專利名稱:側(cè)射型發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管,特別是涉及一種側(cè)射型的熱電分離 的側(cè)射型發(fā)光二極管。
背景技術(shù):
目前中小尺寸面板的背光源如手機(jī)、個人數(shù)位助理(PDA)及汽車衛(wèi)星導(dǎo) 航系統(tǒng)等,白光LED(發(fā)光二極管,以下均稱為LED)已經(jīng)逐漸取代冷陰極燈 管(CCFL),成為中小尺寸面板的主要背光源。其中以側(cè)面發(fā)光LED作為背 光源可以大幅縮小背光模組的厚度,達(dá)到產(chǎn)品薄型化的要求。散熱問題是LED背光源的重要技術(shù)瓶頸。針對中大尺寸的LED背光模 組,當(dāng)累積的熱能隨時間增加時,會伴隨著有波長的變化與亮度的衰減,因 此必須讓LED有最佳的散熱性,才能保持LED的亮度并延長LED的使用壽命?,F(xiàn)有傳統(tǒng)的側(cè)發(fā)光式LED,是采用導(dǎo)線架(Leadf rame)散熱封裝方式,藉 由導(dǎo)線架在晶片工作的同時將熱量散出。然而,隨著LED需求功率越來越 高,單純只靠導(dǎo)線架散熱的方式已經(jīng)不能符合產(chǎn)品的需求,為了達(dá)到良好的 散熱效杲,現(xiàn)有技術(shù)是為不斷增加LED的結(jié)構(gòu)體積,但是如此反而造成LED 在空間應(yīng)用上的限制。由此可見,上述現(xiàn)有的側(cè)發(fā)光式發(fā)光二極管在結(jié)構(gòu)與使用上,顯然仍 存在有不便與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為解決上述存在的問題,相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道,但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā) 展完成,而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題,此顯然是相關(guān)業(yè) 者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的側(cè)射型發(fā)光二極管,實(shí) 屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有側(cè)發(fā)光式發(fā)光二極管存在的缺陷,本設(shè)計人基于從事 此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識,并配合學(xué)理的運(yùn)用,積 極加以研究創(chuàng)新,以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的側(cè)射型發(fā)光二極管,能夠改進(jìn) 現(xiàn)有的側(cè)發(fā)光式發(fā)光二極管,使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷研究、設(shè)計,并 經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后,終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價值的本實(shí)用新型。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于,可以改善現(xiàn)有傳統(tǒng)的側(cè)射型發(fā)光二極管利用 導(dǎo)線架散熱的封裝方式而存在的散熱性不佳的問題,而提供一種新型結(jié)構(gòu)
的側(cè)射型發(fā)光二極管,所要解決的技術(shù)問題是使其不需利用導(dǎo)線架散熱,更 容易控制熱電的平衡點(diǎn),可以達(dá)到熱電分離、避免熱循環(huán)影響發(fā)光晶片的 效果,非常適于實(shí)用。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種側(cè)射型發(fā)光二極管,其至少包含 一主基 座; 一散熱基板,具有一結(jié)合面,卡合于該主基座,一固晶面,相對于該結(jié)合 面及一外表面,設(shè)置于該主基座外; 一反射座,設(shè)置于該散熱基板的固晶 面,并具有一內(nèi)部空間;至少一發(fā)光晶片,設(shè)置于該內(nèi)部空間中并固定于該 固晶面上;以及復(fù)數(shù)個金屬電極,設(shè)置于該主基座,各該金屬電極一端延伸 入該內(nèi)部空間,另 一端延伸凸出該反射座之外。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題還可以可采用以下的技術(shù)措施來 進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的散熱基板為銀、銅、銅合金、銅銀合金、鋁、或鋁合金所構(gòu)成的板體。前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的散熱基板為陶資所構(gòu)成的板體。 前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的散熱基板為高分子混合物所構(gòu)成的板體。前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其更包含一披覆于該散熱基板上的金或銀 鍍層。前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其更包含一披覆于該反射座上的反射鍍層。 前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的反射鍍層包含金或銀鍍層。 前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的反射座為金屬所構(gòu)成的座體。 前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的反射座為非金屬所構(gòu)成的座體。 前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的反射座為高分子混合物所構(gòu)成 的座體。前述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其中所述的金屬電極是為銀、銅、鋁、銅合 金、銅銀合金、或鋁合金構(gòu)成的片體。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。經(jīng)由以上可 知,為了達(dá)到上述目的,才艮據(jù)本實(shí)用新型的一種適用于側(cè)發(fā)光式的發(fā)光二極 管,包含一主基座、 一反射座、 一散熱基板以及復(fù)數(shù)個金屬電極。散熱基板 具有一^^合于主基座的結(jié)合面、 一相對于結(jié)合面的固晶面及一設(shè)置于主基 座外的外表面。反射座設(shè)置于散熱基板的固晶面,并具有一內(nèi)部空間。金 屬電極設(shè)置于主基座,其中M屬電極一端延伸入內(nèi)部空間,另一端延伸凸 出反射座之外,用以與導(dǎo)線架連接以導(dǎo)入電能。至少一發(fā)光晶片設(shè)置于內(nèi) 部空間中并固定于固晶面上,利用金屬線電性連接金屬電極與發(fā)光晶片。借由上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型側(cè)射型發(fā)光二極管至少具有下列優(yōu)點(diǎn) 及有益效果本實(shí)用新型的發(fā)光二極管將發(fā)光晶片固定于一外部棵露的散 熱基板上,將導(dǎo)線架與散熱基板分別獨(dú)立出來,使輸入電能路徑與晶片工 作時散熱路徑分開,可藉由散熱基板將熱能散出,而不需要利用導(dǎo)線架散 熱,更容易控制熱電的平衡點(diǎn),可以達(dá)到熱電分離、避免熱循環(huán)影響發(fā)光晶 片的效果。綜上所述,本實(shí)用新型可以有效的改善現(xiàn)有傳統(tǒng)的側(cè)射型發(fā)光二極管 利用導(dǎo)線架散熱的封裝方式而存在的散熱性不佳的問題,其不需利用導(dǎo)線 架散熱,更容易控制熱電的平衡點(diǎn),可以達(dá)到熱電分離、避免熱循環(huán)影響發(fā) 光晶片的效果。本實(shí)用新型具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價值,其不論在產(chǎn)品 結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進(jìn),在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步,并產(chǎn)生了好用及實(shí)用 的效果,且較現(xiàn)有側(cè)發(fā)光式發(fā)光二極管具有增進(jìn)的突出功效,從而更加適于 實(shí)用,并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值,誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計。上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本實(shí) 用新型的技術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本實(shí)用 新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施 例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
圖1是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種側(cè)射型發(fā)光二極管的剖面圖。 圖2是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種側(cè)射型發(fā)光二極管的俯視圖。100發(fā)光二極管112反射座120散熱基板121結(jié)合面122固晶面123外表面130發(fā)光晶片140金屬電極110主基座142金屬線具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及 功效,
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例,對依據(jù)本實(shí)用新型提出的側(cè)射型發(fā)光二 極管其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。請參閱圖1及圖2所示,是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種側(cè)射型發(fā) 光二極管的剖面圖及俯視圖。本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管100,包 含主基座110、反射座112、散熱基板120、發(fā)光晶片130、金屬電極140 以及金屬線142。上述的散熱基板120,具有一卡合于主基座110的結(jié)合面121、 一相對 于結(jié)合面的固晶面122及一位于該主基座110外的外表面123。該結(jié)合面 122卡合于主基座110,且外表面123露出于該主基座110之外。依照本實(shí) 用新型的實(shí)施例,更包含一金或銀鍍層披覆于散熱M的固晶面122上,藉 以增加光的反射效率。依照本實(shí)用新型的實(shí)施例,該散熱基板120為一導(dǎo)熱性佳的板體,可為 金屬所構(gòu)成的板體,例如銀、銅、銅合金、銅銀合金、鋁或鋁合金;或?yàn)?陶瓷所構(gòu)成的板體,例如氧化鋁或氮化鋁;亦可為高分子混合物所構(gòu)成的 板體。上述的反射座112,其設(shè)置于散熱基板120的固晶面,并具有一內(nèi)部空 間,內(nèi)部空間的內(nèi)壁傾斜且朝開口擴(kuò)大,可藉由傾斜的內(nèi)壁反射光線。依照 本實(shí)用新型的實(shí)施例,更包含一反射鍍層披覆于該反射座上,例如金或銀鍍 層;該反射座可為金屬所構(gòu)成的座體,例如銀、銅、銅合金、銅銀合金、鋁 或鋁合金。該反射座亦可為非金屬所構(gòu)成的座體,例如陶資、氧化鋁、氮 化鋁或高分子混合物。上述的復(fù)數(shù)個金屬電極140,設(shè)置于主基座IIO,每一金屬電極140的 一端延伸入內(nèi)部空間,另一端延伸凸出于反射座112之外,用以與外部的 一導(dǎo)線架連接以導(dǎo)入電能。依照本實(shí)用新型的實(shí)施例,該金屬電極140可 為銀、銅、鋁、銅合金、銅銀合金或鋁合金構(gòu)成的片體。上述的發(fā)光晶片130,是為至少一發(fā)光晶片130,位于內(nèi)部空間中,并 固定于固晶面122上,利用金屬線142電性連接于金屬電極140與發(fā)光晶 片130之間,在電能輸入時發(fā)出特定波長的光線。依照本實(shí)用新型的實(shí)施 例,散熱基板120上可固定一個以上的發(fā)光晶片130,每一個發(fā)光晶片130 搭配一對金屬電極140,利用金屬線連接輸入電能以使晶片發(fā)出特定波長的 光線。由上述本實(shí)用新型的實(shí)施例可知,本實(shí)用新型的發(fā)光二極管,將發(fā)光 晶片固定于一外部顯露的散熱基板,將導(dǎo)線架與散熱基板分別獨(dú)立出來,使 輸入電能路徑與晶片工作時散熱路徑分開,可藉由散熱基板將熱能散出,而 不需要利用導(dǎo)線架散熱,因此更容易控制熱電的平衡點(diǎn),能夠達(dá)到熱電分 離以避免熱循環(huán)影響發(fā)光晶片的效果。以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對本實(shí)用新型作 任何形式上的限制,雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非 用以限定本實(shí)用新型,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型技 術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同 變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本實(shí) 用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均 仍屬于本實(shí)用新型"f支術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其至少包含一主基座;一散熱基板,具有一結(jié)合面,卡合于該主基座,一固晶面,相對于該結(jié)合面及一外表面,設(shè)置于該主基座外;一反射座,設(shè)置于該散熱基板的固晶面,并具有一內(nèi)部空間;至少一發(fā)光晶片,設(shè)置于該內(nèi)部空間中并固定于該固晶面上;以及復(fù)數(shù)個金屬電極,設(shè)置于該主基座,各該金屬電極一端延伸入該內(nèi)部空間,另一端延伸凸出該反射座之外。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 散熱基板為銀、銅、銅合金、銅銀合金、鋁、或鋁合金所構(gòu)成的板體。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 散熱基板為陶乾所構(gòu)成的板體。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 散熱基板為高分子混合物所構(gòu)成的板體。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其更包含一 披覆于該散熱基板上的金或銀鍍層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其更包含一 披覆于該反射座上的反射鍍層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 反射鍍層包含金或銀鍍層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 反射座為金屬所構(gòu)成的座體。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 反射座為非金屬所構(gòu)成的座體。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 反射座為高分子混合物所構(gòu)成的座體。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管,其特征在于其中所述的 金屬電極為銀、銅、鋁、銅合金、銅銀合金、或鋁合金構(gòu)成的片體。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)一種側(cè)射型發(fā)光二極管,包含主基座、反射座、散熱基板及復(fù)數(shù)金屬電極。散熱基板具有卡合主基座的結(jié)合面、相對于結(jié)合面的固晶面及設(shè)于主基座外的外表面。反射座設(shè)于散熱基板的固晶面,并具有內(nèi)部空間。金屬電極設(shè)于主基座,各金屬電極一端延伸入內(nèi)部空間,另端延伸凸出反射座之外,用以與導(dǎo)線架連接以導(dǎo)入電能。至少一發(fā)光晶片設(shè)于內(nèi)部空間中并固定于固晶面上,利用金屬線電性連接金屬電極與發(fā)光晶片。本實(shí)用新型將發(fā)光晶片固定于外部裸露的散熱基板上,將導(dǎo)線架與散熱基板分別獨(dú)立出來,使輸入電能路徑與晶片工作時散熱路徑分開,可藉散熱基板將熱能散出,不需利用導(dǎo)線架散熱,更容易控制熱電平衡點(diǎn),可達(dá)到熱電分離、避免熱循環(huán)影響發(fā)光晶片的效果。
文檔編號F21V29/00GK201025336SQ20072000039
公開日2008年2月20日 申請日期2007年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月12日
發(fā)明者吳易座, 張嘉顯, 李曉喬, 謝忠全 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司