專利名稱：：等離子體顯示器的后板結(jié)構(gòu)的制作方法等離子體顯示器的后板結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種等離子體顯示器后板的阻隔壁結(jié)構(gòu)，特別是一種具有突出部的阻隔壁結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：近年來，各類型的平面顯示技術(shù)皆蓬勃發(fā)展，例如液晶顯示器(LiquidCrystalDi印lay,LCD)、場發(fā)射顯示器(FieldEmissionDisplay,FED)、及等離子體顯示器(PlasmaDisplayPanel,PDP)等。在平面顯示器(FlatPanelDisplay,FPD)中，PDP具有結(jié)構(gòu)較為簡單、容易制作大尺寸螢?zāi)?、壽命長、大于160°的超廣視角、以及整體外型輕薄不占空間等優(yōu)點，所以廣泛應(yīng)用于各種大尺寸的顯示裝置，例如大尺寸的FPD電視。PDP的基本原理是施加電場于氖(Ne),氦(He),氤(Xe)等惰性氣體(inertgas)，使其產(chǎn)生放電現(xiàn)象并發(fā)出紫外光，彩色熒光物質(zhì)(phosphormaterial)受紫外光激發(fā)后再發(fā)出可見光。PDP的顯示區(qū)域是由多個像素(imagecell)所組成，新一代的PDP通常是由橫向阻隔壁(barrierrib)與縱向阻隔壁互相交錯形成晶格狀(lattice-like)的放電晶胞(dischargecell),請參考先前技術(shù)的圖1A至圖1C，圖1A是部分放電晶胞的上視示意圖，圖1B是單一放電晶胞的上視示意圖，圖IC是單一放電晶胞的立體示意圖，每一放電晶胞12系為兩相鄰的縱向阻隔壁14與兩相鄰的橫向阻隔壁16所交錯包圍的空間。通常，熒光物質(zhì)會涂布在放電晶胞的底面及包圍每一放電晶胞12的阻隔壁的側(cè)面以增加涂布面積并進(jìn)而提升PDP的發(fā)光效率；熒光物質(zhì)的涂布是采用與放電晶胞相對應(yīng)的網(wǎng)板進(jìn)行對位印刷，圖ID是先前技術(shù)的填入熒光體墨漿(phosphorpaste)于放電晶胞的示意圖，多個電極20平行設(shè)置于玻璃基板18上，一介電層(DielectricLayer)22設(shè)置于玻璃基板18上且覆蓋電極20,多個橫向阻隔壁16設(shè)置于該介電層22上，兩相鄰的橫向阻隔壁16之間的空間為放電晶胞12，一刮刀28把熒光體墨漿(phosphorpaste)26透過一格子狀網(wǎng)板24的網(wǎng)孔填入放電晶胞12，但在此熒光體墨漿26的印刷過程中容易包入氣泡32，因此熒光體墨漿26的溶劑在受熱揮發(fā)后，熒光物質(zhì)會產(chǎn)生膜厚不均的現(xiàn)象，如圖1E所示，放電晶胞12內(nèi)的熒光物質(zhì)34的膜厚不均，甚至放電晶胞12的底面具有空洞36，所以此像素的發(fā)光效率不良，甚至?xí)a(chǎn)生面板閃點的問題。
發(fā)明內(nèi)容為了解決先前技術(shù)的等離子體顯示器在熒光體印刷過程中由氣泡造成的放電晶胞底部熒光物質(zhì)厚度不均的問題，本發(fā)明的目的之一是提供一種具有突出部的阻隔壁結(jié)構(gòu)，突出部使熒光體填入時空氣可從其兩側(cè)排出，熒光物質(zhì)即可均勻涂布在放電晶胞的底面及包圍放電晶胞的阻隔壁的側(cè)面。為了解決先前技術(shù)的等離子體顯示器發(fā)光效率不良，甚至?xí)a(chǎn)生面板閃點的問題，本發(fā)明的目的之一是提供一種具有突出部的阻隔壁結(jié)構(gòu)以消除面板閃點并提升發(fā)光效率。本發(fā)明的目的之一是提供一種等離子體顯示器后板的具有突出部的阻隔壁結(jié)構(gòu)以增加放電晶胞的熒光物質(zhì)堆積密度，進(jìn)而增加放電晶胞的放電空間。本發(fā)明的目的之一是提供一種等離子體顯示器后板的具有突出部的阻隔壁結(jié)構(gòu)，而且橫向阻隔壁與縱向阻隔壁具有高度差以改善熒光體填入時的抽氣效率。因此，本發(fā)明的等離子體顯示器后板的具有突出部的阻隔壁結(jié)構(gòu)能改善放電晶胞的熒光物質(zhì)厚度不均的現(xiàn)象，并可增加熒光物質(zhì)的堆積密度以增加放電空間，進(jìn)而解決面板閃點的問題，提升等離子體顯示器的工藝合格率與發(fā)光效率。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明之一實施例提供一種等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，包括一基板；多個電極平行設(shè)置于該基板上；一介電層設(shè)置于基板上且覆蓋所述電極；多個橫向阻隔壁設(shè)置于介電層上；多個縱向阻隔壁設(shè)置于介電層上；其中，橫向阻隔壁與縱向阻隔壁系交錯形成晶格狀的多個放電晶胞，其中，每一放電晶胞系為兩相鄰的橫向阻隔壁與兩相鄰的縱向阻隔壁所交錯包圍的空間且其底面為介電層表面，且兩相鄰的橫向阻隔壁與兩相鄰的縱向阻隔壁其中的至少任一具有一突出部朝向每一放電晶胞；及一熒光物質(zhì)涂布于放電晶胞的底面、朝向放電晶胞的橫向阻隔壁的側(cè)面、與朝向放電晶胞的縱向阻隔壁的側(cè)面。圖1A是先前技術(shù)的部分放電晶胞的上視示意圖。圖1B是先前技術(shù)的單一放電晶胞的上視示意圖。圖1C是先前技術(shù)的單一放電晶胞的立體示意圖。圖1D是先前技術(shù)的填入熒光體墨漿于放電晶胞的示意圖。圖1E是先前技術(shù)的熒光物質(zhì)膜厚不均的示意圖。圖2A是本發(fā)明一實施例的部分放電晶胞的上視示意圖。圖2B是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的上視示意圖。圖2C是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的立體示意圖。圖2D是本發(fā)明一實施例的填入熒光體墨漿于放電晶胞的示意圖。圖2E是本發(fā)明一實施例的熒光物質(zhì)涂布的示意圖。圖3是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的上視示意圖。圖4A是對照組的單一放電晶胞的裂片位置上視示意圖。圖4B是對照組的單一放電晶胞沿著"a-a'"橫向裂片線裂片的后的量測位置與尺寸的剖面示意圖。圖4C是對照組的單一放電晶胞沿著"b-b"，縱向裂片線裂片的后的量測位置與尺寸的剖面示意圖。圖4D是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的裂片位置上視示意圖。圖4E是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞42沿著圖4D的"c-c"'橫向裂片線的剖面示意圖。圖4F是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞42沿著圖4D的"d-d"'縱向裂片線的剖面示意圖。圖4G是對照組的放電晶胞12沿著圖4A的"b-b"'縱向裂片線的縱切面照片。圖4H是本發(fā)明一實施例的放電晶胞42沿著圖4D的"d-d"，縱向裂片線的縱切面照片。圖5是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的上視示意圖。圖6是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的上視示意圖。圖7A是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的立體示意圖。圖7B是本發(fā)明一實施例的部分放電晶胞的立體照片。具體實施方式請參考本發(fā)明一實施例的圖2A至圖2C，圖2A是部分放電晶胞的上視示意圖，圖2B是單一放電晶胞的上視示意圖，圖2C是單一放電晶胞的立體示意圖，橫向阻隔壁46與縱向阻隔壁44互相交錯形成晶格狀的放電晶胞42，每一放電晶胞42系為兩相鄰的縱向阻隔壁44與兩相鄰的橫向阻隔壁46所交錯包圍的空間，在此實施例中，兩相鄰的橫向阻隔壁46分別具有一突出部40朝向每一放電晶胞42，且突出部40的高度可以小于或等于橫向阻隔壁46的高度，在此實施例中，突出部40的高度系小于橫向阻隔壁46的高度，如圖2C所示。在此實施例中，熒光物質(zhì)系涂布在放電晶胞的底面及包圍放電晶胞的阻隔壁的側(cè)面以增加涂布面積并進(jìn)而提升PDP的發(fā)光效率，且本實施例的熒光物質(zhì)涂布可采用與放電晶胞相對應(yīng)的網(wǎng)板進(jìn)行對位印刷，圖2D是本發(fā)明一實施例的填入熒光體墨漿于放電晶胞的示意圖，多個電極50平行設(shè)置于玻璃基板48上，一介電層(DielectricLayer)52設(shè)置于玻璃基板48上且覆蓋電極50，多個橫向阻隔壁46設(shè)置于該介電層52上，兩相鄰的橫向阻隔壁46之間的空間為放電晶胞42，一刮刀58把熒光體墨漿56透過一格子狀網(wǎng)板54的網(wǎng)孔填入放電晶胞42，因為網(wǎng)板54的網(wǎng)孔通常比放電晶胞42的開口小，所以熒光體墨漿56填入時會先碰到橫向阻隔壁46的突出部40，而空氣會從突出部40的兩側(cè)逸出，所以不會形成氣泡，熒光體墨漿56的溶劑在受熱揮發(fā)后會形成膜厚均勻的熒光物質(zhì)，如圖2E所示，熒光物質(zhì)64均勻覆蓋在橫向阻隔壁46的側(cè)面與突出部40的表面，而且也均勻覆蓋在放電晶胞42的底面。圖3是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的上視示意圖，用以說明阻隔壁突出部的尺寸設(shè)計要求，在此實施例中，橫向阻隔壁46的突出部40的型體系為梯形延伸體，梯形長邊與橫向阻隔壁相連，梯形短邊與梯形長邊相對且朝向放電晶胞42，突出部40的厚度G為梯形長邊與梯形短邊的之間的垂直距離，梯形長邊的尺寸E為放電晶胞42的橫向?qū)挾萕i的20%至50%，梯形短邊的尺寸F為放電晶胞42的橫向?qū)挾萕,的10%至30%，突出部40的厚度G為放電晶胞42的縱向?qū)挾萕2的5%至20%，相關(guān)的尺寸設(shè)計要求條列于表一。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表一.本發(fā)明一實施例的放電晶胞的尺寸設(shè)計要求。為了驗證本發(fā)明的功效，本發(fā)明制作了樣品，并量測本發(fā)明一實施例與對照組的樣品的熒光物質(zhì)膜厚，加以比較，請再參考圖3，本發(fā)明一實施例與對照組的樣品的尺寸條列于表二。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表二.本發(fā)明與對照組的樣品的尺寸。本發(fā)明以相同的熒光體墨漿填入量及相同的網(wǎng)板印刷工藝條件分別在對照組與本實施例的樣品涂布熒光物質(zhì)，為了量測熒光物質(zhì)的膜厚，必須先裂片才能照相與量測。請參考圖4A至圖4H，圖4A是對照組的單一放電晶胞的裂片位置上視示意圖，熒光物質(zhì)34涂布于放電晶胞12的縱向阻隔壁14與橫向阻隔壁16的側(cè)面，"a-a"'是沿著放電晶胞12的縱向中線的橫向裂片線，"b-b'"是沿著放電晶胞12的橫向中線的縱向裂片線。圖4B是對照組的單一放電晶胞沿著"a-a'"橫向裂片線裂片的后的量測位置與尺寸的剖面示意圖，"W/'為放電晶胞12的橫向?qū)挾龋?&"為放電晶胞12的縱向阻隔壁14的高度，"Ca"、"La"、與"IV'分別代表量測熒光物質(zhì)34在電晶胞12的底部中央、左側(cè)阻隔壁的高度中央、與右側(cè)阻隔壁的高度中央所得的膜厚；圖4C是放電晶胞12沿著"b-b"'縱向裂片線裂片的后的剖面示意圖，與圖4B類似，"Wa"，為放電晶胞12的縱向?qū)挾?，?'為放電晶胞12的橫向阻隔壁16的高度，"Ca"，、"La'"、與"1V"分別代表量測熒光物質(zhì)34在電晶胞12的底部中央、左側(cè)阻隔壁的高度中央、與右側(cè)阻隔壁的高度中央所得的膜厚。圖4D是本實施例的單一放電晶胞的裂片位置上視示意圖，兩橫向阻隔壁46分別具有一突出部40朝向放電晶胞42，熒光物質(zhì)64涂布于放電晶胞42的縱向阻隔壁44與橫向阻隔壁46的側(cè)面，"c-c'"是沿著放電晶胞42的縱向中線的橫向裂片線，"d-d'"是沿著放電晶胞42的橫向中線的縱向裂片線。圖4E是本實施例的單一放電晶胞42沿著"c-c"'橫向裂片線的剖面示意圖，"Wb"為放電晶胞42的橫向?qū)挾龋?Hb"為放電晶胞42的縱向阻隔壁44的高度，"Cb"、"Lb"、與"Rb"分別代表量測熒光物質(zhì)64在電晶胞42的底部中央、左側(cè)阻隔壁的高度中央、與右側(cè)阻隔壁的高度中央所得的膜厚；圖4F是本實施例的單一放電晶胞42沿著"d-d"'縱向裂片線的剖面示意圖，"W。"為放電晶胞42的縱向?qū)挾龋?He"為放電晶胞42的橫向阻隔壁46的高度，"C。"、"L。"、與"R。"分別代表量測熒光物質(zhì)64在電晶胞42的底部中央、左側(cè)阻隔壁的高度中央、與右側(cè)阻隔壁的高度中央所得的膜厚。圖4G是對照組的放電晶胞12沿著"b-b"'縱向裂片線的縱切面照片，圖4H是本實施例的放電晶胞42沿著"d-d"'縱向裂片線的縱切面照片，實體照片提供于此以供熟悉此技藝者與前述的示意圖比對，進(jìn)而能更具體的了解本發(fā)明。對照組的熒光物質(zhì)膜厚的量測結(jié)果條列于表三。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表四.本實施例的熒光物質(zhì)膜厚的量測結(jié)果。因此，在相同的熒光體墨漿填入量及相同的網(wǎng)板印刷工藝條件下，比較對照組與本實施例的熒光物質(zhì)膜厚，從表三與表四中可以發(fā)現(xiàn)，本實施例的熒光物質(zhì)膜厚較小，而且側(cè)底比也更趨近理想值2:1，可知其堆積密度較佳而有更大的放電空間。因此，本發(fā)明的特征之一是包圍放電晶胞的橫向阻隔壁具有朝向放電晶胞的突出部，此突出部使熒光體填入時空氣可從其兩側(cè)排出，進(jìn)而改善熒光體印刷過程中由氣泡造成的放電晶胞底部熒光物質(zhì)厚度不均的現(xiàn)象，并可增加熒光物質(zhì)的堆積密度以增加放電空間。根據(jù)本發(fā)明的精神，只要包圍放電晶胞的兩相鄰的橫向阻隔壁與兩相鄰的縱向阻隔壁其中的至少任一具有一朝向放電晶胞的突出部，熒光物質(zhì)即可均勻涂布在放電晶胞的底面及包圍放電晶胞的阻隔壁的側(cè)面，而且，阻隔壁的突出部的型體并沒有限制，例如前述的實施例，包圍放電晶胞的兩橫向阻隔壁的突出部為梯形延伸體，而兩縱向阻隔壁沒有突出部。圖5是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的上視示意圖，兩相鄰的橫向阻隔壁76與兩相鄰的縱向阻隔壁74包圍形成放電晶胞72，兩橫向阻隔壁76的其中之一具有一朝向放電晶胞72的突出部70,突出部70的型體為長方體。圖6是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的上視示意圖，兩相鄰的橫向阻隔壁86與兩相鄰的縱向阻隔壁84包圍形成放電晶胞82，兩橫向阻隔壁86與兩相鄰的縱向阻隔壁84均分別具有一朝向放電晶胞82的突出部80，突出部80的型體為部分圓形延伸體。此外，橫向阻隔壁與縱向阻隔壁可進(jìn)一步設(shè)計成具有高度差以改善熒光體填入時的抽氣效率，圖7A是本發(fā)明一實施例的單一放電晶胞的立體示意圖，兩相鄰的縱向阻隔壁94與兩相鄰的橫向阻隔壁96交錯包圍形成放電晶胞92，橫向阻隔壁96具有突出部90朝向放電晶胞92，在此實施例中，橫向阻隔壁96的高度系小于縱向阻隔壁94。圖7B是本實施例的部分放電晶胞的立體照片，實體照片提供于此以供熟悉此技藝者與圖7A的示意圖比對，進(jìn)而能更具體的了解本發(fā)明。綜上所述，本發(fā)明的等離子體顯示器后板的具有突出部的阻隔壁結(jié)構(gòu)能改善熒光體印刷過程中由氣泡造成的放電晶胞底部熒光物質(zhì)厚度不均的現(xiàn)象，并可增加熒光物質(zhì)的堆積密度以增加放電空間，進(jìn)而解決面板閃點的問題，提升等離子體顯示器的工藝合格率與發(fā)光效率；而且，橫向阻隔壁與縱向阻隔壁可進(jìn)一步設(shè)計成具有高度差以改善熒光體填入時的抽氣效率。以上所述的實施例僅系為說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點，其目的在使熟習(xí)此項技藝的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，當(dāng)不能限定本發(fā)明的專利范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，包含一基板；多個電極，平行設(shè)置于該基板上；一介電層，設(shè)置于該基板上，且覆蓋所述電極；多個橫向阻隔壁，設(shè)置于該介電層上；及多個縱向阻隔壁，設(shè)置于該介電層上；其中，所述橫向阻隔壁與所述縱向阻隔壁交錯形成晶格狀的多個放電晶胞，其中，每一所述放電晶胞為兩相鄰的所述橫向阻隔壁與兩相鄰的所述縱向阻隔壁所交錯包圍的空間且該放電晶胞底面為該介電層表面，且該兩相鄰的所述橫向阻隔壁與該兩相鄰的所述縱向阻隔壁其中至少任一系具有一突出部朝向每一所述放電晶胞。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該兩相鄰的所述橫向阻隔壁分別具有一突出部朝向每一所述放電晶胞。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該兩相鄰的所述縱向阻隔壁分別具有一突出部朝向每一所述放電晶胞。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該兩相鄰的所述橫向阻隔壁與該兩相鄰的所述縱向阻隔壁分別具有一突出部朝向每一所述放電晶胞。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極的材質(zhì)為金屬。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一熒光物質(zhì)涂布于所述放電晶胞的底面、朝向所述放電晶胞的所述橫向阻隔壁的側(cè)面、與朝向所述放電晶胞的所述縱向阻隔壁的側(cè)面。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熒光物質(zhì)以網(wǎng)板印刷的方法涂布。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該突出部的型體為長方體、部分圓形延伸體、梯形延伸體的其中之一或其組合。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該突出部的型體為一梯形延伸體，其中，該梯形延伸體的梯形長邊與包圍該放電晶胞的該橫向阻隔壁或該縱向阻隔壁相連，該放電晶胞與該梯形延伸體相連的邊為一第一邊，與該放電晶胞的該第一邊垂直的邊為一第二邊，該第一邊的長度為一第一寬度，該第二邊的長度為一第二寬度，且該梯形長邊的尺寸系為該第一寬度的20%至50%，該梯形延伸體的梯形短邊系與該梯形長邊相對且朝向該放電晶胞，且該梯形短邊的尺寸系為該第一寬度的10%至30%，該突出部的厚度系為該梯形長邊與該梯形短邊的之間的垂直距離，且該突出部的厚度系為該第二寬度的5%至20%。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻隔壁的該突出部的高度不大于該阻隔壁。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向阻隔壁與所述縱向阻隔壁的高度相同。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向阻隔壁的高度與所述縱向阻隔壁具有一高度差。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板的材質(zhì)為玻璃。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向阻隔壁與所述縱向阻隔壁的制作方法為噴砂方法或蝕刻方法。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該突出部的制作方法為噴砂方法或蝕刻方法。16.—種等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，包含一基板；多個電極，平行設(shè)置于該基板上；一介電層，設(shè)置于該基板上，且覆蓋所述電極；多個橫向阻隔壁，設(shè)置于該介電層上；多個縱向阻隔壁，設(shè)置于該介電層上；其中，所述橫向阻隔壁與所述縱向阻隔壁交錯形成晶格狀的多個放電晶胞，其中，每一所述放電晶胞為兩相鄰的所述橫向阻隔壁與兩相鄰的所述縱向阻隔壁所交錯包圍的空間且其底面為該介電層表面，且該兩相鄰的所述橫向阻隔壁與該兩相鄰的所述縱向阻隔壁其中至少任一系具有一突出部朝向每一所述放電晶胞；及一熒光物質(zhì)，涂布于所述放電晶胞的底面、朝向所述放電晶胞的所述橫向阻隔壁的側(cè)面、與朝向所述放電晶胞的所述縱向阻隔壁的側(cè)面。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極的材質(zhì)為金屬。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板的材質(zhì)為玻璃。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體顯示器后板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該突出部的型體為長方體、部分圓型延伸體、梯形延伸體的其中之一或其組合。全文摘要一種等離子體顯示器的后板結(jié)構(gòu)，橫向阻隔壁與縱向阻隔壁交錯形成晶格狀的放電晶胞，橫向阻隔壁或縱向阻隔壁具有朝向放電晶胞的突出部使熒光體填入時空氣從其兩側(cè)排出，改善熒光體印刷過程中由氣泡造成的放電晶胞底部熒光物質(zhì)厚度不均的現(xiàn)象，并可增加熒光物質(zhì)的堆積密度以增加放電空間，進(jìn)而解決面板閃點的問題，提升等離子體顯示器的工藝合格率與發(fā)光效率；而且，橫向阻隔壁與縱向阻隔壁可進(jìn)一步設(shè)計成具有高度差以改善熒光體填入時的抽氣效率。文檔編號H01J17/04GK101192495SQ20061014959公開日2008年6月4日申請日期2006年11月22日優(yōu)先權(quán)日2006年11月22日發(fā)明者張昭仁申請人:中華映管股份有限公司