專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，且更具體地，涉及一種掃描電極(Y)和/或維持電極(Z)與障壁(Z)重疊的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
一般而言，在等離子體顯示面板中，在前面板和后面板之間形成的障壁形成一個(gè)放電單元。將諸如氖(Ne)、氦(He)或氖和氦的混合物(He+Ne)的主放電氣體以及包含少量氙(Xe)的惰性氣體填充在每個(gè)放電單元中。將多個(gè)這樣的放電單元聚集，由此形成一個(gè)像素。例如，將紅放電單元、綠放電單元和藍(lán)放電單元聚集并形成一個(gè)像素。
在這樣的等離子體顯示面板中，當(dāng)使用高頻率電壓來執(zhí)行放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線并激發(fā)在障壁之間提供的熒光體，由此實(shí)現(xiàn)圖像。作為下一代顯示設(shè)備，由于其厚度薄且重量輕，等離子體顯示面板是引人注意的。
如上所述，在等離子體顯示面板中，在放電單元中產(chǎn)生放電，由此顯示圖像。例如，產(chǎn)生復(fù)位放電、尋址放電和維持放電。尋址放電是用于從多個(gè)放電單元中選擇產(chǎn)生維持放電的放電單元的放電，所述維持放電是用于顯示圖像的主放電。
同時(shí)，傳統(tǒng)的等離子體顯示面板具有尋址放電的產(chǎn)生弱的缺陷，該尋址放電用于選擇產(chǎn)生維持放電的放電單元。
因此，在傳統(tǒng)的等離子體顯示面板中所存在的缺陷在于，由于不在應(yīng)產(chǎn)生維持放電的放電單元中產(chǎn)生維持放電，所以圖像在屏幕質(zhì)量上變壞或甚至不實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是至少解決背景技術(shù)的問題和缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種等離子體顯示面板，用于改善掃描電極、維持電極和障壁，由此使尋址放電穩(wěn)定。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種等離子體顯示面板，其包括第一和第二電極、第一障壁和第二障壁。第一和第二電極形成在上基板上。第一障壁形成在下基板上，使得設(shè)置在第一電極下。第二障壁形成在下基板上，使得設(shè)置在第二電極下。第一和第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)不同于第一和第二電極之間的電極中心點(diǎn)。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種等離子體顯示面板，其包括第一和第二電極、第一障壁和第二障壁。第一和第二電極形成在上基板上。第一障壁形成在下基板上，使得設(shè)置在第一電極下，并且包括形成彼此不同的放電單元的第一和第二掃描障壁。第二障壁形成在下基板上，使得設(shè)置在第二電極下，并且包括形成彼此不同的放電單元的第一和第二維持障壁。第一和第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)不同于第一和第二電極之間的電極中心點(diǎn)。
在本發(fā)明的又一方面中，提供了一種等離子體顯示面板，其包括第一和第二電極、第一障壁、第二障壁和放電單元。第一和第二電極形成在上基板上。第一障壁形成在下基板上，使得設(shè)置在第一電極下。第二障壁形成在下基板上，使得設(shè)置在第二電極下。放電單元限定在第一和第二障壁之間。放電單元和第一電極的重疊區(qū)域在尺寸上不同于放電單元和第二電極的重疊區(qū)域。
本發(fā)明所具有的效果在于，維持電極和障壁的區(qū)域變得大于掃描電極和障壁的區(qū)域，從而在一個(gè)放電單元內(nèi)得到大于維持電極區(qū)域的掃描電極區(qū)域，并且使尋址放電更穩(wěn)定。


附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被結(jié)合在本說明書中并構(gòu)成其一部分，附示了本發(fā)明的實(shí)施例并與描述一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板中的掃描電極、維持電極和障壁的詳細(xì)關(guān)系；圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的截面結(jié)構(gòu)；圖4A和4B圖示了維持電極和障壁的重疊區(qū)域大于掃描電極和障壁的重疊區(qū)域的原因；以及圖5圖示了在障壁處提供通道的等離子體顯示面板。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中圖示出。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種等離子體顯示面板，其包括形成在上基板上的第一和第二電極；形成在下基板上、使得設(shè)置在第一電極下的第一障壁；以及形成在下基板上、使得設(shè)置在第二電極下的第二障壁，其中第一和第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)不同于第一和第二電極之間的電極中心點(diǎn)。
障壁中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于第一和第二障壁之間的平均距離的一半的點(diǎn)。
電極中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于第一和第二電極之間的距離的一半的點(diǎn)。
在放電單元內(nèi)，第一障壁和第一電極的重疊區(qū)域在尺寸上小于第二障壁和第二電極的重疊區(qū)域。
第一電極具有與第二電極幾乎相同的寬度。
第一障壁包括形成彼此不同的放電單元的第一和第二掃描障壁。
第二障壁包括形成彼此不同的放電單元的第一和第二維持障壁。
掃描通道提供在第一和第二掃描障壁之間。
維持通道提供在第一和第二維持障壁之間。
掃描通道包括同一個(gè)黑層。
第一和第二電極是匯流電極。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種等離子體顯示面板，其包括形成在上基板上的第一和第二電極；第一障壁，形成在下基板上，使得設(shè)置在第一電極下，并包括形成彼此不同的放電單元的第一和第二掃描障壁；以及第二障壁，形成在下基板上，使得設(shè)置在第二電極下，并包括形成彼此不同的放電單元的第一和第二維持障壁，其中第一和第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)不同于第一和第二電極之間的電極中心點(diǎn)。
障壁中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于第一和第二障壁之間的平均距離的一半的點(diǎn)。
電極中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于第一和第二電極之間的距離的一半的點(diǎn)。
第一電極具有與第二電極幾乎相同的寬度。
掃描通道提供在第一和第二掃描障壁之間。
維持通道提供在第一和第二維持障壁之間。
掃描通道包括同一個(gè)黑層。
維持通道包括同一個(gè)黑層。
在本發(fā)明的又一方面中，提供了一種等離子體顯示面板，其包括形成在上基板上的第一和第二電極；形成在下基板上、使得設(shè)置在第一電極下的第一障壁；形成在下基板上、使得設(shè)置在第二電極下的第二障壁；以及限定在第一和第二障壁之間的放電單元，其中放電單元和第一電極的重疊區(qū)域在尺寸上不同于放電單元和第二電極的重疊區(qū)域。
在下文中，將參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性的實(shí)施例。
圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)。
參考圖1，所發(fā)明的等離子體顯示面板包括前面板100和后面板110。前面板100具有形成在前基板101上的掃描電極102(Y)和維持電極103(Z)，前基板101是用于在其上顯示圖像的顯示表面。后面板110具有多個(gè)尋址電極113，所述尋址電極113在作為后表面的后基板111上排列成與掃描電極102(Y)和維持電極103(Z)交叉。后面板110與前面板100平行地間隔開并封接到前面板100。
前面板100包括掃描電極102(Y)和維持電極103(Z)，用于在一個(gè)像素中執(zhí)行互放電并且維持來自一個(gè)放電空間的光發(fā)射，即，來自一個(gè)放電單元。換而言之，前面板100包括掃描電極(Y)和維持電極103(Z)，每個(gè)包括由氧化銦錫(ITO)形成的透明電極(a)和由金屬形成的匯流電極(b)。掃描電極102(Y)和維持電極103(Z)由至少一個(gè)上電介質(zhì)層104覆蓋，該上電介質(zhì)層104限制放電電流并使電極對(duì)絕緣。保護(hù)層105使用例如氧化鎂(MgO)的預(yù)定保護(hù)材料來沉積在上電介質(zhì)層104上以利于放電條件。
后面板110包括條型(或井型)障壁112，用于形成多個(gè)放電空間(即放電單元)。而且，后面板110包括多個(gè)尋址電極113(X)，所述尋址電極113(X)與障壁112平行排列，并且執(zhí)行尋址放電并產(chǎn)生真空紫外線。例如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光體的熒光體114在尋址放電中發(fā)射用于顯示圖像的可見光線，并且涂覆在后面板110的上表面上。用于保護(hù)尋址電極113(X)的下電介質(zhì)層115形成在尋址電極113(X)和熒光體114之間。
圖1僅圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的一個(gè)實(shí)例。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不局限于圖1的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)。例如，圖1僅圖示了一種情況，其中上電介質(zhì)層104包括一個(gè)層，但上電介質(zhì)層104也可以包括多個(gè)層。
考慮圖1，在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板中，供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電壓的掃描電極102(Y)和維持電極103(Z)形成在前基板101上，且尋址電極113(X)形成在后基板111上，且障壁112形成在前基板101和后基板111之間。其它條件并不重要。
所發(fā)明的等離子體顯示面板中的掃描電極102(Y)、維持電極103(Z)和障壁112之間的關(guān)系將在以下參考圖2來描述。
圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板中的掃描電極、維持電極和障壁的詳細(xì)關(guān)系。
參考圖2，障壁112和掃描電極102的重疊部分200a在面積上不同于障壁112和維持電極103的重疊部分200b。
在圖2中，掃描電極102和維持電極103的每個(gè)包括透明電極(a)和匯流電極(b)，并且障壁112設(shè)置成與掃描電極102和維持電極103平行。這里，被障壁112隱藏的維持電極103的部分200b在面積上比被障壁112隱藏的掃描電極102的部分200a寬。
圖2僅圖示了一種形式，其中障壁112與掃描電極102和維持電極103平行，但障壁112也可以沿與掃描電極102和維持電極103交叉的方向來形成。然而，為了描述的方便，圖2只圖示了與掃描電極102和維持電極103平行的形式的障壁112。
為了使所發(fā)明的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)更清晰，下面將參考的圖3來描述所發(fā)明的等離子體顯示面板的截面結(jié)構(gòu)。
圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的截面結(jié)構(gòu)。
參考圖3，示出了一種結(jié)構(gòu)，其中障壁112對(duì)在包括掃描電極102和維持電極103的前基板101與后基板111之間的放電單元分區(qū)。
掃描電極102和障壁112在預(yù)定部分(d1)重疊，并且維持電極103和障壁112也在預(yù)定部分(d2)重疊。掃描電極102和障壁112重疊的預(yù)定部分(d1)的寬度設(shè)置成小于維持電極103和障壁112重疊的預(yù)定部分(d2)的寬度。
假設(shè)掃描電極102和維持電極103具有相同的長(zhǎng)度，則掃描電極102和障壁112的重疊部分具有大于維持電極103和障壁112的重疊部分的寬度。
同時(shí)，如上所述，本發(fā)明的特征在于不同地設(shè)置與電極連接的障壁和相應(yīng)的電極之間的重疊區(qū)。這通過在預(yù)定位置對(duì)電極和障壁的更詳細(xì)的排列而成為可能。
例如，如圖3所示，掃描電極102和維持電極103排列在形成一個(gè)放電單元的障壁112上。在此情況下，本發(fā)明的特征在于對(duì)應(yīng)于掃描電極的第一障壁與對(duì)應(yīng)于維持電極103的第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)(Cm)不同于對(duì)應(yīng)于掃描電極102與維持電極103之間的電極中心點(diǎn)(Ce)。
障壁中心點(diǎn)(Cm)可從對(duì)應(yīng)于第一和第二障壁的中間高度的點(diǎn)之間的間隔獲得。換而言之，如果這些點(diǎn)之間的間隔由“Dm”表示，則障壁中心點(diǎn)(Cm)可以是對(duì)應(yīng)于Dm/2的點(diǎn)。
以相同的方式，如果掃描電極102和維持電極103之間的距離由“De”表示，則電極中心點(diǎn)(Ce)可以是對(duì)應(yīng)于De/2的點(diǎn)。電極之間的距離(De)可以定義為掃描電極的透明電極102a與維持電極的透明電極103a的端之間的距離。在上面的描述中，電極中心點(diǎn)(Ce)以透明電極102a和103a的端之間的距離為基礎(chǔ)來限定，但電極中心點(diǎn)(Ce)可以以相同的方式使用匯流電極(b)來限定，并且在無ITO的結(jié)構(gòu)中，電極中心點(diǎn)(Ce)可以以相同的方式使用匯流電極(b)來限定。換而言之，本發(fā)明的效果可通過使匯流電極(b)和透明電極(a)中的至少一個(gè)的中心(Ce)不同于障壁中心點(diǎn)(Cm)來獲得。
如上所述，本發(fā)明具有如此設(shè)置，使得障壁中心點(diǎn)(Cm)可設(shè)置在與電極中心點(diǎn)(Ce)不同的點(diǎn)，由此將維持電極103和障壁112的重疊區(qū)域設(shè)置得大于掃描電極102和障壁112的重疊區(qū)域。
就此而言，維持電極103和障壁112的重疊區(qū)域變得大于掃描電極102和障壁112的重疊區(qū)域的原因是為了使尋址放電穩(wěn)定。
這將在以下參考圖4A和4B來描述。
圖4A和4B圖示了維持電極和障壁的重疊區(qū)域大于掃描電極和障壁的重疊區(qū)域的原因。
首先，參考圖4A，由于維持電極103和障壁112的重疊區(qū)域(B)在寬度上大于掃描電極102和障壁112的重疊區(qū)域(A)，所以在一個(gè)放電單元內(nèi)，掃描電極102和尋址電極113的重疊區(qū)域(C)變得在寬度上相對(duì)地大于維持電極103和尋址電極113的重疊區(qū)域(D)。此結(jié)構(gòu)在圖4B中示出。
參考圖4B，可以理解，如圖4A所示，由于維持電極103和障壁112的重疊區(qū)域(B)變得在寬度上大于掃描電極102和障壁112的重疊區(qū)域(A)，所以在由障壁112分區(qū)的一個(gè)放電單元內(nèi)，掃描電極102的區(qū)域(E)在寬度上大于維持電極103的區(qū)域(F)。
同時(shí)，用于選擇其中產(chǎn)生維持放電的放電單元的尋址放電在掃描電極102和尋址電極113之間產(chǎn)生。更詳細(xì)的，如果掃描脈沖提供到掃描電極102，且數(shù)據(jù)脈沖提供到尋址電極113，則掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖之間的電壓差引起掃描電極102和尋址電極113之間的尋址放電的產(chǎn)生。
如果在一個(gè)放電單元內(nèi)，掃描電極102和尋址電極113的重疊區(qū)域(C)的寬度相對(duì)增加，則當(dāng)提供用于產(chǎn)生尋址放電的掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖時(shí)，在掃描電極102和尋址電極113上產(chǎn)生相對(duì)大量的壁電荷。
如果這樣，即使提供具有與傳統(tǒng)技術(shù)相同的電壓和脈沖寬度的掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖，也產(chǎn)生與傳統(tǒng)技術(shù)相比，相對(duì)強(qiáng)和穩(wěn)定的尋址放電。
在基于另一方面的描述中，甚至當(dāng)掃描電極102的寬度(W1)與維持電極103的寬度(W2)相同時(shí)，如果前和后基板(未示出)被設(shè)置成使維持電極103和障壁112的重疊區(qū)域(B)大于掃描電極102和障壁112的重疊區(qū)域(A)，則即使掃描電極102的寬度(W1)不變得大于維持電極103的寬度(W2)，也可以更強(qiáng)和更穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。
考慮到這一點(diǎn)，掃描電極102的寬度(W1)和維持電極103的寬度(W2)幾乎相同是示例性的。
又例如，障壁112和維持電極103的重疊區(qū)域(B)為障壁112和掃描電極102的重疊區(qū)域(A)的110％到200％。換而言之，假設(shè)障壁112和掃描電極102的重疊區(qū)域(A)為1000μm2，則障壁112和維持電極103的重疊區(qū)域(B)為1100μm2到2000μm2。
就此而言，障壁112和維持電極103的重疊區(qū)域(B)設(shè)置為障壁112和掃描電極102的重疊區(qū)域(A)的110％或以上的原因是為了提供足夠強(qiáng)和穩(wěn)定的尋址放電。
另外，障壁112和維持電極103的重疊區(qū)域(B)設(shè)置為障壁112和掃描電極102的重疊區(qū)域(A)的200％或以下的原因是由于在一個(gè)放電單元內(nèi)，維持電極103的寬度過度地大于掃描電極102的寬度，超過200％，所以在掃描電極102和維持電極103之間的放電時(shí)，例如在維持放電時(shí)，壁電荷過度地集中，并因此放電變得不穩(wěn)定。
同時(shí)，為了增加所發(fā)明的等離子體顯示面板的放電效率，具有預(yù)定寬度的通道可以形成于障壁的部分。這將在以下參考圖5來描述。如圖5所示，所述通道很好地將兩個(gè)障壁彼此分離，但在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種結(jié)構(gòu)，其中由通道分離的兩個(gè)障壁在它們的底部彼此連接。
圖5圖示了在障壁處提供通道的等離子體顯示面板。
參考圖5，考慮掃描電極102和維持電極103之間的排列關(guān)系，可以確定，兩個(gè)掃描電極102和兩個(gè)維持電極103分別彼此相鄰。
換而言之，所發(fā)明的等離子體顯示面板具有一種電極排列結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有掃描電極102、掃描電極102′、維持電極103和維持電極103′的順序。
這里，由障壁112分區(qū)的一個(gè)放電單元以參考編號(hào)510表示。
同時(shí)，如上所述，在本發(fā)明中，控制電極或障壁之間的間隔以不同地設(shè)置連接到電極的障壁與相應(yīng)的電極的重疊區(qū)域。
如圖5所示，掃描電極102和維持電極103排列在構(gòu)成一個(gè)放電單元510的障壁上。在此情況中，本發(fā)明的特征在于對(duì)應(yīng)于掃描電極的第一障壁和對(duì)應(yīng)于維持電極103的第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)(Cm)不同于掃描電極102和維持電極103之間的電極中心點(diǎn)(Ce)。
如圖3所示，障壁中心點(diǎn)(Cm)可從對(duì)應(yīng)于第一和第二障壁的中間高度的點(diǎn)之間的間隔獲得。換而言之，如果這些點(diǎn)之間的間隔由“Dm”表示，則障壁中心點(diǎn)(Cm)可以是對(duì)應(yīng)于Dm/2的點(diǎn)。
以與圖3所描述的相同的方式，如果掃描電極102和維持電極103之間的距離由“De”表示，則電極中心點(diǎn)(Ce)可以是對(duì)應(yīng)于De/2的點(diǎn)。電極之間的距離(De)可以定義為掃描電極的透明電極102a與維持電極的透明電極103a的端之間的距離。
如上所述，在本發(fā)明中，電極中心點(diǎn)(Ce)以透明電極102a和103a的端之間的距離為基礎(chǔ)來限定，但電極中心點(diǎn)(Ce)可以以相同的方式使用匯流電極(b)來限定，并且在無ITO的結(jié)構(gòu)中，電極中心點(diǎn)(Ce)可以以相同的方式使用匯流電極(b)來限定。換而言之，本發(fā)明的效果可通過使匯流電極(b)和透明電極(a)中的至少一個(gè)的中心(Ce)不同于障壁中心點(diǎn)(Cm)來獲得。
因此，本發(fā)明具有如此設(shè)置，使得障壁中心點(diǎn)(Cm)可設(shè)置在與電極中心點(diǎn)(Ce)不同的點(diǎn)，由此將維持電極103和障壁112的重疊區(qū)域設(shè)置成大于掃描電極102和障壁112的重疊區(qū)域。
在彼此相鄰的兩個(gè)掃描電極102和102′之間以及彼此相鄰的兩個(gè)維持電極103和103′之間，具有預(yù)定寬度的通道520a和520b分別沿掃描電極和維持電極縱向形成在障壁112。
在詳細(xì)的描述中，具有預(yù)定寬度的通道520a在彼此相鄰的掃描電極102和102′之間形成在障壁112，并且具有預(yù)定寬度(W2)的通道520b在兩個(gè)維持電極103和103′之間形成。
就此而言，具有預(yù)定寬度的通道沿掃描電極102和維持電極103縱向形成在障壁112的原因是為了降低所發(fā)明的等離子體顯示面板的總電容，由此增加所發(fā)明的等離子體顯示面板的放電效率。
同時(shí)，如上所述，掃描電極102和維持電極103分別包括透明電極(a)和匯流電極(b)。
透明電極(a)由例如氧化銦錫(ITO)的透明金屬材料形成，且增加了從等離子體顯示面板產(chǎn)生的可見光的透射率但是具有相對(duì)低的電導(dǎo)率，由此減小了放電效率。
為了克服降低放電效率的缺陷，匯流電極(b)由具有對(duì)于透明電極(a)相對(duì)高的電導(dǎo)率的材料形成。例如，匯流電極(b)由銀(Ag)形成。
然而，由于匯流電極(b)不透明并且還具有反射光的特性，所以從匯流電極(b)反射的光被發(fā)射到等離子體顯示面板的外部。
由于反射光引起屏幕質(zhì)量的降低，所以另外在透明電極(a)和匯流電極(b)之間提供黑色，由此防止了反射光的發(fā)射。
另外，在所發(fā)明的等離子體顯示面板中，彼此相鄰的兩個(gè)掃描電極102和102′以及維持電極103和103′分別共同使用一個(gè)黑層。
例如，彼此相鄰的兩個(gè)掃描電極102和102′共同使用以參考編號(hào)500a表示的黑層，以及彼此相鄰的兩個(gè)維持電極103和103′共同使用以參考編號(hào)500b表示的黑層。
換而言之，在彼此相鄰的兩個(gè)掃描電極102和102′之間以及在彼此相鄰的兩個(gè)維持電極103和103′之間提供的通道520a和520b分別包括同一個(gè)黑層500a和500b。
如果如上所述共同使用黑層500a和500b，則可以簡(jiǎn)化黑層500a和500b的制造工藝。另外，黑層500a和500b不僅可以防止從掃描電極102和維持電極103的匯流電極(b)反射的反射光的發(fā)射，而且可以隱藏在障壁112之間提供的通道520a和520b，由此改善了所發(fā)明的等離子體顯示面板的對(duì)比度特性。應(yīng)當(dāng)注意，上述黑層500a和500b的組成要素和結(jié)構(gòu)并非意圖限制本發(fā)明的此實(shí)施例。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是，可在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對(duì)本發(fā)明做出多種修改和變化。因此，本發(fā)明意圖覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍內(nèi)的這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括第一電極和第二電極，形成在上基板上；第一障壁，形成在下基板上、設(shè)置在所述第一電極下；以及第二障壁，形成在所述下基板上、設(shè)置在所述第二電極下，其中所述第一和第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)不同于所述第一和第二電極之間的電極中心點(diǎn)。
2.權(quán)利要求1的面板，其中所述障壁中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于所述第一和第二障壁之間的平均距離的一半的點(diǎn)。
3.權(quán)利要求1的面板，其中所述電極中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于所述第一和第二電極之間的距離的一半的點(diǎn)。
4.權(quán)利要求1的面板，其中，在放電單元內(nèi)，所述第一障壁和所述第一電極的重疊區(qū)域小于所述第二障壁和所述第二電極的重疊區(qū)域。
5.權(quán)利要求1的面板，其中所述第一電極的寬度約等于所述第二電極的寬度。
6.權(quán)利要求1的面板，其中所述第一障壁包括形成不同放電單元的第一掃描障壁和第二掃描障壁。
7.權(quán)利要求1的面板，其中所述第二障壁包括形成不同放電單元的第一維持障壁和第二維持障壁。
8.權(quán)利要求6的面板，其中掃描通道形成在所述第一和第二掃描障壁之間。
9.權(quán)利要求7的面板，其中維持通道形成在所述第一和第二維持障壁之間。
10.權(quán)利要求8的面板，其中所述掃描通道包括黑層。
11.權(quán)利要求1的面板，其中所述第一電極和所述第二電極為匯流電極。
12.一種等離子體顯示面板，包括第一電極和第二電極，形成在上基板上；第一障壁，形成在下基板上、設(shè)置在所述第一電極下，包括形成不同放電單元的第一掃描障壁和第二掃描障壁；以及第二障壁，形成在所述下基板上、所述第二電極下，包括形成不同放電單元的第一維持障壁和第二維持障壁，其中所述第一障壁和所述第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)不同于所述第一電極和所述第二電極之間的電極中心點(diǎn)。
13.權(quán)利要求12的面板，其中所述障壁中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于所述第一和第二障壁之間的平均距離的一半的點(diǎn)。
14.權(quán)利要求12的面板，其中所述電極中心點(diǎn)為對(duì)應(yīng)于所述第一電極和所述第二電極之間的距離的一半的點(diǎn)。
15.權(quán)利要求12的面板，其中所述第一電極的寬度約等于所述第二電極的寬度。
16.權(quán)利要求12的面板，其中掃描通道形成在所述第一掃描障壁和所述第二掃描障壁之間。
17.權(quán)利要求12的面板，其中維持通道形成在所述第一維持障壁和所述第二維持障壁之間。
18.權(quán)利要求16的面板，其中所述掃描通道包括黑層。
19.權(quán)利要求17的面板，其中所述維持通道包括黑層。
20.一種等離子體顯示面板，包括第一電極和第二電極，形成在上基板上；第一障壁，形成在下基板上、設(shè)置在所述第一電極下；第二障壁，形成在所述下基板上、設(shè)置在所述第二電極下；以及放電單元，限定在所述第一障壁和所述第二障壁之間，其中所述放電單元和所述第一電極的重疊區(qū)域在尺寸上不同于所述放電單元和所述第二電極的重疊區(qū)域。
全文摘要
提供了一種包括第一和第二電極、第一障壁和第二障壁的等離子體顯示面板。所述第一和第二電極形成在上基板上。所述第一障壁形成在下基板上，使得設(shè)置在所述第一電極下。所述第二障壁形成在所述下基板上，使得設(shè)置在所述第二電極下。所述第一和第二障壁之間的障壁中心點(diǎn)不同于所述第一和第二電極之間的電極中心點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01J11/12GK1971827SQ200610064839
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月25日
發(fā)明者樸記洛, 柳圣煥 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社