專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，更具體地說，涉及一種能夠提高發(fā)光效率同時降低放電點火電壓的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
在等離子體顯示面板(“PDP”)中，有三電極表面放電型結(jié)構(gòu)。三電極表面放電型結(jié)構(gòu)包括具有維持電極、掃描電極的基板和相隔預(yù)定距離并具有尋址電極的另一基板，維持電極和掃描電極形成在同一表面上，尋址電極垂直于維持電極和掃描電極排列。另外，放電氣體注入在基板之間。放電是否發(fā)生由尋址電極和掃描電極間的放電來確定，該尋址電極和掃描電極分別與線連接并獨立控制。由位于同一表面上的維持電極和掃描電極來執(zhí)行顯示屏幕圖像的維持放電。
PDP利用輝光放電來產(chǎn)生可見光，從發(fā)生輝光放電到可見光到達人的眼睛要執(zhí)行幾個步驟。即，如果發(fā)生輝光放電，則產(chǎn)生由電子和氣體的碰撞激發(fā)的等離子體，然后從被激發(fā)的等離子體產(chǎn)生紫外線。紫外線撞擊放電室中的磷光體層，從而產(chǎn)生可見光，可見光穿過透明的基板到達人的眼睛。通過這些步驟，施加到維持電極和掃描電極的輸入能量損失很大。
通過將高于放電點火電壓的電壓施加到兩個電極來產(chǎn)生輝光放電。即，為了促使這個放電發(fā)生，需要很高的電壓。如果發(fā)生放電，則陽極和陰極之間的電壓分布由于鄰近于陽極和陰極的介電層中產(chǎn)生的空間電荷效應(yīng)而扭曲。陰極鞘層區(qū)和陽極鞘層區(qū)形成在電極之間。鄰近于陰極的陰極鞘層區(qū)消耗大部分施加到用于放電的兩個電極的電壓。鄰近于陽極的陽極鞘層區(qū)消耗另外部分的電壓。形成在陽極區(qū)和陰極區(qū)之間的正柱區(qū)幾乎沒有消耗任何電壓。在陰極鞘層區(qū)中，電子加熱效率取決于在介電層上形成的MgO保護膜的二次電子系數(shù)，在正柱區(qū)，大部分輸入能量被加熱電子所消耗。
當(dāng)處于激發(fā)態(tài)的氙(Xe)氣躍遷到基態(tài)時，產(chǎn)生用于撞擊磷光體層并發(fā)射可見光的真空紫外線。通過Xe氣和電子的碰撞來產(chǎn)生激發(fā)態(tài)的Xe。因此，為了增加輸入能量用于產(chǎn)生可見光的比率(即，發(fā)光效率)，必須增加氙(Xe)氣和電子的碰撞。另外，為了增加氙(Xe)氣和電子的碰撞，必須增加電子加熱效率。
在陰極鞘層區(qū)，大部分輸入能量被消耗，而電子加熱效率低，但是，在正柱區(qū)，輸入能量幾乎不被消耗，而電子加熱效率很高。因此，通過增加正柱區(qū)(放電間隙)的長度或面積，可獲得高發(fā)光效率。
此外，眾所周知，被消耗的電子的比率根據(jù)橫穿放電間隙(正柱區(qū))的電場E對氣體密度n的比E/n的變化而改變，在同一比率E/n下，電子消耗率按氙激發(fā)(Xe*)、氙離子(Xe+)，氖激發(fā)(Ne*)和氖離子(Ne+)的順序增加。另外，眾所周知，在同一比率E/n下，電子能量隨氙(Xe)的分壓的增加而下降。如果氙(Xe)的分壓增加，則在氙激發(fā)(Xe*)、氙離子(Xe+)，氖激發(fā)(Ne*)和氖離子(Ne+)中，用于激發(fā)氙(Xe)所消耗的電子增加，從而提高發(fā)光效率。
如上所述，增加正柱區(qū)的面積可增加電子加熱效率。另外，提高氙(Xe)的分壓增加了電子中被消耗用于氙激發(fā)(Xe*)的電子加熱比率。因此，通過增加正柱區(qū)的面積和長度以及氙(Xe)的分壓，電子加熱效率提高，從而提高了發(fā)光效率。
然而，問題在于，增加正柱區(qū)的面積或長度以及氙(Xe)的分壓提高了放電點火電壓并增加了PDP的制造成本。
因此，為了提高發(fā)光效率，需要在保持低的放電點火電壓的同時增加正柱區(qū)的面積或長度以及氙(Xe)的分壓。
對于給定的放電間隙距離和給定的壓力，表面放電結(jié)構(gòu)所需的放電點火電壓高于對向放電結(jié)構(gòu)所需的放電點火電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種等離子體顯示面板，該等離子體顯示面板通過設(shè)置對向放電結(jié)構(gòu)可提高發(fā)光效率，同時減小放電點火電壓。
一種由本發(fā)明提供的等離子體顯示面板可包括第一基板和第二基板，以預(yù)定間隔彼此相對地設(shè)置，并設(shè)置有限定在形成于基板間的空間中的多個放電室。尋址電極可在第一基板和第二基板之間沿第一方向延伸。第一電極可在第一基板和第二基板之間的空間中沿第二方向排列在每個放電室的兩邊并且與尋址電極分開，第二方向與第一方向交叉；第二電極穿過放電室，并在第一電極之間平行地排列。第一電極和第二電極在遠離第一基板的方向上朝第二基板凸出，并且穿過放電室彼此相對地排列，尋址電極具有朝第一電極和第二電極之間的放電室的內(nèi)部突出的突出部分。


附圖示出了本發(fā)明的實施例，并和描述一起用來解釋本發(fā)明的原理，附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合在說明書中構(gòu)成說明書的一部分。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖。
圖2是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。
圖3是沿線III-III截取的圖1中的等離子體顯示面板在裝配狀態(tài)下的局部剖視圖。
圖4是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板中的電極結(jié)構(gòu)的局部透視圖。
圖5是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板中的放電室和黑層之間的關(guān)系的局部平面圖。
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體顯示面板的局部剖視圖。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖。
圖8是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。
圖9是沿線IX-IX截取的圖7中的等離子體顯示面板在裝配狀態(tài)下的局部剖視圖。
圖10是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板中的電極結(jié)構(gòu)的局部透視圖。
圖11是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板中的放電室和黑層之間的關(guān)系的局部平面圖。
圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施例的等離子體顯示面板的局部剖視圖。
圖13是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。
圖14是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。
圖15是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第七實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。
圖16是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第八實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式實施，不應(yīng)被理解為限于這里所描述的實施例；此外，提供這些實施例以使本公開是徹底的和完全的，并將本發(fā)明的構(gòu)思全部傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為清晰起見，省略了與描述無關(guān)的部分。附圖中相同的標(biāo)號表示相同的部件。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖，圖2是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖，圖3是沿線III-III截取的圖1中的等離子體顯示面板在裝配狀態(tài)下的局部剖視圖。
參照這些圖，本發(fā)明的等離子體顯示面板可包括第一基板10(下文中，稱為‘后基板’)和第二基板20(下文中，稱為‘前基板’)，兩者以預(yù)定間隔彼此面對地設(shè)置，通過在后基板10和前基板20之間限定多個放電空間來形成放電室18和放電室28。另外，放電室18和放電室28被第一障肋16(下文中，稱為‘后障肋’)和第二障肋26(下文中，稱為‘前障肋’)限定。在放電室18和放電室28內(nèi)形成用于吸收真空紫外線并發(fā)射可見光的磷光體層19和磷光體層29，放電氣體(例如，含氙(Xe)和氖(Ne)的混合氣體)填充在放電室18和放電室28中，以通過等離子體放電產(chǎn)生真空紫外線。
第一障肋16和第二障肋26位于后基板10和前基板20之間。后障肋16鄰近于后基板10朝前基板20突出，前障肋26鄰近于前基板20朝后基板10突出。另外，前障肋26與后障肋16相對應(yīng)。
后障肋16限定鄰近于后基板10的多個放電空間，從而形成放電室18，前障肋26限定鄰近于后基板20的多個放電空間，從而形成放電室28。在兩側(cè)彼此相對的放電空間充分結(jié)合以形成放電室。在本發(fā)明中，放電室18和放電室28沒有具體限定，但是放電室18和放電室28指由兩個放電空間形成的一個放電空間。優(yōu)選地，由放電室18的后障肋16形成的放電空間在面積和/或容積上小于由放電室28的前障肋26形成的放電空間。制造具有這種結(jié)構(gòu)的PDP可提高可見光從放電室18、放電室28到基板10的前面的透射率。
后障肋16和前障肋26可以形成比如矩形或六邊形等各種形狀的放電室18和放電室28，在本實施例中，示出了矩形放電室18和放電室28后障肋16可包括形成在后基板10上的第一障肋構(gòu)件16a，前障肋26可包括形成在前基板20上的第二障肋構(gòu)件26a。即，第一障肋構(gòu)件16a在第一方向(下文中，稱為‘尋址電極的縱向’或‘y軸方向’)上延伸，第二障肋構(gòu)件26a與第一障肋構(gòu)件16a相對應(yīng)，并在尋址電極延伸的方向上延伸。在本實施例中，后障肋16還包括與第一障肋構(gòu)件16a交叉的第三障肋構(gòu)件16b，前障肋26還包括對應(yīng)于第三障肋構(gòu)件16b并與第二障肋構(gòu)件26a交叉的第四障肋構(gòu)件26b。
因此，第一障肋構(gòu)件16a和第三障肋構(gòu)件16b在后基板10的一側(cè)將放電室18限定成獨立的放電空間，第二障肋構(gòu)件26a和第四障肋構(gòu)件26b將前基板20的面上的放電室28限定成獨立的放電空間。
磷光體層19和磷光體層29分別形成在由后障肋16和前障肋26限定的放電室18和放電室28內(nèi)。即，磷光體層19和磷光體層29包括在放電室18內(nèi)形成在后基板10上的第一磷光體層19和在放電室28內(nèi)形成在前基板20上的第二磷光體層29，放電室28與放電室18相對。因此，在實質(zhì)上是一個放電室的放電室18和放電室28的兩面上產(chǎn)生可見光，提高了發(fā)光效率。
因為由后障肋16形成的放電室18和由前障肋26形成的放電室28實質(zhì)上結(jié)合成一個放電室，所以優(yōu)選地，形成在放電室28和放電室18內(nèi)的第一磷光體層19和第二磷光體層29由相同顏色的磷光體材料形成，以使通過由氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線的撞擊來產(chǎn)生相同顏色的可見光。
第一磷光體層19可形成在放電室18中的第一障肋構(gòu)件16a、第三障肋構(gòu)件16b的內(nèi)表面和放電室18中的后基板10的表面上，第二磷光體層29可形成在放電室28中的第二障肋構(gòu)件26a、第四障肋構(gòu)件26b的內(nèi)表面和放電室28中的前基板20的表面上。
另一方面，可通過在后基板10上形成介電層(未示出)、形成后障肋16并在介電層上涂覆磷光體材料來形成第一磷光體層19。可選擇地，可通過在后基板10上形成后障肋16并涂覆磷光體材料來形成第一磷光體層19，而沒有在后基板10上形成介電層。
相似地，可通過在前基板20上形成介電層、形成前障肋26并在介電層上涂覆磷光體材料來形成第二磷光體層29?？蛇x擇地，可通過在前基板20上形成前障肋26并涂覆磷光體材料來形成第二磷光體層29，而沒有在前基板20上形成介電層。
此外，可以將后基板10和前基板20蝕刻成與放電室18和放電室28的形狀相對應(yīng)，然后在其上涂覆磷光體材料來分別形成第一磷光體層19和第二磷光體層29。后障肋16和后基板10可由同種材料構(gòu)成，前障肋26和前基板20可由同種材料構(gòu)成。
在維持放電之后，在放電室18中，第一磷光體層19吸收真空紫外線以產(chǎn)生朝向前基板20的可見光，在放電室28中，第二磷光體層29吸收真空紫外線以產(chǎn)生朝向前基板20的可見光。另外，因為第二磷光體層29透射可見光，所以優(yōu)選地，形成在后基板10上的第一磷光體層19的厚度t1大于形成在前基板20上的第二磷光體層29的厚度t2(t1＞t2)。因此，使得真空紫外線的損失最小，從而提高了發(fā)光效率。
真空紫外線撞擊第一磷光體層19和第二磷光體層29。為了通過等離子體放電來產(chǎn)生真空紫外線以顯示圖像，在后基板10和前基板20之間設(shè)置有相應(yīng)于每個放電室18和放電室28的尋址電極12、第一電極31(“維持電極”)和第二電極32(“掃描電極”)。
尋址電極12相對于后基板10和前基板20的z軸方向，在后障肋16和前障肋26之間沿y軸方向延伸。即，尋址電極12沿平行于第一障肋構(gòu)件16a的方向(y軸方向)延伸。另外，尋址電極12以相應(yīng)于放電室18的間隔彼此平行地排列在x軸方向上。
尋址電極12被設(shè)置以沿在與尋址電極12交叉的方向(x軸方向)上彼此相鄰的放電室18和放電室28的邊界穿過。即，如圖2所示，因為尋址電極12與第一障肋構(gòu)件16a的中心相對應(yīng)，所以其寬度的一半對應(yīng)于在x軸方向上彼此相鄰的放電室18和放電室28。
另一方面，維持電極31和掃描電極32相對于后基板10和前基板20的z軸方向，形成在組成放電室18和放電室28的后障肋16和前障肋26之間。另外，維持電極31和掃描電極32沿與尋址電極12交叉的方向(x軸方向)平行地形成，同時與尋址電極12隔開。維持電極31排列在放電室18和放電室28的邊上，掃描電極32穿過放電室18和放電室28的中心，并平行地排列在維持電極31之間。
另外，如圖3所示，維持電極31位于形成在后基板10上的第三障肋構(gòu)件16b和形成在前基板20上的第四障肋構(gòu)件26b之間。此外，在垂直于前基板20和后基板10的方向(z軸方向)上，維持電極31的剖面和第三障肋構(gòu)件16b、第四障肋構(gòu)件26b的剖面具有中心對稱直線L。因此，在放電室18和放電室28中，在一個維持電極31和掃描電極32之間以及在另一個維持電極31和掃描電極32之間產(chǎn)生維持放電。
因此，優(yōu)選地，在放電室18和放電室28中，在一個維持電極31和掃描電極32之間以及在另一個維持電極31和掃描電極32之間能夠產(chǎn)生尋址放電。
為此，尋址電極12包括朝放電室18和放電室28的中心突出的突出部分12a。突出部分12a在維持電極31和掃描電極32之間突出。尋址電極12的突出部分12a將施加到尋址電極12的尋址脈沖施加到放電室18和放電室28，并與掃描電極32在放電室18和放電室28中以短間隙來形成放電間隙。因此，降低了尋址放電電壓。
如圖4所示，為了在放電室18和放電室28的兩邊都產(chǎn)生尋址放電，優(yōu)選地，在放電室18和放電室28中形成兩個尋址電極12的突出部分12a。即，在在放電室18和放電室28中，在一個維持電極31和掃描電極32之間以及在另一個維持電極31和掃描電極32之間分別設(shè)置突出部分12a。因此，在掃描電極32的兩邊都產(chǎn)生尋址放電。
即，維持電極31在第三障肋構(gòu)件16b和第四障肋構(gòu)件26b之間以平行于第三障肋構(gòu)件16b和第四障肋構(gòu)件26b的方向(x軸方向)延伸，掃描電極32在第一障肋構(gòu)件16a和第二障肋構(gòu)件26a之間以交叉于第一障肋構(gòu)件16a和第二障肋構(gòu)件26a的方向(x軸方向)延伸。具體地講，維持電極31成對地排列在放電室18和放電室28的兩邊上，掃描電極32穿過掃描電極放電室18和放電室28的中心。在本實施例中，由于維持電極31一個接一個地位于第三障肋構(gòu)件16b和第四障肋構(gòu)件26b之間，所以維持電極31可以是用于限定在尋址電極12的縱向(y軸方向)上彼此鄰近的放電室18和放電室28的參考。另外，維持電極31沿在尋址電極12的縱向上彼此鄰近的一對放電室18的邊界穿過，因而參與兩個放電室18的維持放電。
掃描電極32和尋址電極12一起參與尋址階段的尋址放電，以選擇將被選通的放電室18和放電室28。維持電極31和掃描電極32參與放電維持階段的維持放電，以顯示屏幕圖像。即，維持脈沖在放電維持階段被施加到維持電極31，維持脈沖在放電維持階段被施加到掃描電極32，掃描脈沖在尋址階段被施加到掃描電極32。然而，因為每個電極可根據(jù)所施加的信號電壓執(zhí)行其它的功能，所以本發(fā)明不限于這個配置。
維持電極31和掃描電極32設(shè)置在基板10和基板20之間，以將實質(zhì)上是一個放電室的放電室18和放電室28限定成兩部分。這種對向放電結(jié)構(gòu)可將維持放電的放電點火電壓進一步減小到一個值，這個值小于利用表面放電結(jié)構(gòu)所獲得的放電點火電壓。
另外，為了在維持電極31和掃描電極32的更寬的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生對向放電，維持電極31和掃描電極32分別包括在對應(yīng)于放電室18和放電室28的部分處在垂直于后基板10的方向(z軸方向)上擴展的擴展部分31b和32b。另外，維持電極31和掃描電極32包括在與在x軸方向上彼此鄰近的一對放電室的邊界對應(yīng)的部分處的窄部分31c和32c。擴展部分31b和32b具有垂直長度hv大于水平長度hh的剖面結(jié)構(gòu)。在擴展部分31b和32b形成的對向放電產(chǎn)生強真空紫外線，這些強真空紫外線撞擊以寬的區(qū)域形成在放電室18和放電室28中的磷光體層19和磷光體層29，并通過該撞擊產(chǎn)生大量可見光。
如圖4所示，維持電極31和掃描電極32在與尋址電極12交叉的方向上延伸。另外，維持電極31和掃描電極32包括擴展部分31b、32b和窄部分31c、32c，擴展部分31b、32b在垂直于后基板10和前基板20的方向上形成，窄部分31c、32c形成于與在與尋址電極12交叉的方向上彼此鄰近的一對放電室的邊界相對應(yīng)的地方。因此，維持電極31和掃描電極32被以直線平滑地穿過尋址電極12而形成，不干擾包括突出部分12a的尋址電極12。
另外，如圖3所示，尋址電極12的突出12a和后基板10之間的距離h1可等于維持電極31和后基板10之間的距離h2及掃描電極32和后基板10之間的距離h3。因此，在掃描電極32的兩邊，掃描電極32和尋址電極12的突出12a執(zhí)行對向放電。尋址電極12在垂直于基板的方向上的厚度t3可小于維持電極31的厚度t4和掃描電極32的厚度t5。因此，尋址電極12不妨礙維持放電，因而提高了發(fā)光效率。
維持電極31和掃描電極32在放電室18和放電室28中形成對向放電，因而減小了放電點火電壓。另外，因為在放電室18和放電室28的兩邊都產(chǎn)生了維持放電，所以提高了發(fā)光效率。
優(yōu)選地，維持電極31、掃描電極32和尋址電極12由具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬電極形成。
介電層34、35形成在維持電極31、掃描電極32和尋址電極12的外表面上。介電層34、35儲存壁電荷并形成電極的絕緣結(jié)構(gòu)。維持電極31、掃描電極32和尋址電極12可通過TFCS(厚膜陶瓷板)法制造。即，包括維持電極31、掃描電極32和尋址電極12的電極部分單獨制作，然后結(jié)合到后基板10上，在后基板10上形成有障肋16。
MgO保護膜36可形成在介電層34、35的表面上，介電層34、35覆蓋維持電極31、掃描電極32和尋址電極12。具體地講，MgO保護膜36可形成在暴露于等離子體放電的部分，等離子體放電在放電室18的放電空間中產(chǎn)生。在本實施例中，由于維持電極31、掃描電極32和尋址電極12形成在前基板20和后基板10之間，而不是形成在前基板20和后基板10上，所以涂覆在介電層34、35上的MgO保護膜36可由具有非可見光透射特性的MgO組成，介電層34、35覆蓋維持電極31、掃描電極32和尋址電極12。非可見光透射MgO的二次電子發(fā)射系數(shù)比可見光透射MgO的二次電子發(fā)射系數(shù)大得多，因而能進一步減小放電點火電壓。
另一方面，因為維持電極31與第三障肋構(gòu)件16b和第四障肋構(gòu)件26b對應(yīng)地設(shè)置在第三障肋構(gòu)件16b和第四障肋構(gòu)件26b之間，形成放電室18和放電室28的兩邊(y軸方向的兩邊)，掃描電極32穿過維持電極31之間的放電室18和放電室28，尋址電極12與第一障肋構(gòu)件16a和第二障肋構(gòu)件26a對應(yīng)地設(shè)置在第一障肋構(gòu)件16a和第二障肋構(gòu)件26a之間，形成放電室18和放電室28的另外兩邊(x軸方向的兩邊)，所以尋址電極12的突出部分12a鄰近于掃描電極32放置以在尋址階段選擇一個放電室18和放電室28。更具體地講，尋址電極12的突出部分12a鄰近于參與放電室18和放電室28的尋址放電的掃描電極32放置，并與維持電極31分開，從而通過施加到尋址電極12的尋址脈沖和施加到掃描電極32的掃描脈沖來選擇放電室18和放電室28。即，尋址電極12的突出部分12a可偏向掃描電極32形成。
即，尋址電極12的突出部分12a與掃描電極32之間的距離d1可小于尋址電極12的突出部分12a與維持電極31之間的距離d2(d1＜d2)(見圖2)。另外，因為尋址電極12被具有相同介電常數(shù)的介電層35包圍，所以形成了相同的紅(R)、綠(G)、藍(B)放電點火電壓和高的電壓容限。此外，因為維持電極31放置在放電室18和放電室28的兩邊上并且尋址放電在掃描電極32和尋址電極12之間產(chǎn)生，所以尋址電極12的突出部分12a與掃描電極32之間的距離d1可大于或等于尋址電極12的突出部分12a與維持電極31之間的距離d2(d1≥d2)。
另一方面，用于吸收外光以提高對比度的黑層37可形成在前基板20上，如圖5所示。黑層37形成在前基板20的表面上，然后被第二磷光體層29覆蓋，如圖3所示。可選擇地，在第二磷光體層29被形成在前基板20上之后，可在第二磷光體層29上形成黑層(未示出)。
優(yōu)選地，黑層37以與尋址電極12、維持電極31和掃描電極32的平面圖案相對應(yīng)的形狀鄰近于前基板20形成的。通過在可見光被上述電極阻擋的位置形成黑層37，可防止除了被電極阻擋的可見光之外的透過前基板20的可見光的其它阻擋。
另外，因為一對維持電極31排列在放電室18和放電室28的兩邊上，放電室18和放電室28排列在尋址電極12的縱向(y軸方向)上，掃描電極32放置在維持電極31之間，所以維持電極31、掃描電極32、維持電極31的排列被相對于放電室18和放電室28按次序地放置，放電室18和放電室28在尋址電極12的縱向上連續(xù)地排列。
此時，因為尋址電極12包括突出部分12a，所以維持電極31、掃描電極32、維持電極31的排列基本變?yōu)榫S持電極31、尋址電極12、掃描電極32、尋址電極12、維持電極31的排列。
另外，在維持電極31、掃描電極32、維持電極31的排列中，維持電極31可被公共地連接，或者偶數(shù)的維持電極31和奇數(shù)的維持電極31可被分別地公共連接。在后面的情況下，可提高分辨率。
下面，將描述本發(fā)明的各種實施例。因為下面描述的實施例的結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相似或相同，所以將省略相同的部分，只描述不同的部分。
圖6示出了本發(fā)明的第二實施例。在這個實施例中，后障肋216由第一障肋構(gòu)件組成，第一障肋構(gòu)件在平行于尋址電極12的方向上形成，前障肋226由第二障肋構(gòu)件組成，第二障肋構(gòu)件在平行于尋址電極12的方向上形成。因此，放電室18和放電室28被以條形形狀形成，該條形形狀在尋址電極12延伸的方向(y軸方向)上連續(xù)地連接。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖。圖8是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。圖9是沿線IX-IX截取的圖7中的等離子體顯示面板在裝配狀態(tài)下的局部剖視圖。圖10是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板中的電極結(jié)構(gòu)的局部透視圖。圖11是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板中的放電室和黑層之間的關(guān)系的局部平面圖。這些附圖分別對應(yīng)于第一實施例的圖1到圖5。
在第三實施例中，分別對維持電極331、掃描電極332設(shè)置了突出部分331a、332a。即，突出部分331a、332a朝放電室18和放電室28的中心突出。尋址電極12的突出部分12a和掃描電極332的突出部分332a形成更短的間隙，因而以低電壓產(chǎn)生尋址放電。另外，維持電極331的突出部分331a和掃描電極332的突出部分332a在維持放電的初始階段形成更短的間隙，因而以低電壓產(chǎn)生維持放電。另外，與維持放電的初始階段相比，可執(zhí)行長間隙放電，并且在放電室18和放電室28的兩邊產(chǎn)生維持放電。因此，提高了發(fā)光效率。
與第一實施例相似，黑層337的形狀可與尋址電極12、維持電極331和掃描電極332的平面圖案相對應(yīng)，優(yōu)選地，黑層337的形狀與維持電極331的突出部分331a和掃描電極332的突出部分332a的平面圖案相對應(yīng)。
圖12示出了第四實施例。除了第三實施例的結(jié)構(gòu)之外，還在后基板10和前基板20上還分別設(shè)置有第五障肋構(gòu)件16c和第六障肋構(gòu)件26c，掃描電極332置于第五障肋構(gòu)件16c和第六障肋構(gòu)件26c之間。即，掃描電極332平行地放置在第五障肋構(gòu)件16c和第六障肋構(gòu)件26c之間，后障肋16由第一障肋構(gòu)件16a、第三障肋構(gòu)件16b和第五障肋構(gòu)件16c組成，前障肋26由第二障肋構(gòu)件26a、第四障肋構(gòu)件26b和第六障肋構(gòu)件26c組成.因此，第一磷光體層419形成在第一障肋構(gòu)件16a、第三障肋構(gòu)件16b和第五障肋構(gòu)件16c的內(nèi)表面上，第二磷光體層429形成在第二障肋構(gòu)件26a、第四障肋構(gòu)件26b和第六障肋構(gòu)件26c的內(nèi)表面上，因而，磷光體層19、29的區(qū)域更寬，進一步提高了發(fā)光效率。另外，后基板10的放電室18被劃分成兩個放電空間18a、18b，前基板20的放電室28被劃分成兩個放電空間28a、28b。
圖13到圖16是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例到第八實施例的等離子體顯示面板中的電極和放電室的結(jié)構(gòu)的局部平面圖。
這些附圖表明，因為對維持電極和掃描電極設(shè)置了突出部分，所以尋址電極12的突出部分12a、維持電極31的突出部分31a和掃描電極32的突出部分32a可以各種形狀和尺寸形成。
在圖13的實施例中，維持電極531的突出部分531a和掃描電極532的突出部分532a以相同長度在一個方向(y軸方向)上突出，并且尋址電極512的突出部分512a在其間突出。突出部分512a、531a、532a位于y軸方向的同一直線上。
在圖14的實施例中，維持電極631的突出部分631a和掃描電極632的突出部分632a以相同長度在一個方向(y軸方向)上突出，并且尋址電極612的突出部分612a在其間突出。此時，尋址電極612的突出部分612a的形成方式為突出部分612a不在由突出部分631a、632a形成的y軸方向的直線上。
在圖15的實施例中，關(guān)于y軸方向的突出部分長度，一個放電室的一個維持電極731的突出部分731a長，在維持電極731的另一邊上的另一突出部分731a短。與長突出部分731a相對的掃描電極732的一個突出部分732a短，在掃描電極732的另一邊上的另一突出部分732a長。尋址電極712的突出部分712a的形成方式為突出部分712a不在由突出部分731a、732a形成的y軸方向的直線上。
在圖16的實施例中，關(guān)于y軸方向的突出部分長度，一個放電室的一個維持電極831的突出部分831a長，在維持電極831的另一邊上的另一突出部分831a短。與長突出部分831a相對的掃描電極832的一個突出部分832a短，在掃描電極832的另一突出部分832a長。尋址電極812的突出部分812a的形成方式為突出部分812a不在由突出部分831a、832a形成的y軸方向的直線上。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板，電極包括在后基板和前基本之間，維持電極放置在放電室的兩邊上，掃描電極放置在維持電極之間，具有對向放電結(jié)構(gòu)，磷光體層分別形成在后基板和前基板上。因此，可降低放電點火電壓，并且在放電室的兩側(cè)產(chǎn)生維持放電，從而提高了發(fā)光效率。
此外，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板，在對向放電結(jié)構(gòu)中，尋址電極的突出部分排列在兩邊，掃描電極置于突出部分之間，因而可引發(fā)由尋址電極的突出和掃描電極之間的短間隙而導(dǎo)致的尋址放電，并能進一步降低尋址放電電壓。
此外，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板，在對向放電結(jié)構(gòu)中包括掃描電極的突出部分和維持電極的突出部分，因而被放電維持階段初，通過短間隙將放電點火電壓降低，并且在產(chǎn)生放電之后維持放電可由長間隙引發(fā)。因此，提高了發(fā)光效率。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對本發(fā)明作出各種修改和變形。因而，本發(fā)明意圖覆蓋本發(fā)明的修改和變形，只要它們落入權(quán)利要求及其等同物的范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板和第二基板，以預(yù)定間隔彼此面對且分隔地設(shè)置，并設(shè)置有限定在形成于所述第一基板和所述第二基板之間的空間中的多個放電室；尋址電極；在所述第一基板和所述第二基板之間的空間中沿第一方向延伸；第一電極，在所述第一基板和所述第二基板之間的空間中沿第二方向排列在每個放電室的兩邊上并且與所述尋址電極絕緣，所述第二方向與所述第一方向交叉；第二電極，穿過每個放電室，并排列在所述第一電極之間且基本平行于所述第一電極，其中，所述第一電極和所述第二電極具有擴展部分和窄部分，所述擴展部分在與每個放電室對應(yīng)的部分處沿基本垂直于第一基板表面的方向延伸，所述窄部分位于與在所述第二方向上彼此鄰近的一對放電室的邊界相對應(yīng)的部分，其中，所述尋址電極具有在所述第一電極和所述第二電極之間朝每個放電室的內(nèi)部突出的突出部分。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述尋址電極沿著在所述第二方向上彼此鄰近的一對放電室的邊界穿過。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述第一電極沿著在所述第一方向上彼此鄰近的一對放電室的邊界穿過。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個所述第一電極和所述第二電極包括朝每個放電室的中心突出的突出部分。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極由金屬形成。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，在所述放電室中，所述尋址電極的突出部分和所述第二電極之間的距離小于所述尋址電極的突出部分和所述第一電極之間的距離。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的突出部分和第一基板表面之間的距離近似等于所述第一電極或所述第二電極和所述第一基板表面之間的距離。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度小于所述第一電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度小于所述第二電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一電極、所述第二電極和所述尋址電極的外表面上的介電層。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述介電層的外表面上的保護膜。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括形成在每個放電室中的磷光體層，所述磷光體層包括第一磷光體層，形成在所述放電室的所述第一基板上；第二磷光體層，形成在所述放電室的所述第二基板上，并且所述第二磷光體層的磷光體材料的顏色和所述第一磷光體層的磷光體材料的顏色相同。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一磷光體層比所述第二磷光體層厚。
14.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括黑層，具有與所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極的平面圖案相對應(yīng)的形狀，其中，所述黑層鄰近于所述第二基板。
15.一種等離子體顯示面板，包括第一基板和第二基板，以預(yù)定間隔彼此面對且分隔地設(shè)置，并設(shè)置有限定在形成于所述第一基板和所述第二基板之間的空間中的多個放電室；第一障肋層，用于限定在所述第一基板上的多個第一放電空間，所述第一障肋層包括在第一方向上延伸的多個第一障肋構(gòu)件、在第二方向上與所述第一障肋構(gòu)件交叉的多個第三障肋構(gòu)件和形成于所述第三障肋構(gòu)件之間的多個第五障肋構(gòu)件，所述第三障肋構(gòu)件在所述第二方向上彼此鄰近并基本平行；第二障肋層，用于限定在所述第二基板上的多個第二放電空間，所述第二放電空間與所述第一放電空間相面對，所述第二障肋層包括在所述第一方向上延伸的多個第二障肋構(gòu)件、在第二方向上與所述第二障肋構(gòu)件交叉的多個第四障肋構(gòu)件和形成于所述第四障肋構(gòu)件之間的多個第六障肋構(gòu)件，所述第四障肋構(gòu)件在所述第二方向上彼此鄰近并基本平行，其中，每個所述放電室由一對相對的第一放電空間和第二放電空間以及由所述第一、第二、第三和第四障肋構(gòu)件限定；尋址電極，形成在所述第一障肋層上并沿在所述第一障肋層上的所述第一障肋構(gòu)件延伸；第一電極，形成在所述第一障肋層上并沿在所述第一障肋層上的所述第三障肋構(gòu)件延伸，并且與所述尋址電極絕緣；第二電極，形成在所述第一障肋層上并沿在所述第一障肋層上的所述第五障肋構(gòu)件延伸，其中，所述第一電極和所述第二電極被穿過所述放電室彼此相對地排列，每個所述第一電極和所述第二電極包括朝每個放電室的所述中心突出的突出部分，其中，每個所述第一電極和所述第二電極具有擴展部分和窄部分，所述擴展部分在與每個放電室對應(yīng)的部分處沿基本垂直于第一基板表面的方向延伸，所述窄部分位于與在所述第二方向上彼此鄰近的一對放電室的邊界相對應(yīng)的部分，其中，所述尋址電極具有在所述第一電極和所述第二電極之間朝每個放電室的內(nèi)部突出的突出部分。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極由金屬形成。
17.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，在所述放電室中，所述尋址電極的突出部分和所述第二電極之間的距離小于所述尋址電極的突出部分和所述第一電極之間的距離。
18.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的突出部分和第一基板表面之間的距離近似等于所述第一電極或所述第二電極和所述第一基板表面之間的距離。
19.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度小于所述第一電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度。
20.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度小于所述第二電極在基本垂直于所述第一基板的方向上的厚度。
21.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，由所述第二障肋層形成的每個所述第二放電空間的面積大于由所述第一障肋層形成的每個所述第一放電空間的面積。
22.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一電極、所述第二電極和所述尋址電極的外表面上的介電層。
23.如權(quán)利要求22所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述介電層的外表面上的保護膜。
24.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，還包括形成在每個放電室中的磷光體層，所述磷光體層包括第一磷光體層，形成在所述放電室的所述第一基板上；第二磷光體層，形成在所述放電室的所述第二基板上，并且所述第二磷光體層的磷光體材料的顏色和所述第一磷光體層的磷光體材料的顏色相同。
25.如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一磷光體層比所述第二磷光體層厚。
26.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，還包括黑層，具有與所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極的平面圖案相對應(yīng)的形狀，其中，所述黑層鄰近于所述第二基板。
27.一種等離子體顯示面板，包括第一基板和第二基板，以預(yù)定間隔彼此面對且分隔地設(shè)置，并設(shè)置有限定在形成于所述第一基板和所述第二基板之間的空間中的多個放電室；尋址電極；在所述第一基板和所述第二基板之間的空間中沿第一方向延伸；第一電極，形成在所述第一基板上，在所述第一基板和所述第二基板之間的空間中沿第二方向排列在每個放電室的兩邊上并且與所述尋址電極絕緣，所述第二方向與所述第一方向交叉；第二電極，穿過每個放電室，并排列在所述第一電極之間且基本平行于所述第一電極，其中，所述第一電極和所述第二電極穿過所述放電室彼此相對地排列，其中，每個所述第一電極和所述第二電極具有擴展部分和窄部分，所述擴展部分在與每個放電室對應(yīng)的部分處沿基本垂直于第一基板表面的方向延伸，所述窄部分位于與在所述第二方向上彼此鄰近的一對放電室的邊界相對應(yīng)的部分，其中，所述尋址電極具有在所述第一電極和所述第二電極之間朝每個放電室的內(nèi)部突出的突出部分，其中，在放電維持階段被施加維持脈沖的第一電極對之一放置在所述放電室的一邊上，所述第一電極對中的另一個放置在所述放電室的另一相對的邊上，在放電維持階段被施加維持脈沖和在尋址階段被施加掃描脈沖的所述第二電極放置在所述第一電極之間，在所述第一方向上的排列順序包括所述第一電極對中的一個、所述第二電極和所述第一電極對中的另一個。
28.如權(quán)利要求27所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的所述突出部分在形成于所述第一電極對中的一個和所述第二電極之間的空間及形成于所述第二電極和所述第一電極對中的另一個之間的空間中，其中，在所述第一方向上的排列順序包括所述第一電極對中的一個、一個或多個所述尋址電極的突出部分、所述第二電極、另外的一個或多個所述尋址電極的突出部分和所述第一電極對中的另一個。
29.如權(quán)利要求27所述的等離子體顯示面板，其中，重復(fù)在所述第一方向上排列的順序，所述順序包括所述第一電極對中的一個、所述第二電極和所述第一電極對中的另一個，其中所述第一電極對中的第一電極被公共地連接，或者其中所述第一電極對中的偶數(shù)第一電極被公共地連接，所述第一電極對中的奇數(shù)第一電極被公共地連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有對向放電結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板，能夠提高發(fā)光效率同時降低放電點火電壓。該PDP可包括以預(yù)定的間隔與相對的第二基板分開的第一基板。多個放電室可被限定在具有這個間隔的基板之間。具有朝每個放電室內(nèi)部突出的突出部分的尋址電極可在第一基板上沿第一方向延伸。第一電極可沿第二方向排列在放電室的兩邊上，并與第一基板和第二基板之間的尋址電極分開，第二方向與第一方向交叉。排列在第一電極之間并基本平行于第一電極的第二電極可穿過每個放電室。第一電極和第二電極可從第一基板在朝第二基板的方向上凸出。
文檔編號H01J11/22GK1776876SQ20051012331
公開日2006年5月24日 申請日期2005年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月17日
發(fā)明者許民, 崔勛永, 崔榮鍍, 水田尊久 申請人:三星Sdi株式會社