專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，更具體而言，涉及一種具有新型結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
與其它平板顯示設(shè)備相比，近來(lái)，得益于等離子體顯示面板的高影像品質(zhì)、超精細(xì)、重量輕、較寬的視角以及大屏幕尺寸等優(yōu)良特性，以及等離子體顯示面板的制造方法簡(jiǎn)單和高價(jià)解除，在大型平板顯示設(shè)備中，等離子體顯示面板被廣泛視為下一代產(chǎn)品。
在如圖1所示的常規(guī)三電極表面放電型等離子體顯示面板100中，由熒光層110輻射出的大約40％的可見(jiàn)光被掃描電極106、共用電極107和匯流電極108吸收，上述電極設(shè)置在前基板101的底部表面上，介電層109覆蓋掃描電極106、共用電極107和匯流電極108以及MgO層111，由此導(dǎo)致低發(fā)光效率。
此外，由于熒光層110受到放電氣體中的帶電粒子的離子濺射，如果常規(guī)三電極表面放電型等離子體顯示面板100長(zhǎng)時(shí)間顯示相同的影像，可能導(dǎo)致永久影像燒進(jìn)(bum-in)。特別地，在尋址放電和維持放電期間由于掃描電極106和尋址電極103之間的電壓差產(chǎn)生放電加深了在熒光層110中的永久影像燒進(jìn)。
另外，由于在常規(guī)三電極表面放電型等離子體顯示面板100中，在放電過(guò)程中從相鄰的放電單元115中發(fā)射出的白光在通過(guò)前基板101輻射到外部時(shí)彼此完全地分開(kāi)，因此由干涉引起閃爍效果，并由此對(duì)于移動(dòng)圖像的快速顯示幀不是最優(yōu)的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有新型結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板。
本發(fā)明的其它特征將在下面的說(shuō)明書中進(jìn)行闡述，本發(fā)明的特點(diǎn)部分地從描述中將顯而易見(jiàn)，或可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而獲得。
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體顯示面板，所述等離子體顯示面板包括前基板，與前基板相對(duì)設(shè)置的后基板、由介電材料形成設(shè)置在前基板和后基板之間并與前基板和后基板一起限定放電單元的多個(gè)障肋、設(shè)置第一障肋中的前部放電電極、設(shè)置在第一障肋中且與前部放電電極隔開(kāi)預(yù)定距離的后部放電電極、設(shè)置在形成在前基板中的多個(gè)第一溝槽中的熒光層，以及設(shè)置在放電單元中的放電氣體。
應(yīng)該理解，前面的概括性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，并旨在提供如技術(shù)方案所述的對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。


在此一并給出以提供對(duì)發(fā)明的進(jìn)一步理解的并結(jié)合構(gòu)成說(shuō)明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
圖1是常規(guī)等離子體顯示面板的局部透視圖。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的分解透視圖。
圖3示出了沿圖2中線III-III的橫截面視圖。
圖4示出了在圖2中的電極和放電單元的布置。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的橫截面視圖。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將參考示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)地描述。然而，本發(fā)明可以多種不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此所闡述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例是為了充分公開(kāi)本發(fā)明，向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清晰起見(jiàn)，放大了層和區(qū)域的尺寸以及相對(duì)尺寸。
當(dāng)一個(gè)元件例如層或者區(qū)域被稱作“在”另一個(gè)元件“之上”時(shí)，所述元件可以直接在另一個(gè)元件上面或者也可能存在插入元件的情況。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱作“直接在”另一個(gè)元件“之上”時(shí)，則不存在插入元件。
參考圖2和圖3，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板200包括前基板201、與前基板201相對(duì)的后基板202、布置在前基板201和后基板202之間并且由介電材料形成的障肋208，所述障肋與前基板201和后基板202限定出放電單元220、位于障肋208中以包圍放電單元220并且彼此電絕緣同時(shí)如圖4所示彼此平行延伸的前部放電電極206和后部放電電極207、位于后基板202上并且布置交叉垂直于前部放電電極206和后部放電電極207的尋址電極203、設(shè)置在放電單元220中的熒光層210、放電單元220中的放電氣體(未示出)、以及設(shè)置在障肋208上且包圍放電單元220的上側(cè)周界從而使得能夠減少或者阻止由放電單元220產(chǎn)生的可見(jiàn)射線產(chǎn)生干擾的深色黑色基質(zhì)層211。介電層204可覆蓋尋址電極203，并且可以是MgO層的保護(hù)層209可覆蓋障肋208。
熒光層210設(shè)置在與放電單元220相對(duì)的前基板201上的第一溝槽201a中。盡管還可以使用多種其它的方法，但是第一溝槽201a可以通過(guò)蝕刻或者噴砂處理形成在前基板201上。由于從熒光層210發(fā)出的可見(jiàn)射線能夠直接地穿過(guò)前基板201，因此前部透射率急劇增大。
限定多個(gè)放電單元220的障肋208被設(shè)置在前基板201和后基板202之間。在本實(shí)施例中，障肋208限定出多個(gè)放電單元220，其中每一個(gè)放電單元均具有大體上呈矩形的橫截面。然而，障肋208的形狀不局限于矩形且只要障肋能限定出多個(gè)放電單元形狀，障肋的形狀可以改變。舉例來(lái)說(shuō)，障肋208可成形以限定華夫餅形或者三角形的放電單元。此外，障肋208可成形以限定具有多邊形例如，三角形、五邊形、矩形、圓形或者橢圓形，水平剖面的放電單元。
在障肋208中，設(shè)置有彼此平行延伸且圍繞設(shè)置在一個(gè)方向上的放電單元220的周邊的前部放電電極206和后部放電電極207。前部放電電極206和后部放電電極207彼此電絕緣且順序地成形在前基板201上。
由于前部放電電極206和后部放電電極207不能阻止可見(jiàn)射線傳送至前部，因此前部放電電極206和后部放電電極207可由導(dǎo)電金屬例如鋁或者銅形成。由于使用導(dǎo)電金屬而使得電極縱向方向上的電壓降較小，因此有可能傳送穩(wěn)定的信號(hào)。因此，如果以常規(guī)的亮度顯示影像，那么電極206和207可以相對(duì)低的電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，由此顯著地增大了發(fā)光效率。
障肋208可由通過(guò)感應(yīng)電荷能積聚壁電荷的介電材料形成。在這個(gè)實(shí)施例中，防止相鄰的前部放電電極206和后部放電電極207彼此電連接，并且阻止正離子或電子直接碰撞且防止損壞前部放電電極206和后部放電電極207。
深色黑色基質(zhì)層211設(shè)置在形成在前基板201的底表面上的第二溝槽201b中。第二溝槽201b可采用各種方法形成，例如蝕刻法或者噴砂法，盡管也可以使用其它各種方法。因此，如圖3所示，由于圍繞熒光層210的深色黑色基質(zhì)層211能在光發(fā)射期間通過(guò)減少放電單元220之間的光干涉而減弱閃爍，因此可以使亮度和發(fā)光效率最大化。此外，由于深色黑色基質(zhì)層211通過(guò)吸收外界光而增強(qiáng)亮室對(duì)比度，因此可以生產(chǎn)出具有改進(jìn)對(duì)比度的面板。盡管在圖2和圖3中示出的實(shí)施例示出了彼此隔開(kāi)布置的第一溝槽201a和第二溝槽201b，但是第一溝槽201a和第二溝槽201b可以一體成形，不局限于如圖2和圖3所示的結(jié)構(gòu)。
此外，深色黑色基質(zhì)層211不一定是黑色的，深色黑色基質(zhì)層可以為任何可以吸收光從而改善面板對(duì)比度的深顏色。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板300。在圖5中，前面的附圖中所涉及的元件由前面的附圖中所使用的相同的附圖標(biāo)記表示。參考圖5，溝槽301a以預(yù)定深度形成在前基板301上，面對(duì)障肋208的前基板301的底部301c的寬度小于障肋208的寬度。深色黑色基質(zhì)層311以回路形狀進(jìn)行設(shè)置從而圍繞溝槽301a的內(nèi)部周界，熒光層210被設(shè)置在溝槽301a中且位于深色黑色基質(zhì)層311的垂直表面上。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板400。在圖6中，前面的附圖中所涉及的元件由前面的附圖中所使用的相同的附圖標(biāo)記表示。參考圖6，第一溝槽401a和第二溝槽401b形成在前基板401中，熒光層410設(shè)置在第一溝槽401a中，黑色基質(zhì)層411設(shè)置在第二溝槽401b中。為了進(jìn)一步增強(qiáng)光黑色基質(zhì)層411的光分離能力，第二溝槽401b可比第一溝槽401a深預(yù)定深度H。
返回參考圖2和圖3，在后基板202上，尋址電極203彼此平行設(shè)置，與放電單元220的每一行相交叉。尋址電極203垂直于前部放電電極206和后部放電電極207延伸的方向。雖然在本實(shí)施例中每一個(gè)放電單元220中設(shè)置一個(gè)尋址電極203，但是在本發(fā)明中可以使用多個(gè)尋址電極203，而無(wú)需限制數(shù)量。通過(guò)降低維持放電點(diǎn)火電壓，尋址電極203進(jìn)行尋址放電從而幫助前部放電電極206和后部放電電極207之間的維持放電。本發(fā)明不局限于包括尋址電極203的結(jié)構(gòu)。如果不存在尋址電極203，那么前部放電電極206和后部放電電極207可以彼此交叉延伸。在這種情況下，前部放電電極206或者后部放電電極207可以是掃描電極，而另一個(gè)可以用作尋址電極。
如圖2和圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示面板200可進(jìn)一步包括設(shè)置在障肋208和后基板202之間以同障肋208一起限定放電單元220的后部障肋205。盡管后部障肋205在圖2中以矩陣形狀示出，但是只要后部障肋205能夠限定出多個(gè)放電單元，后部障肋205的形狀不局限于此且可以形成各種圖案，例如，打開(kāi)型障肋的條紋圖案，閉合型障肋的華夫餅形、矩陣形或者三角形圖案。此外，除了在本發(fā)明中已經(jīng)描述過(guò)的矩形之外，閉合型障肋可成形以限定出具有多邊形，例如，三角形、五邊形、圓形或者橢圓形，水平剖面的放電單元。此外，如圖2所示，障肋208和后部障肋205可具有相同的形狀。另一種可選方式是，障肋208和后部障肋205可具有不同的形狀。
熒光層210包含可以通過(guò)接收紫外線產(chǎn)生可見(jiàn)光的成分。形成在紅光發(fā)射子像素中的熒光層210可包含熒光體例如，Y(V，P)O4:Eu，形成在綠光發(fā)射子像素中的熒光層210包含熒光體，例如，Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb，且形成在藍(lán)光發(fā)射子像素中的熒光層210可包含熒光體，例如，BAM:Eu。
放電氣體，例如氖、氙或者氖和氙的混合氣體被密封在放電單元220中。根據(jù)本發(fā)明，放電表面和放電區(qū)域增大，并且等離子體的量增加，由此能進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)。由于即便是在使用高濃度的氙氣作為放電氣體的情況下低電壓驅(qū)動(dòng)也是可能的，因此發(fā)光效率比常規(guī)的等離子體顯示面板顯著地提高。在常規(guī)的等離子體顯示面板中，當(dāng)使用高濃度氙放電氣體時(shí)，低電壓驅(qū)動(dòng)是非常困難的。
在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板200中，尋址放電包括在尋址電極203和后部放電電極207之間施加尋址電壓，以選擇相應(yīng)的放電單元220。當(dāng)交流維持放電電壓施加在已選擇的放電單元220的前部放電電極206和后部放電電極207之間時(shí)，在前部放電電極206和后部放電電極207之間發(fā)生維持放電。在放電氣體受到維持放電激發(fā)之后，當(dāng)放電氣體的能級(jí)下降時(shí)發(fā)射出紫外線。
發(fā)射出的紫外線激發(fā)涂覆在放電單元220中的熒光層210，當(dāng)已被激發(fā)的熒光層210的能級(jí)下降時(shí)發(fā)射出可見(jiàn)射線，發(fā)射出的可見(jiàn)射線在等離子體顯示面板上形成影像。
如圖1所示，在常規(guī)的等離子體顯示面板中，由于在掃描電極106和共用電極107之間水平地發(fā)生作為表面放電的維持放電，因此放電區(qū)域相對(duì)較窄。
然而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在等離子體顯示面板200中的維持放電發(fā)生在限定放電單元220的所有側(cè)面，并且放電區(qū)域相對(duì)較大。在本實(shí)施例中的維持放電沿放電單元220的周界發(fā)生并且逐漸地朝向放電單元220的中心擴(kuò)散。結(jié)果是，發(fā)生維持放電的區(qū)域的面積增加，在放電單元中的空間電荷，在現(xiàn)有技術(shù)中很少使用，有助于光發(fā)射，由此改進(jìn)了等離子體顯示面板的發(fā)光效率。
此外，在根據(jù)本實(shí)施例的等離子體顯示面板200中，由于維持放電主要地發(fā)生在如圖3所示的由障肋208限定的放電單元220中，因此避免產(chǎn)生在常規(guī)的等離子體顯示面板中存在的帶電粒子的離子濺射撞擊熒光層210的問(wèn)題。由于這個(gè)原因，即便是相同的圖像顯示延長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間，也不會(huì)產(chǎn)生永久圖像燒進(jìn)。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板中，通過(guò)在前基板上設(shè)置熒光層，發(fā)光效率增加，減少了熒光層的劣化，且亮度增加。此外，通過(guò)用黑色基質(zhì)層分離由相鄰的放電單元發(fā)出的光，由此能夠避免由于光干擾而產(chǎn)生閃爍。
顯而易見(jiàn)的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不偏離本發(fā)明的精神或者范圍的情況下可以對(duì)本發(fā)明作出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明旨在覆蓋包括所附技術(shù)方案及其等效方式的范圍內(nèi)進(jìn)行的各種改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括前基板；與前基板相對(duì)的后基板；多個(gè)與前基板和后基板一起限定放電單元的障肋；設(shè)置在第一障肋中的前部放電電極；設(shè)置在第一障肋中的且與前部放電電極相隔開(kāi)的后部放電電極；設(shè)置在形成在前基板中的多個(gè)第一溝槽中的熒光層；以及設(shè)置在放電單元中的放電氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中第一溝槽成形對(duì)應(yīng)于放電單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中第一溝槽通過(guò)蝕刻而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括黑色基質(zhì)層，其中所述黑色基質(zhì)層設(shè)置在第一障肋和前基板之間且圍繞放電單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中黑色基質(zhì)層設(shè)置在形成在前基板中的第二溝槽中，所述第二溝槽與障肋相對(duì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中在前基板中形成的第二溝槽比第一溝槽深。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中第二溝槽通過(guò)蝕刻形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中第一溝槽和第二溝槽一體成形。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中黑色基質(zhì)層設(shè)置成回路且圍繞第二溝槽的內(nèi)周界。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中前部放電電極延伸以圍繞在第一方向上設(shè)置的放電單元，且后部放電電極延伸以圍繞在垂直于第一方向的第二方向上設(shè)置的放電單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括尋址電極，其中前部放電電極和后部放電電極彼此平行延伸以圍繞設(shè)置在第一方向上的放電單元，并且尋址電極在垂直于第一方向的第二方向上延伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示面板，其中尋址電極設(shè)置在后基板上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，還包括覆蓋尋址電極的介電層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中熒光層包括Y(V，P)O4:Eu。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中熒光層包括Zn2SiO4:Mn或者YBO3:Tb。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中熒光層包括BAM:Eu。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中放電氣體包括氖、氙或者氖和氙的混合氣體。
18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中黑色基質(zhì)層包括吸收光的深色材料。
全文摘要
一種等離子體顯示面板，包括前基板，與前基板相對(duì)的后基板、由介電材料形成以限定在前基板和后基板之間的放電單元的障肋，位于障肋中用于引起在放電單元中的放電的前部放電電極和后部放電電極，位于形成在前基板上的多個(gè)第一溝槽中的熒光層，在放電單元中的放電氣體，在插入到放電單元之間的障肋中的黑色基質(zhì)層。因此，發(fā)光效率和亮度增加，熒光層的劣化減少，且避免了由于光干擾所產(chǎn)生的閃爍。
文檔編號(hào)H01J11/32GK1801440SQ200510137379
公開(kāi)日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2005年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月16日
發(fā)明者權(quán)泰正 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社