專(zhuān)利名稱(chēng)：間隔物和包含該間隔物的電子發(fā)射顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及間隔物(spacer)，以及包含該間隔物的電子發(fā)射顯示器，其中該間隔物布置在兩個(gè)基板之間，這兩個(gè)基板形成一個(gè)真空外殼，并且該間隔物用來(lái)保持基板之間的間距。
背景技術(shù)：
總的來(lái)說(shuō)，排列在電子發(fā)射裝置上的電子發(fā)射元件分類(lèi)為使用熱陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射元件和使用冷陰極作為電子發(fā)射源的電子發(fā)射元件。
存在幾種類(lèi)型的冷陰極電子發(fā)射元件，包括場(chǎng)發(fā)射體陣列(FEA)元件，表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射體(SCE)元件，金屬-絕緣體-金屬(MIM)元件和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)元件。
MIM元件包括第一金屬層、第二金屬層和置于第一金屬層和第二金屬層之間的絕緣層。在MIM元件中，當(dāng)在第一金屬層和第二金屬層之間供給電壓時(shí)，第一金屬層產(chǎn)生的電子通過(guò)隧道現(xiàn)象穿過(guò)絕緣層到達(dá)第二金屬層。在到達(dá)第二金屬層的電子中，一些能量水平高于第二金屬層功函數(shù)的電子從第二金屬層發(fā)射出來(lái)。
MIS元件包括金屬層、半導(dǎo)體層，以及置于金屬層和半導(dǎo)體層之間的絕緣層。在MIS元件中，當(dāng)在金屬層和半導(dǎo)體層之間供給電壓時(shí)，半導(dǎo)體層產(chǎn)生的電子通過(guò)隧道現(xiàn)象穿過(guò)絕緣層到達(dá)金屬層。在到達(dá)金屬層的電子中，一些能量水平高于金屬層功函數(shù)的電子從金屬層發(fā)射出來(lái)。
SCE元件包括彼此面對(duì)的第一電極和第二電極，以及布置在第一電極和第二電極之間的導(dǎo)電層。細(xì)裂縫形成在導(dǎo)電層上從而形成電子發(fā)射區(qū)。當(dāng)向第一電極和第二電極供給電壓以允許電流沿導(dǎo)電層表面流動(dòng)時(shí)，電子從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射出來(lái)。
FEA元件基于這樣一種原理當(dāng)使用具有較低功函數(shù)或較大高寬比的材料作為電子發(fā)射源時(shí)，由于處于真空的電場(chǎng)而有效地發(fā)射電子。目前，電子發(fā)射區(qū)由具有較低功函數(shù)或較大高寬比的材料形成，例如由鉬基材料、硅基材料或者碳基材料，比如碳納米管、石墨和類(lèi)金剛石碳形成，當(dāng)向這些材料提供位于真空中的電場(chǎng)時(shí)，能夠有效地發(fā)射電子。當(dāng)電子發(fā)射區(qū)由鉬基材料或者硅基材料形成時(shí)，電子發(fā)射區(qū)形成為尖銳的尖端結(jié)構(gòu)。
電子發(fā)射元件排列在基板上以形成電子發(fā)射裝置。該電子發(fā)射裝置可以與另一個(gè)帶有包括熒光體層和陽(yáng)極電極的光發(fā)射單元的基板組合，從而提供一個(gè)電子發(fā)射顯示器。
慣用的電子發(fā)射裝置包括電子發(fā)射區(qū)和多個(gè)用作掃描電極和數(shù)據(jù)電極的驅(qū)動(dòng)電極。通過(guò)電子發(fā)射區(qū)和驅(qū)動(dòng)電極的工作，可以控制每個(gè)像素的開(kāi)/關(guān)操作和電子發(fā)射的量。電子發(fā)射顯示器利用電子發(fā)射區(qū)發(fā)射出的電子激發(fā)熒光體層來(lái)顯示預(yù)定的圖像。
另外，多個(gè)間隔物布置在真空外殼中，以防止由于真空外殼內(nèi)外之間的壓力差而導(dǎo)致基板損壞或者斷裂。
這些間隔物暴露于該真空外殼的內(nèi)部空間中，而從電子發(fā)射區(qū)發(fā)射出來(lái)的電子在該內(nèi)部空間中移動(dòng)。因此，這些間隔物被碰撞它們的電子正充電或者負(fù)充電。這些帶電的間隔物能夠通過(guò)吸引或者排斥電子而扭曲電子束路徑，從而惡化電子發(fā)射顯示器的色彩再現(xiàn)和亮度。
為了防止電子束路徑的改變，間隔物可以包括一個(gè)涂層，用來(lái)釋放積累在間隔物上的電荷。然而，由于涂層的形成并沒(méi)有考慮到其接觸特性，因此惡化了涂層的放電效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種構(gòu)造為通過(guò)一涂層有效地釋放積累在其上的電荷的間隔物，以及一種具有該間隔物的電子發(fā)射顯示器。
在本發(fā)明一示例性實(shí)施例中，提供一種間隔物，包括布置在第一基板和第二基板之間的主體；布置在所述主體的頂面和底面至少之一上的第一涂層，其中所述主體的頂面和底面分別被布置為接觸所述第一基板和第二基板；以及布置在所述主體的外表面上并覆蓋所述第一涂層的第二涂層，所述第二涂層被布置為接觸所述第一基板和第二基板。
所述第二涂層的電阻率優(yōu)選大于所述第一涂層的電阻率。所述第一涂層的厚度優(yōu)選大于所述第二涂層的厚度。所述第一涂層優(yōu)選包括導(dǎo)電材料，而所述第二涂層優(yōu)選包括電阻材料。所述導(dǎo)電材料優(yōu)選選自由Ni、Cr、Mo組成的組中或者其合金，而所述電阻材料優(yōu)選為Cr2O3或者類(lèi)金剛石碳(Diamond-Like Carbon，DLC)。
在本發(fā)明另一示例性實(shí)施例中，提供一種電子發(fā)射顯示器，包括彼此面對(duì)以限定一真空外殼的第一基板和第二基板；布置在第一基板上的電子發(fā)射單元；布置在第二基板上的光發(fā)射單元；以及布置在所述電子發(fā)射單元與光發(fā)射單元之間的間隔物，該間隔物包括主體；布置在所述主體的頂面和底面至少之一上的第一涂層，其中所述主體的頂面和底面被布置為分別接觸所述光發(fā)射單元和電子發(fā)射單元；以及布置在所述主體的外表面上并覆蓋所述第一涂層的第二涂層，所述第二涂層被布置為接觸所述電子發(fā)射單元和光發(fā)射單元。
所述第二涂層的電阻率優(yōu)選大于所述第一涂層的電阻率。所述第一涂層的厚度優(yōu)選大于所述第二涂層的厚度。所述第一涂層優(yōu)選包括導(dǎo)電材料，而所述第二涂層包括電阻材料。所述導(dǎo)電材料優(yōu)選選自由Ni、Cr、Mo組成的組中或者其合金，而所述電阻材料優(yōu)選為Cr2O3或者類(lèi)金剛石碳(DLC)。
所述主體優(yōu)選是圓柱型或者壁型。
所述電子發(fā)射單元優(yōu)選包括電子發(fā)射區(qū)和用來(lái)控制該電子發(fā)射區(qū)的驅(qū)動(dòng)電極；所述光發(fā)射單元優(yōu)選包括熒光體層和布置在該熒光體層表面上的陽(yáng)極電極；其中所述第二涂層優(yōu)選被布置為接觸所述驅(qū)動(dòng)電極和陽(yáng)極電極。
所述驅(qū)動(dòng)電極優(yōu)選包括彼此相交并由一絕緣層彼此絕緣的陰極電極和柵極電極，其中所述電子發(fā)射區(qū)連接到所述陰極電極上的陰極電極與柵極電極的相交區(qū)域。所述驅(qū)動(dòng)電極優(yōu)選布置在第一基板上并彼此分隔開(kāi)，所述電子發(fā)射區(qū)優(yōu)選布置在第一電極和第二電極之間；其中第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層優(yōu)選分別布置在第一基板上的第一電極與電子發(fā)射區(qū)之間以及電子發(fā)射區(qū)與第二電極之間，并且部分地覆蓋所述第一電極和第二電極。
所述電子發(fā)射區(qū)優(yōu)選包括選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類(lèi)金剛石碳、C60、硅納米線組成的組中的材料或其組合物。
所述電子發(fā)射顯示器優(yōu)選進(jìn)一步包括布置在熒光體層的各部分之間的黑層，其中間隔物位于所述黑層所處的區(qū)域內(nèi)。


結(jié)合附圖，并參照下列詳細(xì)描述，本發(fā)明將變得更易于理解，因而本發(fā)明更完全的認(rèn)識(shí)及其附帶的優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更清楚，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或者相似的元件，其中圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器的部分截?cái)嗟姆纸馔敢晥D；圖2為圖1中電子發(fā)射顯示器的部分剖視圖；圖3為圖1中電子發(fā)射顯示器的間隔物的周?chē)糠值脑敿?xì)剖視圖；圖4為當(dāng)驅(qū)動(dòng)圖1的電子發(fā)射顯示器時(shí)，間隔物表面上電流的視圖；圖5為當(dāng)驅(qū)動(dòng)對(duì)比例的電子發(fā)射顯示器時(shí)，其間隔物表面上電流的視圖；以及圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器的部分剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明作更全面地描述，其中所示附圖示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的方式實(shí)施，其結(jié)構(gòu)也并不限制在所陳述的實(shí)施例內(nèi)。提供這些實(shí)施例只是為了使本發(fā)明公開(kāi)得徹底和完全，并且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，完全傳達(dá)本發(fā)明的概念。只要可能，相同的附圖標(biāo)記在所有附圖中表示相同或者相似的部分。
圖1～3為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器的視圖。
首先參照?qǐng)D1和2，電子發(fā)射顯示器1包括彼此面對(duì)并以預(yù)定間隔分隔開(kāi)的第一基板2和第二基板4。密封元件(未示出)布置在第一基板2和第二基板4的周邊以將它們共同密封。將由第一基板、第二基板以及所述密封元件所限定的空間排空，以形成一個(gè)真空度保持在大約10-6托的真空外殼。
將一個(gè)帶有電子發(fā)射元件陣列的電子發(fā)射單元101設(shè)置于第一基板2上。該電子發(fā)射單元101和第一基板2形成電子發(fā)射裝置100。電子發(fā)射裝置100與第二基板4上提供的光發(fā)射單元200組合，從而形成電子發(fā)射顯示器1。
電子發(fā)射單元101包括形成在第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)6和控制電子發(fā)射區(qū)6的電子發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極，例如陰極電極8和柵極電極10。
在該實(shí)施例中，陰極電極8形成為在第一基板2的一個(gè)方向(圖1的Y軸)上延伸的條紋圖案，而第一絕緣層12形成在第一基板2上完全覆蓋陰極電極8。柵極電極10在第一絕緣層上形成為沿與陰極電極8直角相交的方向(圖1中的X軸)延伸的條紋圖案。
一個(gè)或一個(gè)以上電子發(fā)射區(qū)6形成在陰極電極8上的陰極電極8與柵極電極10的各個(gè)相交區(qū)域(下文指單位像素區(qū))。與電子發(fā)射區(qū)6對(duì)應(yīng)的開(kāi)口122和102分別形成在第一絕緣層12和柵極電極10內(nèi)，以便露出電子發(fā)射區(qū)6。
在本實(shí)施例中，盡管電子發(fā)射區(qū)6形成為圓形并沿陰極電極的長(zhǎng)度方向連續(xù)排列，但本發(fā)明并不限于此。
可由位于真空中的電場(chǎng)中時(shí)能夠發(fā)射電子的材料形成電子發(fā)射區(qū)6，例如含碳材料或者納米尺寸的材料。例如，電子發(fā)射區(qū)6可以由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類(lèi)金剛石碳、C60、硅納米線，或者以上材料的組合物形成。
在本實(shí)施例中，柵極電極10布置在陰極電極上方，而第一絕緣層12置于柵極電極和陰極電極之間。然而，本發(fā)明并不局限于此。也就是說(shuō)，陰極電極8也可以布置在柵極電極10的上方。這樣電子發(fā)射區(qū)可以形成在第一絕緣層上同時(shí)與陰極電極表面接觸。
第二絕緣層14形成在第一絕緣層12上以覆蓋柵極電極10，而聚焦電極16形成在第二絕緣層14上。
開(kāi)口142和162分別形成在第二絕緣層14和聚焦電極16上，以便露出電子發(fā)射區(qū)6。開(kāi)口142和162形成為對(duì)應(yīng)于各個(gè)單位像素區(qū)，陰極電極8與柵極電極10在這些單位像素區(qū)處相交。聚焦電極16可以形成在第二絕緣層上方的第一基板2的整個(gè)表面上，或者形成為具有多個(gè)部分的預(yù)定圖案。
光發(fā)射單元200包括形成在第二基板的面向第一基板2的表面上的熒光體層18，用于增強(qiáng)形成在熒光體層18之間的圖像對(duì)比度的黑層20，以及一個(gè)布置在熒光體層18和黑層20上并由諸如鋁之類(lèi)的金屬形成的陽(yáng)極電極層22。
陽(yáng)極電極22通過(guò)接受加速電子束所需的高電壓并且將從熒光體層18向第一基板2放射的可見(jiàn)光線反射到第二基板4，來(lái)增強(qiáng)屏幕亮度。陽(yáng)極電極22布置在第二基板4的有效區(qū)域處。
陽(yáng)極電極22可以是由如氧化銦錫(ITO)形成的透明導(dǎo)電層，而不是由金屬形成的。在此情形中，該陽(yáng)極電極形成在熒光體層18和黑層20的面向第二基板4的表面上?？蛇x地，陽(yáng)極電極22可以既包括金屬又包括透明導(dǎo)電層。
在第一基板2與第二基板4之間設(shè)置間隔物24，用于均勻地保持第一基板2與第二基板4之間的間距來(lái)抵抗施加到真空外殼的外力。間隔物24對(duì)應(yīng)于黑層20布置，以便不會(huì)干擾熒光體層18的光發(fā)射。
如圖3所示，每個(gè)間隔物24包括主體242、第一涂層244和第二涂層246。
間隔物24的主體242可以由陶瓷或者玻璃制成矩形或者圓形的柱型或者壁型。在本實(shí)施例中，舉例為壁型間隔物。
第一涂層244形成在主體242的接觸各個(gè)陽(yáng)極電極22和聚焦電極16的頂面和底面至少之一上。第二涂層246形成在主體242的側(cè)面上同時(shí)覆蓋第一涂層244。因此，第二涂層246直接接觸聚焦電極16和陽(yáng)極電極22。
因此，聚焦電極16與陽(yáng)極電極22之間經(jīng)由第二涂層246形成微電流。當(dāng)沒(méi)有提供聚焦電極時(shí)，間隔物24接觸柵極電極10。微電流產(chǎn)生在柵極電極10與陽(yáng)極電極22之間。
在主體上形成涂層的涂敷順序決定間隔物24的第一涂層和第二涂層之間的接觸形狀。也就是說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例，第一涂層244首先形成在主體242的頂面和底面上，然后第二涂層246形成在第一涂層244以及主體242的側(cè)面上。
第二涂層246的電阻率R2可以大于第一涂層的電阻率R1(R2＞R1)，從而允許積累在間隔物24表面上的電荷有效地流動(dòng)。
第一涂層244可以由具有相對(duì)低電阻率的導(dǎo)電金屬形成，而第二涂層246可以由相對(duì)高電阻率的電阻層形成。也就是說(shuō)，由于第二涂層246接觸聚焦電極16和陽(yáng)極電極22，因而第二涂層246由電阻層形成，以防止聚焦電極16和陽(yáng)極電極22之間短路。例如，第一涂層244可以由諸如Ni、Cr、Mo或者其合金之類(lèi)的導(dǎo)電材料形成。第二涂層246可以由諸如Cr2O3或者類(lèi)金剛石碳(DLC)之類(lèi)的電阻材料形成。
第一涂層244的厚度T1可以大于第二涂層246的厚度T2(T1＞T2)。也就是說(shuō)，由于第一涂層244的厚度T1增加，因而第一涂層244與第二涂層246之間的接觸面積增加，因此第一涂層244與第二涂層246之間的接觸電阻減小。
第一涂層244和第二涂層246的電阻率設(shè)置為保持聚焦電極16與陽(yáng)極電極22之間的微電流，以釋放累積在間隔物24上的電荷，但不會(huì)使聚焦電極16與陽(yáng)極電極22之間短路。
圖4為驅(qū)動(dòng)圖1的電子發(fā)射顯示器時(shí)，間隔物表面上電流的視圖，而圖5為驅(qū)動(dòng)對(duì)比例的電子發(fā)射顯示器時(shí)，其間隔物表面上電流的視圖。
參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明第二涂層246與聚焦電極16之間的接觸特性，第一涂層244與第二涂層246的厚度比，以及第一涂層244與第二涂層246的電阻率特性，間隔物24能夠有效地在其表面上實(shí)現(xiàn)微電流。也就是說(shuō)，電流直接從聚焦電極16流向第一涂層244，并且從聚焦電極16通過(guò)第一涂層244流向第二涂層246。因此，可以減小電流從第一涂層244流向第二涂層246時(shí)的電流擁塞現(xiàn)象。
參照?qǐng)D5，在對(duì)比例中，第二涂層248并不直接接觸聚焦電極16，因此，電流只從聚焦電極16經(jīng)過(guò)第一涂層247流向第二涂層248。因此會(huì)增加電流擁塞現(xiàn)象。
在圖4和5中，電流如箭頭表示。
盡管上述示例性實(shí)施例舉例的是具有場(chǎng)發(fā)射體陣列(FEA)元件的電子發(fā)射顯示器，但本發(fā)明并不局限于此例。也就是說(shuō)，本發(fā)明可以應(yīng)用于帶有其他類(lèi)型電子發(fā)射元件，例如表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射體(SCE)元件，金屬-絕緣體-金屬(MIM)元件或者金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)元件的電子發(fā)射顯示器。
圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有SCE元件陣列的電子發(fā)射顯示器。該實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器與上述實(shí)施例類(lèi)似，除了提供在第一基板上的電子發(fā)射結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D6，第一電極34和第二電極36布置在第一基板32上，并且彼此分隔開(kāi)。電子發(fā)射區(qū)42形成在第一電極34與第二電極36之間。第一導(dǎo)電層38和第二導(dǎo)電層40分別形成在第一基板32上的第一電極34與電子發(fā)射區(qū)42之間以及電子發(fā)射區(qū)42與第二電極36之間，同時(shí)部分地覆蓋第一電極34和第二電極36。也就是說(shuō)，第一電極34和第二電極36通過(guò)第一導(dǎo)電層38和第二導(dǎo)電層40電連接到電子發(fā)射區(qū)42。
在本實(shí)施例中，第一電極34和第二電極36可以由不同的導(dǎo)電材料形成。第一導(dǎo)電層38和第二導(dǎo)電層40可以為諸如Ni、Au、Pt或者Pd的導(dǎo)電微粒形成的薄膜。
電子發(fā)射區(qū)42可由石墨碳或者碳化合物形成。例如，電子發(fā)射區(qū)42可以由諸如碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類(lèi)金剛石碳、球殼狀碳分子(C60)、硅納米線，或其組合物等材料形成。
在圖6中，與圖2相同的部件的附圖標(biāo)記相同，并且這里省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
根據(jù)本發(fā)明，由于電子發(fā)射顯示器具有接觸特性改進(jìn)的間隔物，因而可以在間隔物的表面上有效地獲得電流，從而通過(guò)涂層對(duì)二次電子有效地放電。
結(jié)果是，減少了電子束扭曲現(xiàn)象，并且因此提高了電子發(fā)射顯示器的顯示質(zhì)量。
盡管上面詳細(xì)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顯然應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所授的基本發(fā)明概念的許多改變和/或變型仍然處于如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種間隔物，包括布置在第一基板和第二基板之間的主體；布置在所述主體的頂面和底面至少之一上的第一涂層，其中所述主體的頂面和底面被布置為分別接觸所述第一基板和第二基板；以及布置在所述主體外表面上并覆蓋所述第一涂層的第二涂層，所述第二涂層被布置為接觸所述第一基板和第二基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間隔物，其中所述第二涂層的電阻率大于所述第一涂層的電阻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間隔物，其中所述第一涂層的厚度大于所述第二涂層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的間隔物，其中所述第一涂層包括導(dǎo)電材料，所述第二涂層包括電阻材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的間隔物，其中所述導(dǎo)電材料選自由Ni、Cr、Mo組成的組中或其合金，所述電阻材料為Cr2O3或者類(lèi)金剛石碳(DLC)。
6.一種電子發(fā)射顯示器，包括彼此面對(duì)并限定一真空外殼的第一基板和第二基板；布置在第一基板上的電子發(fā)射單元；布置在第二基板上的光發(fā)射單元；以及布置在所述基板之間的間隔物，該間隔物包括主體；布置在所述主體的頂面和底面至少之一上的第一涂層，其中所述主體的頂面和底面被布置為分別接觸所述光發(fā)射單元和電子發(fā)射單元；以及布置在所述主體的外表面上以覆蓋所述第一涂層的第二涂層，所述第二涂層被布置為接觸所述電子發(fā)射單元和光發(fā)射單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第二涂層的電阻率大于所述第一涂層的電阻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第一涂層的厚度大于所述第二涂層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第一涂層包括導(dǎo)電材料，所述第二涂層包括電阻材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述導(dǎo)電材料選自由Ni、Cr、Mo組成的組中或其合金，所述電阻材料為Cr2O3或者類(lèi)金剛石碳(DLC)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述主體是圓柱型或者壁型。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電子發(fā)射單元包括電子發(fā)射區(qū)和用來(lái)控制該電子發(fā)射區(qū)的驅(qū)動(dòng)電極；所述光發(fā)射單元包括熒光體層和布置在該熒光體層表面上的陽(yáng)極電極；并且所述第二涂層被布置為接觸所述驅(qū)動(dòng)電極和陽(yáng)極電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述驅(qū)動(dòng)電極包括彼此相交并由一絕緣層彼此絕緣的陰極電極和柵極電極，并且所述電子發(fā)射區(qū)連接到所述陰極電極上的陰極電極與柵極電極的相交區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述驅(qū)動(dòng)電極布置在第一基板上并且彼此分隔開(kāi)，所述電子發(fā)射區(qū)布置在第一電極和第二電極之間；其中第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層分別布置在第一基板上的第一電極與電子發(fā)射區(qū)之間以及該電子發(fā)射區(qū)與第二電極之間，并且部分地覆蓋所述第一電極和第二電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述電子發(fā)射區(qū)包含選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類(lèi)金剛石碳、C60、硅納米線組成的組中的材料或其組合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射顯示器，進(jìn)一步包括布置在熒光體層的各部分之間的黑層，其中間隔物位于所述黑層所處的區(qū)域內(nèi)。
17.一種間隔物，包括布置在第一基板和第二基板之間的主體；布置在所述主體的頂面和底面至少之一上的第一涂層，其中所述主體的頂面和底面被布置為分別接觸所述第一基板和第二基板；以及布置在所述主體外表面上并接觸所述第一涂層的第二涂層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種間隔物，該間隔物包括在電子發(fā)射顯示器內(nèi)并能夠有效地釋放二次電子，該間隔物包括布置在第一基板和第二基板之間的主體，布置在所述主體的頂面和底面至少之一上的第一涂層，所述主體的頂面和底面被布置為分別接觸所述第一基板和第二基板；以及第二涂層，其形成在所述主體的外表面上并覆蓋所述第一涂層，以接觸所述第一基板和第二基板。
文檔編號(hào)H01J29/46GK1956136SQ200610150000
公開(kāi)日2007年5月2日 申請(qǐng)日期2006年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
發(fā)明者鄭剛植 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社