專利名稱：蔭罩式等離子體顯示器后基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蔭罩式等離子體顯示板，具體地說是一種蔭罩式等離子 體顯示器后基板。
技術(shù)背景一般的障壁式等離子體平板顯示器由前基板和后基板兩部分組成前基 板結(jié)構(gòu)包括前基板玻璃、匯流電極、介質(zhì)層和覆蓋在介質(zhì)層上的氧化鎂層， 后基板結(jié)構(gòu)包括后基板玻璃、尋址電極、介質(zhì)層、障壁及覆蓋在障壁側(cè)面和 介質(zhì)層上的三基色熒光粉層。前基板上的氧化鎂層用于保護(hù)介質(zhì)層免受放電 粒子轟擊和降低屏的工作電壓，后基板上的介質(zhì)層由于被熒光粉層覆蓋而無 需氧化鎂層保護(hù)。與之不同，蔭罩式等離子體平板顯示器由前基板、蔭罩、 后基板三部分組成，前基板結(jié)構(gòu)與障壁式的前基板結(jié)構(gòu)類似，三基色熒光粉 層被涂覆在蔭罩上，這樣后基板結(jié)構(gòu)除了后基板玻璃、尋址電極、介質(zhì)層外， 還要在介質(zhì)層上覆蓋一層氧化鎂以保護(hù)介質(zhì)。因此，后基板介質(zhì)層上制作一 層氧化鎂層的要求增加了蔭罩式等離子體平板顯示器的制造工序。目前采用最多的是利用真空鍍膜法制備薄膜氧化鎂層，這種方法制得的 氧化鎂層既能保證基板透明性又能保護(hù)介質(zhì)，是障壁式等離子體平板顯示器 前基板氧化鎂層的主要制作方法，同樣也適用于蔭罩式等離子體平板顯示器 的前后基板氧化鎂層制作。由于蔭罩式等離子體平板顯示器的后基板不需要 很好的透明性，所以其后基板的制作存在以下不足之處①制造工序復(fù)雜， 不利于產(chǎn)品成品率增加；②由于氧化鎂層采用真空鍍膜法制備，需要價格昂 貴的連續(xù)真空鍍膜設(shè)備，相對于制造障壁式等離子體平板顯示器后基板而言， 增加了設(shè)備投入和產(chǎn)品制造成本；③真空鍍膜法制得的氧化鎂薄膜易受外界環(huán)境影響，對儲存環(huán)境有嚴(yán)格的要求，增加了產(chǎn)品制造成本。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的針對現(xiàn)有蔭罩式等離子體顯示器后基板制造工藝復(fù)雜，成 本高的問題，提供一種制造工藝簡單、制造成本更低、產(chǎn)品成品率更高的蔭 罩式等離子體顯示器后基板。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種蔭罩式等離子體顯示器后基板，它包括后基板玻璃、在后基板玻璃 上形成的尋址電極其特征是在所述的后基板玻璃和尋址電極上還通過絲網(wǎng)印 刷或刮涂形成有一層兼具介質(zhì)層和介質(zhì)保護(hù)層功能的后基板介質(zhì)層，該后基 板介質(zhì)層的主要成份為氧化鎂，氧化鎂的質(zhì)量百分比為5%-100%;后基板介質(zhì)層的厚度為15 40微米。本發(fā)明的后基板介質(zhì)層可采用絲網(wǎng)印刷法制備，將氧化鎂粉與粘結(jié)劑配 制成絲網(wǎng)印刷用漿料后印制于具有電極的后基板玻璃上，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。本發(fā)明具有以下優(yōu)點①本發(fā)明的蔭罩式等離子體顯示板后板結(jié)構(gòu)簡單，制造工序減少，降低了因制造工序復(fù)雜引起的產(chǎn)品成品率增加；②本發(fā)明的后基板介質(zhì)層采用絲網(wǎng)印刷法制造，不再需要價格昂貴的連續(xù)真空鍍膜設(shè)備來形成氧化鎂介質(zhì)保護(hù)層，大大降低設(shè)備成本投入和產(chǎn)品制造成本；(D本發(fā)明的后基板介質(zhì)層屬 于厚膜，不再像真空鍍膜法形成的氧化鎂薄膜那樣對儲存環(huán)境有嚴(yán)格的要求，從而降低產(chǎn)品制造成本。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中l(wèi)為后基板玻璃，2為尋址電極，3為后基板介質(zhì)層。
具體實施方式
下面結(jié)構(gòu)附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明 實施例1 -如圖l所示。一種蔭罩式等離子體顯示板后基板，由后基板玻璃1、尋址電極2、后 基板介質(zhì)層3三部分組成。后基板玻璃1是普通的浮法鈉鈣玻璃，也可以是PDP專用的高應(yīng)變點平板玻璃，如旭硝子生產(chǎn)的PD200玻璃。尋址電極2可用金屬銀電極，電極圖 形通過絲網(wǎng)印刷法直接形成圖形或通過光敏銀漿曝光顯影制得圖形，再經(jīng)燒 結(jié)而成。后基板介質(zhì)層3是由純氧化鎂構(gòu)成的厚膜，膜厚為15 40微米。具體實施時，后基板介質(zhì)層3可采用絲網(wǎng)印刷法制備，將氧化鎂粉與粘 結(jié)劑配制成絲網(wǎng)印刷用漿料后印制于具有尋址電極2的后基板玻璃1上，再 經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。實施例2一種蔭罩式等離子體顯示板后基板> 由后基板玻璃1、尋址電極2、后 基板介質(zhì)層3三部分組成。后基板玻璃1是普通的浮法鈉鈣玻璃，也可以是 PDP專用的高應(yīng)變點平板玻璃，如旭硝子生產(chǎn)的PD200玻璃。尋址電極2可 用金屬銀電極，電極圖形通過絲網(wǎng)印刷法直接形成圖形或通過光敏銀漿曝光 顯影制得圖形，再經(jīng)燒結(jié)而成。后基板介質(zhì)層3是主要由氧化鎂構(gòu)成的厚膜， 氧化鎂的質(zhì)量百分比為5%-100%，并存在一定的含鉛低熔點玻璃，膜厚為15 40微米。具體制備時，后基板介質(zhì)層3可采用絲網(wǎng)印刷法制備，將氧化鎂粉與粘 結(jié)劑配制成絲網(wǎng)印刷用漿料后印制于具有尋址電極2的后基板玻璃1上，再 經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。后基板介質(zhì)層3還可采用刮涂法制備，將氧化鎂粉與粘結(jié) 劑配制成適合刮涂的漿料后刮涂于具有尋址電極2的后基板玻璃1上，再經(jīng) 高溫?zé)Y(jié)而成。實施例3后基板玻璃1是普通的浮法鈉鈣玻璃，也可以是PDP專用的高應(yīng)變點平 板玻璃，如旭硝子生產(chǎn)的PD200玻璃。尋址電極2可用金屬銀電極，電極圖 形通過絲網(wǎng)印刷法直接形成圖形或通過光敏銀漿曝光顯影制得圖形，再經(jīng)燒 結(jié)而成。后基板介質(zhì)層3是主要由氧化鎂構(gòu)成的厚膜，氧化鎂的質(zhì)量百分比 為5%-100%,并存在一定的無鉛低熔點玻璃，膜厚為15 40微米。后基板介 質(zhì)層3可采用絲網(wǎng)印刷法制備，將氧化鎂粉與粘結(jié)劑配制成絲網(wǎng)印刷用漿料 后印制于具有尋址電極的后基板玻璃l上，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。后基板介質(zhì) 層3還可采用刮涂法制備，將氧化鎂粉與粘結(jié)劑配制成適合刮涂的漿料后刮 涂于具有尋址電極2的后基板玻璃1上，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。
權(quán)利要求
1.一種蔭罩式等離子體顯示器后基板，它包括后基板玻璃(1)、在后基板玻璃(1)上形成的尋址電極(2)其特征是在所述的后基板玻璃(1)和尋址電極(2)上還通過絲網(wǎng)印刷或刮涂形成有一層兼具介質(zhì)層和介質(zhì)保護(hù)層功能的后基板介質(zhì)層(3)，該后基板介質(zhì)層(3)的主要成份為氧化鎂，氧化鎂的質(zhì)量百分比為5％-100％；后基板介質(zhì)層的厚度為15～40微米。
全文摘要
一種蔭罩式等離子體顯示板后基板，其結(jié)構(gòu)包括后基板玻璃、尋址電極、后基板介質(zhì)層三部分。后基板介質(zhì)層的主要成分為氧化鎂，且采用絲網(wǎng)印刷法制作。本發(fā)明提供了一種制造工藝簡單、制造成本低、產(chǎn)品成品率高的蔭罩式等離子體顯示板。
文檔編號H01J17/16GK101329974SQ20081002287
公開日2008年12月24日 申請日期2008年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日
發(fā)明者雄 張, 朱立鋒, 林青園, 樊兆雯, 王保平, 王曉賓 申請人:南京華顯高科有限公司