專利名稱：：具有反射板的led照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及照明技術(shù)。更具體地，本發(fā)明涉及高強(qiáng)度發(fā)光二極管封裝件、部件、裝置等，并且將對其進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，本發(fā)明也會獲得與諸如垂直腔面發(fā)射激光器結(jié)合的其他固態(tài)發(fā)光器的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：高亮度發(fā)光封裝件通常使用多個發(fā)光二極管芯片、表面發(fā)射激光芯片、有機(jī)發(fā)光器芯片等。為了機(jī)械支持芯片以及使芯片電互連，在一些發(fā)光封裝件中，將發(fā)光芯片設(shè)置在印刷電路板上。印刷電路板還可支持并電合并分立的電子部件、專用集成電路(ASIC)、可編程微處理器等，用于提供輸入功率調(diào)節(jié)，光輸出控制，靜電放電保護(hù)或其他功能。不利地，印刷電路板由于部分地吸收光的碰撞而造成光損耗。印刷電路板一般包括最上面的環(huán)氧樹脂阻焊層，該阻焊層具有光刻限定的開口，通過該開口發(fā)光芯片或其他電子部件與印刷電路的焊盤電接觸。在對于電子應(yīng)用的傳統(tǒng)印刷電路板中，對于其光學(xué)特性阻焊層不是最優(yōu)的，因此反射性不是很好。對于高亮度發(fā)光封裝件，有時使用具有工業(yè)效應(yīng)的白色阻焊膜(soldermask)的印刷電路板。這些白色阻焊膜包含反射可見光的白色滑石或另一種白色材料。白色阻焊膜與傳統(tǒng)的藍(lán)色或綠色阻焊膜相比顯著改善了可見光的反射率。此外，白色阻焊膜對于一些高亮度發(fā)光封裝件具有一定的缺點。首先，雖然白色阻焊膜看起來具有高反射性，但發(fā)明人測量了這種板的反射率并且發(fā)現(xiàn)反射率在可見光譜區(qū)內(nèi)僅為大約80％以下。如果由發(fā)光封裝件產(chǎn)生的可見光中的50％碰撞印刷電路板，由于印刷電路板的吸收，反射率與約10％以上的光損耗相對應(yīng)。此外，在藍(lán)光、紫光、和紫外線光譜區(qū)內(nèi)，白色阻焊膜的反射率降低。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)對小于約410nm波長的白色焊接板的反射率減小到60％以下。在某些發(fā)光封裝件中，發(fā)射藍(lán)光、紫光、或紫外線的寬能帶隙發(fā)光芯片與將發(fā)射光轉(zhuǎn)換為白色或另一種所選取可見光的磷光體相結(jié)合。在這種封裝件中，大量的藍(lán)光、紫光、或紫外線通常從磷光體反射向印刷電路板。白色阻焊膜對藍(lán)光、紫光、或紫外線波長的光相對較低的反射率降低了這些封裝件的光輸出效率。用于實現(xiàn)藍(lán)光、紫光、或紫外線的高反射率的方法在于使用金屬反射體。然而，由于阻焊膜接觸或非常接近印刷電路和電子部件導(dǎo)線，所以很難將一般導(dǎo)電的金屬反射體結(jié)合到阻焊膜中。本發(fā)明旨在提供克服上述限制和其他問題的改進(jìn)裝置和方法。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一個方面，公開了一種發(fā)光裝置。一個或多個發(fā)光芯片設(shè)置在印刷電路板上，并且發(fā)射波長范圍主要在大約400納米至大約470納米之間的光。該印刷電路板包括(i)電絕緣板；(ii)導(dǎo)電印刷電路；以及(iii)具有過孔的電絕緣阻焊膜，通過該過孔使一個或多個發(fā)光芯片與所述印刷電路電接觸。阻焊膜在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率。根據(jù)另一方面，提供了一種用于制造發(fā)光裝置的方法。電絕緣板被提供有設(shè)置在其上的導(dǎo)電印刷電路。電絕緣阻焊膜設(shè)置在電絕緣板上。阻焊膜具有接入印刷電路的過孔，并且在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率。一個或多個發(fā)光芯片設(shè)置在絕緣阻焊膜上。一個或多個發(fā)光芯片通過阻焊膜中的過孔與印刷電路電接觸，并且發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的光。根據(jù)又一方面，公開了一種發(fā)光裝置。一個或多個發(fā)光芯片設(shè)置在印刷電路板上，并且發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的光。該印刷電路板包括(i)電絕緣板；(ii)導(dǎo)電印刷電路；以及(iii)具有過孔的電絕緣阻焊膜，通過該過孔，一個或多個發(fā)光芯片與該印刷電路電接觸。阻焊膜在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率。將磷光體配置成使其被一個或多個發(fā)光芯片照射，并且響應(yīng)于照射，發(fā)射波長范圍主要在470納米以上的光。相對配置磷光體和印刷電路板，使得一個或多個發(fā)光芯片發(fā)射的波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的一些光從磷光體反射到印刷電路板的阻焊膜上?；陂喿x和理解本說明書，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，本發(fā)明的許多優(yōu)點和好處將變得顯而易見。本發(fā)明可以在各種元件和元件的排列中、以及在各種工藝過程和工藝過程的排列中體現(xiàn)。附圖僅僅用于示出優(yōu)選實施例的目的，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中，層厚度、涂層厚度、以及其他尺寸沒有按比例畫出。圖1示出了發(fā)光封裝件的透視圖。在圖1中，去除殼體的一個側(cè)壁以展示發(fā)光封裝件內(nèi)部的部件。圖2示出了圖1的封裝件的印刷電路板和電子部件的透視圖。圖3示出了圖1的封裝件的印刷電路板和電子部件的分解透視圖。圖4和圖5示出了從兩個不同的有利位置看到的圖1的封裝件的一個發(fā)光芯片的透視圖。圖6示出了適用在圖1的封裝件中的阻焊膜一部分的截面圖。圖7示出了適用在圖1的封裝件中的另一阻焊膜一部分的截面圖。具體實施例方式參考圖1至圖3，發(fā)光封裝件8包括多個設(shè)置在印刷電路板12上的發(fā)光芯片10。示出的印刷電路板12包括電絕緣板14，其在示出的實施例中包括導(dǎo)電金屬芯16和由玻璃纖維樹脂或另一種電絕緣材料制成的絕緣層18。在一些實施例中，省略了導(dǎo)電金屬芯16，例如，電絕緣板可以是玻璃纖維樹脂板而不具有金屬芯。導(dǎo)電印刷電路20(在圖3中示出)設(shè)置在絕緣板14的絕緣層18上。阻焊膜22設(shè)置在絕緣板14上，并包括開口或過孔24(在圖3中示出)，通過開口或過孔24，發(fā)光芯片10與印刷電路20電接觸?？蛇x地，一個或多個附加電子部件(例如，示例性的電子部件26)也設(shè)置在印刷電路板12上，并通過開口或過孔24與印刷電路20電接觸。在示出的實例中，電子部件26通過接觸針30接收電功率，并且整流、轉(zhuǎn)換、或以其它方式調(diào)節(jié)所接收的電功率，以產(chǎn)生提供給印刷電路20來操作發(fā)光芯片10的負(fù)載功率?？蛇x地，電子部件26或另一個電子部件可以提供靜電放電保護(hù)、可選切換(selectableswitching)等。電子部件26可具體化為專用集成電路(ASIC)、可編程微控制器或微處理器等?？蛇x或附加地，電子部件可通過諸如電阻器、電感器、電容器、運算放大器、數(shù)字邏輯門等的分立部件具體化，這些分立部件通過印刷電路相互連接，以執(zhí)行功率調(diào)節(jié)、切換、調(diào)光功能等。在示出的實施例中，印刷電路板12的電絕緣板14是包括平面導(dǎo)電金屬芯16(例如，鋁片、銅箔等)和絕緣層18的金屬芯板。例如，絕緣層18可以是玻璃纖維樹脂片或涂層，其使印刷電路20與金屬芯16絕緣。可選地，印刷電路20通過形成在絕緣層18中的過孔(未示出)在所選點處電接觸金屬芯16，使得金屬芯16起到印刷電路20接地板的作用。金屬芯16還擴(kuò)散和/或消散由發(fā)光芯片10和一個或多個電子部件26所產(chǎn)生的熱量。發(fā)光芯片10、一個或多個電子部件26、和印刷電路板12容納在殼體36(在圖1中示出)中。殼體36包括側(cè)壁38、40和底部42，印刷電路12設(shè)置在底部上(在圖1中省略了一個側(cè)壁以展示發(fā)光封裝件8的內(nèi)部部件；相對于去除的側(cè)壁設(shè)置另一個側(cè)壁，并且在圖1的透視圖中是不可見的)。優(yōu)選地，側(cè)壁38、40具有反射內(nèi)表面46。例如，側(cè)壁38、40和底部42可以限定矩形金屬盒，其除了提供反射內(nèi)表面46外，還提供用于示例性金屬芯印刷電路板12的散熱器。殼體36的頂部48面向發(fā)光芯片10并且包括磷光板50。在運行過程中，發(fā)光芯片10發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的藍(lán)光、紫光或紫外光。所發(fā)射的藍(lán)光、紫光、或紫外光照射磷光板50。響應(yīng)于藍(lán)光、紫光和紫外光的照射，設(shè)置在磷光板50上或散布在磷光板50中的磷光體發(fā)射波長范圍主要大于470納米的熒光或磷光。磷光板50對于熒光或磷光是透光的，使得發(fā)光封裝件8由于熒光或磷光而輸出光。在一些實施例中，磷光體包含產(chǎn)生白色熒光或磷光的一種或多種成分。在其他實施例中，磷光體包含產(chǎn)生所選顏色或混合顏色的熒光或磷光的一種或多種成分?？蛇x地，磷光板50對于由發(fā)光芯片10產(chǎn)生的藍(lán)光、紫光、或紫外線照射也是透光的，所以發(fā)光封裝件8的輸出光是由磷光體輸出的熒光或磷光以及由發(fā)光芯片10輸出的直射光的組合光。例如，在一些實施例中，發(fā)光芯片10產(chǎn)生藍(lán)色發(fā)射光，以及磷光體產(chǎn)生黃色光，從而在發(fā)光封裝件8的輸出中結(jié)合有混合的直射光和磷光體產(chǎn)生的光，以近似于白色光。側(cè)壁38、40的反射內(nèi)表面46將碰撞側(cè)壁38、40的由發(fā)光芯片10產(chǎn)生的光反射向磷光板50，以改善光提取率。在示出的實施例中，側(cè)壁40包括電絕緣穿通開口52，通過該電絕緣穿通開口52，電子部件26的接觸針30使電源與發(fā)光封裝件8相連接。也可以使用其他功率輸入配置，例如，母電源插座，硬接線電源電纜等。可選地，在發(fā)光封裝件中包括電池(未示出)，從而不需要外部電源。應(yīng)該理解的是，殼體36只是一個實例。除矩形之外，殼體可具有其他形狀，除磷化頂部之外或代替頂部，其還可以包括磷化側(cè)壁，或者可以包括其他修改。在一些實施例中，殼體包括在發(fā)光芯片之上配置的磷化圓頂。發(fā)光封裝件8還可以包括附加的或其他部件，例如，散熱器、散熱片、與磷光板50光結(jié)合的透鏡或其他光學(xué)部件(用于將發(fā)光芯片的發(fā)射光匯聚在磷化窗(phosphorizedwindow)或磷化區(qū)上)等。繼續(xù)參照圖1至圖3并且還參照圖4和圖5，每個發(fā)光芯片10都可以是發(fā)光二極管、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)、發(fā)光二極管或激光器的單片陣列、有機(jī)發(fā)光芯片等。在示出的實施例中，每個發(fā)光芯片10均包括倒裝接合至底層封裝板(sub-mount)62的半導(dǎo)體芯片60。底層封裝板62包括使半導(dǎo)體芯片60和背面的焊盤64電連接的電過孔。示出的發(fā)光芯片10僅是一個實例，在其他實施例中，發(fā)光芯片可直接接合到?jīng)]有底層封裝板的印刷電路板12，或者可接合到底層封裝板但使用絲焊與印刷電路板電接觸，或者可倒裝接合到底層封裝板的焊盤(底層封裝板焊盤通過絲焊與印刷電路板12電連接)等。在一些實施例中，發(fā)光芯片是基于III族氮化物的發(fā)光二極管或激光器，其發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的光。可以使用其他的藍(lán)光、紫光、或紫外線發(fā)光芯片，其發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和470納米之間的光。在一些實施例中，通過焊接使發(fā)光芯片10與印刷電路板12電連接。阻焊膜22將焊料保持在過孔24的區(qū)域中。在其他實施例中，使用熱超聲焊接、熱壓焊接、或其他焊接技術(shù)。不管使用的是錫焊或另一種焊接技術(shù)，阻焊膜22都保護(hù)印刷電路20不受磨損或其他物理損傷。為了使光提取率最大化，將印刷電路板12的阻焊膜22構(gòu)造成在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率。這樣，由發(fā)光芯片10發(fā)射的直接碰撞阻焊膜22(或從側(cè)壁38、40和/或磷光板50反射出來然后碰撞阻焊膜22)的藍(lán)光、紫光、或紫外線基本上被反射向磷光板50，以產(chǎn)生熒光或磷光。在一些優(yōu)選實施例中，將印刷電路板12的阻焊膜22構(gòu)造成在大約400納米和大約470納米之間具有至少約85％以上的反射率。在一些優(yōu)選實施例中，將印刷電路板12的阻焊膜22構(gòu)造成在大約400納米和740納米之間具有至少約85％以上的反射率，使得阻焊膜22還反射由面向印刷電路板12的照射磷光體產(chǎn)生的磷光或熒光。在一些優(yōu)選實施例中，將印刷電路板12的阻焊膜22構(gòu)造成在大約400納米和基本跨越由磷光體發(fā)射的光的波長范圍的上部波長(upperwavelength)(例如，對發(fā)射波長范圍主要在500-650納米的光的示例性磷光體，至少達(dá)到650納米的上部波長)之間具有至少約85％以上的反射率。參照圖6，在一些實施例中，電絕緣阻焊膜22由耐光電絕緣粘合材料70(例如，感光環(huán)氧樹脂、感光聚酰亞胺等)的膜形成，在其中散布有反射填充材料72的顆粒。例如，反射填充材料72的顆?？梢允氢佈趸?例如，氧化鈦TiO2)、鋁氧化物(例如，氧化鋁Al2O3)、高折射率玻璃等。選取粘合材料70中填充材料72的濃度以及平均顆粒大小、平均顆粒形狀等，以為阻焊膜22提供足夠的反射率。如果導(dǎo)電填充材料的濃度稀釋成足以保持阻焊膜22基本的電絕緣特性，則可采用導(dǎo)電填充材料。在一個實例中，粘合材料是負(fù)感光環(huán)氧樹脂，如下構(gòu)造阻焊膜22。將感光環(huán)氧樹脂的成分與填充材料72結(jié)合，以生成液態(tài)感光環(huán)氧樹脂原料，其被作為膜設(shè)置在電絕緣板14上。合適的沉積方法包括噴涂、幕涂等。根據(jù)環(huán)氧樹脂的類型，可執(zhí)行無模硫化(softcure)，以部分硬化或固化感光環(huán)氧樹脂膜。然而，對一些環(huán)氧樹脂類型不采用無模硫化。在黃光照亮的光刻室或環(huán)境照明不使感光環(huán)氧樹脂活化的其他環(huán)境中執(zhí)行這些處理。然后，通過阻擋過孔24區(qū)域內(nèi)曝光的光掩模而光學(xué)暴露感光環(huán)氧樹脂膜，來形成阻焊膜22的過孔24。使用只去除那些未曝光的感光環(huán)氧樹脂膜區(qū)域的合適化學(xué)物質(zhì)來顯影光學(xué)暴露的感光環(huán)氧樹脂膜，從而，去除未被曝光的過孔24的區(qū)域以打開過孔24。那些曝光區(qū)域是耐光的，并且不會被顯影化學(xué)物質(zhì)去除。根據(jù)感光環(huán)氧樹脂的類型，可執(zhí)行有模硫化(hardcure)來進(jìn)一步凝固或硬化耐光的環(huán)氧樹脂膜。在一些實施例中，填充物72的濃度足夠低，使得混合填充材料72不能顯著改變感光粘合材料70的感光特性。在其他實施例中，結(jié)合填充材料72降低了感光粘合材料70的感光性。在這些實施例中，可增加感光粘合材料70中光敏劑的量以消除填充材料72的影響，或者可增加曝光和/或顯影時間以彌補(bǔ)降低的感光性。典型地，阻焊膜22的厚度在大約12微米和75微米之間。對于相對較厚的阻焊膜，通?？蓽p少填充材料72的濃度，同時保持期望的反射率。填充材料(例如，TiO2或Al2O3)在至少400納米以下(更典型地至少在約350納米以下)顯示出大于約85％到90％的反射率。因此，對于充分高濃度的填充材料72，在大約400納米和大約470納米之間的波長范圍內(nèi)，可將阻焊膜22的反射率增加到約60％或約85％以上(取決于填充物濃度、顆粒的反射率特性等)。參考圖7，在一些實施例中，電絕緣阻焊膜22由多層鏡面反射片80形成。例如使用激光切割、機(jī)械打孔等將開口切入薄片80以限定過孔24，并將多層鏡面反射片80粘合至或固定至電絕緣板14。反射片80包括層疊的反射絕緣層，其中，絕緣層包括具有不同折射率、不同雙折射特性、或其他不同光學(xué)特性的介質(zhì)材料的交替層。選擇層的厚度和光學(xué)特性，以在大約400納米和大約470納米之間的波長范圍內(nèi)(優(yōu)選地，在大約400納米和大約740納米之間的波長范圍內(nèi))中提供高的疊層反射率。在一些實施例中，多層鏡面反射片80是具有工業(yè)效應(yīng)的反射片，例如，VM2000反射膜或VikuitiTM增強(qiáng)型鏡面反射薄或(從3M，St.Paul，MN得到的)。由VM2000或VikuitiTM增強(qiáng)型鏡面反射膜形成的阻焊膜已被發(fā)明人測量在400納米和740納米之間具有85％以上的反射率，同時對膜正面和背面都測到高反射率。相反地，測量傳統(tǒng)的白色阻焊膜對可見光具有約80％的反射率，對波長在約430納米以下的光具有約70％以下的反射率，對波長在大約410納米以下的光具有60％以下的反射率。發(fā)光封裝件8通過磷光板50的波長轉(zhuǎn)換產(chǎn)生可見光。在其他預(yù)期的實施例中，發(fā)光封裝件是藍(lán)光、紫光、或紫外光光源，其發(fā)射由發(fā)光芯片產(chǎn)生的波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的直射光。在這些實施例中，光學(xué)器件、側(cè)壁、透鏡、覆蓋玻璃等一般會反射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的一些直射光或使其改變方向，以射向印刷電路板的阻焊膜。因此，本文中公開的在至少大約400納米和大約470納米之間具有高反射性的阻焊膜的優(yōu)勢在于這些不使用磷光體的藍(lán)光、紫光、或紫外光光源。已經(jīng)參照優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。很顯然，其他人在閱讀并理解了前面的詳細(xì)描述后，可以作出修改和改變。旨在將本發(fā)明理解為包括所有這些范圍內(nèi)的修改和改變，因為它們處于權(quán)利要求書或其對等物的范疇之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種發(fā)光裝置，包括一個或多個發(fā)光芯片，其發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的光；以及印刷電路板，其上設(shè)置有所述一個或多個發(fā)光芯片，所述印刷電路板包括(i)電絕緣板，(ii)導(dǎo)電印刷電路，以及(iii)具有過孔的電絕緣阻焊膜，通過所述過孔，所述一個或多個發(fā)光芯片與所述印刷電路電接觸，所述阻焊膜在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括殼體，其內(nèi)部設(shè)置有所述一個或多個發(fā)光芯片和所述印刷電路板，所述殼體包括磷光體，將所述磷光體配置成被所述一個或多個發(fā)光芯片照射，并且響應(yīng)于所述照射，發(fā)射波長范圍主要在470納米以上的光，所述磷光體和所述印刷電路板相對配置，使得由所述一個或多個發(fā)光芯片發(fā)射的波長范圍主要在大約400納米和470納米之間的至少一部分光從所述磷光體反射到所述印刷電路板的所述阻焊膜上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述阻焊膜在大約400納米和大約470納米之間具有至少約85％以上的反射率。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述阻焊膜在大約400納米和大約740納米之間具有至少約60％以上的反射率。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述阻焊膜在大約400納米和大約740納米之間具有至少約85％以上的反射率。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述阻焊膜包括電絕緣粘合材料；以及填充材料，散布在所述粘合材料中，所述填充材料在大約400納米和大約470納米之間具有至少約85％以上的反射率。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，所述電絕緣粘合材料是耐光材料。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，所述粘合材料是耐光環(huán)氧樹脂和耐光聚酰亞胺之一。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，所述填充材料是鈦氧化物和鋁氧化物之一。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中，所述填充材料是TiO2和Al2O3之一。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述電絕緣阻焊膜包括多層鏡面反射片。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中，所述多層鏡面反射片包括層疊的反射介電層，由具有不同折射率、不同雙折射特性、或其他不同光學(xué)特性的介電材料的交替層形成。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述電絕緣板包括金屬層；以及電絕緣層，設(shè)置在所述金屬層的至少一側(cè)上，所述印刷電路設(shè)置在所述電絕緣層上。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述印刷電路板的所述導(dǎo)電印刷電路和所述電絕緣板包括多個電絕緣層和多個印刷電路層。15.一種發(fā)光裝置的制造方法，所述方法包括設(shè)置電絕緣板，其上設(shè)置有導(dǎo)電印刷電路；在所述電絕緣板上設(shè)置電絕緣阻焊膜，所述阻焊膜具有接入所述印刷電路的過孔，所述阻焊膜在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率；以及在所述絕緣阻焊膜上設(shè)置一個或多個發(fā)光芯片，所述一個或多個發(fā)光芯片通過所述阻焊膜中的所述過孔與所述印刷電路電接觸，所述一個或多個發(fā)光芯片發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的光。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述設(shè)置電絕緣板包括設(shè)置金屬芯；將絕緣層設(shè)置在所述金屬芯上；將導(dǎo)電層設(shè)置在所述絕緣層上；以及圖樣化所述導(dǎo)電層，以限定所述導(dǎo)電印刷電路。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述設(shè)置電絕緣阻焊膜包括將感光環(huán)氧樹脂的成分與反射填充材料結(jié)合，以生成環(huán)氧樹脂原材料，所述反射填充材料在400納米和470納米之間具有至少約85％以上的反射率；將所述環(huán)氧樹脂原料設(shè)置在所述電絕緣板上，以限定環(huán)氧樹脂阻焊層；以及在環(huán)氧樹脂阻焊層中通過光刻形成接入所述印刷電路的所述過孔。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，將所述環(huán)氧樹脂原料設(shè)置在所述電絕緣板上包括通過噴涂和幕涂中的一種，設(shè)置所述環(huán)氧樹脂原料。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述設(shè)置電絕緣阻焊膜包括在所述電絕緣板上形成感光阻焊層，所述感光阻焊層包括粘合劑和反射填充物，并在400納米和470納米之間具有至少約85％以上的反射率；以及在所述感光阻焊層中通過光刻形成接入所述印刷電路的所述過孔。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述設(shè)置電絕緣阻焊膜包括將接入所述印刷電路的所述過孔切入電絕緣多層鏡面反射片中，以限定所述阻焊膜；以及將所述阻焊膜粘附至所述電絕緣板。21.一種發(fā)光裝置，包括一個或多個發(fā)光芯片，發(fā)射波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的光；印刷電路板，其上設(shè)置有所述一個或多個發(fā)光芯片，所述印刷電路板包括(i)電絕緣板，(ii)導(dǎo)電印刷電路，以及(iii)具有過孔的電絕緣阻焊膜，通過所述過孔，所述一個或多個發(fā)光芯片與所述印刷電路電接觸，所述阻焊膜在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率；以及磷光體，將所述磷光體配置成使其被所述一個或多個發(fā)光芯片照射，并且響應(yīng)于所述照射，發(fā)射波長范圍主要在470納米以上的光，相對配置所述磷光體和所述印刷電路板，使得由所述一個或多個發(fā)光芯片發(fā)射的波長范圍主要在大約400納米和大約470納米之間的至少一部分光從所述磷光體反射到所述印刷電路板的所述阻焊膜上。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光裝置，其中，所述阻焊膜在大約400納米和基本上跨越由所述磷光體發(fā)射的光的波長范圍的上部波長之間具有至少85％以上的反射率。全文摘要一種發(fā)光裝置(8)包括一個或多個發(fā)光芯片(10)，其設(shè)置在印刷電路板(12)上，并發(fā)射波長范圍主要在大約400納米到470納米之間的光。一種印刷電路板包括(i)電絕緣板(14)；(ii)導(dǎo)電印刷電路(20)；以及(iii)具有過孔(24)的電絕緣阻焊膜(22)，通過該過孔，一個或多個發(fā)光芯片與所述印刷電路電接觸。阻焊膜(22)在大約400納米和大約470納米之間具有至少60％以上的反射率。文檔編號F21V1/00GK101018974SQ200580030922公開日2007年8月15日申請日期2005年7月13日優(yōu)先權(quán)日2004年7月15日發(fā)明者小斯坦特恩·厄爾·韋弗,托馬斯·埃利奧特·斯特克申請人:吉爾科有限公司