專利名稱：：一種大功率高亮度黃光led的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(LED)，尤其是涉及一種大功率高亮度黃光發(fā)光二極管燈具。
背景技術：
：發(fā)光二極管(Light-emittingdiode，簡稱為LED),是半導體二極管的一種，可以把電能轉化成光能。LED與小白熾燈泡和氖燈相比，具有以下特點工作電壓很低(有的僅一點幾伏)；工作電流很小(有的僅零點幾毫安即可發(fā)光)；抗沖擊和抗震性能好，可靠性高，壽命長；通過調制通過的電流強弱可以方便地調制發(fā)光的強弱。根據制造發(fā)光二極管所用的半導體材料的不同，普通單色發(fā)光二極管的發(fā)光波長不同，從而發(fā)光顏色也不同，其中黃色發(fā)光二極管的波長一般為585nm左右。現有技術的黃光LED的主要缺點在于發(fā)光亮度低，光通亮小(即流明小)，一般情況下為40-50lm光通亮，從而造成黃光LED照明亮度不理想，即使做到亮度高但是相應的LED光衰加大。因此，如何提高黃光LED的亮度，同時保證LED的光衰不會加大，是迫切需要解決的實際問題。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供一種高亮度黃色發(fā)光二極管照明燈具，其與現有技術的黃光LED相比，不僅具有更好的亮度，而且減少了LED的光衰，從而延長了大功率發(fā)光二極管的使用壽命。為實現上述目的，本發(fā)明的技術方案為該LED包括硅基板；在硅基板上的多個高亮度晶片；所述多個高亮度晶片上涂覆由熒光粉形成的熒光層；散熱片。優(yōu)選的，熒光粉的組成為Ai-x(WLyMOy)04:Eux，其中A為Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種;(XX^0.35;0SySl。優(yōu)選的，所述熒光膠中至少包括34%-45%的第一種硅膠，34%-45%的第二種硅膠，17%-20%的熒光粉，上述第一種硅膠與第二種硅膠發(fā)生固化反應。優(yōu)選的，所述第一類硅膠為6175A硅膠，第二類硅膠為6175B硅膠。優(yōu)選的，所述熒光層的制作步驟為用硅膠將熒光粉配置成熒光膠；抽真空；其次熒光膠在固焊后的LED原材料層上點制熒光層；烘烤成型。一種大功率高亮度黃光LED制法，包括以下步驟步驟l，利用所需的硅膠將熒光粉配置成熒光膠，其中所述熒光粉為鈰激活的釔鋁石榴石熒光粉，Ai-x(WLyMoy)04:Eux，其中A為Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種；其中(XX^).35;0Sy$l，所述熒光膠中至少包括34%-45%的第一種硅膠，34%-45%的第二種硅膠，17%-20%的熒光粉；步驟2，利用步驟1中形成的熒光膠在LED芯片層上點制形成熒光層；步驟3,對上述帶有熒光層的LED芯片進行烘烤成型。優(yōu)選的，步驟2中的LED芯片層通過點銀膠以粘著芯片，而后對芯片進行烘烤，再在LED芯片上連接金屬線，與LED發(fā)光組件的支架構成電性連接形成。優(yōu)選的，烘烤成型的條件為150'CX45分鐘。本發(fā)明所述的大功率高亮度黃光LED的有益效果在于光亮度更高，照明效果更佳；光衰慢，使用壽命長；無光斑，并且克服了白光耀眼的弊i山順。圖1是本發(fā)明一較佳實施例制造熒光膠的流程圖。具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明做進一步的說明。實施例為了評估熒光粉的性能及適用性，用與硅膠配比后的熒光粉試作了1瓦大功率及燈樣品對其光電性能做了測試分析，并對其常溫點亮信耐性進行了評估。試作大功率黃光LED在試做過程中適用旭明SL-V-B45AC型紅光晶片和科瑞CR-V-A45AC型紅光晶片，采用Z0603-03BU/O-T支架試做1W大功率白光。其中熒光粉層制作工藝為如圖2所示。注LED外封膠為OE-6630硅膠，烘烤條件為80°CX0.5hr+15(TCX1.0hr根據晶片波段不同，分別選用弘大0432和00902熒光粉作為對比熒光粉制作了對比樣品，下面是試作的測試結果(第一組為采用旭明高功率晶片樣品，第二組為采用Cree晶片的樣品)<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>注熒光粉配比數值為重量比硅膠6175A:硅膠6175B:熒光粉=1:1:X中的X值(取樣數量0.5)熒光粉在發(fā)光效率上獲得了顯著提升，在455-457.5nm波段相對科明達熒光粉和弘大432及00902有接近50%的光通量提升，在光通量提升上獲得了良好效果，且制作的LED在光色，坐標上無偏色現象，而且光衰小。最后必須說明的是以上實施例僅用來說明本發(fā)明的技術方案，而不是對其進行限制。盡管參照上述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但所屬領域的普通技術人員應當理解為可以對本發(fā)明的具體實施方式進行修改或者等同替換，而未脫離本發(fā)明精神和宗旨的任何修改或者等同替換，均應涵蓋在本發(fā)明的權利要求請求保護的范圍當中。權利要求1.一種大功率高亮度黃光LED，其特征在于該LED包括硅基板；在硅基板上的多個高亮度晶片；所述多個高亮度晶片上涂覆由熒光粉形成的熒光層；散熱片；熒光粉的組成為A1-X(W1-yMoy)O4:Eux，其中A為Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種；其中0＜X≤0.35；0≤y≤1，所述熒光膠中至少包括34％-45％的第一種硅膠，34％-45％的第二種硅膠，17％-20％的熒光粉，上述第一種硅膠與第二種硅膠發(fā)生固化反應。2.根據權利要求1所述的大功率高亮度黃光LED，其特征在于上述第一種硅膠為6175A硅膠，第二種硅膠為6175B硅膠。3.根據權利要求1所述的大功率高亮度黃光LED，其特征在于所述熒光層的制作步驟為用硅膠將熒光粉配置成熒光膠；抽真空；其次熒光膠在固焊后的LED原材料層上點制熒光層；烘烤成型。4.一種大功率高亮度黃光LED制法，包括以下步驟步驟1，利用所需的硅膠將熒光粉配置成熒光膠，其中所述熒光粉為鈰激活的釔鋁石榴石熒光粉，Ai-x(WLyMoy)04:Eux，其中A為Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種；其中(XX^0.35;O^y^l，所述熒光膠中至少包括34%-45%的第一種硅膠，34%-45%的第二種硅膠，17%-200/^的熒光粉；步驟2，利用步驟1中形成的熒光膠在LED芯片層上點制形成熒光層；步驟3，對上述帶有熒光層的LED芯片進行烘烤成型5.根據權利要求4所述的一種大功率高亮度黃光LED制法，其特征在于步驟2中的LED芯片層通過點銀膠以粘著芯片，而后對芯片進行烘烤，再在LED芯片上連接金屬線，與LED發(fā)光組件的支架構成電性連接形成。6.根據權利要求4所述的大功率高亮度黃光LED的制作步驟，其特征在于烘烤成型的條件為150°CX45分鐘。全文摘要本發(fā)明涉及一種大功率高亮度黃光LED，其特征在于該LED包括多個高亮度晶片，所述多個高亮度晶片上涂覆由熒光粉形成的熒光粉層。根據本發(fā)明的大功率高亮度黃光LED光亮度更高，照明效果更佳；光衰慢，使用壽命長；無光斑，并且克服了白光耀眼的弊端。文檔編號F21S2/00GK101634402SQ20081012993公開日2010年1月27日申請日期2008年7月24日優(yōu)先權日2008年7月24日發(fā)明者干倪申請人:干倪