專利名稱：等離子體顯示設備及其驅動裝置和驅動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及等離子顯示設備及其驅動裝置和驅動方法。更具體地，本發(fā)明涉及等離子體顯示設備的能量回收電路及其驅動裝置和驅動方法。
背景技術：
等離子體顯示設備是一種平板顯示設備，其使用由氣體放電過程所產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像。它包括以矩陣圖樣排列的多個放電室。一般而言，PDP的一幀分成多個子場，每個子場都包括復位周期、尋址周期和維持周期。在每個子場的尋址周期，選取導通的/截止的室(即，待導通的或待截止的室)，并且在導通的室上執(zhí)行維持放電操作，從而在維持周期顯示圖像。
因為高電平電壓和低電平電壓交替施加到在維持周期中維持放電操作所針對執(zhí)行的電極上，所以用于施加高電壓和低電壓的晶體管的電壓需要與高低電平之差相對應。因此，由于高電壓的晶體管，增加了維持放電電路的成本。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子顯示設備包括多個第一電極、第一晶體管、第二晶體管、第一電容器、第二電容器、充電通路、電感器、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管。所述第一晶體管具有電連接到用于提供第一電壓的第一電源的第一端。所述第二晶體管具有電連接到所述第一晶體管的第二端的第一端，和電連接到用于提供第二電壓的第二電源的第二端。所述第一電容器采用第三電壓充電，并具有電連接到所述第一晶體管和第二晶體管的節(jié)點的第一端。所述第二電容器采用第四電壓充電，并具有電連接到所述第一電容器的第二端的第一端。所述充電通路電連接在所述第一電源和所述第二電容器的第二端之間。所述電感器、第三晶體管以及第四晶體管相互串聯(lián)地電連接在所述第一電容器的第二端和所述多個第一電極之間。所述第五晶體管電連接在所述第二電容器的第二端和所述多個第一電極之間。所述第六晶體管電連接在所述多個第一電極和所述第一電容器的第一端之間。所述示例性的等離子體顯示設備進一步包括控制器，其用于在第一周期將所述第二和第六晶體管設置成導通，在第二周期將所述第二和第三晶體管設置成導通，在第三周期將所述第二和第五晶體管設置成導通，在第四周期將所述第一和第三晶體管設置成導通，在第五周期將所述第一和第五晶體管設置成導通，在第六周期將所述第一和第四晶體管設置成導通，在第七周期將所述第二和第五晶體管設置成導通，并且在第八周期將所述第二和第四晶體管設置成導通。
一種根據(jù)本發(fā)明實施例的示例性驅動方法用來驅動包括第一電極和第二電極的等離子體顯示設備。在所述示例性的驅動方法中，通過經(jīng)電連接到所述第一電極的電感器，向所述第一電極提供存儲于第一電容器中的能量，增加所述第一電極處的電壓，其中所述第一電容器使用第一電壓充電；相當于所述第一電壓和第二電壓之和的第三電壓，通過第一電容器和第二電容器施加到所述第一電極，其中所述第二電容器采用所述第二電壓充電；通過經(jīng)所述電感器向所述第一電極提供用于提供第四電壓的第一電源和存儲于所述第一電容器中的能量，增加所述第一電極處的電壓；相當于所述第三電壓和第四電壓之和的第五電壓通過所述第一電源以及第一和第二電容器施加到所述第一電極；通過經(jīng)所述電感器將存儲于所述第一電極的能量回收到所述第一電容器和第一電源，降低所述第一電極處的電壓；所述第三電壓經(jīng)所述第一和第二電容器施加給所述第一電極；通過經(jīng)所述電感器將存儲于所述第一電極的能量回收到所述第一電容器，降低所述第一電極處的電壓；并且低于所述第四電壓的第六電壓被施加給所述第一電極。
一種根據(jù)本發(fā)明實施例的示例性驅動裝置驅動包括第一電極和第二電極的等離子體顯示設備。該示例性驅動裝置包括第一電容器、第二電容器、第一晶體管、第二晶體管、電感器、第一諧振通路、第二諧振通路和開關單元。所述第一電容器采用第一電壓充電。所述第二電容器采用第二電壓充電，并且具有電連接到所述第一電容器的第一端的第一端。所述第一晶體管電連接在所述第一電容器的第二端和所述第一電極之間。所述第二晶體管電連接在所述第二電容器的第二端和所述第一電極之間。所述電感器電連接在所述第一電容器和所述第二電容器的節(jié)點與所述多個第一電極之間。所述第一諧振通路形成在所述節(jié)點和所述多個第一電極之間，并且通過諧振增加所述第一電極處的電壓。所述第二諧振通路形成在所述節(jié)點和所述多個第一電極之間，并且通過諧振降低所述第一電極處的電壓。所述開關單元向所述第二電容器的第二端選擇性地施加第三電壓和低于該第三電壓的第四電壓。在這種情況下，所述第一電極處的電壓通過所述第一諧振通路增加，同時所述第四電壓施加給所述第二電容器的第二端；通過導通所述第一晶體管，相當于所述第四電壓、第一電壓和第二電壓之和的第五電壓施加給所述第一電極，同時所述第四電壓施加給所述第二電容器的第二端；所述第一電極處的電壓通過所述第一諧振通路被增大，同時所述第三電極被施加到所述第二電容器的第二端；通過導通所述第一晶體管，相當于所述第三電壓、第一電壓和第二電壓之和的第六電壓施加到所述第一電極，同時所述第三電壓被施加給所述第二電容器的第二端；所述第一電極處的電壓通過所述第二諧振通路被降低，同時所述第三電壓被施加到所述第二電容器的第二端；通過導通所述第一晶體管，所述第一電壓被施加到所述第一電極，同時所述第四電壓被施加到所述第二電容器的第二端，所述第一電極處的電壓通過所述第二諧振通路被降低，同時所述第四電壓被施加到所述第二電容器的第二端；并且所述第四電壓通過導通所述第二晶體管被施加到所述第一電極，同時所述第四電壓被施加到所述第二電容器的第二端。


圖1為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示設備的示意圖。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的維持脈沖波形。
圖3為根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的維持放電電路的示意圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的維持放電電路的信號時序圖。
圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F、圖5G和圖5H為圖3所示的維持放電電路根據(jù)圖4所示的信號時序進行操作的示意圖。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的維持脈沖波形。
圖7為根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的維持放電電路的示意圖。
具體實施例方式
本說明書所使用的措辭“保持處于預定電壓”不應該被理解成“嚴格地保持處于預定電壓”。相反，即使兩點之間的電壓差起變化，但只要該變化處于設計約束條件中所允許的范圍，或者只要該變化是由本領域的普通技術人員通常忽略的寄生元件所產(chǎn)生，那么該電壓差就“保持處于預定電壓”。半導體器件(例如晶體管、二極管等等)的閾值電壓與放電電壓相比可以非常低，因此在以下描述中閾值電壓近似為接近0V。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示設備包括等離子體顯示面板(PDP)100、控制器200和尋址電極驅動器300、維持電極驅動器400以及掃描電極驅動器500。
PDP 100包括縱向延伸的多個尋址電極A1-Am(下文中，稱為“A電極”)，以及橫向成對延伸的多個維持電極X1-Xn和多個掃描電極Y1-Yn(下文中，分別稱為“X電極”和“Y電極”)。一般而言，X電極X1-Xn對應Y電極Y1-Yn，并且Y電極Y1-Yn和X電極X1-Xn被布置成橫跨A電極A1-Am。在這種情況下，A電極A1-Am與X電極X1-Xn和Y電極Y1-Yn的交叉區(qū)域上的放電空間形成放電室110。
控制器200接收外部圖像信號(例如視頻圖像信號)，輸出驅動控制信號，將一幀分成多個子場，并驅動每個子場，其中每個子場都具有一定的亮度權值。每個子場都具有尋址周期和維持周期。A電極驅動器300、X電極驅動器400和Y電極驅動器500分別響應于來自控制器200的驅動控制信號，向A電極A1-Am、X電極X1-Xn和Y電極Y1-Yn施加驅動電壓。
更詳細地，在每個子場的尋址周期，A電極驅動器300、X電極驅動器400和Y電極驅動器500分別從多個放電室110中選取導通的放電室和截止的放電室。參照圖2，在每個子場的維持周期，維持電極驅動器400(下文中，也稱為“X電極驅動器400”)多次向多個X電極X1-Xn施加維持脈沖，該維持脈沖交替具有高電平電壓(Vs)和低電平電壓(接近0V)，施加次數(shù)對應于相應子場的權值。掃描電極驅動器500(下文中，也稱為“Y電極驅動器500”)向多個Y電極Y1-Yn施加維持脈沖，該維持脈沖與施加到X電極X1-Xn的維持脈沖相位相反。因此，Y電極和X電極之間的電壓差交替為Vs電壓和-Vs電壓，并且在導通的放電室上，重復產(chǎn)生預定次數(shù)的維持放電。如圖2所示，雖然根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的維持脈沖從低電平電壓(接近0V)增加到高電平電壓(Vs)，并且從高電平電壓(Vs)降低到低電平電壓(接近0V)，但是該維持脈沖在中間電平電壓(Vs/2)處停止增加和停止降低一段預定的時間。
現(xiàn)在參照圖3、圖4、圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F、圖5G和圖5H來說明用于提供圖2所示的維持脈沖的維持放電電路。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的維持放電電路410的電路圖。為了更好的理解并便于說明，圖3中只描述了連接到多個X電極X1-Xn的維持放電電路410，并且維持放電電路410形成于如圖1所示的X電極驅動器400中。在一個實施例中，連接到多個Y電極Y1-Yn的維持放電電路510和圖3中的維持放電電路410具有相同的結構，或者維持放電電路510可以具有不同于圖3所示的維持放電電路410的另外一種結構。
在一個實施例中，維持放電電路410通常連接到多個X電極X1-Xn。在另一個實施例中，維持放電電路410可以連接到多個X電極X1-Xn的其中一些。另外，為了更好地理解并便于說明，僅描述一個X電極X和一個Y電極Y，并且由X和Y形成的電容作為面板電容器(panel capacitor)Cp來描述。
參照圖3，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的維持放電電極410包括晶體管S1、S2、S3、S4、S5和S6；二極管D1、D2和D3；電感器L以及電容器C1和C2。在該實施例中，晶體管S1、S2、S3、S4、S5和S6都是n溝道場效應晶體管，具體地說，都是n溝道金屬氧化物半導體晶體管(NMOS)。另外，在晶體管S1、S2、S3、S4、S5和S6中，沿著從相應晶體管的源極到相應晶體管的漏極的方向形成體二極管。在其它實施例中，能執(zhí)行類似功能的其它晶體管可以用作晶體管S1、S2、S3、S4、S5和S6。晶體管S1、S2、S3、S4、S5和S6中的每一個都在圖3中表示成一個晶體管。在其它實施例中，晶體管S1、S2、S3、S4、S5和S6可以包括彼此并聯(lián)的多個晶體管。
晶體管S1的漏極連接到電源Vs/2，電源Vs/2用來提供相當于高電平電壓(Vs)和低電平電壓(接近0V)之差的一半的Vs/2電壓。在這種情況下，電源Vs/2可以由連接到開關電源(SMPS，未示出)的電容器來提供。晶體管S1的源極連接到晶體管S1的漏極，并且晶體管S2的源極連接到提供低電平電壓(即，接近0V的接地電壓)的接地端。電容器C2的第一端連接到晶體管S1的源極以及晶體管S2的漏極，并且電容器C2的第二端連接到電容器C1的第一端。電容器C1的第二端連接到二極管D1的陰極，二極管D1的陽極連接到電源Vs/2。在這種情況下，二極管D1形成充電通路，用于在晶體管S2導通時將相應的電容器C1和C2充電至Vs/4電壓，并且電容器C1和C2通過該充電通路被分別充電至Vs/4電壓。除了使用二極管D1外，也可以使用用于形成充電通路的其它元件(例如，晶體管)。另外，電容器C1和C2的電容被選為相等，從而將相應的電容器C1和C2充電至Vs/4電壓。兩個晶體管S1和S2用作開關單元，用來向電容器C2的第一端選擇性地施加Vs/2電壓和接近0V的電壓。
X電極連接到晶體管S5的源極、晶體管S6的漏極和晶體管S4的漏極，晶體管S5的漏極連接到電容器C1的第二端，并且晶體管S6的源極連接到晶體管S1和S2以及電容器C2的節(jié)點。電感器L連接到電容器C2的第二端，晶體管S3的漏極連接到電感器L的第二端，晶體管S3的源極連接到晶體管S4的源極，并且晶體管S4的漏極連接到X電極。在這種情況下，因為晶體管S3和S4的源極彼此連接，所以當晶體管S3和S4截止時，晶體管S3和S4可以避免體二極管形成電流通路。也就是說，晶體管S3和S4以背靠背的方式連接。另外，因為在圖3中當電感器L以及晶體管S3和S4在電容器C2的第二端和X電極之間串聯(lián)時，形成了用于充電和放電的諧振通路，所以它們之間的位置可以相對彼此改變。
二極管D2的陽極和陰極分別連接到電感器L的第二端和電容器C1的第二端，并且二極管D3的陽極和陰極分別連接到電容器C2的第一端和電感器L的第二端。二極管D2和D3對保留在電感器L中的電流執(zhí)行自振蕩，并且將保留的能量回收到電容器C1和C2。
現(xiàn)在參照圖4以及圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F、圖5G和圖5H來描述圖3所示的維持放電電路410的操作。
圖4為根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的維持放電電路410的信號時序圖，圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F、圖5G和圖5H示出圖3所示的維持放電電路410根據(jù)圖4所示的信號時序的操作。
參照圖4和圖5A，因為晶體管S2和S6在模式M1時導通，所以接近0V的電壓通過圖5A所示的X電極、晶體管S6、晶體管S2和接地端所形成的通路施加到X電極。另外，如圖5A所示，電容器C1和C2分別通過電源Vs/2、二極管D1、電容器C1和C2、晶體管S2和接地端所形成的通路用Vs/4電壓充電。在這種情況中，因為晶體管S2和S6的漏極處的電壓接近0V，并且晶體管S1和S5的漏極處的電壓為Vs/2電壓，所以在截止的晶體管S1、S3、S4和S5的漏極和源極之間施加有低于Vs/2電壓的電壓。也就是說，可以使用具有Vs/2電壓的晶體管S1、S3、S4和S5。
在模式M2時，因為晶體管S3導通，晶體管S6截止，同時晶體管S2導通，因此通過圖5B所示的接地端、晶體管S2、電感器L、晶體管S3、晶體管S4的體二極管以及面板電容器Cp所形成的通路產(chǎn)生了諧振。通過諧振，充給電容器C2的能量通過電感器L提供給了X電極，并且X電極處的電壓Vx從接近0V的電壓增大到Vs/2電壓。
在模式M3時，因為晶體管S5導通，晶體管S3截止，同時晶體管S2導通，Vs/2電壓通過圖5C所示的接地端、晶體管S2、電容C1和C2以及晶體管S5所形成的通路施加給X電極X。在這種情況下，電容器C1和電容器C2串聯(lián)連接，接近0V的電壓施加給電容器C2的第一端，電容器C1的第二端處的電壓為Vs/2電壓，因此該Vs/2電壓施加給X電極。如圖5C所示，當采用模式M2將X電極處的電壓增大到Vs/2電壓后，電感器L中保持有電流IL，通過電感器L、二極管D2和電容器C1，所保留的電流IL自振蕩。也就是說，保留在電感器L中的能量回收到電容器C1。在這種情況下，因為晶體管S2漏極處的電壓接近0V電壓，并且在晶體管S5漏極處的電壓是Vs/2電壓，所以在截止的晶體管S1、S3、S4和S6的漏極和源極之間施加有低于Vs/2電壓的電壓。也就是說，可以使用具有Vs/2電壓的晶體管S1、S3、S4和S6。
在模式M4時，因為晶體管S2和S5截止，晶體管S1和S3導通，所以通過圖5D所示的電源Vs/2晶體管S1、電容器C2、電感器L、晶體管S3、晶體管S4的體二極管以及面板電容器Cp所形成的通路產(chǎn)生了諧振。通過諧振，電源Vs/2和電容器C1的能量通過電感器L提供給了X電極，并且X電極處的電壓Vx增大。在這種情況下，因為電源Vs/2和電容器C2串聯(lián)連接，并且電容器C2的第二端處的電壓為3Vs/4電壓，所以X電極處的電壓Vx從Vs/2電壓升高到Vs電壓。
在模式M5時，因為晶體管S5導通，晶體管S3截止，同時晶體管S1導通，所以Vs電壓通過圖5E所示的電源Vs/2、晶體管S1、電容器C2和C1以及晶體管S5所形成的通路施加到X電極X。在這種情況下，電源Vs以及電容器C1和C2串聯(lián)連接，電容器C1第二端處的電壓變成Vs電壓，因此Vs電壓被施加給X電極。如圖5E所示，在模式M4時，當X電極處的電壓升高到Vs電壓后，電感器L中保持有電流IL，保持在電感器L中的電流IL通過二極管D2和電容器C1自振蕩。也就是說，保留在電感器L中的能量被回收到電容器C1。在這種情況下，因為晶體管S2漏極處的電壓是Vs/2電壓，晶體管S6漏極處的電壓是Vs電壓，所以在截止的晶體管S2、S3、S4和S6的漏極和源極之間施加有低于Vs/2電壓的電壓。也就是說，可以使用具有Vs/2電壓的晶體管S2、S3、S4和S6。
在模式M6時，因為晶體管S5截止，晶體管S4導通，同時晶體管S1保持處于導通狀態(tài)，所以通過圖5F所示的面板電容器Cp、晶體管S4、晶體管S3的體二極管、電感器L、電容器C2、晶體管S1以及電源Vs/2所形成的通路產(chǎn)生了諧振。通過諧振，X電極處的電壓從Vs電壓下降到Vs/2電壓，同時存儲在面板電容器Cp中的能量通過電感器L被回收到電容器C2和電源Vs/2。在這種情況下，因為電源Vs/2和電容器C2串聯(lián)連接以提供3Vs/4電壓，所以X電極處的電壓Vx從Vs電壓降低到Vs/2電壓。
在模式M7時，因為晶體管S2和S5導通，晶體管S1和S4截止，所以Vs/2電壓通過圖5G所示的X電極、晶體管S5、電容器C1和C2、晶體管S2以及接地端所形成的通路施加給X電極X。在這種情況下，電容器C1和C2串聯(lián)連接，電容器C1的第二端處的電壓變成Vs/2電壓，因此Vs/2電壓被施加給X電極。另外，如圖5G所示，在模式M6時，當X電極處的電壓被降到Vs/2電壓后，電感器L中保持有電流IL，保持在電感器L中的電流IL通過電感器L、電容器C2和二極管D3自振蕩。也就是說，保留在電感器L中的能量被回收到電容器C2。在這種情況下，因為在晶體管S2漏極處的電壓接近0V電壓，并且在晶體管S6漏極處的電壓為Vs/2電壓，所以在截止的晶體管S1、S3、S4和S6的漏極和源極之間施加有低于Vs/2電壓的電壓。也就是說，可以使用具有Vs/2電壓的晶體管S1、S3、S4和S6。
在模式M8時，因為晶體管S5截止，晶體管S4導通，同時晶體管S2導通，所以通過圖5H所示的面板電容器Cp、晶體管S4、晶體管S3的體二極管、電感器L、電容器C2、晶體管S2和接地端所形成的通道產(chǎn)生了諧振。通過諧振，因為存儲于面板電容器Cp中的能量通過電感器L被回收到電容器C2，所以X電極處的電壓從Vs/2電壓降低到接近0V電壓。在這種情況下，電容器C2的第一端連接到接地端，電容器C2提供有Vs/4電壓，因此X電極處的電壓Vx從Vs/2電壓降低到接近0V電壓。
如上所述，因為模式M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7和M8在維持期間被重復進行多次，該次數(shù)與相應子場的權值相對應，所以Vs電壓和接近0V的電壓交替施加到X電極。另外，由于X電極處的電壓Vx從接近0V增大到Vs/2電壓后又從Vs/2電壓增加到Vs電壓，并且從Vs電壓降低到Vs/2電壓后又從Vs/2電壓降低到接近0V，因此，與X電極處的電壓Vx從接近0V電壓直接增大到Vs電壓，并且從Vs電壓直接降低到0V電壓的情況相比，可以降低電磁干擾(EMI)。
雖然在本發(fā)明第一示例性實施例中已經(jīng)說明，維持脈沖交替具有高電平電壓和低電平電壓，并且相位相反的維持脈沖分別施加給X電極和Y電極，然而這種維持脈沖可以被施加給X電極和Y電極的其中一個，這種情況將在下文中參照圖6和圖7進行說明。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的維持脈沖，圖7示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的維持放電電路410′的電路圖。
如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例，在維持期間，交替具有Vs電壓和-Vs電壓的維持脈沖施加給多個X電極X1-Xn，并且接近0V的電壓施加給多個Y電極Y1-Yn。當X電極處的電壓從-Vs電壓上升到Vs電壓，并且從Vs電壓下降到-Vs電壓時，X電極處的電壓在接近0V電壓處停止一段預定的時間，其中接近0V電壓是Vs電壓和-Vs電壓的中間電平電壓。因此，X和Y電極之間的電壓差以類似于圖2所示的維持脈沖的方式，交替變成Vs電壓和-Vs電壓。
如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的維持放電電路410′極其類似于本發(fā)明第一示例性實施例的維持放電電路410，不同之處在于由電源提供的電壓和充給電容器C1和C2的電壓。晶體管S1的漏極連接到接地端，并且晶體管S2的源極連接到用于提供-Vs電壓的電源-Vs。因此，根據(jù)晶體管S1和S2的操作，-Vs電壓和接近0V的電壓可選擇地施加給電容器C2的第一端。當晶體管S2導通時，電容器C1和C2分別由二極管D1用Vs/2電壓充電。
另外，截止的晶體管的漏極和源極之間施加有低于Vs電壓的電壓，其中Vs電壓相當于高電平電壓Vs和低電平電壓-Vs之差的一半。因此，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的維持放電電路410′可以交替將Vs電壓和-Vs電壓施加到X電極，因此它可以使用具有低電壓的晶體管。
雖然已經(jīng)假定圖6和圖7中維持放電電路410′連接到X電極，并且接近0V的電壓施加給Y電極，但是維持放電電路也可以連接到Y電極，并且接近0V的電壓可以施加給X電極。
另外，在圖7所示的電路中，當晶體管S2的源極連接到用于提供-Vs/2電壓的電源時，交替具有Vs/2電壓和-Vs/2電壓的維持脈沖可以施加到X電極。在這種情況下，與施加到X電極的維持脈沖的相位相反的維持脈沖可以施加到Y電極。
雖然本發(fā)明已經(jīng)結合示例性實施例進行了說明，但是可以理解的是，本發(fā)明并不限于所公開的實施例，相反，本發(fā)明旨在涵蓋包括于所附權利要求書的精神和范圍中的各種修改和等效安排。
權利要求
1.一種等離子體顯示設備，包括多個電極；第一晶體管，其具有連接到用于提供第一電壓的第一電源的第一端；第二晶體管，其具有連接到所述第一晶體管的第二端的第一端和連接到用于提供第二電壓的第二電源的第二端；第一電容器，其適于采用第三電壓充電，并且具有連接到所述第一晶體管和第二晶體管的節(jié)點的第一端；第二電容器，其適于采用第四電壓充電，并且具有連接到所述第一電容器的第二端的第一端；充電通路，其連接在所述第一電源和所述第二電容器的第二端之間；以串聯(lián)結構連接的電感器、第三晶體管和第四晶體管，所述串聯(lián)結構具有第一端和第二端，其中所述第一端連接到所述第一電容器的第二端，并且其中所述第二端連接到所述一個或多個電極；第五晶體管，其連接在所述第二電容器的第二端與所述一個或多個電極之間；以及第六晶體管，其連接在所述一個或多個電極與所述第一電容器的第一端之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述第三晶體管和第四晶體管以背靠背的方式彼此相連。
3.根據(jù)權利要求2所述的等離子體設備，其中所述電感器的第一端連接到所述第一電容器的第二端，并且所述第三晶體管和第四晶體管連接在所述電感器的第二端與所述一個或多個電極之間。
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述充電通路包括第一二極管，該二極管具有連接到所述第一電源的陽極和連接到所述第二電容器的第二端的陰極。
5.根據(jù)權利要求4所述的等離子體顯示設備，進一步包括第二二極管，其具有連接到所述電感器的第二端的陽極和連接到所述第二電容器的第二端的陰極；以及第三二極管，其具有連接到所述電感器的第二端的陰極和連接到所述第一電容器的第一端的陽極。
6.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述第三電壓和所述第四電壓近似相等。
7.根據(jù)權利要求1的所述的等離子體顯示設備，其中，當所述第二晶體管導通時，所述第一電容器和第二電容器分別采用所述第三電壓和第四電壓充電，并且所述第三電壓和第四電壓之和相當于所述第一電壓和第二電壓之差。
8.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示設備，進一步包括控制器，其適于在第一模式期間，將所述第二晶體管和第六晶體管設置成導通；在第二模式期間，將所述第二晶體管和第三晶體管設置成導通；在第三模式期間，將所述第二晶體管和第五晶體管設置成導通；在第四模式期間，將所述第一晶體管和第三晶體管設置成導通；在第五模式期間，將所述第一晶體管和第五晶體管設置成導通；在第六模式期間，將所述第一晶體管和第四晶體管設置成導通；在第七模式期間，將所述第二晶體管和第五晶體管設置成導通；在第八模式期間，將所述第二晶體管和第四晶體管設置成導通。
9.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述第二電壓是接地電壓，并且所述第一電壓是大于該接地電壓的電壓。
10.根據(jù)權利要求1所述的等離子體顯示設備，其中所述第一電壓是接地電壓，并且所述第二電壓是負電壓。
11.一種用于驅動具有第一電極和第二電極的等離子體顯示設備的驅動方法，該方法包括通過經(jīng)連接到所述第一電極的電感器向所述第一電極提供存儲在第一電容器中的能量，增加所述第一電極處的電壓，其中所述第一電容器適于使用第一電壓充電；通過第一電容器和適于使用第二電壓充電的第二電容器，將第三電壓施加到所述第一電極，其中所述第三電壓相當于所述第一電壓和第二電壓之和；通過經(jīng)所述電感器向所述第一電極提供來自第一電源的第四電壓和存儲于所述第一電容器的能量，增加所述第一電極處的電壓；經(jīng)所述第一電源和第一電容器以及第二電容器，向所述第一電極提供第五電壓，其中所述第五電壓相當于所述第三電壓和第四電壓之和；通過經(jīng)所述電感器將存儲于所述第一電極的能量回收到所述第一電容器和第一電源，降低所述第一電極處的電壓；經(jīng)由所述第一電容器和第二電容器，將所述第三電壓施加到所述第一電極；通過經(jīng)所述電感器將存儲于所述第一電極的能量回收到所述第一電容器，降低所述第一電極處的電壓；并且向所述第一電極施加低于所述第四電壓的第六電壓。
12.根據(jù)權利要求11所述的驅動方法，其中向所述第一電極施加第六電壓的步驟包括通過所述第一電源，采用所述第一電壓和第二電壓分別向所述第一電容器和第二電容器充電。
13.根據(jù)權利要求11所述的驅動方法，其中向所述第一電極施加第三電壓的步驟包括回收保留在所述電感器中的能量，并將其提供給所述第一和第二電容器。
14.根據(jù)權利要求11所述的驅動方法，其中所述第一電壓和所述第二電壓彼此近似相等，并且所述第三電壓和所述第四電壓彼此近似相等。
15.根據(jù)權利要求11所述的驅動方法，其中所述第一電壓和第六電壓之差相當于所述第四電壓和第六電壓之差的一半。
16.一種用于驅動包括第一電極和第二電極的等離子體顯示設備的驅動裝置，該驅動裝置包括第一電容器，其具有第一端和第二端，并適于采用第一電容器電壓充電；第二電容器，其具有第一端和第二端，并適于采用第二電容器電壓充電，并且其第一端連接到所述第一電容器的第一端；第一驅動裝置晶體管，其連接在所述第一電容器的第二端和所述第一電極之間；第二驅動裝置晶體管，其連接在所述第二電容器的第二端和所述第一電極之間；電感器，其連接在所述第一電容器和所述第二電容器的節(jié)點與所述第一電極之間；第一諧振通路，其形成于所述第一電容器和所述第二電容器的節(jié)點與所述第一電極之間，并適于通過諧振增加所述第一電極處的電壓；第二諧振通路，其形成于所述第一電容器和所述第二電容器的節(jié)點與所述第一電極之間，并適于通過諧振降低所述第一電極處的電壓；以及開關單元，其適于向所述第二電容器的第二端選擇性地施加第一驅動電壓和低于該第一驅動電壓的第二驅動電壓。
17.根據(jù)權利要求16所述的驅動裝置，其中所述第一諧振通路包括串聯(lián)連接到所述電感器的第三驅動裝置晶體管，并且其中所述第二諧振通路包括串聯(lián)連接到所述電感器和第三驅動裝置晶體管的第四驅動裝置晶體管，并且所述第三驅動裝置晶體管的源極和所述第四驅動裝置晶體管的源極彼此相連。
18.根據(jù)權利要求17所述的驅動裝置，其中所述第一諧振通路由所述第三驅動裝置晶體管和所述第四驅動裝置晶體管的體二極管形成，并且所述第二諧振通路由所述第四驅動裝置晶體管和所述第三驅動裝置晶體管的體二極管形成。
19.根據(jù)權利要求16所述的驅動裝置，其中所述第一電極處的電壓通過所述第一諧振通路增加，同時所述第二驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端；通過導通所述第一驅動裝置晶體管，相當于所述第二驅動電壓、所述第一電容器電壓和所述第二電容器電壓之和的第五電壓被施加給所述第一電極，同時所述第二驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端；所述第一電極處的電壓通過所述第一諧振通路增加，同時所述第一驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端；通過導通所述第一驅動裝置晶體管，相當于所述第一驅動電壓、所述第一電容器電壓和所述第二電容器電壓之和的第六電壓被施加給所述第一電極，同時所述第一驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端；所述第一電極處的電壓通過所述第二諧振通路被降低，同時所述第一驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端；通過導通所述第一驅動裝置晶體管，所述第一電容器電壓被施加給所述第一電極，同時所述第二驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端；所述第一電極處的電壓通過所述第二諧振通路被降低，同時所述第二驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端；以及所述第二驅動電壓通過導通所述第二驅動裝置晶體管被施加給所述第一電極，同時所述第二驅動電壓被施加給所述第二電容器的第二端。
20.根據(jù)權利要求16所述的驅動裝置，其中所述第一電容器電壓和所述第二電容器電壓彼此近似相等，并且所述第一電容器電壓和所述第二電容器電壓之和與所述第一驅動電壓和所述第二驅動電壓之差近似相等。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示設備、一種驅動裝置和一種驅動方法。所述顯示設備包括多個電極，連接到第一電源的第一晶體管和連接在第一晶體管和第二電源之間的第二晶體管。第一電容器連接到第一晶體管和第二晶體管，第二電容器連接到第一電容器，并且二極管連在第一電源和第二電容器之間。第三晶體管和第四晶體管以背靠背的方式彼此相連，并且與電感器串連。第五晶體管連接在第二電容器與一個或多個電極之間，并且第六晶體管連接在第一電容器與一個或多個電極之間。
文檔編號H01J11/12GK1956027SQ20061015072
公開日2007年5月2日 申請日期2006年10月24日 優(yōu)先權日2005年10月25日
發(fā)明者郭尚信 申請人:三星Sdi株式會社