專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明設(shè)計(jì)等離子體顯示板(PDP)，尤其是涉及具有改進(jìn)的放電穩(wěn)定性的PDP。
背景技術(shù)：
近來，等離子體顯示設(shè)備越來越受到歡迎。這些等離子體顯示設(shè)備具有高圖像品質(zhì)和寬視角等優(yōu)良特性。另外，等離子體顯示設(shè)備薄且輕，能夠簡(jiǎn)單地制造出大尺寸屏幕。因此，等離子體顯示設(shè)備被認(rèn)為是下一代大尺寸平板顯示設(shè)備。
根據(jù)施加的放電電壓特性，等離子體顯示板(PDP)可分為直流(DC)PDP、交流(AC)PDP和混合PDP。根據(jù)放電電極的結(jié)構(gòu)，PDP還可以分為對(duì)向放電PDP和表面放電PDP。普遍使用的是具有三電極表面放電結(jié)構(gòu)的AC PDP。
圖1所示為具有三電極表面放電結(jié)構(gòu)的AC PDP100。
參見圖1，PDP100包括上板110和下板120。
上板110可包括前基板111、形成在前基板111下表面上的公共電極112、與公共電極112一起形成發(fā)電間隙的掃描電極113、覆蓋公共電極112和掃描電極113的第一介電層114和覆蓋第一介電層114的保護(hù)層115。
下板120可包括后基板121、沿著與公共電極112和掃描電極113交叉的方向延伸而形成在后基板121上的尋址電極122、覆蓋尋址電極122的第二介電層123、形成在第二介電層123的上表面上構(gòu)成放電室125的分隔壁128、形成在放電室125內(nèi)側(cè)的熒光層126和填充在放電室125內(nèi)的放電氣體(未示出)。
在圖1的傳統(tǒng)三電極表面放電PDP100中，掃描電極113、公共電極112、第一介電層114和保護(hù)層115吸收了大約40％的要不然也會(huì)從放電室發(fā)出的可見光，因此，降低了發(fā)光效率。
在2003Digest of the International Meeting on Information Display andExhibition(IMID’03DIGEST)中的第401到406頁，公開了由日本的NoritakeCo.，Ltd開發(fā)的一種技術(shù)，用來克服上述問題。在放電室中彼此對(duì)向地設(shè)置一對(duì)放電電極，以增加前基板的開口率，并通過對(duì)向放電增加放電面積和放電效率。
然而，由于放電電極相互距離較遠(yuǎn)，所以，需要更高的放電電壓，使放電穩(wěn)定性變差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種放電穩(wěn)定性得到改善的PDP。
本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中提出，一部分通過描述可變得清楚，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐學(xué)習(xí)到。
本發(fā)明公開了一種PDP，包括前基板、與前基板對(duì)向的后基板和位于前、后基板之間的多個(gè)放電室。第一、二放電電極在放電室中相互對(duì)向，介電層覆蓋第一、二放電電極。尋址電極沿著與第一、二放電電極交叉的方向延伸，沿與第一、二放電電極交叉的方向延伸的輔助放電電極與尋址電極是隔開的。
應(yīng)該理解，上面的一般性描述和下面的具體描述都是示例性和解釋性的，是為了對(duì)要求保護(hù)的發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的解釋。


所包括的附圖是為了進(jìn)一步理解本發(fā)明，它們被包含于此構(gòu)成說明書的一部分。這些附圖表示出本發(fā)明的實(shí)施方式，并和描述部分一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是表示傳統(tǒng)PDP的分解透視圖。
圖2是表示本發(fā)明示例性實(shí)施方式的PDP的切開的透視圖。
圖3是沿著圖2的III-III截取的剖視圖。
圖4表示的是圖2電極和放電室的布局。
圖5是沿著圖3的方向A看到的俯視圖，表示圖2、3的PDP的分隔壁和電極。
圖6是表示可以施加到圖2的PDP電極的放電波形示意圖。
圖7、圖8和圖9是表示通過施加圖6中部分“I”的波形得到的放電特性的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖2、3、4、5、6、7、8、9詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明示例性參照?qǐng)D2、3、4、5，PDP200可包括前基板201、與前基板201對(duì)向設(shè)置的后基板202、彼此對(duì)向并面朝放電室220里面的第一、二放電電極X、Y。尋址電極203可沿著與第一、二放電電極X、Y交叉的方向形成，第一、二介電層208a、208b分別覆蓋第一、二放電電極X、Y。輔助放電電極207a、207b、207c和207d可沿著與第一、二放電電極X、Y交叉的方向延伸。在放電室220中可設(shè)置熒光層210，在放電室220中可填充放電氣體(未示出)。
在本實(shí)施方式中，由于放電室220中發(fā)出的可見光線經(jīng)前基板201傳播，所以，前基板201可由例如玻璃等具有優(yōu)良透光性的材料制造。與圖1的傳統(tǒng)PDP不同，前基板201不含有電極。因此，可顯著地提高可見光線向前側(cè)的透射率。所以，當(dāng)在象傳統(tǒng)PDP中一樣按照相同亮度等級(jí)顯示圖像時(shí)，能夠在更低的電壓下驅(qū)動(dòng)放電電極，由此改善了發(fā)光效率。
在前基板201和后基板202之間形成有多個(gè)放電室220。等離子體放電在放電室220中發(fā)生。每一個(gè)放電室220可以是紅色、綠色或者藍(lán)色的子象素。在前基板201和后基板202之間可設(shè)置分隔壁205，來分隔放電室220，并防止可能發(fā)生在相鄰放電室220之間的串?dāng)_等誤放電。
圖2中示出的用來分隔放電室220的分隔壁205是矩陣形狀，但是，本發(fā)明并不限于此。相反地，分隔壁205可以按照各種閉合和開口的形狀來構(gòu)成放電室220，例如包括西餅(waffle)、矩陣、三角形等閉合形狀，帶狀等開口形狀。
第一、二介電層208a、208b形成在放電室220中，跨過放電室220延伸并對(duì)向設(shè)置。沿著介電層215a和215b，第一、二介電層208a、208b可對(duì)稱地形成在每一個(gè)放電室220中，與介電層215a和215b一起構(gòu)成了電場(chǎng)集中部分225。另外，如圖2和圖3所示，第一、二介電層208a、208b與分隔壁205具有基本相同的高度。
由第一、二介電層208a、208b和介電層215a、215b構(gòu)成的電場(chǎng)集中部分225，是由第一、二放電電極X、Y和輔助放電電極207a、207b、207c、207d產(chǎn)生的等離子體放電集中的空間。
如圖4所示，跨過放電室220延伸的第一、二放電電極X、Y可分別設(shè)置在第一、二介電層208a、208b的里面。第一、二放電電極X、Y平行于前基板201延伸。另外，第一、二放電電極X、Y彼此對(duì)向地設(shè)置在放電室220中，可以由例如鋁、銅等導(dǎo)電金屬制成。這里，第一放電電極X用作公共電極，第二放電電極Y用作掃描電極。
第一、二介電層208a、208b防止帶電粒子直接撞擊并損壞第一、二放電電極X、Y。第一、二介電層208a、208b可由例如PbO、B2O3、SiO2等介電物質(zhì)制成，能夠通過感應(yīng)放電粒子而存儲(chǔ)壁電荷。
在本實(shí)施方式中，所示的第一、二介電層208a、208b向著放電室220的里面與分隔壁205隔開。但是，本發(fā)明并不限于這種結(jié)構(gòu)。例如，第一、二放電電極X、Y可設(shè)置在分隔壁205的側(cè)表面上。在這種情形下，第一、二介電層208a、208b可形成在分隔壁205的側(cè)表面上，可覆蓋第一、二放電電極X、Y。作為另一種方式，可以省略分隔壁205，按照預(yù)定形狀形成第一、二介電層208a、208b，分隔放電室220并防止相鄰放電室220之間的串?dāng)_。
PDP200可包含輔助放電電極。例如，輔助放電電極207a、207b、207c、207d可連接第一、二介電層208a、208b。參見圖4和圖5，輔助放電電極207a、207b、207c、207d橫越放電室220，沿著與第一、二放電電極X、Y交叉的方向延伸，并沿著垂直于前基板201的方向與第一、二放電電極X、Y隔開。為了在放電室220中產(chǎn)生均勻的放電，輔助放電電極207a、207b、207c、207d相對(duì)于各放電室220的假想中心軸線C-C對(duì)稱設(shè)置。
這里，每一個(gè)放電室220中都可設(shè)置四個(gè)輔助放電電極207a、207b、207c、207d。在這種情形下，輔助放電電極207a和207b可設(shè)置在第一、二放電電極X、Y和前基板201之間，而輔助電極207c和207d可設(shè)置在第一、二放電電極X、Y和后基板202之間。另外，輔助放電電極207a、207b、207c、207d可設(shè)置在位于放電室220邊緣的分隔壁205附近。因此，增大了電場(chǎng)集中部分225的體積。輔助電極的數(shù)目和布局并不限于上述的數(shù)目和布局。例如，輔助電極可以只包括電極207a和207b，或者只包括電極207c和207d。
介電層215a和215b可覆蓋輔助放電電極207a、207b、207c、207d，防止帶電粒子損壞輔助電極。介電層215a、215b可由例如PbO、B2O3、SiO2等介電物質(zhì)制成。
第一、二介電層208a、208b面對(duì)著放電室220里面的側(cè)表面可以局部地覆蓋有保護(hù)層209，例如MgO保護(hù)層等。具體地說，在第一、二介電層208a、208b與埋有第一、二放電電極X、Y的部分相鄰的側(cè)表面上，形成保護(hù)層209。保護(hù)層209能夠防止帶電粒子撞擊并損壞第一、二介電層208a、208b，并且能夠在放電期間發(fā)射二次電子。
后基板202平行于前基板201設(shè)置，它可以由包括玻璃作為主要成分的材料制成。
另外，在后基板202面對(duì)著前基板201的表面上，設(shè)置有沿著與第一、二放電電極X、Y交叉的方向延伸的尋址電極203。尋址電極203產(chǎn)生尋址放電，這種尋址放電有利于第一、二放電電極X、Y之間隨后發(fā)生的維持放電。具體地說，尋址電極203有助于降低維持放電點(diǎn)火電壓。尋址放電發(fā)生在掃描電極Y和尋址電極203之間。尋址放電將正離子累積到掃描電極Y側(cè)，將電子累積到公共電極X側(cè)，由此，能夠在掃描電極Y和公共電極X之間易于發(fā)生維持放電。
介電層204覆蓋尋址電極203，可由例如PbO、B2O3、SiO2等介電物質(zhì)制成，能夠防止帶電粒子或電子撞擊并損壞尋址電極203，還能夠感應(yīng)壁電荷。
熒光層210可設(shè)置在各種位置。在本發(fā)明中，如圖3所示，熒光層210涂覆在第一、二介電層208a、208b面對(duì)著放電室里面的下側(cè)表面上和介電層204面對(duì)著前基板201的表面上。
熒光層210接收紫外線然后發(fā)出可見光線。按紅色子象素形成的熒光層210可包括例如Y(V，P)O4:Eu等熒光物質(zhì)，按綠色子象素形成的熒光層210可包括例如Zn2SiO4:Mn、YBO3:Tb等熒光物質(zhì)，按藍(lán)色子象素形成的熒光層210可包括例如BAM:Eu等熒光物質(zhì)。
在放電室220中填充有放電氣體，例如Ne、Xe等或者它們的混合物。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，由于放電面積增大，放電空間擴(kuò)大，所以，產(chǎn)生的等離子體數(shù)量增加了，這樣就可以進(jìn)行低壓驅(qū)動(dòng)。
PDP200可利用至少一個(gè)尋址周期和一個(gè)維持放電周期來顯示圖像。
在尋址周期中，向?qū)ぶ冯姌O203和第二放電電極Y間施加尋址電壓，能在這些電極間發(fā)生尋址放電，由此而選擇要進(jìn)行維持放電的相應(yīng)放電室220。
在維持放電周期，在所選放電室220的第一放電電極X和第二放電電極Y之間交替地施加維持放電電壓，能夠在第一放電電極X和第二放電電極Y之間發(fā)生維持放電。
圖6的圖表示的是，可施加到圖2中PDP200的電極上的放電波形。圖7、8、9的圖表示的是，通過施加圖6中部分“I”的波形而得到的放電特性。參見圖6，SX、SY、SAUX分別表示在維持放電期間可施加到X、Y和輔助電極上的波形。維持放電脈沖Vs可交替地施加到第一、二放電電極X、Y，同時(shí)以Vs/2的電壓對(duì)輔助放電電極進(jìn)行偏置。
在圖6的部分“I”中，維持電壓Vs施加到第一放電電極X，地電壓VG施加到第二放電電極Y。于是，具有相對(duì)高些的電壓的第一放電電極X成為正電極，而具有相對(duì)低些的電壓的第二放電電極Y成為負(fù)電極。在放電室220中產(chǎn)生了電場(chǎng)。
此時(shí)，如圖7所示，在輔助放電電極207a、207b、207c、207d和第一放電電極X附近、在輔助放電電極207a、207b、207c、207d和第二放電電極Y附近，首先發(fā)生放電。然后，如圖8所示，放電沿著輔助放電電極207a、207b、207c、207d擴(kuò)展。接著如圖9所示，放電擴(kuò)展在第一放電電極X和第二放電電極Y之間。這時(shí)，由于在放電室220中產(chǎn)生了充足的帶電粒子，增加了放電面積，所以，放電電壓下降了，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行放電。
被激發(fā)的放電氣體隨著能級(jí)下降，發(fā)射出紫外線。紫外線激發(fā)涂覆在放電室220里面的熒光層210。熒光層210隨著能級(jí)下降二發(fā)射可見光線，于是，顯示出圖像。
在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的PDP中，由于維持放電開始于第一、二放電電極和輔助放電電極之間，然后擴(kuò)展到第一、二放電電極之間，所以，放電電壓下降，放電穩(wěn)定性提高。另外，由于PDP具有基本上對(duì)向的放電結(jié)構(gòu)，所以提高了放電效率，增加了放電面積。而且，由于電極不設(shè)置在前基板上，所以，增加了開口率，改進(jìn)了發(fā)光效率。
本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍的情況下，能夠?qū)Ρ景l(fā)明作出各種改變和變型。因此，只要本發(fā)明的這些變型和改變落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明希望覆蓋本發(fā)明的這些變型和改變。
本申請(qǐng)要求2004年5月13日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2004-0033806的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益。該文獻(xiàn)通過各種目的的引用而被包含于此，就像被完整地在此提出一樣。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括前基板；后基板，與所述前基板對(duì)向；多個(gè)放電室，位于所述前基板和所述后基板之間；第一放電電極和第二放電電極，在所述放電室中彼此對(duì)向；第一介電層和第二介電層，分別覆蓋所述第一放電電極和所述第二放電電極；尋址電極，沿著與所述第一放電電極和所述第二放電電極交叉的第一方向延伸；輔助放電電極，與所述尋址電極隔開，并沿著與所述第一放電電極和所述第二放電電極交叉的第二方向延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助放電電極相對(duì)于所述放電室的假想中心軸線對(duì)稱地設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助放電電極包括位于所述放電室中的第一輔助放電電極和第二輔助放電電極。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助放電電極設(shè)置在所述第一放電電極、所述第二放電電極和所述前基板之間。
5.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助放電電極設(shè)置在所述第一放電電極、所述第二放電電極和所述后基板之間。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助放電電極包括位于所述放電室中的第一輔助放電電極、第二輔助放電電極、第三輔助放電電極和第四輔助放電電極。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示板，其中，所述第一輔助放電電極和所述第二輔助放電電極設(shè)置在所述第一放電電極、所述第二放電電極和所述前基板之間，其中，所述第三輔助放電電極和所述第四輔助放電電極設(shè)置在所述第一放電電極、所述第二放電電極和所述后基板之間。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助放電電極設(shè)置在所述放電室的邊緣附近。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述第一方向基本上垂直于所述第一放電電極和所述第二放電電極。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述輔助放電電極向著所述后基板與所述第一放電電極和所述第二放電電極隔開。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括形成在所述輔助放電電極上的介電層。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括覆蓋所述尋址電極的介電層。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述尋址電極設(shè)置在所述后基板面對(duì)著所述前基板的表面上。
14.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括第一保護(hù)層，覆蓋所述第一介電層的覆蓋所述第一放電電極的部分；第二保護(hù)層，覆蓋所述第二介電層的覆蓋所述第二放電電極的部分。
15.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括分隔所述放電室的分隔壁。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，其中，所述第一介電層和所述第二介電層與所述分隔壁具有基本相同的高度。
17.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，還包括覆蓋一部分所述第一介電層和所述第二介電層的熒光層。
18.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，在維持放電周期中，向所述輔助放電電極施加的電壓不變。
19.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，在維持放電周期中，施加到所述輔助放電電極的電壓，其幅值為施加到所述第一放電電極和所述第二放電電極的維持電壓的一半。
20.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中，所述第一方向和所述第二方向是同一方向。
全文摘要
一種等離子體顯示板，包括前基板；后基板，與所述前基板對(duì)向；多個(gè)放電室，位于所述前基板和所述后基板之間；第一放電電極和第二放電電極，在所述放電室中彼此對(duì)向；介電層，覆蓋所述第一放電電極和所述第二放電電極；尋址電極，沿著與所述第一放電電極和所述第二放電電極交叉的方向延伸；輔助放電電極，與所述尋址電極隔開，并沿著與所述第一放電電極和所述第二放電電極交叉的方向延伸。
文檔編號(hào)H01J17/04GK1697114SQ20051006999
公開日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2005年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月13日
發(fā)明者權(quán)宰翊 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社