專利名稱:金屬帶材的磁控濺射真空拋光的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
按本發(fā)明的設(shè)備還可單獨(dú)地或以組合方式具有以下特征 [22所述清理裝置是具有局部機(jī)械作用的清理裝置, [23所述清理裝置由剛性刮刀構(gòu)成,所述剛性刮刀與所述對(duì)電極的活 動(dòng)表面進(jìn)行接觸, 每個(gè)對(duì)電極3、 3'配有一刮刀5、 5,,所述刮刀布置在金屬帶材2 的拋光等離子體幔(ombre)中。刮刀5、 5'固定的實(shí)施必須特別精細(xì),以 防在對(duì)電極3、 3'和其它安裝構(gòu)件之間形成短路,甚至在室的內(nèi)表面由剝 離的導(dǎo)電微粒造成金屬化之后,更容易形成短路。抗金屬化隔板可圍繞絕 緣體加以布置。這些隔板位于腔1的壁與刮刀5、 5'之間,以使它們彼此 絕緣。因此,刮刀5、 5'的支承件不會(huì)被金屬化,從而避免任何短路。 刮刀5、 5'可用適于刮刀不導(dǎo)電條件的任何材料制成。尤其是可 用陶瓷或玻璃制成。
[39此外,可采取預(yù)防措施,以使刮刀5、 5'不朝金屬帶材2噴射碎 屑,甚至在回彈之后。
[40真空腔1還包括回收箱6,其回收由刮刀5、 5'刮掉的物質(zhì)。
[41當(dāng)金屬帶材2在真空腔1中被拋光時(shí),使對(duì)電極3、 3'以比較緩 慢的運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng),從而利用刮刀5、 5'不斷地清理所述對(duì)電極。由刮刀刮掉 的物質(zhì)下落到箱6中,所述箱6可定期清空。
[42現(xiàn)在參照?qǐng)D2,其示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式,在該實(shí)施方式中, 向?qū)﹄姌O3、 3'施加交流電位,行進(jìn)的金屬帶材2接地或不接地。
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系統(tǒng)可由一個(gè)或多個(gè)對(duì)電極構(gòu)成。如圖3局部視圖中所示的,對(duì) 電極7也可包括傳動(dòng)帶8,所述傳動(dòng)帶8張緊在兩個(gè)輥9、9'之間并按照"傳
送帶"的原理被驅(qū)動(dòng)。安裝在等離子體幔中的刮刀10當(dāng)傳動(dòng)帶行進(jìn)在真空
腔l中時(shí)可清理該傳動(dòng)帶。
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實(shí)施例
[45拋光系統(tǒng)的效率指示標(biāo)可以是能向拋光室施加的最大功率,而不 形成電弧。
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因此,對(duì)通常的拋光室和
圖1所示的拋光室進(jìn)行過測(cè)定該最大功 率的試驗(yàn)。
[47因此可測(cè)試到,按本發(fā)明的拋光設(shè)備的隨時(shí)間的穩(wěn)定的最大功 率,是具有平坦固定對(duì)電極的傳統(tǒng)設(shè)備的最大功率的兩倍以上。
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由于金屬帶材的磁控拋光腐蝕速度與施加的功率有關(guān),因此按本 發(fā)明的對(duì)電極的使用可使拋光效率提高一倍。
[49上述對(duì)電極系統(tǒng)在短時(shí)間內(nèi)是適合的,且避免由來(lái)自金屬帶材表 面拋光的微粒產(chǎn)生電弧,或者避免陽(yáng)極消失的問題。
權(quán)利要求
1.金屬帶材(2)的磁控濺射真空拋光方法,所述金屬帶材(2)在至少一個(gè)用導(dǎo)電材料制成的對(duì)電極(3,3′,7)之上行進(jìn)在真空腔(1)中,其中,在所述金屬帶材(2)附近的氣體中形成等離子體,以產(chǎn)生作用于該金屬帶材(2)的基團(tuán)和/或離子,約束磁路(4)布置在所述金屬帶材(2)之上,其特征在于,所述對(duì)電極(3,3′,7)具有能相對(duì)于所述金屬帶材(2)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)和/或平移的活動(dòng)表面,所述活動(dòng)表面在拋光時(shí)被促使運(yùn)動(dòng)且在重新暴露于所述等離子體之前,由布置在等離子體幔中的清理裝置(5,5′,10)連續(xù)地進(jìn)行清理。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的拋光方法,其特征在于,所述清理裝置(5, 5,, 10)是具有局部機(jī)械作用的清理裝置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的拋光方法,其特征在于,所述清理裝置(5, 5', 10)由剛性刮刀構(gòu)成,所述剛性刮刀與所述對(duì)電極(3, 3,, 7)的活 動(dòng)表面進(jìn)行接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l至3中任一項(xiàng)所述的拋光方法,其特征在于,由于 所述清理裝置(5, 5', 10)的作用而從所述對(duì)電極(3, 3', 7)的活動(dòng)表 面刮掉的物質(zhì)利用布置在所述真空腔(l)下部的收集裝置(6)加以回收。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的拋光方法,其特征在于,所述 對(duì)電極(3, 3', 7)相對(duì)于所述金屬帶材(2)進(jìn)行正極化,所述金屬帶材(2)可接地或不接地。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l至4中任一項(xiàng)所述的拋光方法,其特征在于,所述 對(duì)電極(3, 3', 7)經(jīng)受交流電位,所述金屬帶材(2)可接地或不接地。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述真空 腔(1)配有對(duì)電極(7),所述對(duì)電極(7)由至少兩個(gè)旋轉(zhuǎn)輥(9, 9') 和張緊在所述旋轉(zhuǎn)輥(9, 9')上的傳動(dòng)帶(8)構(gòu)成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,冷卻所述 對(duì)電極(3, 3', 7)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述金屬 帶材(2)是鋼帶。
10. 金屬帶材(2)的磁控'減射真空拋光設(shè)備,所述設(shè)備包括真空腔 (1),其內(nèi)有至少一個(gè)對(duì)電極(3, 3,, 7);使所述金屬帶材極化的部件;使所述對(duì)電極(3, 3', 7)極化的部件;在所述金屬帶材(2)與所述對(duì)電 極(3, 3', 7)之間于氣體中形成等離子體的部件;至少一約束磁路U), 其布置在所述金屬帶材(2)之上,且所述對(duì)電極(3, 3', 7)具有相對(duì)于 所述金屬帶材(2)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)和/或平移的活動(dòng)表面;以及清理所述活動(dòng)表 面的清理裝置(5, 5', 10),其布置在等離子體幔中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光設(shè)備,其特征在于,所述清理裝置(5, 5', 10)是具有局部機(jī)械作用的清理裝置。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的拋光設(shè)備,其特征在于,所述清理裝置(5, 5', 10)由剛性刮刀構(gòu)成,所述剛性刮刀與所述對(duì)電極(3, 3', 7)的活 動(dòng)表面進(jìn)行接觸。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的拋光設(shè)備,其特征在于, 所述真空腔(1)還包括收集裝置(6),其收集通過所述清理裝置(5, 5,, 10)的作用從所述對(duì)電極(3, 3,, 7)的活動(dòng)表面刮掉的物質(zhì),所述收集 裝置(6)布置在所述真空腔(1)的下部。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的拋光設(shè)備,其特征在于, 所述對(duì)電極(3, 3', 7)相對(duì)于所述金屬帶材(2)進(jìn)行正極化,所述金屬 帶材(2)可接地或不接地。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的拋光設(shè)備,其特征在于, 所述對(duì)電極(3, 3,, 7)經(jīng)受交流電位,所述金屬帶材(2)可接地或不接 地。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10至15中任一項(xiàng)所述的設(shè)備,其特征在于,所述 真空腔(1)配有對(duì)電極(7),所述對(duì)電極(7)由至少兩個(gè)旋轉(zhuǎn)輥(9, 9')和張緊在所述旋轉(zhuǎn)輥(9, 9')上的傳動(dòng)帶(8)構(gòu)成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)所述的設(shè)備,其特征在于,所述 對(duì)電極(3, 3,, 7)配有冷卻部件。
全文摘要
本發(fā)明涉及金屬帶材(2)的磁控濺射真空拋光方法,所述金屬帶材(2)在至少一個(gè)用導(dǎo)電材料制成的對(duì)電極(3,3′)之上行進(jìn)在真空腔(1)中,其中,在所述金屬帶材(2)附近的氣體中形成等離子體,以產(chǎn)生作用于該金屬帶材(2)的基團(tuán)和/或離子,約束磁路(4)布置在所述金屬帶材(2)之上,其特征在于,所述對(duì)電極(3,3′)具有能相對(duì)于所述金屬帶材(2)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)和/或平移的活動(dòng)表面,所述活動(dòng)表面在拋光時(shí)被促使運(yùn)動(dòng)且在重新暴露于所述等離子體之前,由布置在等離子體幔中的清理裝置(5,5′)連續(xù)地進(jìn)行清理。本發(fā)明也涉及用于實(shí)施所述方法的拋光設(shè)備。
文檔編號(hào)H01J37/32GK101346796SQ200680049285
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月7日
發(fā)明者B·德韋, C·馬博格, H·科爾尼 申請(qǐng)人:安賽樂米塔爾法國(guó)公司