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等離子體顯示裝置的制作方法

文檔序號:2928116閱讀:112來源:國知局
專利名稱:等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有等離子體顯示面板(以下稱"PDP")的等離 子體顯示裝置。
背景技術(shù)
圖9是表示現(xiàn)有PDP構(gòu)造的立體圖。PDP是前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1 與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體2貼合在一起構(gòu)成的。前面?zhèn)然鍢?gòu)造體l,在由 玻璃基板構(gòu)成的前面?zhèn)然錶a上,配置由透明電極3a和總線電極3b 組成的顯示電極3,并顯示電極3被電介質(zhì)層4覆蓋。再在電介質(zhì)層4 上形成由2次電子放出系數(shù)高的氧化鎂層構(gòu)成的保護(hù)層5。在背面?zhèn)然?板構(gòu)造體2上,在由玻璃基板構(gòu)成的背面?zhèn)然?a上,與顯示電極垂 直地配置地址電極6,并且在地址電極6間為了規(guī)定發(fā)光區(qū)域而設(shè)置隔 離壁7,在地址電極6上的由隔離壁7劃分的區(qū)域中形成紅、綠、藍(lán)的 熒光體層8。在粘合在一起的前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體 2的內(nèi)部形成氣密的放電空間,將由Ne-Xe組成的放電氣體密封入該 放電空間中。另外,圖中雖然沒有表示,但地址電極6被電介質(zhì)層所 覆蓋,隔離壁7和熒光體層8設(shè)置在該電介質(zhì)層上。在這種PDP中,通過將電壓附加在地址電極6與顯示電極3之間, 產(chǎn)生用于尋址(addressing)的放電,通過將電壓附加在一對顯示電極 3之間,使之產(chǎn)生用于復(fù)位放電(reset discharge)或顯示的維持放電 (sustain discharge )。PDP通過上述各種放電而發(fā)熱。通過放電發(fā)生的熱量,從安裝在 背面?zhèn)然鍢?gòu)造體2上的散熱板或前面?zhèn)然鍢?gòu)造體1向外部釋放。發(fā)明內(nèi)容當(dāng)散熱不充分時,PDP溫度上升。PDP的溫度上升有可能導(dǎo)致發(fā) 光效率降低、電壓余量(voltage margin)變化以及經(jīng)時劣化的加速等
各種問題。該問題在長時間進(jìn)行放電的高亮度點亮?xí)r變得尤其嚴(yán)重。 因此,需要能夠抑制PDP溫度上升的技術(shù)。本發(fā)明鑒于上述問題而提出,其目的在于提供一種能夠抑制PDP溫度上升的等離子體顯示裝置。本發(fā)明的等離子體顯示裝置,其特征在于具有,在將前面?zhèn)然?板構(gòu)造體與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體貼合而形成的放電空間內(nèi)填充有放電氣 體的等離子體顯示面板,上述面板具有分別與放電空間連接的第1孔以及第2孔,第1孔以及第2孔在上述面板的外部通過配管相互連結(jié), 在上述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第1孔位于高于第2孔的位置上,或者在上述配管中設(shè)置有使放電氣體循環(huán)的氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)。本發(fā)明的等離子體顯示裝置具有在面板外部通過配管連結(jié)的第1孔以及第2孔。放電氣體,從第1孔(或第2孑L)放出到面板外部并 通過配管從第2孑L (或者第1孑L)回到面板內(nèi)部。由于通常面板外部 溫度低,因此放電氣體在面板的外部被冷卻后,回到面板內(nèi)部。利用 該原理,將面板內(nèi)部的熱量釋放至面板的外部,抑制了PDP的溫度上 升。在配管內(nèi)的放電氣體的移動發(fā)生在以下情況下,即(l)在上述 面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第1孔的位置高于第2孔的位置,或者(2) 在上述配管中設(shè)置使上述放電氣體循環(huán)的氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)。在上述(1)的情況下放電氣體發(fā)生移動的原理如下放電氣體,溫度越高密度變得越小并試圖上升,溫度越低密度變得越大并試圖下降。因此,通過在高于第2孔的位置上設(shè)置第1孔,可使放電氣體從 第1孔向第2孔流動。此外,所謂"通常設(shè)置狀態(tài)"是指,使用預(yù)想 的PDP使用時的PDP的設(shè)置狀態(tài),只要是長方形的面板, 一般而言, 長邊朝下而將PDP豎起設(shè)置的狀態(tài)稱為通常設(shè)置狀態(tài)。但是,當(dāng)預(yù)想 在采用短邊朝下將PDP豎起設(shè)置的狀態(tài)進(jìn)行使用時,則短邊朝下將 PDP豎起設(shè)置的狀態(tài)為通常設(shè)置狀態(tài)。在長方形以外的形狀的PDP的 情況下,通常預(yù)想在某種設(shè)置狀態(tài)下進(jìn)行使用,則該狀態(tài)為通常使用 狀態(tài)。在上述(2)的情況下,通過扇或泵等氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)的作用,在配 管內(nèi)從第1孔朝向第2孔或從第2孔朝向第1孔使放電氣體移動。 以下,針對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行說明。優(yōu)選第1孔及第2孔設(shè)置在上述背面?zhèn)然鍢?gòu)造體的對角位置上。 此時,通過放電氣體從放電空間內(nèi)的一端移向另一端,可以期待抑制 面板整體的溫度上升。優(yōu)選在上述配管中具有氣體冷卻機(jī)構(gòu)、氣體凈化機(jī)構(gòu)以及壓力控 制機(jī)構(gòu)中的至少一者。通過設(shè)置氣體冷卻機(jī)構(gòu)放電氣體被進(jìn)一步冷卻, 能夠進(jìn)一步抑制PDP的溫度上升。通過設(shè)置氣體凈化機(jī)構(gòu)可以將在放 電空間內(nèi)產(chǎn)生的雜質(zhì)除去。通過設(shè)置壓力控制機(jī)構(gòu)可以對放電空間內(nèi) 的放電氣體的壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)。優(yōu)選上述面板具有顯示區(qū)域、以包圍該顯示區(qū)域的方式設(shè)置的密 封層、以及上述顯示區(qū)域與上述密封層之間的中間區(qū)域,在上述面板 的通常設(shè)置狀態(tài)下,在上述面板的上部的上述中間區(qū)域設(shè)置多個第1 孔,在上述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,在上述面板的下部的上述中間區(qū)域設(shè)置多個第2 L。此時,能夠使放電空間內(nèi)的放電氣體的流動更加 均勻,能夠在有效控制PDP整體溫度上升的同時,降低放電空間內(nèi)的面內(nèi)溫度的差異。優(yōu)選上述面板具有顯示區(qū)域、以包圍該顯示區(qū)域的方式設(shè)置的密封 層、以及上述顯示區(qū)域與上述密封層之間的中間區(qū)域,在上述面板的 通常設(shè)置狀態(tài)下,在上述面板的側(cè)部的上述中間區(qū)域設(shè)置有阻止上述放電氣體移動的壁部;在上述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第1孔設(shè)置在 高于上述壁部的位置上;在上述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第2孔設(shè)置 在低于上述壁部的位置上。在此情況下,可以在PDP中成為最熱的顯 示區(qū)域中導(dǎo)通放電氣體,可有效抑制顯示區(qū)域的溫度上升。優(yōu)選第1孔和第2孔設(shè)置在上述背面?zhèn)鹊幕鍢?gòu)造體上。在此情 況下,能夠防止連接第1孔與第2孔的配管從前面?zhèn)韧怀???梢詫σ陨蟽?yōu)選實施方式適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行相互組合。


圖1是表示本發(fā)明第1實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人?見的平面圖。圖2是表示本發(fā)明第2實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人?br> 見的平面圖。圖3是表示本發(fā)明第3實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人姷钠矫鎴D。圖4是表示本發(fā)明第4實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人?見的平面圖。圖5是表示基于另一個觀點的發(fā)明的實施方式的PDP從前面?zhèn)人?見的平面圖。圖6 (a)表示由圖5虛線包圍的區(qū)域37的放大圖,(b)表示(a) 中I-I剖面圖。圖7 (a)表示由圖5虛線包圍的區(qū)域37的放大圖,(b)表示(a) 中I-I剖面圖。圖8 (a)表示由圖5虛線包圍的區(qū)域37的放大圖,(b)、 (c)分 別是表示(a)中I-I剖面圖,II-II剖面圖。 圖9是表示現(xiàn)有技術(shù)的PDP結(jié)構(gòu)的立體圖。 符號說明1:前面?zhèn)然鍢?gòu)造體;la:前面?zhèn)然澹?:背面?zhèn)然鍢?gòu)造體;2a:背面?zhèn)然澹?:顯示電極;3a:透明電極;3b:總線電極;4:電介質(zhì)層;5:保護(hù)層;6:地址電極;7:隔離壁;8:熒光體層;10:等離子體顯示面板;10a:顯示區(qū)域;10b:密封層;10c:中間區(qū)域; 11:前面?zhèn)然鍢?gòu)造體;13:背面?zhèn)然鍢?gòu)造體;15:放電空間;17:第l孔;17a:另一配置的第1孔;19:第2孔;19a:另一配置的第2孔;21:配管;23:PDP長邊的一方;25:氣體冷卻機(jī)構(gòu);27:氣體凈化機(jī)構(gòu);29:壓力控制機(jī)構(gòu);31:氣體循環(huán)機(jī)構(gòu);33:壁部;35:槽;37:由虛線包圍的區(qū)域具體實施方式
下面,參照附圖,對本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式進(jìn)行說明。附圖 以及以下記載中所示的構(gòu)成均為例子,本發(fā)明的范圍不局限于以下記 載中的內(nèi)容。在以下的實施方式中,以如下等離子體顯示裝置為例進(jìn) 行說明,該等離子體顯示裝置具有,在前面?zhèn)然鍢?gòu)造體上設(shè)置有一 對顯示電極、電介質(zhì)層以及保護(hù)層,在背面?zhèn)然鍢?gòu)造體上形成有地 址電極、電介質(zhì)層、隔離壁以及熒光體層,在顯示電極與地址電極的交點上存在放電單元的3屯極而放電型PDP,但本發(fā)明并不局限于此, 也包括具有其他構(gòu)成形式的PDP的等離子體顯示裝置。1.第1實施方式1-1.等離子體顯示裝置的構(gòu)造以下,參照圖1對本發(fā)明第1實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu) 造進(jìn)行說明。圖1是表示本實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人?見的平面圖。
本實施方式的等離子體顯示裝置是具有,在將前面?zhèn)然鍢?gòu)造體 11和表面?zhèn)然鍢?gòu)造體13貼合而形成的放電空間15內(nèi)填充放電氣體的PDP10的等離子體顯示裝置,PDPIO,具有分別與放電空間15連接 的第1孔17以及第2孔19,第1孔17以及第2孔19在PDPIO的外 部通過配管21相互連結(jié),在PDPIO的通常設(shè)置狀態(tài)下,第1孔17位 于高于第2孔19的位置上。PDPIO為長方形,其通常設(shè)置狀態(tài)是指將 其長邊的一方23向下垂直豎立的狀態(tài)。PDPIO具有顯示區(qū)域10a、以包圍該顯示區(qū)域10a的方式設(shè)置的 密封層10b、以及顯示區(qū)域10a與密封層10b之間的中間層10c。在圖 l中,顯示區(qū)域lOa是由虛線包圍的區(qū)域。在顯示區(qū)域10a中,具有由 前面?zhèn)然鍢?gòu)造體11的顯示電極(未圖示)和背面?zhèn)然鍢?gòu)造體13 的地址電極(未圖示)的交點決定的多個放電單元。另外,背面?zhèn)然?板構(gòu)造體13的隔離壁14形成在顯示區(qū)域10a上。雖然隔離壁14在圖 1中為條形,但隔離壁14的形狀不局限于此,也可以是格子(稱為箱 形(box)或者蜂窩(waffle))狀。隔離壁14也可以形成在中間區(qū)域 10c上。第1孔17以及第2孔19設(shè)置在背面?zhèn)然鍢?gòu)造體13上。另外, 第1孔17設(shè)置在PDP10的通常設(shè)置狀態(tài)下的PDP10上部的中間區(qū)域 10c上,第2孔19設(shè)置在PDP10的通常設(shè)置狀態(tài)下的PDPIO下部的上 述中間區(qū)域10c上。另外,第1孔17以及第2孔19配置在PDP10的對角位置上。但是,第1孔17以及第2孔19不局限于圖1所示的內(nèi)容,在通 常設(shè)置狀態(tài)下,只要將第1孔17設(shè)置在高于第2孔19的位置上即可, 因此,也可以設(shè)置在顯示區(qū)域10a上,也可以設(shè)置在對角以外的位置 上。第1孔17以及第2孔19,例如,如圖l的虛線圓17a, 19a所示, 也可以設(shè)置在PDPIO的長邊中央上下的中間區(qū)域10c上。另外,也可 以將第1孔17以及第2孔19中的至少一者設(shè)置在前面?zhèn)然鍢?gòu)造體 11上。配管21只要能夠在內(nèi)部流通放電氣體的機(jī)構(gòu),其尺寸和材質(zhì)等沒 有限定。配管21可以由金屬、玻璃或者塑料等形成。在配管21中具 有氣體冷卻機(jī)構(gòu)25、氣體凈化機(jī)構(gòu)27以及壓力控制機(jī)構(gòu)29。 氣體冷卻機(jī)構(gòu)25是將流通在配管21內(nèi)的放電氣體進(jìn)行冷卻的機(jī) 構(gòu),例如,由水冷式、空冷式或者珀.ll:帖元件冷卻(Peltierdevice)等 的冷卻機(jī)構(gòu)構(gòu)成。即使在未設(shè)置有氣體冷卻機(jī)構(gòu)25的情況下,山于從 配管21的表面進(jìn)行放熱,因此氣體冷卻機(jī)構(gòu)25并非必須,可以根據(jù) 需要設(shè)置。氣體凈化機(jī)構(gòu)27是,通過對熒光體層或保護(hù)膜照射真空紫外線光 而將在放電空間15內(nèi)產(chǎn)生的由二氧化碳或碳化氫等構(gòu)成的雜質(zhì)除去而 對放電氣體進(jìn)行凈化的機(jī)構(gòu),例如,由吸附上述雜質(zhì)氣體的分子篩 (Molecular Sieves)構(gòu)成。由于上述雜質(zhì)氣體是導(dǎo)致PDP10經(jīng)時劣化 的原因,因而通過將其除去能夠抑制PDP10的經(jīng)時劣化。而且,當(dāng)從 要求的PDP10壽命等觀點出發(fā)不需要進(jìn)行放電氣體凈化時,也可以不 設(shè)置氣體凈化機(jī)構(gòu)27。壓力控制機(jī)構(gòu)29是對放電空間15內(nèi)的放電氣體壓力進(jìn)行控制的 機(jī)構(gòu)。壓力控制機(jī)構(gòu)29,優(yōu)選具有既能降低放電氣體壓力又能提高放 電氣體壓力兩種功能,但也可以是只具有其中任意一種功能的機(jī)構(gòu)。 壓力控制機(jī)構(gòu)29,例如,由吸附放電氣體的分子篩構(gòu)成,在此情況下, 通過吸附放電氣體而降低放電氣體壓力,通過將分子篩加熱使吸附的 放電氣體釋放而提高放電氣體壓力。另外,壓力控制機(jī)構(gòu)29,例如, 可以是象注射器那樣構(gòu)造的具有放電氣體吸入及排出功能的機(jī)構(gòu),在 此情況下,通過吸入放電氣體而降低放電氣體壓力,通過排出放電氣 體而提高放電氣體壓力。一般公知為,進(jìn)行放電時,在放電空間15露出的二次放電系數(shù)高 的保護(hù)層濺出,其膜厚減少,由此放電開始電壓上升。另外,公知在 放電氣體壓力降低時,放電開始電壓下降。因而,隨著PDP10的使用 時間變長使放電氣體壓力下降,由此,能夠?qū)嶋H上使放電開始電壓保 持一定。放電氣體壓力的下降,可以在隨著放電時間經(jīng)過規(guī)定時間(例 如1000小時)時斷續(xù)的進(jìn)行,也可以連續(xù)的一點點地少量的進(jìn)行。此外,在從要求的PDP10壽命等觀點出發(fā)不需要放電氣體壓力的 控制的情況下,也可以不設(shè)置壓力控制機(jī)構(gòu)29。 1-2.等離子體顯示裝置的制造方法下面,對本發(fā)明的等離子體顯示裝置的制造方法的一個例子進(jìn)行 首先,在由玻璃基板構(gòu)成的前面?zhèn)然迳闲纬娠@示電極、電介質(zhì) 層以及保護(hù)層,而形成前面?zhèn)然鍢?gòu)造體11。然后,在由玻璃基板構(gòu) 成的背面?zhèn)然迳闲纬傻刂冯姌O、電介質(zhì)層、隔離壁以及熒光體層, 而形成背面?zhèn)然鍢?gòu)造體13。之后,在背面?zhèn)然鍢?gòu)造體13上涂敷密 封層10b形成用糊劑,以使顯示電極和地址電極正交的方式將前面?zhèn)然鍢?gòu)造體11與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體13重合,并在此狀態(tài)下進(jìn)行燒結(jié), 由此形成在內(nèi)部具有氣密性放電空間15的顯示面板。接著,進(jìn)行放電 空間15內(nèi)的排氣,將放電氣體導(dǎo)入放電空間15內(nèi)。放電空間15內(nèi), 可以通過第1孔17或第2孔19進(jìn)行,也可以通過另外設(shè)置的與放電 空間15連結(jié)的孔進(jìn)行。導(dǎo)入放電氣體后,將與放電空間15連結(jié)的全 部孔堵塞。到此為止的工程,可以通過眾所周知的方法實施。對于如上形成的顯示面板,通過將安裝有氣體冷卻機(jī)構(gòu)25、氣體 凈化機(jī)構(gòu)27以及壓力控制機(jī)構(gòu)29的配管21安裝在第1孔17或第2 孔19上,完成本實施方式的等離子體顯示裝置的制造。配管21內(nèi), 預(yù)先除去不純物,并封入與放電空間15內(nèi)的放電氣體相同成分的放電 氣體。此外,代替預(yù)先在配管21內(nèi)封入放電氣體,也可以提高設(shè)定放 電空間15內(nèi)的放電氣體的壓力,僅符合配管21內(nèi)的體積分。在此,是將放電氣體導(dǎo)入放電空間15內(nèi)后安裝配管21,也可以在 配管21安裝完成后進(jìn)行排氣和放電氣體的導(dǎo)入。1-3.作用在此,對在本實施方式的等離子體顯示裝置中,放電氣體通過第1 孔17移動至配管21,進(jìn)一步從配管21移動至第2孔19的作用進(jìn)行說 明。在PDPIO的放電空間15內(nèi)發(fā)生放電時,放電氣體被加熱而膨脹, 其密度變小。其密度變小的放電氣體,如圖1箭頭所示在放電空間15 內(nèi)上升,從第1孔17移至配管21 。由于配管21設(shè)置在PDP10的外部, 其溫度低于放電空間15內(nèi)的溫度。因此,放電氣體在配管21內(nèi)被冷 卻而體積減小,其密度增大。密度增大的氣體,在配管內(nèi)下降,從第2 孔19返回放電空間15。發(fā)生該放電氣體的流動,是由于本實施方式的 等離子體顯示裝置中,在其通常設(shè)置狀態(tài)下第1孔17位于高于第2孔 19的位置上的緣故。2. 第2實施方式參照圖2對本發(fā)明第2實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu)造進(jìn)行 說明。圖2是表示本實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人姷钠?面圖。本實施方式的等離子體顯示裝置,與第1實施方式類似,但不同 點在于,在配管21中設(shè)置有使放電氣體循環(huán)的氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)31。另外, 在本實施方式中,由于利用氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)31的作用使放電氣體在配管 21中移動,在通常設(shè)置狀態(tài)下第1孔17的位置不需要高于第2孔19, 第1孔17與第2孔19可以處于同一高度,或第2孔19可以位于高于 第1孔17的位置上。氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)31,只要是具有能夠使放電氣體從 第1孔17通過配管21朝向第2孔19或者從第2孔19通過配管21朝 向第1孔17移動功能的機(jī)構(gòu)即可,例如,由扇或泵構(gòu)成。第2實施方式的等離子體顯示裝置,可以與第1實施方式的等離 子體顯示裝置同樣的方法制造。但是,在配管21上采用具有氣體循環(huán) 機(jī)構(gòu)31的結(jié)構(gòu)。3. 第3實施方式參照圖3對本發(fā)明第3實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu)造進(jìn)行 說明。圖3是表示本實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人姷钠?面圖。本實施方式的等離子體顯示裝置,與第2實施方式類似,但不同 點在于,在PDP10的通常設(shè)置狀態(tài)下的PDP10上部的中間區(qū)域10c上 設(shè)置有多個(圖3中是五個)第1孔17,在PDP10的通常設(shè)置狀態(tài)下 的PDP10下部的中間區(qū)域10c上設(shè)置有多個(圖3中是五個)第2孔 19。多個第1孔17以及多個第2孔19分別與相同的配管21連接。另 夕卜,多個第1孔17以及多個第2孔19,分別以均一的間隔設(shè)置。利用 此構(gòu)成,使放電空間15內(nèi)的放電氣體的流動能夠更加均勻,由此可以 提高散熱效率。另外,能夠減小放電空間15內(nèi)的面內(nèi)的溫度不均勻。 第1孔17的個數(shù)可以和第2孔19相同,也可以不同。第3實施方式的等離子體顯示裝置,可以與第2實施方式的等離 子體顯示裝置同樣的方法制造。但是,在配管21上采用在端部具有分
支以安裝于多個第1孔17以及多個第2孔19的結(jié)構(gòu)。在此,以具有氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)31的情況為例進(jìn)行說明,但如第l實施方式所示也可以不設(shè)置氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)31。在此情況下,利用與第1實施方式相同的作用,從第1孔17通過配管21至第2孔19發(fā)生放電氣體的移動。4.第4實施方式參照圖4對本發(fā)明第4實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu)造進(jìn)行 說明。圖4是表示本實施方式的等離子體顯示裝置從前面?zhèn)人姷钠?面圖。本實施方式的等離子體顯示裝置,與第2實施方式類似,但不同 點在于,在PDP10的通常設(shè)置狀態(tài)下的PDP10的側(cè)部中間區(qū)域10c上 具有阻擋放電氣體移動的壁部33。另外,第1孔17,在PDP10的通常 設(shè)置狀態(tài)下設(shè)置在高于壁部33的位置,第2孔19,在PDP10的通常 設(shè)置狀態(tài)下設(shè)置在低于壁部33的位置。在第2實施方式中,由于沒有壁部33放電氣體的一部分通過 PDP10的側(cè)部中間區(qū)域10c在第1孔17與第2孔19之間移動。由于 在中間區(qū)域10c上沒有發(fā)生放電,因而中間區(qū)域10c的溫度較低,通 過中間區(qū)域10c的放電氣體,對抑制PDPIO的溫度上升幾乎沒有作用。 在本實施方式中,由于在PDPIO的側(cè)部中間區(qū)域10c上設(shè)置有壁部33, 放電氣體無法通過PDP10的側(cè)部的中間區(qū)域10c在第1孔17與第2 孔19之間移動,而必然被引導(dǎo)至顯示區(qū)域10a,通過顯示區(qū)域10a在 第1孔17與第2孔19之間移動。因此,根據(jù)本實施方式,能夠進(jìn)一 步有效的抑制PDPIO的溫度上升。第4實施方式的等離子體顯示裝置,可以與第2實施方式的等離 子體顯示裝置同樣的方法制造。但是,在形成隔離壁14時還形成壁部 33,或者另外設(shè)置形成壁部33的工序。在此,以具有氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)31的情況為例進(jìn)行說明,但如第1實 施方式一樣也可以不設(shè)置氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)31。在此情況下,利用與第1 實施方式相同的作用,從第1孔17通過配管21至第2孔19發(fā)生放電 氣體的移動,并在放電空間15內(nèi),通過顯示區(qū)域10a從第2孔19至 第1孔17發(fā)生放電氣體的移動。 5.其它在此,參照圖5,從與第1 第4實施方式不同的觀點,對抑制PDP ' 溫度上升的本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。圖5是表示本實施方式的PDP從前面?zhèn)人姷钠矫鎴D。本實施方式的PDPIO,是在將前面?zhèn)然鍢?gòu)造體11與背面?zhèn)然?構(gòu)造體13貼合而形成的放電空間15內(nèi)填充有放電氣體的PDPIO, PDP10具有顯示區(qū)域10a、以包圍該顯示區(qū)域10a的方式設(shè)置的密封 層10b、以及顯示區(qū)域10a與密封層10b之間的中間層10c,在中間區(qū) 域10c上形成有由多條線構(gòu)成的條狀或格子狀的槽35。槽35形成在前 面?zhèn)然鍢?gòu)造體11和背面?zhèn)然鍢?gòu)造體13中的至少一者上。槽35優(yōu) 選形成在前面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)然鍢?gòu)造體ll、 13的電介質(zhì)層上,但也可以 形成在玻璃基板上。槽35,可以形成在中間區(qū)域10c的全體上,也可 以僅形成在局部上。根據(jù)本實施方式抑制PDP溫度上升的原理如下。 一般,在進(jìn)行放 電的顯示區(qū)域10a上由于放電而產(chǎn)生大量的熱量,放電氣體的溫度大 幅度上升。另一方面,在沒有進(jìn)行放電的中間區(qū)域10c上熱量產(chǎn)生量 少,放電氣體的溫度幾乎上不上升。因此,在顯示區(qū)域10a與中間區(qū) 域10c之間放電氣體的溫度上產(chǎn)生傾斜坡度,由此在顯示區(qū)域10a與 中間區(qū)域10c之間產(chǎn)生對流,位于顯示區(qū)域10a中的放電氣體移動至 中間區(qū)域10c,位于中間區(qū)域10c中的放電氣體移動至顯示區(qū)域10a。 移動至中間區(qū)域10c的放電氣體,在中間區(qū)域10c中,相對前面?zhèn)纫?及背面?zhèn)然鍢?gòu)造體11、 13進(jìn)行放熱,其溫度下降。在本實施方式中, 由于在中間區(qū)域10c上形成有槽35,因此在中間區(qū)域10c上的放電氣 體與前面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)然鍢?gòu)造體ll、 13的接觸面積增大,從而,相前 面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)然鍢?gòu)造體11、 13的放熱大。從而,移動至中間區(qū)域10c 的放電氣體的溫度在中間區(qū)域10c上快速下降,促進(jìn)對流。由此,抑 制了PDP10的溫度上升。此外,由于前面?zhèn)然鍢?gòu)造體11的保護(hù)層或背面?zhèn)然鍢?gòu)造體13 的熒光體層,與朝向前面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)然鍢?gòu)造體ll、 13外部的表面相 離開,因此積蓄在該保護(hù)層或熒光體層中的熱量難以該朝向外部的表 面釋放。但是,在本實施方式中,放電氣體從保護(hù)層或熒光體層奪取
的熱量,并將積蓄在該放電氣體中的熱量在中間區(qū)域10c上釋放,因 而能夠高效地從保護(hù)層或熒光體層除去熱量。在此,對于槽35的形狀的各種具體例子如圖6 圖8所示。圖6 (a),圖7(a),圖8(a)表示由圖5虛線包圍的區(qū)域37的放大圖, 圖6 (b)表示圖6 (a)中I - I剖面圖,圖7 (b)表示圖7 (a)中I -i剖面圖,圖s (b)、 (c)表示圖8 (a)中i-i剖面圖,n-n剖面圖。槽35,可以如圖6 (a)、 (b)所示形成縱條紋狀,也可以如圖7 (a), (b)所示形成橫條紋狀,也可以如圖8 (a) (c)所示形成格 子形。槽35的寬度、間隔、深度等沒有特別限制。槽35可以通過噴 砂磨蝕或蝕刻等形成。不論是何種形狀的槽35,均能增加放電氣體與 前面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)然鍢?gòu)造體ll、 13的接觸面積。在以上實施方式中所示的各種特征,可以相互進(jìn)行組合。當(dāng)在一 個實施方式中包含多個特征時,從中適當(dāng)取出一個或多個特征,單獨 或?qū)⑵浣M合,而可以使用在本發(fā)明中。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置,其特征在于具有,在將前面?zhèn)然鍢?gòu)造體與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體貼合而形成的放電空間內(nèi)填充有放電氣體的等離子體顯示面板;所述面板具有分別與放電空間連接的第1孔以及第2孔;第1孔以及第2孔在所述面板的外部通過配管相互連結(jié);在所述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第1孔位于高于第2孔的位置上,或者在所述配管中設(shè)置有使所述放電氣體循環(huán)的氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示裝置,其特征在于第1孔以及第2孔設(shè)置在所述背面?zhèn)然鍢?gòu)造體的對角位置上
3. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示裝置,其特征在于 在所述配管中具有氣體冷卻機(jī)構(gòu)、氣體凈化機(jī)構(gòu)以及壓力控制機(jī)構(gòu)的至少一者。
4. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置,其特征在于 所述面板具有,顯示區(qū)域、以包圍該顯示區(qū)域的方式設(shè)置的密封層、和所述顯示區(qū)域與所述密封層之間的中間區(qū)域;在所述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,在所述面板的上部的所述中間區(qū)域設(shè)置有多個第1孔;在所述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,在所述面板的下部的所述中間區(qū)域設(shè)置有多個第2孔。
5. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示裝置,其特征在于 所述面板具有,顯示區(qū)域、以包圍該顯示區(qū)域的方式設(shè)置的密封層、和所述顯示區(qū)域與所述密封層之間的中間區(qū)域;在所述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,在所述面板的側(cè)部的所述中間區(qū)域 設(shè)置有阻止所述放電氣體移動的壁部;在所述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第1孔設(shè)置在高于所述壁部的位置上; 在所述面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第2孔設(shè)置在低于所述壁部的位置上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制溫度上升的等離子體顯示裝置。本發(fā)明的等離子體顯示裝置具有在將前面?zhèn)然鍢?gòu)造體與背面?zhèn)然鍢?gòu)造體貼合而形成的放電空間內(nèi)填充放電氣體的等離子體顯示面板,上述顯示面板,具有分別與放電空間連接的第1孔以及第2孔;第1孔以及第2孔在上述顯示面板的外部通過配管相互連結(jié);在上述顯示面板的通常設(shè)置狀態(tài)下,第1孔位于高于第2孔的位置上,或者在上述配管中設(shè)置使放電氣體循環(huán)的氣體循環(huán)機(jī)構(gòu)。
文檔編號H01J11/50GK101154547SQ20071010743
公開日2008年4月2日 申請日期2007年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者三澤智也, 笠原滋雄 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司
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