專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板的配置，更具體而言，涉及可以降低地
址放電電壓并且可以防止電壓的分散(dispersion)的等離子體顯示面板的 配置。
背景技術(shù)：
表面放電型AC等離子體顯示器(下文稱之為PDP) —般通過在彼此 面對的兩塊玻璃基板之間密封放電氣體來形成放電空間。這兩塊玻璃基板 中的一塊玻璃基板一側(cè)(下文稱之為前基板)和在行方向上延伸的多個行 電極對被并行形成在列方向上，并且這多個行電極對被介電層所覆蓋。
在兩塊玻璃基板中的另一塊玻璃基板一側(cè)(下文稱之為后基板)」二， 在列方向上延伸的多個列電極被并行形成在行方向上。并且在面對行電極 對和列電極相交叉的放電空間中的部分的區(qū)域中，形成有具有紅、綠和藍(lán) 熒光層的放電單元(discharge cell)，并且這些放電單元以矩陣形式被布 置在面板表面上。
對于密封在兩塊玻璃基板之間的放電氣體，例如使用包含容積比 (volumeratio)為1到10%的氤氣的放電氣體。
在具有該結(jié)構(gòu)的PDP中，在形成行電極對的一對行電極中的一個行電 極和列電極之間有選擇地生成地址放電，并且選擇發(fā)射單元(在相對部分 的介電層中形成有壁電荷的放電單元)或非發(fā)射單元(擦除了相對部分的 介電層中的壁電荷的放電單元)。這樣，發(fā)射單元和非發(fā)射單元被分布在 與視頻信號的圖像數(shù)據(jù)相對應(yīng)的面板表面上。
當(dāng)維持脈沖(sustain pulse)被交替應(yīng)用到構(gòu)成每個行電極對的行電極 時，在發(fā)射單元中生成維持放電，并且通過該維持放電，從放電空間中的 放電氣體中的氙氣生成真空紫外線。利用生成的真空紫外線，每個發(fā)射單
元中的紅、綠和藍(lán)熒光層被激勵，并且生成可見光，作為結(jié)果，與基于矩 陣顯示的圖像數(shù)據(jù)相對應(yīng)的圖像被形成在面板表面上。
在具有以上配置的PDP中，傳統(tǒng)上，行電極的尺寸被以如下方式設(shè)置。
圖1示出傳統(tǒng)PDP的行電極對中具有一個放電單元C的部分的平面配
置，在圖1中，構(gòu)成行電極對(X, Y)的行電極X和Y包括帶型透明電極 Xa和Ya和帶型總線電極Xb和Yb，其中所述電極Xa和Ya彼此平行地在 行方向上延伸并且在列方向上經(jīng)由放電間隙g而彼此面對，所述電極Xb 和Yb電連接到透明電極Xa和Ya并且分別在行方向上延伸。 在圖1中，D是列電極。
該傳統(tǒng)PDP的每個行電極X和Y的寬度W —般被設(shè)置為400到 1000/mi的值(例如參見日本專利申請早期公開No.H8-22772)。
并且在該傳統(tǒng)PDP中，行電極在列方向上的寬度是出于以下原因按上 述方式設(shè)置的。
換言之，在PDP中，熒光層被作為真空紫外線的主要組分并且波長為 147nm的共振線所激勵，并且生成可見光，其中所述真空紫外線是通過維 持放電從放電氣體中的氙氣生成的，并且在通過放電氣體向熒光層傳播的 過程中，共振線與放電氣體中的氙氣原子相碰撞，并且由于隨氙氣原子重 復(fù)的吸收和輻射而衰減。
因此，在密封有氙氣的分壓很低(例如氙氣的容積比為1到10%)的 放電氣體的PDP的情況下，在維持放電期間到達(dá)熒光層的共振線的量減 小，并且可能無法獲得所需的亮度。
因此，在傳統(tǒng)PDP中，每個行電極X和Y在列方向上的寬度w被設(shè) 置得較寬(如圖l所示)，以使得在放電單元C中的較寬區(qū)域中生成維持 放電，并且通過維持放電生成的真空紫外線的量(即共振線的量)增大， 從而到達(dá)熒光層的共振線的量變得大于預(yù)定值，并且保證了大于預(yù)定值的 亮度。
但是，在傳統(tǒng)PDP的配置中，創(chuàng)建高亮度屏幕所需的高發(fā)射效率無法 實(shí)現(xiàn)。
為了解決這個問題，本發(fā)明的發(fā)明人在考慮了各種思路和實(shí)驗(yàn)之后發(fā)
現(xiàn)了一種優(yōu)選模式并且在在先申請(日本專利申請No. 2005-241274)中將 其提出。
該在先申請(下文簡稱為"在先申請")中公開的模式的特征在于
在經(jīng)由相應(yīng)放電間隙而形成的與放電相關(guān)的部分上，構(gòu)成行電極對的一對
行電極在列方向上的相應(yīng)寬度被設(shè)置為150/mi或更小，并且在前玻璃基板 和后玻璃基板之間的放電空間中密封有氙氣的分壓被設(shè)置為6.67 kPa或更 大的放電氣體。
但是，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過進(jìn)一步檢查發(fā)現(xiàn)，該在先申請的特征結(jié)構(gòu) 保證了比預(yù)定值更大的亮度，但是，地址放電電壓被增大，并且地址放電 電壓由于面板結(jié)構(gòu)方面的精確度誤差而分散。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體顯示面板，其 可以解決當(dāng)在使用在先申請中公開的特征結(jié)構(gòu)時由于面板結(jié)構(gòu)中的誤差而 導(dǎo)致的地址放電電壓的增大和地址放電電壓的分散。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的第- 方面是這 樣一種等離子體顯示面板，其包括彼此面對的一對基板，其間具有至少 一個放電空間；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多個行電極 對，其中每一對分別是由經(jīng)由放電間隙而彼此面對的所述行電極形成的； 形成在所述基板上并且覆蓋所述行電極對的介電層；以及在列方向上延伸 并且在行方向上被形成在所述基板對中的另一基板上的多個列電極，單元 發(fā)射區(qū)域被形成在所述列電極和行電極對相交叉的每一部分處的放電空間 中，并且包含氙氣的放電氣體被密封在所述放電空間中，其中所述行電極 對中的至少一個電極在列方向上的寬度被設(shè)置為150/mi或更小，所述放電 氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67kPa或更大，并且所述行電極對中掃描 脈沖被應(yīng)用到的那個行電極的寬度比所述對中另一行電極的寬度要大。
在第一方面中，可以這樣構(gòu)造構(gòu)成所述行電極對中的每個行電極具 有透明電極和金屬總線電極，所述透明電極在列方向上具有預(yù)定寬度并且
經(jīng)由放電間隙而面對另一行電極，所述金屬總線電極在列方向上具有比所 述透明電極更小的寬度，在行方向上呈帶狀延伸并且與所述透明電極電連 接。
在第一方面中，可以這樣構(gòu)造在所述基板對之間基本以格子形狀形
成有阻擋層(barrier)，所述格子形狀的阻擋層是通過所述阻擋層中在行 方向上平行延伸的多個行阻擋層和所述阻擋層中在列方向上平行延伸的多 個列阻擋層形成的，并且放電空間通過所述阻擋層被劃分成單獨(dú)的單元發(fā) 射區(qū)域，并且所述行電極被布置在面對分別通過所述阻擋層的劃分而獲得 的所述單元發(fā)射區(qū)域的位置上。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的第二方面是這
樣一種等離子體顯示面板，其包括彼此面對的一對基板，其間具有至少 一個放電空間；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多個行電極 對，其中每一對分別是由經(jīng)由放電間隙而彼此面對的所述行電極形成的； 形成在所述基板上并且覆蓋所述行電極對的介電層；以及在列方向上延伸 并且在行方向上被形成在另一基板上的多個列電極，單元發(fā)射區(qū)域被形成 在所述列電極和行電極對相交叉的每一部分處的放電空間中，并且包含氙 氣的放電氣體被密封在所述放電空間中，其中所述介電層具有薄膜部分和 厚度比薄膜部分厚的厚膜部分，并且所述介電層的所述薄膜部分是覆蓋了 在放電間隙一側(cè)處的尖端部分中在列方向上寬度為150/rni或更小的區(qū)域的 介電層，并且形成在所述行電極對中的至少一個行電極上，并且在所述行 電極對的另一行電極上形成有在列方向上的寬度比在列方向上寬度被設(shè)為 150mhi或更小的薄膜的寬度要大的薄膜，并且所述放電氣體中的氤氣的分 壓被設(shè)置為6.67kPa或更大。
在第二方面中，可以這樣構(gòu)造所述介電層的所述厚膜部分的厚度被 設(shè)置為所述介電層的所述薄膜部分的厚度的兩倍或更大。
在第二方面中，可以這樣構(gòu)造所述介電層的所述薄膜部分以在行方 向上延伸的帶狀形成。
在第二方面中，可以這樣構(gòu)造所述介電層的所述薄膜部分針對每個 單元發(fā)射區(qū)域以島狀形成，并且所述厚膜部分基本以包圍這些薄膜部分的
格子形狀形成。
而且，在第二方面中，可以這樣構(gòu)造阻擋層通過所述阻擋層的在行 方向上延伸的多個第一壁部分和所述阻擋層的在列方向上延伸的多個第二 壁部分基本以格子形狀被形成在所述基板對之間，并且放電空間通過所述 阻擋層被劃分成單獨(dú)的單元發(fā)射區(qū)域，并且所述行電極被布置在面對分別 通過所述阻擋層的劃分而獲得的所述單元發(fā)射區(qū)域的位置上。
用于實(shí)現(xiàn)上述目的的根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的第三方面是這 樣一種等離子體顯示面板，其包括彼此面對的一對基板，其間具有至少 一個放電空間；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多個行電極 對，其中每一對分別是由經(jīng)由放電間隙而彼此面對的所述行電極形成的； 形成在一個基板一側(cè)并且覆蓋所述行電極對的介電層；以及在列方向上延 伸并且在行方向上被形成在另一基板一側(cè)的多個列電極，單元發(fā)射區(qū)域被 形成在所述列電極和行電極對相交叉的每一部分處的放電空間中，并且包 含氤氣的放電氣體被密封在所述放電空間中，其中在覆蓋所述行電極對中 的至少一個行電極的介電層上在放電間隙一側(cè)的尖端部分上利用高7材料 形成有二次電子發(fā)射層，其在列方向上的寬度為150um或更小，并且在覆 蓋所述行電極對中的另一行電極的介電層上利用高7材料形成有另一二次 電子發(fā)射層，其在列方向上的寬度比被設(shè)置為150um或更小的所述高r材 料在列方向上的寬度要大，并且所述放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為 6.67kPa或更大。


圖1是示出傳統(tǒng)PDP的配置的前視圖2是示出本發(fā)明實(shí)施例的第一示例的前視圖3是在圖2中的V1-V1線處取截面的截面圖4A是示出與在先申請的發(fā)明之間的比較圖，其中行電極XI和Yl 的深度(電極寬度)相同；
圖4B是示出本發(fā)明可以降低地址放電電壓的圖5是當(dāng)測量地址電壓對掃描電極寬度的依賴性時的圖6是示出PDP中的電極寬度和發(fā)射效率之間的關(guān)系的圖； 圖7示出當(dāng)發(fā)射效率對電極寬度的依賴性被測量時的數(shù)據(jù)； 圖8A是示出根據(jù)在先申請的配置的圖，其中行電極Yl的寬度被設(shè)置 為大于行電極X1的寬度；
圖8B是示出與圖8A中的配置相比較的根據(jù)本申請的發(fā)明的配置示例 的圖9A是示出根據(jù)在先申請的另一配置的圖，其中行電極Yl的寬度被 設(shè)置為大于行電極X1的寬度；
圖9B是示出與圖9A中的配置相比較的根據(jù)本申請的發(fā)明的配置示例 的圖IO是示出PDP中的放電的一般成長(growth)過程的圖；以及 圖11是示出PDP的放電單元中的維持放電的成長過程的狀態(tài)圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。實(shí)施例被提供用來理解本發(fā) 明，但是，它們沒有限制本發(fā)明的技術(shù)范圍。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP具有這樣的配置行電極對中的至少
一個電極在列方向上的寬度被設(shè)置為150ym或更小，并且掃描脈沖被應(yīng) 用到的那個行電極的寬度大于行電極對中的另一行電極的寬度，并且在前 玻璃基板和后玻璃基板之間的放電空間中密封有放電氣體，該放電氣體中 的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67kPa或更大。
在在先申請中，圖1所示的一對行電極X和Y在列方向上的寬度被 分別設(shè)置為150/mi或更小，并且放電氣體單元C中的氙氣的分壓被設(shè)覽 為6.67kPa或更大，從而實(shí)現(xiàn)了高發(fā)射效率。
但是，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)利用例如在先專利申請所提供的配置，地 址放電電壓變得高于現(xiàn)有技術(shù)，并且結(jié)構(gòu)的分散會影響電壓的分散。
通過為了解決這些問題的進(jìn)一步試驗(yàn)，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)這些問題 可以通過以下方式來解決將行電極XI和Yl中掃描脈沖被應(yīng)用到的至 少一個作為掃描電極的行電極(在此情況下假設(shè)為Yl)的電極寬度設(shè)置 為大于另一行電極(XI)的電極寬度，如圖2所示。
在本發(fā)明中， 一對行電極中的至少一個電極在列方向上的寬度被設(shè)置
為150/mi或更小。這樣一來，在行電極之間在放電空間的單元發(fā)射區(qū)域 中生成放電的深度變得比傳統(tǒng)PDP要窄，并且該放電的成長區(qū)域被局限 于靠近放電間隙的狹窄區(qū)域，從而與初始成長放電生成區(qū)域相重疊。
這樣一來，可以以比傳統(tǒng)PDP更高的效率從放電氣體中的氙氣生成 真空紫外線。
由于放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67 kPa或更大，因此熒光層 主要被從放電氣體中的氙氣生成的真空紫外線中波長為172nm的分子線 所激勵，并且不同于共振線，分子線在傳播通過放電氣體的過程中幾乎不 衰減。
鑒于此，即使在行電極之間生成的放電被局限在放電間隙附近的范圍 中，真空紫外線也能夠充分地到達(dá)熒光層，因此呈現(xiàn)出以比傳統(tǒng)PDP更 高效率地生成真空紫外線的特性，并且可以實(shí)現(xiàn)高發(fā)射效率。
放電特性是由行電極對中較窄的那個行電極在列方向上的寬度來確定 的，因此僅僅通過將行電極對中至少一個電極(在圖2的情況下是XI) 在列方向上的寬度設(shè)置為150/mi或更小就能夠獲得這種效果。行電極寬 度在制造方面的下限值優(yōu)選地是30Mm或更大。
圖2和圖3示出根據(jù)本發(fā)明的PDP的實(shí)施例，其中圖2是示出本實(shí)施 例的PDP的一部分的前視圖，圖3是在圖2中的VI-V1線處取截面的截 面圖。
如圖2和圖3所示，在PDP 10中，在行方向(圖2中的橫向)上延 伸的多個行電極對(XI, Yl)被形成在作為顯示表面的前玻璃基板11的 后表面上，其中行電極對中的兩個行電極在列方向(圖2中的縱向)上平 行地具有預(yù)定的相等間隔。
行電極對(Xl， Yl)中的一個行電極XI由在行方向上延伸的透明電 極Xla和在行方向上延伸的總線電極Xlb構(gòu)成，所述透明電極Xla呈帶 狀形成在前玻璃基板11的后表面上并且具有透明導(dǎo)電膜(例如ITO)， 所述總線電極Xlb呈帶狀形成在透明電極Xla的后表面上并且具有金屬
膜，所述金屬膜在列方向上的寬度比所述透明電極Xla在列方向上寬度要窄。
構(gòu)成行電極對(XI, Yl)的另一行電極Yl與行電極XI —樣，也在 行方向上呈帶狀形成在前玻璃基板11的后表面上并且具有透明導(dǎo)電膜 (例如ITO)，并且由透明電極Yla和總線電極Ylb構(gòu)成，所述透明電 極Yla與行電極XI的透明電極Xla平行地延伸并與之相距預(yù)定間隔 gl，所述總線電極Ylb在行方向上延伸并呈帶狀形成在透明電極Yla的 后表面上，并且具有金屬膜，所述金屬膜在列方向上的寬度比所述透明電 極Yla在列方向上寬度要窄。
本發(fā)明的特征在于，行電極對(XI, Yl)中的一個電極Yl在列方向 上的寬度Wyl被設(shè)置為大于另一電極XI在列方向上的寬度Wxl。但 是，如上所述，Wxl是150/mi或更小。
行電極XI和Yl沿列方向交替排列在前玻璃基板11上。在行電極對 (Xl， Yl)中，形成一對的行電極XI和Yl的彼此相對的透明電極Xla 和Yla之間的間隔的預(yù)定寬度分別構(gòu)成放電間隙gl 。
在前玻璃基板11的后表面上還形成有介電層12，并且行電極對(XI, Yl)被介電層12所覆蓋。
而且，形成有由高7材料(例如氧化鎂(MgO))制成的二次電子發(fā) 射層(未示出)，以便覆蓋整個介電層12。
后玻璃基板13經(jīng)由放電空間與該前玻璃基板11平行相對。
以帶狀在列方向上延伸的多個列電極Dl被形成在與前玻璃基板11相 對的后玻璃基板13的表面上，所述多個列電極Dl在行方向上相距相等的 預(yù)定間隔。
在后玻璃基板13的表面上還形成有列電極保護(hù)層(介電層)14，并 且列電極D1被列電極保護(hù)層14所覆蓋。
在列電極保護(hù)層14上形成有具有以下形狀的阻擋層15。 換言之，阻擋層15基本上由多個第一壁部分15A和多個第二壁部分 15B以格子形狀形成，所述多個第一壁部分15A分別在行方向上延伸并且 處于面向在列方向上彼此相鄰的行電極對(XI, Yl)之間的中央位置的位
置上，所述多個第二壁部分15B在列方向上延伸并且在行方向上并行相距 預(yù)定的相等間隔。
以矩陣形式排列在面板表面上的多個放電單元Cl是通過利用阻擋層 15將前玻璃基板ll和后玻璃基板13之間的放電空間基本劃分成方形而形 成的。
行電極對(X1,Y1)分別在每個放電單元C1的中央部分彼此相對。 在每個放電單元Cl中形成有熒光層16，以便覆蓋五個表面，即阻擋 層15的第一壁部分15A和第二壁部分15B的面向放電單元Cl中的放電 空間的四個側(cè)面以及列電極保護(hù)層14的表面，并且熒光層16的顏色被布 置得使得三原色紅、綠和藍(lán)針對每個放電單元Cl基本在行方向上順序排 列。
在放電空間中，密封有包含氙氣的放電氣體。換言之，與在先申請一 樣，密封在放電空間中的放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67 kPa (50 Torr)或更大。
在該P(yáng)DP 10中，掃描脈沖被順序應(yīng)用到每個行電極對(XI, Y])的 行電極Y1，同時，數(shù)據(jù)脈沖被有選擇地應(yīng)用到列電極D1。此時，在形成 在掃描脈沖被應(yīng)用到的行電極Yl和數(shù)據(jù)脈沖被應(yīng)用到的列電極Dl相交 叉的區(qū)域上的放電單元Cl中，在行電極Yl和列電極Dl之間生成地址放 電。
由地址放電形成的發(fā)射單元(在相對部分中的介電層12中形成有壁 電荷的放電單元Cl)和非發(fā)射單元(在相對部分中的介電層12中的壁電 荷被擦除的放電單元Cl)與視頻信號的圖像數(shù)據(jù)相對應(yīng)地分布在面板表 面上。
然后，維持脈沖被交替應(yīng)用到形成每個行電極對(XI, Yl)的行電極 XI和Yl，并且經(jīng)由發(fā)射單元中的放電間隙gl在透明電極Xla和Yla之 間生成維持放電。
并且，在發(fā)射單元中，通過維持放電從密封在放電空間中的放電氣體 中的流氣生成真空紫外線，并且在發(fā)射單元中紅、綠和藍(lán)的熒光層16被 真空紫外線所激勵，并且生成可見光，作為結(jié)果，在面板表面上生成基于
矩陣顯示的圖像。
圖4A和圖4B是示出在先申請和本發(fā)明的截面圖。圖4A是示出當(dāng)行 電極XI和Yl的電極寬度Wxl和Wyl相等時的情況的圖。由于行電極的 電極寬度已被減小來提高上述發(fā)射亮度，因此地址放電電壓被增大，以利 用應(yīng)用到地址電極D1和掃描電極Y1的交叉點(diǎn)上的電壓來啟動放電。
而在本發(fā)明中，如圖4B所示，在掃描脈沖被應(yīng)用到具有列電極Dl 的區(qū)域的情況下，行電極Yl的電極寬度Wyl被增大到大于另一行電極 XI的電極寬度Wxl。這樣一來，可以減小地址放電電壓。而且，可以減 小結(jié)構(gòu)分散的影響。同時，維持了放電的特性，并且可以執(zhí)行具有高發(fā)射 效率的放電。
圖5是當(dāng)測量地址放電電壓對掃描脈沖被應(yīng)用到的行電極Yl的電極 寬度的依賴性時的圖。用于測量的面板的單元大小為700/xm x310/mi并且 孔徑大小為640/mi x250/mi。測量是利用20個垂直單元xl92個水平單元 (即該面板的總共3840個單元)來執(zhí)行的。
這里，假設(shè)Vamin是當(dāng)在地址放電電壓被逐漸增大的過程中所有單 元都被接通(ON)(第3840個單元接通)時的地址放電電壓。并且假設(shè) 行電極XI的電極寬度為100 (<150) /mi， Vamin被確定，同時行電極 Yl的電極寬度被增大。
結(jié)果確認(rèn)，Vamin的值隨著行電極XI的電極寬度(超過行電極Yl 的電極寬度)的增大而減小。
在圖5中，STD是當(dāng)行電極XI的電極寬度和行電極Yl的電極寬度 都為250/mi時的Vamin，其大約為20V。在用于圖5中的測量的PDP 中，氙氣壓強(qiáng)為13.34 kPa，而氖氣壓強(qiáng)為53.36 kPa。
當(dāng)行電極XI的電極寬度和行電極Yl的電極寬度都為250/xm時， Vamin大約是20V。因此，通過相對于行電極XI的電極寬度增大行電極 Yl的電極寬度，Vamin變得更靠近該值，并且如上所述，當(dāng)一對行電極 的寬度被設(shè)置為150/mi或更小時發(fā)生的地址放電電壓增大的問題可以得 到解決。
在在先申請中，通過將一對行電極的寬度分別設(shè)置為15(^m或更小
來維持具有高發(fā)射效率的放電，但是在本發(fā)明中，己經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果一對行
電極中的至少一個電極在列方向上的寬度為150/rni或更小就可以維持具
有高發(fā)射效率的放電。
在圖4A中，每個行電極XI在列方向上的寬度Wxl和透明電極Yl 在列方向上的寬度Wyl分別是150/mi或更小，并且放電空間中的放電氣 體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67 kPa (50Torr)或更大，因此可以實(shí)現(xiàn)高 發(fā)射效率。
圖6示出當(dāng)Wxl和Wyl相同時PDP中的行電極在列方向上的寬度 (下文稱之為電極寬度)與發(fā)射效率之間的關(guān)系。
圖6中示出了當(dāng)放電單元的大小為700 (pm) x310 (/mi)并且孔徑 大小為640 (/mi) x250 (/mi)時的測量結(jié)果。
根據(jù)圖6，當(dāng)氙氣的分壓小于6.67 kPa (50 Torr)時(圖4示出當(dāng)氙 氣的分壓為2.67 kPa (20 Torr)時的情況)，發(fā)射效率隨電極寬度的減小 而減小。
并且當(dāng)氙氣的分壓為6.67 kPa (50 Torr)或更大時，發(fā)射效率隨電極 寬度的減小而增大，并且隨著氙氣分壓的增大(圖6示出當(dāng)氙氣的分壓為 13.33 kPa (100Torr)時的情況)，發(fā)射效率的增大變得顯著。
作為PDP所要求的發(fā)射效率，2.0 (lm/W)的值或更大是可用的。 根據(jù)圖6所示的測量值，如果在PDP 10中，在放電氣體中的氙氣的 分壓被設(shè)置為6.67 kPa (50 Torr)或更大的狀態(tài)中行電極XI和Yl的電極 寬度Wxl和Wyl分別是150/mi或更小，則可以實(shí)現(xiàn)2.0 (lm/W)或更大 的發(fā)射效率。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這種具有高發(fā)射效率的放電不僅可以通過分別減小電極寬 度Wxl和Wyl來實(shí)現(xiàn)，還可以通過只減小電極寬度Wxl和Wyl之一來 實(shí)現(xiàn)。圖7示出當(dāng)測量發(fā)射效率對行電極XI和Yl中的一側(cè)的電極寬投 的依賴性時的數(shù)據(jù)。測量條件與用于圖6中被用作測量目標(biāo)的PDP的測 量條件相同。
如這里所示，即使當(dāng)僅有一側(cè)的電極寬度被減小時，在行電極之間生 成的放電在放電空間中的單元發(fā)射區(qū)域中擴(kuò)散的深度與傳統(tǒng)的PDP相比
也會變得較窄，放電被局限于與初始輝光(glow)放電的生成區(qū)域重疊的 放電間隙附近的小區(qū)域，并且維持了高發(fā)射效率。
根據(jù)圖5和圖7中的測量結(jié)果，顯而易見，如果行電極Y1的電極寬
度增大，則地址放電電壓顯著下降(參見圖5)。然而，即使行電極Yl 的電極寬度改變，發(fā)射效率也不會改變(參見圖7)。
在以上實(shí)施例中，與在先申請(日本專利申請早期公開No. 2005-241274)的第一實(shí)施例相對應(yīng)地，描述了將行電極Yl的電極寬度設(shè)置為 大于行電極X1的電極寬度的配置。
但是，本發(fā)明的應(yīng)用并不局限于這種情況，很顯然，本發(fā)明也可用于 在先申請的其他實(shí)施例。
換言之，作為在與經(jīng)由構(gòu)成行電極對的一對行電極XI和Yl的間隙 執(zhí)行的放電相關(guān)的區(qū)域中至少一個電極在列方向上的寬度被設(shè)置為150/xm 或更小的配置，除了當(dāng)每個行電極在列方向上的寬度都是150/zm或更小 時將行電極Yl的寬度設(shè)置為大于行電極XI的寬度的配置(如圖2所 示)之外，也可使用以下等同模式。
在圖8A和圖8B中示出第一模式。圖8A是示出基于根據(jù)在先申請的 原理的另一配置的圖，其中行電極Yl的寬度被設(shè)置為大于行電極XI的 寬度。
行電極XI和Yl的電極寬度是相同的(Wyl=Wxl)并且是用于傳統(tǒng) PDP的寬度(400/mi到1000/mO ，但是關(guān)于覆蓋行電極XI和Yl的介電 厚膜部分的厚度T，行電極XI和Yl的電極寬度分別為150/rni或更小的 寬度區(qū)域Ws的厚度Ta被形成為比介電厚膜部分12的另一區(qū)域的厚度要 薄。這樣一來，行電極X1和Yl的電極寬度都變得等于15(^m或更小。 然而，圖8B示出與圖8A中配置相比較的根據(jù)本發(fā)明的配置示例。 在圖8B所示配置中，每個行電極XI和Yl在列方向上的寬度可以是 傳統(tǒng)PDP中的寬度(400/im到1000/mO ，如同圖8A所示的在先申請的 配置一樣。其特征在于，在覆蓋這對行電極XI和Yl的介電層12中，覆 蓋掃描脈沖被應(yīng)用到的行電極Yl的整個寬度和維持行電極XI的電極寬 度的15(^m或更小的寬度區(qū)域Ws的介電層12的厚度Ta被制造得很薄，
并且介電層12的其它部分的厚度被制造得是厚度T的兩倍或更大，以使 得不生成壁電荷。
利用這種配置，行電極在列方向上的基本寬度可被設(shè)置。在此情況
下，介電層12的厚度被制造得很薄的部分區(qū)域的寬度在行電極Yl中比在 行電極X1中要大。
另一種可能模式是圖9A和圖9B所述的模式。圖9A是示出基于根據(jù) 在先申請的原理的另一配置的圖，其中行電極Yl的寬度被設(shè)置為大于行 電極X1的寬度。
在圖9A中，行電極XI和Yl的電極寬度是相同的(Wyl=Wxl)， 并且可以是傳統(tǒng)PDP中的寬度(400/mi到1000Mm)。與圖8A中的配置 相比，沒有減小覆蓋行電極XI和Yl的相應(yīng)端部的介電層12的厚度，而 是在覆蓋作為電極對的行電極XI和Yl的介電層12上，僅針對與行電極 XI和Yl的端部相對應(yīng)的區(qū)域利用高7材料形成二次電子發(fā)射層71和 72。在圖9A所示在先申請的配置中，二次電子發(fā)射層7l和72的相應(yīng)端 部的寬度Ws為150/mi或更小。
而圖9B是示出與圖9A中的配置相對照的根據(jù)本發(fā)明的配置示例的圖。
在圖9B所示配置中，每個行電極在列方向上的寬度可以是傳統(tǒng)PDP 中的寬度(400/mi到lOOO^m)，如同圖9A所示在先申請中的配置一 樣。形成在覆蓋掃描脈沖被應(yīng)用到的掃描行電極Yl和維持脈沖被應(yīng)用到 的行電極XI的介電層12上的由高7材料制成的二次電子發(fā)射層71和72 的區(qū)域具有根據(jù)僅與行電極XI的端部相對應(yīng)的區(qū)域?qū)挾萕s (150/xm或 更小)和與行電極Y1相對應(yīng)的區(qū)域?qū)挾鹊拇笮　?br> 換言之，在圖9B所示示例中，與掃描行電極Yl相對應(yīng)的二次電子 發(fā)射層72的寬度被形成為大于與維持行電極XI相對應(yīng)的二次電子發(fā)射層 ^的寬度Ws。
以這種方式，行電極在列方向上的基本寬度可以通過限制維持放電可 被維持的區(qū)域來設(shè)置。在這種情況下，形成有二次電子發(fā)射層的部分的大 小在行電壓Yl中比在行電極X1中要大。
在以上實(shí)施例中，描述了通過電接觸將總線電極Xlb和Ylb布置在
透明電極Xla和Yla上的配置，但是總線電極的配置并不局限于該實(shí)施 例，本發(fā)明的應(yīng)用和效果也可以由各種其他配置來實(shí)現(xiàn)。
如上所述，構(gòu)成行電極對的一對行電極組成元件中的至少一個電極在 列方向上的寬度被設(shè)置為150/mi或更小，這小于傳統(tǒng)PDP的400到 1000/mi，從而在行電極之間生成的放電在放電空間的單元發(fā)射區(qū)域中擴(kuò) 散的深度變得比傳統(tǒng)PDP更窄，并且放電的成長區(qū)域被局限于靠近與初 始輝光放電生成區(qū)域重疊的放電間隙的狹窄區(qū)域。
因此，在根據(jù)本實(shí)施例的PDP中，以比傳統(tǒng)PDP高得多的效率從放 電氣體中的氙氣生成真空紫外線。
由于放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67 kPa (50 Torr)或更大， 因此熒光層主要由從放電氣體中的氙氣生成的真空紫外線中波長為72nm 的分子線來激勵，并且與共振線不同，分子線在傳播通過放電氣體的過程 期間幾乎不衰減，因此，即使在行電極之間生成的放電被局限在放電間隙 附近的范圍內(nèi)，真空紫外線也能夠充分地到達(dá)熒光層。
鑒于此，同樣呈現(xiàn)出在先申請(日本專利申請早期公開No. 2005-241274)的以比傳統(tǒng)PDP更高的效率生成真空紫外線的特性，并且可以 實(shí)現(xiàn)高發(fā)射效率，并且還可以降低地址放電電壓和可以消除由于結(jié)構(gòu)分散 所導(dǎo)致的地址放電電壓的分散，并且可以提高PDP的可靠性。
而且，在本實(shí)施例的PDP中，在單元發(fā)射區(qū)域中真空紫外線的生成 區(qū)域比傳統(tǒng)PDP要小，因此即使單元發(fā)射區(qū)域由阻擋層限定，也可以使 阻擋層的影響(例如壁損耗)最小化，同時，熒光層是利用真空紫外線的 分子線來激勵的，因此真空紫外線和熒光層之間的距離的分散的影響變得 很小，因此不要求行電極對在列方向上相對單元發(fā)射區(qū)域的位置具有高精 確性，并且本發(fā)明可以通過在制造步驟中提高產(chǎn)品產(chǎn)量來降低制造成本。
現(xiàn)在，將詳細(xì)描述在當(dāng)電極對中的至少一個電極被設(shè)置為150/xm或 更小時放電氣體中的氙氣的分壓為6.67 kPa (50 Torr)或更大的狀態(tài)下， 具有高發(fā)射效率的放電得以維持的原因。
圖IO是示出放電的一般成長過程的圖，而圖ll是示出傳統(tǒng)放電單元
中維持放電的成長過程的狀態(tài)圖。
如圖10和圖ll所示，在上述圖像形成時間期間在放電單元中生成的
維持放電按以下過程成長Townsend放電I -初始輝光放電II -輝光放電
III。
為了在PDP的圖像形成期間生成真空紫外線，通常使用維持放電生
成時段中的初始輝光放電I和輝光放電II時段。
并且在用于生成真空紫外線的放電時段中，真空紫外線是在初始輝光 放電I時段中以非常高的效率生成的，這是因?yàn)樵诳臻g電荷的局部化完成 之前的過程中在陰極勢降部分中不會發(fā)生能量損耗，其中所述陰極勢降部 分主要是由離子在陰極附近生成的。
在初始輝光放電I時段之后的輝光放電II時段中，通過生成陰極勢降 部分在放電空間中生成非常強(qiáng)的電場，通過該強(qiáng)電場生成大量高能量電 子，并且在作為強(qiáng)電場部分的出口的負(fù)輝光部分中生成大量真空紫外線， 但是與初始輝光放電I時段相比，真空紫外線的生成效率不高，這是因?yàn)?在陰極勢降部分中生成能量損耗。
在成長過程中，在PDP的放電單元Cl中生成的維持放電從行電極對 的陽極A側(cè)向陰極K側(cè)呈三維成長，如圖ll所示。
在PDP 10中，行電極XI和Yl的電極寬度Wxl被設(shè)置為150ptm或 更小，并且維持放電在放電單元C1中擴(kuò)散的深度比傳統(tǒng)PDP要窄，因此 維持放電的成長區(qū)域被局限于放電間隙gl附近的狹窄區(qū)域(由圖11屮的 e所指示的區(qū)域)。
在該P(yáng)DP 10中，在放電間隙gl附近的狹窄區(qū)域中生成的維持放電在 下文中被稱為"狹窄深度放電(narrow depth discharge)"。
在AC型PDP中的維持放電的形式是由寬度較窄的電極來確定的，因 此只有在一個電極被設(shè)置為150Mm或更小的情況下才會引起狹窄深度放 電。
在圖11中，該狹窄深度放電的成長區(qū)域與初始輝光放電的生成區(qū)域 重疊，其中如上所述，以非常高的效率生成真空紫外線。
因此，在PDP 10中，行電極Xl的電極寬度Wxl被設(shè)置為150/xm或
更小，從而維持放電變?yōu)楠M窄深度放電，并且作為結(jié)果，以比傳統(tǒng)PDP 高得多的效率生成真空紫外線。
另一方面，在PDP 10中，如果將其中氙氣的分壓較低的放電氣體充 入放電空間，并且嘗試主要利用從放電氣體中的氙氣生成的真空紫外線中
的波長為147nm的共振線來激勵熒光層16，則作為在PDP 10中生成的狹 窄深度放電的維持放電被局限在放電間隙gl附近的范圍內(nèi)，因此真空紫 外線中的共振線在到達(dá)熒光層16之前的衰減增大。
如果放電氣體中氙氣的分壓為2.67到3.33 kPa (20到25 Torr)，則 已知從放電氣體中生成的真空紫外線的主要組分是波長為M7nm的共振 線，并且當(dāng)氙氣的分壓為2.67到3.33 kPa (20到25 Torr)時，該共振線 在放電氣體中傳播lOOgm時衰減到大約一半。
在該P(yáng)DP 10中，放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67 kPa (50 Torr)或更大，因此熒光層16主要由從放電氣體中的氙氣生成的真空紫 外線中波長為172nm的分子線激勵。
與共振線不同，該真空紫外線中的分子線在傳播通過放電氣體的過程 中幾乎不衰減。
因此，在PDP 10中，維持放電變?yōu)楠M窄深度放電，并且即使維持放 電被局限在放電間隙gl附近的范圍中，真空紫外線也能夠充分地到達(dá)熒 光層16，因此通過使維持放電變?yōu)楠M窄深度放電，同樣可以實(shí)現(xiàn)以比傳 統(tǒng)PDP高得多的效率生成真空紫外線的特征，并且這樣一來，可以實(shí)現(xiàn) 高發(fā)射效率。
以上效果也可以在PDP的阻擋層呈帶狀時實(shí)現(xiàn)，但是在基本以格子 形狀形成阻擋層15的PDP 10的情況下，熒光層16也形成在第一壁部分 15A上，并且包圍每個放電單元Cl的第二壁部分15B的四個側(cè)面和熒光 層16的表面區(qū)域被增大，從而可以實(shí)現(xiàn)甚至更高的發(fā)射效率。
而且，在上述PDP 10中，行電極XI在列方向上的寬度比傳統(tǒng)PDP 窄得多，因此在電極之間生成的靜電容量顯著下降，結(jié)果，電抗性電流的 生成被減小并且可以減小功耗。
在以上示例中，PDP 10的行電極對(Xl， Yl)被布置在列方向上放
電單元Cl的中央位置上，但是行電極對(Xl， Yl)可被布置在相對列方 向上放電單元C1的中央位置被垂直移位的位置上。 其原因如下所述。
在傳統(tǒng)PDP中，維持放電變?yōu)樵谡麄€放電單元中擴(kuò)散的深度放電， 因此如果行電極對相對由格子形狀的阻擋層限定的放電單元被布置在從放 電單元在列方向上的中央位置垂直移位的位置上，放電間隙則被移位到限
定放電單元的阻擋層的上側(cè)壁或下側(cè)壁，在電壓容限(margin)中生成分 散，亮度和發(fā)射效率取決于每個放電單元，并且發(fā)射受到影響，因此，行 電極對相對于放電單元而言，需要高位置精確度。
但是，在PDP 10中，維持放電變?yōu)樯鲜霆M窄深度放電，其中放電區(qū) 域很窄，并且真空紫外線生成區(qū)域變?yōu)楸葌鹘y(tǒng)PDP要小的點(diǎn)光源，因此 阻擋層的影響(例如壁損耗)減小，此外，熒光層16是利用真空紫外線 中吸收率較低的波長為172nm的分子線來激勵的，因此維持放電的放電 區(qū)域(真空紫外線生成區(qū)域)與熒光層16之間的距離分散的影響減小， 因此，即使行電極對(XI, Yl)相對于放電單元Cl在列方向上的位置從 中央位置移位，發(fā)射效率和亮度的改變也很小。
因此，根據(jù)上述PDP 10，即使阻擋層15基本具有格子形狀并且放電 單元Cl被第一壁部分15A和第二壁部分15B所包圍，放電間隙的位置 (即行電極對的位置)也無需精確地定位在放電單元在列方向上的中央位 置，并且行電極對(XI, Yl)相對于放電單元Cl的位置精確度的容限增 大，因此本發(fā)明可以通過提高制造步驟中的產(chǎn)量來降低制造成本。
在以上示例中，構(gòu)成行電極的透明電極以連續(xù)的帶狀沿總線電極形成 在相鄰的放電單元之間，但是透明電極可針對每個放電單元獨(dú)立地形成并 被連接到總線電極。
而且，在以上示例中，行電極由透明電極和總線電極構(gòu)成，但是行電 極也可以僅由金屬總線電極構(gòu)成，并且電極對中至少一個在列方向上的寬 度可被設(shè)置為150/mi或更小。
以上對實(shí)施例的描述并不是要將本發(fā)明局限于所示示例的具體細(xì)節(jié)。 在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以采取任何合適的修改和等同手段。落在本發(fā)明的范
圍內(nèi)的所有特征和優(yōu)點(diǎn)都被所附權(quán)利要求所覆蓋。
本申請基于2006年7月18日遞交的在先日本專利申請No. 2006-195566并要求該申請的優(yōu)先權(quán)，該日本專利申請的全部內(nèi)容通過引用被 結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括彼此面對的一對基板，其間具有至少一個放電空間；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多個行電極對，其中每一對分別是由經(jīng)由放電間隙而彼此面對的所述行電極形成的；形成在所述基板上并且覆蓋所述行電極對的介電層；以及在列方向上延伸并且在行方向上被形成在所述基板對中的另一基板上的多個列電極，單元發(fā)射區(qū)域被形成在所述列電極和行電極對相交叉的每一部分處的放電空間中，并且包含氙氣的放電氣體被密封在所述放電空間中，其中所述行電極對中的至少一個電極在列方向上的寬度被設(shè)置為150μm或更小，所述放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67kPa或更大，并且所述行電極對中掃描脈沖被應(yīng)用到的那個行電極的寬度比所述對中另一行電極的寬度要大。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述行電極對中的每 個行電極包括透明電極和金屬總線電極，所述透明電極在列方向上具有 預(yù)定寬度并且經(jīng)由放電間隙而面對另一行電極，所述金屬總線電極在列方 向上具有比所述透明電極更小的寬度并且與所述透明電極電連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中在所述基板對之間基 本以格子形狀形成有阻擋層，所述格子形狀的阻擋層是通過所述阻擋層中 在行方向上平行延伸的多個行阻擋層和所述阻擋層中在列方向上平行延伸 的多個列阻擋層形成的，并且放電空間通過所述阻擋層被劃分成單獨(dú)的單 元發(fā)射區(qū)域，并且所述行電極被布置在面對分別通過所述阻擋層的劃分而 獲得的所述單元發(fā)射區(qū)域的位置上。
4. 一種等離子體顯示面板，包括彼此面對的一對基板，其間具有至少一個放電空間；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多個行電 極對，其中每一對分別是由經(jīng)由放電間隙而彼此面對的所述行電極形成 的；形成在所述基板上并且覆蓋所述行電極對的介電層；以及在列方向上 延伸并且在行方向上被形成在另一基板上的多個列電極，單元發(fā)射區(qū)域被 形成在所述列電極和行電極對相交叉的每一部分處的放電空間中，并且包 含氙氣的放電氣體被密封在所述放電空間中，其中 所述介電層包括薄膜部分和厚膜部分，并且所述介電層的所述薄膜部分被形成在所述行電極對中的至少- 個行電極上并且是在列方向上的寬度為150/mi或更小的區(qū)域，并且在所述行電極對中的另一行電極上形成有這樣的薄膜，其在列方向上的寬度比在列方向上的寬度被設(shè)置為150/mi或更小的所述薄膜的寬度要大，并且 所述放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67kPa或更大。
5. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中所述介電層的所述厚 膜部分的厚度被設(shè)置為所述介電層的所述薄膜部分的厚度的兩倍或更大。
6. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中所述介電層的所述薄 膜部分以在行方向上延伸的帶狀形成。
7. 如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述介電層的所述薄 膜部分以在行方向上延伸的帶狀形成。
8. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中所述介電層的所述薄 膜部分針對每個單元發(fā)射區(qū)域以島狀形成，并且所述厚膜部分基本以格子 形狀形成。
9. 如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述介電層的所述薄 膜部分針對每個單元發(fā)射區(qū)域以島狀形成，并且所述厚膜部分基本以格子 形狀形成。
10. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中阻擋層通過所述阻 擋層的在行方向上延伸的多個第一壁部分和所述阻擋層的在列方向上延伸 的多個第二壁部分基本以格子形狀被形成在所述基板對之間，并且放電空 間通過所述阻擋層被劃分成單獨(dú)的單元發(fā)射區(qū)域，并且所述行電極被布置 在面對分別通過所述阻擋層的劃分而獲得的所述單元發(fā)射區(qū)域的位置上。
11. 如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中阻擋層通過所述阻 擋層的在行方向上延伸的多個第一壁部分和所述阻擋層的在列方向上延伸 的多個第二壁部分基本以格子形狀被形成在所述基板對之間，并且放電空 間通過所述阻擋層被劃分成單獨(dú)的單元發(fā)射區(qū)域，并且所述行電極被布置 在面對分別通過所述阻擋層的劃分而獲得的所述單元發(fā)射區(qū)域的位置上。
12. —種等離子體顯示面板，包括彼此面對的一對基板，其間具有 至少一個放電空間；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多個行 電極對，其中每一對分別是由經(jīng)由放電間隙而彼此面對的所述行電極形成的；形成在一個基板一側(cè)并且覆蓋所述行電極對的介電層；以及在列方向 上延伸并且在行方向上被形成在另一基板一側(cè)的多個列電極，單元發(fā)射區(qū) 域被形成在所述列電極和行電極對相交叉的每一部分處的放電空間中，并 且包含氙氣的放電氣體被密封在所述放電空間中，其中在覆蓋所述行電極對中的至少一個行電極的介電層上利用高7材料形 成有二次電子發(fā)射層，其在列方向上的寬度為150pm或更小，并且在覆蓋 所述行電極對中的另一行電極的介電層上利用高7材料形成有另一二次電 子發(fā)射層，其在列方向上的寬度比被設(shè)置為150/mi或更小的所述高7材料 在列方向上的寬度要大，并且所述放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67kPa或更大。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種PDP，其具有高發(fā)射效率并且可以減小地址放電電壓。構(gòu)成行電極對的一對行電極中經(jīng)由相應(yīng)放電間隙執(zhí)行維持放電的透明電極中的至少一個在列方向上的寬度被設(shè)置為150μm或更小，并且密封在放電空間中的放電氣體中的氙氣的分壓被設(shè)置為6.67KPa或更大。每個行電極對中掃描脈沖被應(yīng)用到的面對列電極的那個行電極，即掃描電極，的寬度比行電極對中放電維持電壓被應(yīng)用到的另一行電極的寬度要大。
文檔編號H01J11/26GK101110332SQ20071013037
公開日2008年1月23日 申請日期2007年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月18日
發(fā)明者四戶耕治, 山田高士, 秋山利幸, 野口康幸 申請人:株式會社下一代Pdp研發(fā)中心;富士通株式會社;日本先鋒公司;松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社