顯示板的-人致制造過程為將前基板l、蔭罩15、后基板6按位置對位 固定,四周用封接漿料氣密封接,封接漿料主要成分為低熔點玻璃粉。蔭罩 可通過前基板1上的接觸電極塊9和引出電極塊IO接地,如圖1是本發(fā)明包 含電位引出電極的前基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖,它包括接觸電極塊9和引出電 極塊IO,接觸電極塊9與蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)11直接接觸,引出電極塊10引 出接地,從而可以引出電位。向封接好的前后基板中間充入-一定量的工作氣 體,然后進行封離,便能夠得到蔭罩式等離子體顯示板。將蔭罩與前基板1 的接觸電極塊9直接接觸,再通過前基板1預(yù)留的引出電極塊10引出接地。這種接地處理的方式可以減少蔭罩上積累的電荷數(shù)量,從而能夠消除蔭罩15 與前基板1之間的感應(yīng)電壓差。
本發(fā)明的接觸電極塊9與蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)11可以分別位于前基板和蔭 罩的多個位置,只要兩者相互匹配即可。
本發(fā)明的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)11,如圖2所示,它包括殼體13和耳絲14, 耳絲14在殼體13的內(nèi)部,耳絲14的形狀可以為脈沖方波形、三角波形或正 弦波形,如圖4所示。
本發(fā)明的引出電極塊10與接觸電極塊9的形狀均可以為多邊形(包括長 方形和正方形等)、橢圓形(包括圓形),以及各種圖形的組合,如圖3所示。
本發(fā)明未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
權(quán)利要求
1、一種蔭罩式等離子體顯示器,它包括等前基板(1)、匯流電極(2)、前基板介質(zhì)層(8)、前基板MgO保護層(3)、后基板(6)、尋址電極(5)、后基板介質(zhì)層(7)、后基板MgO保護層(4)和蔭罩(15),其特征是所述的蔭罩(15)邊緣設(shè)有蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)(11)即網(wǎng)格孔像素區(qū)域以外設(shè)有蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)(11),所述的前基板(1)上設(shè)有接觸電極塊(9)、引出電極塊(10)和平行電極(12),接觸電極塊(9)和引出電極塊(10)上不被前基板介質(zhì)層(8)和前基板MgO保護層(3)覆蓋,接觸電極塊(9)與蔭罩(15)上的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)(11)相對應(yīng)的安裝在前基板(1)上,引出電極塊(10)的一端通過平行電極(12)與接觸電極塊(9)相連,引出電極塊(10)的另一端接地。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔭罩式等離子體顯示器,其特征是所述的蔭罩電位 引出結(jié)構(gòu)(11)包括殼體(13)和耳絲(14),耳絲(14)在殼體(13)的內(nèi) 部,耳絲(14)的形狀可以為脈沖方波形、三角波形或正弦波形。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔭罩式等離子體顯示器,其特征是所述的引出電極 塊(10)與接觸電極塊(9)的形狀均可以為圓形、橢圓形、正方形、長方形、 菱形、多邊形或所述的各種圖形的組合。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔭罩式等離子體顯示器,其特征是所述的接觸電極 塊(9)和引出電極塊(10)上不被前基板介質(zhì)層(8)和前基板MgO保護層(3)覆蓋的部分采用酸或酸的混合液腐蝕、機械打磨或貼附膠帶輔助打磨的 方法去除。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蔭罩式等離子體顯示器,其特征是所述的酸為硝酸 或鹽酸。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蔭罩式等離子體顯示器,其特征是所述的機械打磨 的方法要選擇合適的鉆頭與合理的打磨角度,利用打磨機去除前基板的介質(zhì) 層(8)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蔭罩式等離子體顯示器,其特征是所述的貼附膠帶輔助打磨的方法是在接觸電極塊(9)上預(yù)貼具有一定黏度的膠帶,制作前基板的介質(zhì)層(8)后,撕除貼附的膠帶,然后將撕除膠帶的邊緣部位打磨平整。
全文摘要
一種蔭罩式等離子體顯示器,前基板(1)上設(shè)有接觸電極塊(9)、引出電極塊(10)和平行電極(12),接觸電極塊(9)和引出電極塊(10)上不被前基板介質(zhì)層(8)和前基板MgO保護層(3)覆蓋,接觸電極塊(9)與蔭罩(15)上的蔭罩電位引出結(jié)構(gòu)(11)相對應(yīng)的安裝在前基板(1)上,引出電極塊(10)的一端通過平行電極(12)與接觸電極塊(9)相連,引出電極塊(10)的另一端接地。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、易于實施、能夠有效消除感應(yīng)電壓,從而可以使得蔭罩式等離子體顯示器中所有的像素區(qū)域正常放電。
文檔編號H01J11/12GK101615552SQ20091012736
公開日2009年12月30日 申請日期2009年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月13日
發(fā)明者雄 張, 張浩康, 靜 徐, 朱立鋒, 林青園, 王保平, 剛 陳 申請人:南京華顯高科有限公司
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