專利名稱：等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(以下稱作"PDP")基板構(gòu) 造體的制造方法。
背景技術(shù)：
圖2是表示現(xiàn)有PDP構(gòu)造的立體圖。PDP是前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1 與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體2貼合在一起構(gòu)成的。前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1，在由 玻璃基板構(gòu)成的前面?zhèn)然錶a上，配置由透明電極3a和總線電極3b 組成的顯示電極3，并顯示電極3被電介質(zhì)層4覆蓋。再在電介質(zhì)層4 上形成由2次電子放出系數(shù)高的氧化鎂層構(gòu)成的保護層5。在背面?zhèn)然?板構(gòu)造體2上，在由玻璃基板構(gòu)成的背面?zhèn)然?a上，與顯示電極垂 直地配置地址電極6，并且在地址電極6間為了規(guī)定發(fā)光區(qū)域而設(shè)置隔 離壁7，在地址電極6上的由隔離壁7劃分的區(qū)域中形成紅、綠、藍的 熒光體層8。在粘合在一起的前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體 2的內(nèi)部形成氣密的放電空間，將由Ne-Xe組成的放電氣體密封入該 放電空間中。另外，圖中雖然沒有表示，但地址電極6被電介質(zhì)層所 覆蓋，隔離壁7和熒光體層8設(shè)置在該電介質(zhì)層上。
在制造前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1的時候，當(dāng)在前面?zhèn)然錶a上形成顯 示電極3之后，需用洗凈液或純水將基板表面洗凈，除去基板上附著 的異物，然后，形成電介質(zhì)層4。
發(fā)明內(nèi)容
雖然利用上述洗凈工序可以將多數(shù)的異物除去，但是扁平形狀等 的異物牢固的附著在基板表面，存在沒有在上述洗凈工序中除去而殘 留在基板表面上的情況。另外，存在在洗凈工序之后在基板表面附著 異物的情況。
在基板表面有異物存在的狀態(tài)下，利用CVD法等薄膜形成法來形 成電介質(zhì)層4時，電介質(zhì)層4的表面成為反映該異物的形狀，其結(jié)果
是，電介質(zhì)層4的表面形成突起部。
通常，在電介質(zhì)層4的形成后，進行使用清洗刷的洗凈工序，但
是在該工序中，突起部會和清洗刷發(fā)生干涉，存在在突起部上電介質(zhì)
層4剝離的情況。電介質(zhì)層4存在如電介質(zhì)層4的下方的顯示電極3 露出而剝離的情況，在此情況下，成為絕緣損壞的原因。
另外，電介質(zhì)層4表面的突起部，在前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1與背面 側(cè)基板構(gòu)造體2粘合的時候，與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體2的隔離壁7干涉， 存在破壞隔離壁7的情況。因此，希望能夠有消除電介質(zhì)層4表面的 突起部的技術(shù)。
本發(fā)明，正是鑒于上述的問題，提供一種制造PDP用基板構(gòu)造體 的制造方法能夠使電介質(zhì)層的突起部簡單地被消除。
本發(fā)明的PDP基板構(gòu)造體用制造方法，其特征在于具有如下工序 在覆蓋基板上的電極的電介質(zhì)層表面的突起部上，存在與所述電介質(zhì) 層的材料相比易于吸收激光的激光吸收物質(zhì)，對所述激光吸收物質(zhì)照 射所述激光，利用由該照射而在所述激光吸收物質(zhì)中產(chǎn)生的熱量使所 述突起部熔融而進行平坦化。
在本發(fā)明中，使激光吸收物質(zhì)存在于突起部上，并對該激光吸收 物質(zhì)照射激光，利用此時發(fā)生的熱量使突起部熔融，并使突起部平坦 化。因此，即使形成突起部的材料是不易于吸收激光的物質(zhì)，也能夠 使突起部熔融而進行平坦化。突起部被平坦化，從而從實質(zhì)上消除了 突起部。
圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的PDP用前面?zhèn)然鍢?gòu)造體的 制造工序的剖面圖。
圖2是表示現(xiàn)有的PDP的構(gòu)造的立體圖 符號說明
1:前面?zhèn)然鍢?gòu)造體 la:前面?zhèn)然?br>
2:背面?zhèn)然鍢?gòu)造體
2a:背面?zhèn)然?br>
3:顯示電極
3a:透明電極
3b:總線電極
4:電介質(zhì)層
5:保護層
6:地址電極
7:隔離壁
8:熒光體層
11:前面?zhèn)然?br>
12:異物
13:電介質(zhì)層
14:激光
15:電介質(zhì)層的突起部
17:激光吸收物質(zhì)
21:電介質(zhì)層的凹部
具體實施例方式
下面，利用附圖對本發(fā)明的一個實施方式進行說明。在附圖或者 下面的敘述中構(gòu)成都是示例，本發(fā)明的范圍并不僅限于附圖和以下的 敘述中的說明。在下述的實施方式中，以在前面?zhèn)鹊幕鍢?gòu)造體上設(shè) 置有顯示電極、電介質(zhì)層及保護層等的情況為例進行說明，但是，本 發(fā)明也適用于在背面?zhèn)鹊幕迳显O(shè)置有顯示電極、電介質(zhì)層及保護層 的情況。另外，在以下的實施方式中，以在覆蓋顯示電極的電介質(zhì)層 的突起部為例進行說明，但是，存在在覆蓋地址電極的電介質(zhì)層的表 面上形成的突起部的情況，對該突起部可以用同樣的方法進行平坦化 的處理。
利用圖1 (a) (f)，對本發(fā)明的一種實施方式的PDP用前面?zhèn)?基板構(gòu)造體的制造方法進行說明。
本實施方式的PDP用前面?zhèn)然鍢?gòu)造體的制造方法包括如下工 序，即，使在前面?zhèn)然錶l上的覆蓋顯示電極(圖未示)的電介質(zhì)層
13表面的突起部15上，存在與電介質(zhì)層13的材料相比易于吸收激光 14的激光吸收物質(zhì)17，向激光吸收物質(zhì)17照射激光14，通過利用該 照射而在激光吸收物質(zhì)17中產(chǎn)生的熱量使突起部15熔融而進行平坦 化。
下面，對與本實施方式相關(guān)的各種工序進行說明。
1. 顯示電極形成工序
首先，在前面?zhèn)然錶l上形成顯示電極.
前面?zhèn)然?1并沒有特別的限定，可以使用在該領(lǐng)域中公知的任 意的基板。具體的說，例如玻璃基板，塑料基板等透明基板。
作為顯示電極，可以使用由ITO， Sn02等透明電極材料形成的電 極，或由Ag、 Au、 Al、 Cu、 Cr等金屬電極材料形成的電極。具體的 說，例如，使用的電極構(gòu)成有，ITO， Sn02等寬度大的透明電極，和 用于降低電極電阻的、例如由Ag、 Au、 Al、 Cu、 Cr及它們的疊層體
(例如Cr/Cu/Cr的疊層結(jié)構(gòu))等構(gòu)成的金屬質(zhì)的寬度小的總線電極。 顯示電極，對于Ag、 Au用印刷法，對于其他電極使用蒸鍍法、噴鍍
(spatter)法等成膜法和蝕刻法相結(jié)合，從而可按照所希望的個數(shù)、厚 度、寬度以及間隔形成。
2. 洗凈工序
其次，進行顯示電極形成后的基板表面的清洗?；灞砻娴那逑?， 可以在存在洗凈液或純水的條件下用清洗刷對基板表面進行刷洗。利 用該洗凈，除去多數(shù)異物，但是如圖l(a)所示，扁平形狀的異物12牢 固的附著在基板表面沒有被除掉而殘留。并且，存在洗凈后在基板表 面附著異物12的情況。異物12的形狀和大小沒有特別的限定。作為 一個例子，異物12高度l 10)im，外接圓的直徑為50 300lim左右。
3. 電介質(zhì)層形成工序
接著，如圖l (b)所示，在洗凈后的基板上形成電介質(zhì)層13。電 介質(zhì)層13使用CVD法按照10pm以下(例如3 10pm)的膜厚而形 成。在使用該方法的情況下，異物12的外形被電介質(zhì)層13的表面形
狀反映出來容易形成突起部15，所以依照本實施方式的方法使突起部 15平坦化的必要性是非常重大的。
突起部15的形狀并沒有特別的限定，突起部15可以是從電介質(zhì) 層13的表面尖銳的突出的形狀，也可以是電介質(zhì)層13的厚度局部變 厚而平緩?fù)怀龅男螤睢Ｔ谕黄鸩?5的周圍，可以存在因異物12的影 響而產(chǎn)生的凹部21，或者也可以沒有。
并且，突起部15不限定為因異物12的影響而形成的，也有可以 由于其他原因(例如，成膜異常所造成的局部膜厚異常)形成。在此， 對于上述的膜厚異常進行詳細說明，是在CVD法中，存在用于使電介 質(zhì)層的原料氣體分散的噴頭(showernozzle)的孔局部變大，在原料氣 體的流量增大局部變厚的情況。
電介質(zhì)層13的材料并沒有特別的限定，例如，二氧化硅(Si02)。 因為該材料，是對于后續(xù)工序中使用的激光14為透明的材料(即，其 實是不吸收激光14的材料)，所以在突起部15上不存在激光吸收物 質(zhì)17的情況下不會使突起部15熔融，因而這對于采用本實施方式的 方法有很大的必要性。
4. 異物或突起部的檢測工序
接著，檢測基板表面上的異物12或者電介質(zhì)層13的表面地突起 部15。異物12的檢測，例如，通過檢測從傾斜方向(例如以入射角 30 60度)對電介質(zhì)層13照射時所產(chǎn)生的影像而進行檢測。如果異物 12存在，在與其相鄰的位置出現(xiàn)影像，通過檢測該影像從而檢測出異 物12。
另外，如果存在異物12，通常，在電介質(zhì)層13的表面會形成突起 部15，因此，通過檢測出異物12就能夠檢測出突起部15。也可以除 此以外的方法檢測異物12和突起部15。
5. 使激光吸收物質(zhì)存在于突起部上的工序
接著，如圖1 (c)所示，使與電介質(zhì)層13的材料相比易于吸收激 光14的激光吸收物質(zhì)17存在于檢測出的突起部15上。
激光吸收物質(zhì)17的特性是(a)與電介質(zhì)層13的材料相比易于 吸收激光14; (b)即使加熱到電介質(zhì)層13的烙點，激光吸收物質(zhì)17 至少一部分殘留在突起部15上(其他的表現(xiàn)，不氣化也不燃燒)。在 具有這樣的特性的情況下，使激光14照射激光吸收物質(zhì)17，利用由照 射所產(chǎn)生的熱量，可以使突起部15熔融而進行平坦化。
激光吸收物質(zhì)17只要是具有上述的特性的物質(zhì)，則并沒有特別的 限定。激光吸收物質(zhì)17的一個例子是，由低熔點(例如36(TC左右) 的玻璃粉末、粘合劑樹脂、溶劑、和易于吸收所使用的激光14 (即， 與電介質(zhì)層13的材料相比，易于吸收激光14)并且沸點高于電介質(zhì)層 13的材料的熔點的金屬(優(yōu)選的是熔點比電介質(zhì)層13的材料的熔點高 的金屬，例如，Cr)粉末組成的糊(paste)。在此情況下，使該糊狀 的激光吸收物質(zhì)17存在于突起部15上之后，例如以大約玻璃粉末的 熔點的溫度(例如，以玻璃粉末的熔點土5(TC以內(nèi)的溫度，優(yōu)選為以 士4(TC以內(nèi)的溫度，進一步優(yōu)選為以土3(TC以內(nèi)的溫度，再進一步優(yōu) 選為以土2(TC以內(nèi)的溫度，更進一步優(yōu)選為以土1(TC以內(nèi)的溫度)進 行燒結(jié)，由此使激光吸收物質(zhì)17固化，之后，進行激光照射。激光吸 收物質(zhì)17中所含的金屬吸收激光并加熱，利用這時所產(chǎn)生的熱量使突 起部15熔融。另外，由于在激光照射之前使與上述電介質(zhì)層的材料相 比更容易吸收激光的激光吸收物質(zhì)17固化，所以激光吸收物質(zhì)17很 難揮發(fā)。
也可以用含有粘合劑樹脂、溶劑、上述金屬粉末的糊，或者含有 粘合劑樹脂液、上述金屬粉末的糊等，代替上述糊狀物質(zhì)用作激光吸 收物質(zhì)17。另外，只可采用在電介質(zhì)層13的材料的熔點上不發(fā)生氣化 或燃燒的樹脂作為激光吸收物質(zhì)17。
使激光吸收物質(zhì)17存在于突起部15上的方法也并沒有特別的限 定，例如，可以采用將激光吸收物質(zhì)17涂敷在突起部15上的方法， 或者使其附著的方法等。
激光吸收物質(zhì)17優(yōu)選的為液狀或者糊狀，在此情況下，作為一例， 使激光吸收物質(zhì)17附著于針的前端，在其狀態(tài)下使針的尖端接近突起 部15并使激光吸收物質(zhì)17與突起部15相接觸，從而可以使激光吸收 物質(zhì)17附著在突起部15上。由此，可以使激光吸收物質(zhì)17存在于突 起部15上。 6.激光照射工序
接著，如圖1(d) (f)所示，對激光吸收物質(zhì)17照射激光14，利
用由該照射而在激光吸收物質(zhì)17中發(fā)生的熱量使突起部15熔融而進
行平坦化。
激光14的照射條件(波長、光點直徑、輸出、照射速度(即掃描 速度)、照射時間等)并沒有特別的限定，依據(jù)激光吸收物質(zhì)17的特 性(吸收光譜、熔點、沸點、以及燃燒溫度等)、電介質(zhì)層13的材料 的特性(吸收光譜及熔點等)，對突起部15的尺寸適宜地進行決定。 激光14的波長優(yōu)選為激光吸收物質(zhì)17易于吸收的波長，例如，可以 依照激光吸收物質(zhì)17的吸收光譜適宜地決定。激光14的光點直徑， 例如，可以參考應(yīng)該施加在激光吸收物質(zhì)17上的能量密度適宜地進行 決定。激光14的輸出、照射速度和照射時間，例如，可以在使激光吸 收物質(zhì)17不發(fā)生氣化或燃燒的條件下適宜地進行決定。
例如，激光14的條件可以是波長1064nm(YAG激光的波長)， 光點直徑40 60(im，輸出0.5 1.0W，照射速度5 10jum/s。
例如，激光14的條件，作為一例，可以如下進行決定。
(a) 首先，由激光吸收物質(zhì)17的吸收光譜決定激光14的波長。 另外，假設(shè)決定激光14的光點直徑、輸出以及照射速度。
(b) 其次，在決定的照射條件下，對存在于電介質(zhì)層13上的激 光吸收物質(zhì)17照射激光14。
(c) 在根據(jù)該照射由不使電介質(zhì)層13熔融等理由判斷為激光太 弱的情況下，使光點直徑變小，或者輸出變大，或者照射速度變慢。 在根據(jù)上述(b)的照射由使激光吸收物質(zhì)17飛散等理由判斷為激光 14太強的情況下，使光點直徑變大，或者輸出變小，或者照射速度變 快。
(d) 按照上述(c)變更后的照射條件再次進行上述(b)的照射， 之后，按照上述(c)的方法判斷照射條件是否適合，重復(fù)上述(b)，
(c)直到找到滿足可行的照射條件。在沒有找到滿足可行的照射條件 下，可以變更激光14的波長，或者變更激光吸收物質(zhì)17。
在本說明書中，所謂"平坦化"是指，使突起部15的高度減少。 因此，如圖1 (f)所示的僅僅一點的突出的部分殘留的情況也是包含 在"平坦化"的范圍里。使突起部15平坦化后可以將激光吸收物質(zhì)17除去，也可以使其 殘留。由于通常只在狹小的范圍上涂敷，可認為由使激光吸收物質(zhì)17 殘留所產(chǎn)生影響并不大。
7. 電介質(zhì)層的清洗工序
接著，進行電介質(zhì)層13表面的清洗。作為一例，清洗是在存在清
洗液或純水的情況下用清洗刷對基板表面進行刷洗而進行。在實施方
式中，由于突起部15已經(jīng)被平坦化了，突起部15與清洗刷之間沒有 干涉，不會有使突起部上的電介質(zhì)層13被剝落而露出顯示電極的情況。 而且，在存在異物12的情況下，在異物12的周圍形成凹部21 (參照 圖l (b))，電介質(zhì)層13容易剝落，但是在本實施方式中，由于在使 突起部15平坦化的時凹部21被填滿，因此，從這一點來看解決了引 起的電介質(zhì)層13剝落的問題。
8. 保護層形成工序
接著，在電介質(zhì)層13上形成由氧化鎂構(gòu)成的保護層，而完成前面 側(cè)基板的制造。并且，突起部15的平坦化也可以在保護層形成之后進 行。在此情況下，雖然不能得到在上述"7.電介質(zhì)層清洗工序"工序中 的防止電介質(zhì)層13剝落的效果，但是可以得到下述"9.粘合工序"工 序中的防止突起部15與隔離壁之間的干涉的效果。
9. 粘合工序
接著，形成面板，該面板為，上述前面?zhèn)然鍢?gòu)造體，與用另外 制作的、形成有地址電極、隔離壁以及熒光體層等形成的背面?zhèn)然?構(gòu)造體相粘合，而在內(nèi)部具有氣密的放電空間。使顯示電極和地址電 極相互垂直地，將前面?zhèn)然鍢?gòu)造體與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體粘合。
以往，在將前面?zhèn)然鍢?gòu)造體與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體粘合時，前面 側(cè)基板構(gòu)造體的電介質(zhì)層表面的突起部與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體的隔離壁 相干涉，存在隔離壁破壞的問題，但是，在本實施方式中，突起部已 經(jīng)被平坦化，所以不會產(chǎn)生上述問題。
10. 放電氣體填充工序
接著，使面板的放電空間內(nèi)排氣，之后，將由氖、氙等構(gòu)成的放 電氣體導(dǎo)入到放電空間內(nèi)，由此制造PDP。該PDP具有由前面?zhèn)然?br>
構(gòu)造體與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體之間的顯示電極和地址電極的交點確定的 多個放電單元。
可將上述的實施方式中所包含的各種特征單獨或組合，并在本發(fā) 明中使用。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方法，其特征在于，具有如下工序使得激光吸收物質(zhì)存在于覆蓋基板上的電極的電介質(zhì)層表面的突起部上，該激光吸收物質(zhì)與所述電介質(zhì)層的材料相比更易于吸收激光，對所述激光吸收物質(zhì)照射所述激光，利用由該照射而在所述激光吸收物質(zhì)中產(chǎn)生的熱量使所述突起部熔融而進行平坦化。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方 法，其特征在于所述電介質(zhì)層由二氧化硅構(gòu)成； 所述激光吸收物質(zhì)由含有鉻粉末的糊構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方 法，其特征在于具有，在照射所述激光之前，對位于所述突起部上的所述激光吸 收物質(zhì)進行燒結(jié)并固化的工序；所述激光吸收物質(zhì)由糊構(gòu)成，該糊由低熔點玻璃粉末、粘合劑樹 脂、溶劑、和與所述電介質(zhì)層的材料相比更易于吸收所述激光且與所 述電介質(zhì)層的測量的熔點相比其沸點更高的金屬粉末構(gòu)成。
4. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方 法，其特征在于所述金屬具有，與所述電介質(zhì)層的材料的熔點相比較高的熔點。
5. 如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方 法，其特征在于所述金屬，由鉻構(gòu)成。
6. 如權(quán)利要求3 5中任何一項所述的等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方法，其特征在于 所述電介質(zhì)層的材料，由氧化硅構(gòu)成。
7. 如權(quán)利要求1 5中任何一項所述的等離子體顯示面板用基板 構(gòu)造體的制造方法，其特征在于-所述激光，由YAG激光構(gòu)成。
8. 如權(quán)利要求1 5中任何一項所述的等離子體顯示面板用基板構(gòu)造體的制造方法，其特征在于所述激光吸收物質(zhì)為液體狀或糊狀；在針的前端附著所述激光吸收物質(zhì)，并將該針接近所述突起部使 所述激光吸收物質(zhì)與所述突起部相接觸而附著在所述突起部上，由此， 使所述激光吸收物質(zhì)存在于所述突起部上。
全文摘要
本發(fā)明涉及PDP用基板構(gòu)造體的制造方法，其特征在于，具有如下工序在覆蓋基板上的電極的電介質(zhì)層表面的突起部上，存在與所述電介質(zhì)層的材料相比易于吸收激光的激光吸收物質(zhì)，對所述激光吸收物質(zhì)照射所述激光，利用由該照射而在所述激光吸收物質(zhì)中產(chǎn)生的熱量使所述突起部熔融而進行平坦化。
文檔編號H01J9/02GK101178995SQ200710107428
公開日2008年5月14日 申請日期2007年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月10日
發(fā)明者鳥成達也 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司