專利名稱：等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置的制作方法
專利說(shuō)明等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置 [發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域]本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(以下也稱“PDP”)用基板、PDP及等離子體顯示裝置。圖23表示在特開(kāi)平9-102280號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的說(shuō)明備有放電非活性膜的PDP51P用的斜視圖。圖23中的PDP51P是所謂的面放電型的AC型PDP。PDP51P大致分為正面基板51FP、背面基板51R、配置在兩基板51FP、51R之間的阻擋肋7、以及熒光體8。
正面基板51FP包括正面玻璃基板5；多個(gè)維持放電電極X、Y；電介質(zhì)層3；陰極膜11；以及放電非活性膜21P。詳細(xì)地說(shuō)，在正面玻璃基板5的主面上沿第一方向D1交替地排列著多個(gè)維持放電電極X、Y，而且維持放電電極X、Y沿著與第一方向D1交叉的(這里為正交的)第二方向D2延伸。交替排列的多個(gè)維持放電電極X、Y相鄰的兩個(gè)互相成對(duì)，成對(duì)的兩個(gè)維持放電電極(以下也稱“維持放電電極對(duì)”)X、Y經(jīng)放電間隙部DG而配置。另外，將相鄰的維持電極對(duì)X、Y之間的部分稱為“相鄰維持放電電極對(duì)間隙部(或“電極對(duì)間隙部”)NG”。
成對(duì)的維持放電電極X、Y規(guī)定沿第二方向D2延伸的顯示行L，在圖23中在成對(duì)的維持放電電極X、Y之間或在放電間隙部DG中用單點(diǎn)點(diǎn)劃線原理性地示出了顯示行L。這時(shí)，沿第二方向D2延伸的各放電間隙部DG對(duì)應(yīng)于各顯示行L。
維持放電電極X、Y由透明電極1及總線電極2構(gòu)成。具體地說(shuō)，透明電極1沿第二方向D2延伸。成對(duì)的維持放電電極X、Y的透明電極1經(jīng)上述放電間隙部DG而配置。在各透明電極1上總線電極2沿第二方向D2延伸，該總線電極2配置在距離放電間隙部DG遠(yuǎn)的一側(cè)?？偩€電極2以金屬為主成分，具有向透明電極1供給電壓的作用。另外，在維持放電電極X、Y中，將透明電極1中總線電極2不承載的部分稱為“透明部”，將透明電極1中總線電極2承載的部分即透明部以外的部分稱為“金屬電極部”。
覆蓋著維持放電電極X、Y，在上述玻璃基板5的主面上依次形成電介質(zhì)層3及陰極膜11。另外，通過(guò)蒸鍍MgO形成陰極膜11。
另外，在PDP51P中，在陰極膜11上形成放電非活性膜21P。具體地說(shuō)，放電非活性膜21P由多個(gè)帶狀圖形構(gòu)成，在總體上呈帶狀。在(正面基板51FP或正面玻璃基板5的主面的)平面視圖中，放電非活性膜21P的各帶狀圖形配置在相鄰的顯示行L之間配置的兩個(gè)總線電極2(分別屬于相鄰的但不同的維持放電電極對(duì)X、Y)上及該兩個(gè)總線電極2之間。換句話說(shuō)，在上述平面視圖中，放電非活性膜21P的各帶狀圖形配置在相鄰的不成對(duì)的維持放電電極X、Y的兩個(gè)金屬電極部上及該兩個(gè)金屬電極部之間的電極對(duì)間隙部NG上。
這樣，由于在陰極膜11上形成放電非活性膜21P，所以在電介質(zhì)層3的上方配置著陰極膜11的露出表面11S及放電非活性膜21P的露出表面21SP。這時(shí)，起因于放電非活性膜21P的上述的圖形，陰極膜11的露出表面11S設(shè)置在對(duì)應(yīng)于顯示行L的區(qū)域中。
另一方面，背面基板51R包括背面玻璃基板9、多個(gè)地址電極6(或W)、面釉層10。詳細(xì)地說(shuō)，在背面玻璃基板9的主面上沿第二方向排列多個(gè)地址電極6(或W)，沿第一方向D1、從而沿與維持放電電極X、Y(立體)交叉的方向延伸。覆蓋著地址電極6，在背面玻璃基板9的主面上形成面釉層10。
另外，阻擋肋7配置在面釉層10上。具體地說(shuō)，阻擋肋7由多個(gè)帶狀圖形構(gòu)成，總體上呈帶狀。阻擋肋7的各帶狀圖形在(背面基板51R或背面玻璃基板9的主面的)平面視圖中，沿第一方向D1配置在相鄰的地址電極6之間。而且，熒光體8配置在阻擋肋7和面釉層10構(gòu)成的多個(gè)U形槽的內(nèi)表面上。另外，發(fā)紅、綠或藍(lán)色的熒光色8R、8G或8B配置在上述每個(gè)U形槽中。
正面基板51FP和背面基板51R與阻擋肋7的頂部和放電非活性膜21P接觸，沿著與第一及第二方向D1、D2兩者交叉的(這里為正交的)第三方向D3重疊，在周邊被密封起來(lái)。這時(shí)，在PDP51P內(nèi)主要形成用阻擋肋7劃分的、更具體地說(shuō)用熒光體8、陰極膜11和放電非活性膜21P包圍的多個(gè)放電空間51S。而且，在放電空間51S內(nèi)充滿了Ne+Xe等混合氣體。另外，放電空間51S面對(duì)地址電極6，沿第一方向D1延伸。
在PDP51P中，維持電極對(duì)X、Y和地址電極6(或W)的各(立體)交叉點(diǎn)或放電空間51S與顯示行L的各交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)于一個(gè)放電單元(以下簡(jiǎn)稱“單元”)。就是說(shuō)，在各顯示行L上排列著多個(gè)放電單元，總體上用排列成矩陣狀的多個(gè)放電單元構(gòu)成PDP51P的顯示區(qū)。
其次，放電非活性膜21P作為主要成分含有其功函數(shù)比構(gòu)成陰極膜11的MgO大的材料，換句話說(shuō)，與陰極膜11相比難以釋放二次電子的材料，例如Al2O3或TiO2等。因此，即使在放電非活性膜21P的下方存在維持放電電極X、Y，在放電非活性膜21P上也難以引起放電。另一方面，在放電間隙部DG上方及維持放電電極X、Y的透明部上方，由二次電子釋放特性比放電非活性膜21P好的MgO構(gòu)成的陰極膜11的露出表面11S在放電空間51S中露出。因此，如圖23所示，能將在成對(duì)的維持放電電極X、Y之間發(fā)生的面放電50限定在放電非活性膜21P不存在的區(qū)域中。因此，能獲得下述的效果(1)、(2)及(3)。
(1)通過(guò)增大放電非活性膜21P的露出表面21SP的面積，能縮小維持放電電極對(duì)X、Y之間的面放電50的形成區(qū)域或大小，所以能抑制放電電流。因此，能減少驅(qū)動(dòng)維持放電電極X、Y的外部電路的負(fù)荷，因此能降低電路成本。
(2)在沒(méi)有放電非活性膜21P的情況下，維持放電電極對(duì)X、Y之間的面放電50也擴(kuò)大到總線電極2的上方。這時(shí)，熒光體8利用面放電50發(fā)生時(shí)的紫外線而發(fā)出的可見(jiàn)光的一部分被總線電極2遮擋，不能作為顯示光被利用。與此不同，在PDP51P中由于能將面放電50偏向到?jīng)]有總線電極2的上述透明部上方，所以能減少來(lái)自熒光體8的可見(jiàn)光被遮擋的比例。因此，提高了發(fā)光效率。
(3)能用放電非活性膜21P(的帶狀圖形)更可靠地分離相鄰的顯示行L上的面放電50。因此，即使電極對(duì)間隙部NG狹窄，也能抑制相鄰的顯示行L之間的誤放電。因此，有利于顯示行L的高密度化即顯示的高密度化。
另外，以主要覆蓋著相當(dāng)于相鄰的顯示行之間的部分的方式而配置的放電非活性膜，除了在上述特開(kāi)平9-102280號(hào)公報(bào)中被公開(kāi)了以外，還在以下一些公報(bào)中公開(kāi)了特開(kāi)平10-255664號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平10-333636號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-100337號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-156166號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2001-147660號(hào)公報(bào)、以及特開(kāi)2001-176400號(hào)公報(bào)。
其次，放電非活性膜21P例如采用上述特開(kāi)平9-102280號(hào)公報(bào)或上述特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的所謂的蒸鍍分離法形成圖形。在由這樣的蒸鍍分離法得到的構(gòu)圖中，用照相制版法在陰極膜11的表面上形成抗蝕劑(有放電非活性膜21P的翻轉(zhuǎn)圖形形狀)，覆蓋著該抗蝕劑，蒸鍍放電非活性材料，最后將上述抗蝕劑分離。蒸鍍分離法是以照相制版法為基礎(chǔ)的圖形形成方法，所以關(guān)于放電非活性膜11的尺寸形狀的精度和關(guān)于放電非活性膜21P相對(duì)于維持放電電極X、Y的圖形形成位置的精度均佳。因此，具有在定量方面也能穩(wěn)定地獲得上述的效果(1)、(2)及(3)這樣的特長(zhǎng)?？墒?，由于由照相制版、蒸鍍及分離這樣的成本高的工藝構(gòu)成，所以蒸鍍分離法本身就存在成本高的問(wèn)題。
另外，作為放電非活性膜以外的圖形形成方法，有采用絲網(wǎng)印刷法等在陰極膜上直接形成含有Al2O3等放電非活性材料的厚膜膏的圖形、再進(jìn)行焙燒的方法。
例如特開(kāi)2000-156166號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了采用上述的絲網(wǎng)印刷及焙燒法，在含有Al2O3等的特定材料的電介質(zhì)玻璃上形成不覆蓋維持放電電極的上方的部分、而覆蓋與該部分相鄰的維持放電電極對(duì)間隙部上方的MgO表面的二次電子釋放系數(shù)低的保護(hù)膜即放電非活性膜的方法。
其次，參照?qǐng)D24及圖25說(shuō)明PDP51P的驅(qū)動(dòng)方法。另外，作為陰極膜11上備有放電非活性膜21P的面放電AC型PDP的驅(qū)動(dòng)方法，有特開(kāi)平10-333636號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)、以及特開(kāi)2001-147660號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的方法。
圖24是表示顯示256級(jí)灰度的彩色圖像時(shí)畫(huà)面的場(chǎng)分割之一例的示意圖。在該例中，一個(gè)畫(huà)面(主幀)由8個(gè)子場(chǎng)SF(第一子場(chǎng)SF1～第八子場(chǎng)SF8)構(gòu)成，各子場(chǎng)SF由復(fù)位期間REP、寫(xiě)入期間AD、放電維持期間SU構(gòu)成。各子場(chǎng)SF的放電維持期間SU帶有等級(jí)(加權(quán))，具體地說(shuō)，設(shè)N為自然數(shù)，第(N+1)子場(chǎng)的放電維持期間SU的長(zhǎng)度被設(shè)定為第N子場(chǎng)的放電維持期間SU的長(zhǎng)度的二倍左右。
在各子場(chǎng)的寫(xiě)入期間AD中，在通過(guò)在地址電極6上施加脈沖狀的電壓而選擇的單元內(nèi)，在放電維持期間SU內(nèi)發(fā)生所施加的維持脈沖數(shù)的維持放電。由于維持脈沖數(shù)與放電維持期間SU的長(zhǎng)度大致成比例，所以在寫(xiě)入期間AD內(nèi)選擇的單元的發(fā)光強(qiáng)度隨著子場(chǎng)SF進(jìn)1而大致倍增。這時(shí)，利用子場(chǎng)SF1～SF8的發(fā)光/非發(fā)光(換句話說(shuō)，子場(chǎng)SF1～SF8的選擇/非選擇)的組合，能控制28＝256級(jí)的發(fā)光強(qiáng)度。即，在一個(gè)主幀中能顯示256級(jí)灰度。
圖2 5是說(shuō)明PDP51P的現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)方法用的時(shí)序圖(一個(gè)子場(chǎng)SF部分)。在該驅(qū)動(dòng)方法中，復(fù)位期間REP由第一、第二及第三期間RE1、RE2P、RE3構(gòu)成。在第一期間RE1中，通過(guò)將具有寫(xiě)入電位Vw的脈沖P1加在全部地址電極W上，能將第一觸發(fā)脈沖供給全部放電單元。接著在第二期間RE2P中，通過(guò)將具有電位Vw的脈沖P2加在全部地址電極W上，同時(shí)將具有電位Vxh的脈沖P3加在全部維持放電電極X上，能將第二觸發(fā)脈沖供給全部放電單元。利用這樣的第一及第二觸發(fā)脈沖，在全部放電單元的維持放電電極對(duì)X、Y之間發(fā)生使后繼的工作穩(wěn)定用的觸發(fā)放電。此后，在第三期間RE3中，通過(guò)將消除脈沖加在維持放電電極X、Y上，在全部放電單元內(nèi)使壁電荷初始化。在圖25中示出了作為消除脈沖將窄幅消除脈沖P4加在維持放電電極X上的情況。另外，圖25中的電位Vxm、Vym是中間電位，電位Vyb是掃描基線電位。
接著，在寫(xiě)入期間AD中，通過(guò)依次切換n個(gè)(n是自然數(shù))維持放電電極Y(Y1～Yn)，依次選擇(掃描)顯示行L，與該依次選擇(即掃描)同步地將表示對(duì)應(yīng)的單元的選擇/非選擇之區(qū)別的圖像信號(hào)加在各地址電極W上。因此，在被選擇的單元內(nèi)，在維持放電電極對(duì)X、Y之間發(fā)生寫(xiě)入放電，蓄積壁電荷。
其次，在放電維持期間SU內(nèi)，將規(guī)定次數(shù)的呈交流的維持脈沖加在維持放電電極X、Y之間。因此，在先行的寫(xiě)入期間AD中選擇的單元內(nèi)，借助于維持脈沖和上述壁電荷的相乘作用，發(fā)生規(guī)定次數(shù)的維持放電。另一方面，在寫(xiě)入期間AD中未被選擇的單元不具有使維持放電開(kāi)始所必要的上述壁電荷，所以不發(fā)生維持放電。這樣，能獲得所希望的圖像。
另外，關(guān)于PDP的技術(shù)，例如在專利文獻(xiàn)1～21及非專利文獻(xiàn)1～5中進(jìn)行了介紹。另外，專利文獻(xiàn)3與專利文獻(xiàn)2對(duì)應(yīng)，專利文獻(xiàn)5與專利文獻(xiàn)4對(duì)應(yīng)，專利文獻(xiàn)15與專利文獻(xiàn)14對(duì)應(yīng)。特開(kāi)平9-102280號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]特開(kāi)平10-255664號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]美國(guó)專利第6,137,226號(hào)說(shuō)明書(shū)[專利文獻(xiàn)4]特開(kāi)平10-333636號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)5]美國(guó)專利第6,031,329號(hào)說(shuō)明書(shū)[專利文獻(xiàn)6]特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)7]特開(kāi)2001-147660號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)8]特開(kāi)2002-56775號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)9]特開(kāi)平10-149774號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)10]特開(kāi)2001-160361號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)11]特開(kāi)2000-100337號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)12]特開(kāi)2000-156166號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)13]特開(kāi)2001-176400號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)14]特開(kāi)2000-113828號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)15]歐洲專利申請(qǐng)公開(kāi)第993017號(hào)說(shuō)明書(shū)[專利文獻(xiàn)16]特開(kāi)平9-237580號(hào)公報(bào)特開(kāi)2000-195431號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)18]特開(kāi)2000-311612號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)19]特開(kāi)平10-233171號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)20]特開(kāi)2001-183999號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)21]特開(kāi)2001-15034號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)22]特開(kāi)平11-149873號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)23]特開(kāi)2002-83545號(hào)公報(bào)[非專利文獻(xiàn)1]Kimio Amemiya，Toshihiro Komaki，Takashi Nishio，High Luminous Efficiency and High Definition Coplanar AC-PDP with”T”-shaped Electrodes，”P(pán)roceedings of the 5th International Display Workshops(IDW’98)”，pp.531-534[非專利文獻(xiàn)2]Y.Hashimoto，Y.Seo，O.Toyoda，K.Betsui，T.Kosaka，and F.Namiki，High-Luminance and Highly Luminous-Efficient AC-PDP with DelTA Cell Structure，”Society for Information Display 2001(SID 01)DIGEST”，pp.1328-1331[非專利文獻(xiàn)3]Y.Tanaka，H.Honma，H.Hasegawa，N.Aibara，T.Nakamura，A new progressive driving scheme for a PDP with”CASTLE”structure，”P(pán)roceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshops(Asia Display/IDW’01)”，pp.869-872H.Hirakawa，T.Shiizaki，H.Nakahara，Y.Kawanami，M.Tajima，An Advanced Progressive Driving Method for PDP with Horizontal Barrier Ribs andCommon Electrodes，”P(pán)roceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International D isplay Workshops(Asia Display/IDW’01)”，pp.1757-1758[非專利文獻(xiàn)5]T.Komaki，H.Taniguchi，K.Amemiya，High Luminance AC-PDPs with Waffle-structured Barrier Ribs，”P(pán)roceedings of the 6th International Display Workshops(IDW’99)”，pp.587-590[非專利文獻(xiàn)6]Jae-Young Lee，Min-Nung Hur，Yun-Gi Kim，Jae-Hwa Ryu，Jung-Soo Cho，Chung-Hoo Park，A Study on the New Shaped Align-Free Sustain ElectrodesShowing High Luminous Efficiency in AC PDPs，”P(pán)roceedings of The 7th International Display Workshops(IDW’00)”，pp.623-626[發(fā)明要解決的課題]如上所述，例如在特開(kāi)2000-156166號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了采用絲網(wǎng)印刷及焙燒法，在含有Al2O3等的特定材料的電介質(zhì)玻璃上形成放電非活性膜的方法。可是，本申請(qǐng)的發(fā)明人采用絲網(wǎng)印刷法形成了數(shù)微米厚的由以TiO2或Al2O3為主成分的電介質(zhì)玻璃構(gòu)成的上述放電非活性膜作為PDP51P的放電非活性膜21P時(shí)，維持放電電極對(duì)X、Y之間的維持放電所必要的最小的維持脈沖電壓(通常為150V左右)比通常高100V左右，由此判明了這難以進(jìn)行實(shí)用上的驅(qū)動(dòng)。而且，不覆蓋維持放電電極X、Y的上方，離開(kāi)維持放電電極對(duì)X、Y之間的面放電的形成區(qū)域一定的距離，用同樣的方法只在相鄰維持放電電極對(duì)間隙部?jī)?nèi)的一部分上形成了放電非活性膜的情況下，結(jié)果也相同。
另外，根據(jù)本申請(qǐng)的發(fā)明人的調(diào)查結(jié)果，如果將圖25中的驅(qū)動(dòng)方法應(yīng)用于備有采用上述的蒸鍍分離法形成的放電非活性膜21P的PDP51P，則發(fā)現(xiàn)了雖然在寫(xiě)入期間AD內(nèi)進(jìn)行了選擇，但在放電維持期間SU內(nèi)出現(xiàn)不發(fā)生維持放電這樣的不良現(xiàn)象。
本發(fā)明就是鑒于這樣的問(wèn)題而完成的，目的在于提供一種能抑制維持放電所必要的最小維持脈沖電壓的大幅度增大的PDP用基板及PDP。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能消除采用絲網(wǎng)印刷法形成放電非活性膜時(shí)產(chǎn)生的各種問(wèn)題的PDP用基板及PDP。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能減少驅(qū)動(dòng)裝置的峰值負(fù)荷的PDP用基板及PDP。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能提高發(fā)光效率的PDP用基板及PDP。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能改善顯示的色平衡的PDP。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種能抑制在PDP用基板上發(fā)生的面放電到達(dá)放電非活性膜的露出表面上的等離子體顯示裝置。本發(fā)明第一方面中記載的等離子體顯示面板用基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜兩者的上述露出表面在平面視圖中相接，上述放電非活性膜由實(shí)際上不包含無(wú)機(jī)粘合劑的粉體的集合體構(gòu)成。
本發(fā)明第二方面中記載的等離子體顯示面板用基板是第一方面中記載的等離子體顯示面板用基板，上述粉體包括Al2O3、TiO2、SiO2各粉體中的至少一種。
本發(fā)明第三方面中記載的等離子體顯示面板用基板是第一方面或第二方面中記載的等離子體顯示面板用基板，上述粉體的平均粒徑大約為1微米以下。
本發(fā)明第四方面中記載的等離子體顯示面板用基板是第一方面至第三方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板用基板，上述放電非活性膜具有的厚度大約為上述粉體的平均粒徑以上。
本發(fā)明第五方面中記載的等離子體顯示面板用基板是第一方面至第四方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板用基板，上述放電非活性膜具有大約10微米以下的厚度。
本發(fā)明第六方面中記載的等離子體顯示面板用基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜兩者的上述露出表面在平面視圖中相接，上述放電非活性膜采用膏狀材料的印刷·焙燒法形成，在平面視圖中在距離上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部大約50微米以上的位置包含有圖形邊緣的部分。
本發(fā)明第七方面中記載的等離子體顯示面板用基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜兩者的上述露出表面在平面視圖中相接，上述放電非活性膜在平面視圖中在與上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部的距離比與上述母線部的距離長(zhǎng)的位置包含有圖形邊緣的部分。
本發(fā)明第八方面中記載的等離子體顯示面板用基板是第六方面或第七方面中記載的等離子體顯示面板用基板，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部包括透明電極，上述母線部包括總線電極。
本發(fā)明第九方面中記載的等離子體顯示面板用基板是第八方面中記載的等離子體顯示面板用基板，上述總線電極有面對(duì)上述基板的外向表面、以及通過(guò)上述外向表面而面對(duì)上述基板的內(nèi)向表面，上述外向表面的可見(jiàn)光吸收率比上述內(nèi)向表面的高，上述內(nèi)向表面的可見(jiàn)光反射率比上述外向表面的高。
本發(fā)明第十方面中記載的等離子體顯示面板用基板是第六方面至第九方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板用基板，上述至少一個(gè)交聯(lián)部包括在上述多個(gè)交聯(lián)部中沿上述第二方向相鄰的兩個(gè)以上的交聯(lián)部，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部共同連接在上述兩個(gè)以上的交聯(lián)部上。
本發(fā)明第十一方面中記載的等離子體顯示面板用基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜兩者的上述露出表面在平面視圖中相接，上述放電非活性膜在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中、以及在平面視圖中沿上述第一方向?qū)⑸鲜龆鄠€(gè)第一電極中的各個(gè)電極斷開(kāi)的區(qū)域中有露出表面。
本發(fā)明第十二方面中記載的等離子體顯示面板備有第一方面至第十一方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板用基板作為第一基板，還備有面對(duì)上述第一基板配置的第二基板、以及配置在上述第一與第二基板之間的阻擋肋。
本發(fā)明第十三方面中記載的等離子體顯示面板備有第六方面或第七方面中記載的等離子體顯示面板用基板作為第一基板，還備有面對(duì)上述第一基板配置的第二基板、以及配置在上述第一與第二基板之間的阻擋肋，上述多個(gè)交聯(lián)部面對(duì)上述阻擋肋。
本發(fā)明第十四方面中記載的等離子體顯示面板備有第一方面中記載的等離子體顯示面板用基板作為第一基板，還備有面對(duì)上述第一基板配置的第二基板、以及配置在上述第一與第二基板之間的阻擋肋，上述阻擋肋包括沿恒定方向延伸的圖形，關(guān)于上述阻擋肋的上述圖形，將作為上述第一及第二基板的重疊方向的尺寸的高度表記為h，關(guān)于上述重疊方向，將對(duì)作為垂直于上述重疊方向及上述一定方向這兩個(gè)方向的尺寸的圖形寬度取平均而獲得的平均圖形寬度表記為w時(shí)，滿足h/w≥2。
本發(fā)明第十五方面中記載的等離子體顯示面板是第十四方面中記載的等離子體顯示面板，上述阻擋肋是帶狀的阻擋肋。
本發(fā)明第十六方面中記載的等離子體顯示面板是備有互相面對(duì)配置的第一及第二基板、以及配置在上述第一與第二基板之間的阻擋肋的等離子體顯示面板，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的多個(gè)放電間隙相鄰部，在平面視圖中上述多個(gè)放電間隙相鄰部中沿上述第二方向排列的放電間隙相鄰部之間的區(qū)域不面對(duì)上述阻擋肋。
本發(fā)明第十七方面中記載的等離子體顯示面板是備有互相面對(duì)配置的第一及第二基板的等離子體顯示面板，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜兩者的上述露出表面在平面視圖中相接，上述等離子體顯示面板還有在上述多個(gè)顯示行上排列的多個(gè)放電單元，在上述多個(gè)放電單元內(nèi)在上述第一基板上形成的各面放電的大小與上述多個(gè)放電單元各自的發(fā)光色有關(guān)，上述放電非活性膜及上述陰極膜的上述露出表面構(gòu)成圖形。
本發(fā)明第十八方面中記載的等離子體顯示裝置是備有互相面對(duì)配置的第一及第二基板的等離子體顯示面板、以及備有驅(qū)動(dòng)上述等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)裝置的等離子體顯示裝置，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜兩者的上述露出表面在平面視圖中相接，上述驅(qū)動(dòng)裝置在復(fù)位期間將規(guī)定電位差供給上述多個(gè)第一電極的相鄰的電極之間，上述等離子體顯示裝置有在上述復(fù)位期間通過(guò)供給上述規(guī)定電位差，抑制在上述第一基板上發(fā)生的面放電到達(dá)上述放電非活性膜的上述露出表面上的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明第十九方面中記載的等離子體顯示裝置是第十八方面中記載的等離子體顯示裝置，抑制上述復(fù)位期間的上述面放電到達(dá)上述放電非活性膜的上述露出表面上的上述結(jié)構(gòu)包括上述驅(qū)動(dòng)裝置使上述規(guī)定電位差逐漸增大的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明第二十方面中記載的等離子體顯示裝置是第十八方面或第十九方面中記載的等離子體顯示裝置，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，抑制上述復(fù)位期間的上述面放電到達(dá)上述放電非活性膜的上述露出表面上的上述結(jié)構(gòu)在平面視圖中包括上述放電非活性膜的上述露出表面配置成不覆蓋上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明第二十一方面中記載的等離子體顯示面板是備有互相面對(duì)配置的第一及第二基板、以及配置在上述第一與第二基板之間的阻擋肋的等離子體顯示面板，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的多個(gè)放電間隙相鄰部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述放電間隙相鄰部的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的、在對(duì)應(yīng)于上述母線部的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜兩者的上述露出表面在平面視圖中相接，上述阻擋肋在平面視圖中至少包括沿上述第一方向延伸的多個(gè)第一成分，在平面視圖中，至少一個(gè)放電間隙相鄰部具有這樣的形狀，即該放電間隙相鄰部相接的上述放電間隙部沿上述第一方向的尺寸在由上述阻擋肋相鄰的第一成分規(guī)定的區(qū)域中在距離該阻擋肋的第一成分近的部位比上述第二方向的中心部寬。
本發(fā)明第二十二方面中記載的等離子體顯示面板是備有互相面對(duì)配置的第一及第二基板、以及配置在上述第一與第二基板之間的阻擋肋的等離子體顯示面板，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的多個(gè)放電間隙相鄰部，上述多個(gè)放電間隙相鄰部包括透明電極而形成，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述放電間隙相鄰部的區(qū)域中有露出表面的陰極膜，上述阻擋肋在平面視圖中至少包括沿上述第一方向延伸的多個(gè)第一成分；以及沿上述第二方向延伸、面對(duì)上述母線部的多個(gè)第二成分，在平面視圖中，至少一個(gè)放電間隙相鄰部具有這樣的形狀，即該放電間隙相鄰部相接的上述放電間隙部沿上述第一方向的尺寸在由上述阻擋肋相鄰的第一成分規(guī)定的區(qū)域中在距離該阻擋肋的第一成分近的部位比上述第二方向的中心部寬。
本發(fā)明第二十三方面中記載的等離子體顯示面板備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間的、至少包括沿上述第一方向延伸的多個(gè)第一成分的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述母線部的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述交聯(lián)部沿上述第二方向的尺寸大約為覆蓋該交聯(lián)部的電介質(zhì)層和陰極膜的被覆厚度的二倍以下。
本發(fā)明第二十四方面中記載的等離子體顯示面板備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的陰極膜，上述阻擋肋在平面視圖中至少包括沿上述第一方向延伸的多個(gè)第一成分；以及沿上述第二方向延伸、面對(duì)上述母線部的多個(gè)第二成分，上述交聯(lián)部沿上述第二方向的尺寸大約為覆蓋該交聯(lián)部的電介質(zhì)層和陰極膜的被覆厚度的二倍以下。
本發(fā)明第二十五方面中記載的等離子體顯示面板是第十三、第二十一、第二十二、第二十三和第二十四方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部或上述多個(gè)放電間隙相鄰部形成跨越沿上述第二方向相鄰的多個(gè)上述交聯(lián)部而連續(xù)的圖形。
本發(fā)明第二十六方面中記載的等離子體顯示面板備有第六方面至第十方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板用基板作為第一基板，還備有面對(duì)上述第一基板配置的第二基板，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部形成跨越沿上述第二方向相鄰的多個(gè)上述交聯(lián)部而連續(xù)的圖形。
本發(fā)明第二十七方面中記載的等離子體顯示面板備有第一方面至第五方面中的任意一個(gè)方面或第十一方面記載的等離子體顯示面板用基板作為第一基板，還備有面對(duì)上述第一基板配置的第二基板，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部形成跨越沿上述第二方向相鄰的多個(gè)上述交聯(lián)部而連續(xù)的圖形。
本發(fā)明第二十八方面中記載的等離子體顯示面板是第十四、第十五和第十七方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部形成跨越沿上述第二方向相鄰的多個(gè)上述交聯(lián)部而連續(xù)的圖形。
本發(fā)明第二十九方面中記載的等離子體顯示面板是第十三、第二十一、第二十二、第二十三和第二十四方面中的任意一個(gè)方面記載的等離子體顯示面板，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部或上述多個(gè)放電間隙相鄰部形成跨越沿上述第二方向相鄰的多個(gè)上述交聯(lián)部而連續(xù)的圖形，上述放電非活性膜在對(duì)應(yīng)于上述母線部的區(qū)域中有上述露出表面，在上述陰極膜上形成大約10微米以下的厚度。
本發(fā)明第三十方面中記載的等離子體顯示面板是第二十二方面或第二十四方面中記載的等離子體顯示面板，上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部或上述多個(gè)放電間隙相鄰部形成跨越沿上述第二方向相鄰的多個(gè)上述交聯(lián)部而連續(xù)的圖形，上述等離子體顯示面板還備有在對(duì)應(yīng)于上述母線部的區(qū)域中有上述露出表面，在上述陰極膜上形成大約10微米以下的厚度的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜。
本發(fā)明第三十一方面中記載的等離子體顯示面板是第二十六方面至第二十八方面中記載的等離子體顯示面板，上述放電非活性膜在對(duì)應(yīng)于上述母線部的區(qū)域中有上述露出表面，在上述陰極膜上形成大約10微米以下的厚度。
本發(fā)明第三十二方面中記載的等離子體顯示裝置備有第十二方面至第十七方面中的任意一個(gè)方面或第二十一方面至第三十一方面中的任意一個(gè)方面中記載的等離子體顯示面板、以及驅(qū)動(dòng)上述等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)裝置，上述第二基板包括沿著與上述多個(gè)第一電極交叉的方向延伸的多個(gè)第二電極，在由上述驅(qū)動(dòng)部進(jìn)行的尋址工作中，在平面視圖中在距離該第一電極的上述放電間隙部近的部位進(jìn)行上述第一電極與上述第二電極之間的相向放電。

圖1是說(shuō)明實(shí)施例1的等離子體顯示裝置用的框圖。
圖2是說(shuō)明實(shí)施例1的第一正面基板用的剖面圖。
圖3是說(shuō)明實(shí)施例1的第二正面基板用的平面圖。
圖4是說(shuō)明實(shí)施例2的第一正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖5是說(shuō)明實(shí)施例2的第一正面基板用的剖面圖。
圖6是說(shuō)明實(shí)施例2的第二正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖7是說(shuō)明備有實(shí)施例2的第二正面基板的另一PDP用的平面圖。
圖8是說(shuō)明備有實(shí)施例2的第一正面基板的另一PDP用的平面圖。
圖9是說(shuō)明實(shí)施例2的第三正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖10是說(shuō)明實(shí)施例2的第四正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖11是說(shuō)明備有實(shí)施例2的第四正面基板的另一PDP用的平面圖。
圖12是說(shuō)明備有實(shí)施例2的第三正面基板的另一PDP用的平面圖。
圖13是說(shuō)明實(shí)施例3的正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖14是說(shuō)明實(shí)施例4的正面基板用的平面圖。
圖15是說(shuō)明實(shí)施例5的PDP的驅(qū)動(dòng)方法用的時(shí)序圖。
圖16是說(shuō)明實(shí)施例1～5中的共同的變例的第一正面基板用的剖面圖。
圖17是說(shuō)明實(shí)施例1～5中的共同的變例的第二正面基板用的剖面圖。
圖18是說(shuō)明實(shí)施例6的第一正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖19是說(shuō)明實(shí)施例6的第二正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖20是說(shuō)明實(shí)施例6的第三正面基板及備有該正面基板的PDP用的平面圖。
圖21是說(shuō)明實(shí)施例7的阻擋肋用的平面圖。
圖22是說(shuō)明實(shí)施例7的第二阻擋肋用的平面圖。
圖23是說(shuō)明備有放電非活性膜的PDP用的斜視圖。
圖24是說(shuō)明顯示畫(huà)面的子場(chǎng)分割用的圖。
圖25是說(shuō)明現(xiàn)有的PDP的驅(qū)動(dòng)方法用的時(shí)序圖。<實(shí)施例1>
本申請(qǐng)的發(fā)明人采用絲網(wǎng)印刷法形成了數(shù)微米厚的由以TiO2或Al2O3為主成分的電介質(zhì)玻璃構(gòu)成的上述放電非活性膜作為PDP51P的放電非活性膜21P時(shí)，維持放電電極對(duì)X、Y之間的維持放電所必要的最小的維持脈沖電壓比通常高，這判明了難以進(jìn)行實(shí)用上的驅(qū)動(dòng)。
這是在采用蒸鍍分離法使TiO2或Al2O3形成圖形的放電非活性膜21中完全未發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象，雖然詳細(xì)的機(jī)理不明，但可以認(rèn)為起因于采用絲網(wǎng)印刷法形成了數(shù)微米厚的由以TiO2或Al2O3為主成分的電介質(zhì)玻璃構(gòu)成的上述放電非活性膜。
因此，在實(shí)施例1中，提供一種能解決這樣的問(wèn)題的PDP及備有它的等離子體顯示裝置。
如圖1中的框圖所示，實(shí)施例1的等離子體顯示裝置101備有PDP51、以及將規(guī)定的電位供給該P(yáng)DP51的電極X(X1～Xn)、Y(Y1～Yn)、W(W1～Wn)，驅(qū)動(dòng)PDP51的驅(qū)動(dòng)裝置91。另外，在等離子體顯示裝置101中，PDP51的全部維持放電電極X1～Xn共同連接后被連接在驅(qū)動(dòng)裝置91上。
實(shí)施例1的PDP51有在圖23所示的PDP51P中將正面基板51FP變成圖2的剖面圖所示的實(shí)施例1的正面基板(或PDP用基板或第一基板)51F的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例1的正面基板51F對(duì)放電非活性膜21P進(jìn)行改變而備有實(shí)施例1的放電非活性膜21，除此以外，具有與圖23中的正面基板51FP基本相同的結(jié)構(gòu)。就是說(shuō)，正面基板51F和有多個(gè)地址電極(或第二電極)6(或W)的背面基板(或第二基板)51R通過(guò)阻擋肋7及熒光體8，沿著與第一及第二方向D1、D2雙方交叉的(這里為正交的)第三方向D3重疊，在周邊封接。另外，使維持放電電極X、Y和地址電極6呈(立體)交叉地配置正面基板51F和背面基板51R。
正面基板51F備有正面玻璃基板(或基板)5；多個(gè)維持放電電極(或多個(gè)第一電極)X、Y；電介質(zhì)層3；陰極膜11；以及放電非活性膜21。
詳細(xì)地說(shuō)，維持放電電極X、Y在正面玻璃基板5上，規(guī)定沿第一方向D1排列、同時(shí)沿著與第一方向D1交叉(這里為正交的)第二方向D2延伸的多個(gè)顯示行L。更具體地說(shuō)，通過(guò)放電間隙部DG相鄰、成對(duì)的兩個(gè)維持放電電極X、Y規(guī)定沿第二方向D2延伸的一個(gè)顯示行L。另外，與圖23相同，在圖2中在成對(duì)的維持放電電極X、Y之間或放電間隙部DG中，用單點(diǎn)點(diǎn)劃線模擬地表示顯示行L。這時(shí)，沿第二方向D2延伸的各放電間隙部DG對(duì)應(yīng)于各顯示行L。另外，在相鄰的顯示行L之間，互相不成對(duì)的兩個(gè)維持放電電極X、Y經(jīng)相鄰維持放電電極對(duì)間隙部(或電極對(duì)間隙部)NG而配置。就是說(shuō)，在正面基板5 2F上在維持放電電極X、Y之間設(shè)有放電間隙部DG或相鄰維持放電電極間隙部NG兩者中的任意的間隙部。
與圖23中的正面基板51FP相同，維持放電電極X、Y由透明電極1及總線電極2構(gòu)成，總線電極2配置在距離放電間隙部DG遠(yuǎn)的位置。而且，用相鄰的透明電極1之間的區(qū)域規(guī)定上述的放電間隙部DG及電極對(duì)間隙部NG。
在PDP51中，維持電極對(duì)X、Y和地址電極6(或W)的各(立體)交叉點(diǎn)或放電空間51S與顯示行L的各交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)于一個(gè)放電單元(以下簡(jiǎn)稱“單元”)(參照?qǐng)D1)。就是說(shuō)，在各顯示行L上排列著多個(gè)放電單元C(反過(guò)來(lái)說(shuō)，沿第二方向D2排列的多個(gè)單元C構(gòu)成顯示行L)，總體上用排列成矩陣狀的多個(gè)放電單元C構(gòu)成PDP51的顯示區(qū)。
而且，覆蓋著維持電極對(duì)X、Y，在正面玻璃基板5的整個(gè)面上形成電介質(zhì)層3，通過(guò)電介質(zhì)層3面對(duì)正面玻璃基板5，與該電介質(zhì)層3的整個(gè)面相接，配置陰極膜11。另外，通過(guò)陰極膜11及電介質(zhì)層3面對(duì)正面玻璃基板5，與陰極膜11相接，配置放電非活性膜21。放電非活性膜21的二次電子釋放特性比陰極膜11低。
正面基板51F的放電非活性膜21具有與圖23中的放電非活性膜21P同樣的圖形。即，放電非活性膜21由多個(gè)帶狀圖形構(gòu)成，在總體上呈帶狀。在正面基板51F或正面玻璃基板5的平面視圖中，放電非活性膜21的各帶狀圖形配置在對(duì)應(yīng)于多個(gè)顯示行L之間的區(qū)域中，更具體地說(shuō)配置在相鄰的顯示行L之間不成對(duì)的兩個(gè)維持放電電極X、Y之間的電極對(duì)間隙部NG上及該兩個(gè)維持放電電極X、Y中連接著電極對(duì)間隙部NG的一部分(這里為配置了總線電極2的金屬電極部的全體)上。
由于在陰極膜11上形成具有這樣的圖形的放電非活性膜21，所以在正面基板51F的平面視圖中，陰極膜11對(duì)應(yīng)于多個(gè)顯示行L的區(qū)域、更具體地說(shuō)在放電間隙部DG上及維持放電電極對(duì)X、Y中連接著放電間隙部DG的一部分(這里為未配置總線電極2的全體透明部分)上露出。
這時(shí)，在平面視圖中陰極膜11及放電非活性膜21的兩個(gè)露出表面11S、21S相接，正面基板51F的背面基板51R側(cè)的露出表面(的至少是顯示區(qū)域)被兩個(gè)露出表面11S、21S占據(jù)。
另外，放電非活性膜21(的露出表面21S)在正面基板51F的平面視圖中，設(shè)置在對(duì)應(yīng)于多個(gè)顯示行L之間的區(qū)域中即可，例如只設(shè)置在電極對(duì)間隙部NG上也沒(méi)有關(guān)系，另外，設(shè)置在電極間隙部NG上及維持放電電極X、Y中配置了總線電極2的金屬電極部的一部分上也沒(méi)有關(guān)系。
特別是放電非活性膜21由玻璃成分即實(shí)際上不包含無(wú)機(jī)粘合劑的粉體的集合體構(gòu)成。這里，與在上述的特開(kāi)2000-156166號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的用電介質(zhì)玻璃形成的放電非活性膜有很大區(qū)別。
詳細(xì)地說(shuō)，在PDP51及正面基板51F上，用絲網(wǎng)印刷法按照上述的圖形將實(shí)際上不包含無(wú)機(jī)粘合劑的厚膜膏印刷在陰極膜11上，通過(guò)對(duì)該膏進(jìn)行焙燒，形成放電非活性膜21。
一般的厚膜膏由(i)焙燒后作為膜材料留存的無(wú)機(jī)成分和(ii)在焙燒過(guò)程中燃燒后作為膜材料未保留的有機(jī)成分構(gòu)成。而且，作為主成分包含放電非活性膜21用的厚膜膏中包含的上述無(wú)機(jī)成分Al2O3、TiO2、SiO2等放電非活性材料的至少一種粉體，另一方面，PbO、ZnO、B2O3等玻璃成分的含有量為零或即使含有，但焙燒后作為粘合劑的粘合力實(shí)際上在不能揮發(fā)的程度以下。其結(jié)果，焙燒后的放電非活性膜21實(shí)際上由上述Al2O3等放電非活性材料的粉體的集合體構(gòu)成，處于沒(méi)有任何該粉體間的牢固地結(jié)合或與基底的陰極膜11的牢固地緊密粘合的狀態(tài)。比方說(shuō)，放電非活性膜21恰好呈與熒光體8同樣的狀態(tài)。即，包含熒光體8的一般的PDP的熒光體由不包含無(wú)機(jī)粘合劑的厚膜膏的焙燒體構(gòu)成，由熒光材料的粉體的集合體構(gòu)成，放電非活性膜21處于同樣的狀態(tài)。
另外，上述放電非活性膜21的焙燒溫度最好低到這樣的程度，即一般由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層3不至抵抗不住來(lái)自陰極膜11的應(yīng)力而引起顯著的變形的程度。換句話說(shuō)，最好將溫度設(shè)定為電介質(zhì)層3不至柔軟到使得陰極膜11產(chǎn)生顯著的龜裂以至損壞了外觀的程度。因此，在比由低熔點(diǎn)玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層3的軟化點(diǎn)大約低50℃以上的溫度下對(duì)放電非活性膜21進(jìn)行焙燒即可。例如，如果電介質(zhì)層3的軟化點(diǎn)為520℃，放電非活性膜21的焙燒溫度最好設(shè)定在470℃以下，使用在這樣的溫度下也能充分燃燒的有機(jī)成分，構(gòu)成作為放電非活性膜21的原材料的膏劑即可。
而且，對(duì)備有呈上述的膜狀態(tài)的放電非活性膜21的PDP51評(píng)價(jià)最小維持脈沖電壓時(shí)，發(fā)現(xiàn)與由包含無(wú)機(jī)粘合劑的電介質(zhì)玻璃構(gòu)成的放電非活性膜不同，最小維持脈沖電壓不會(huì)大幅度增大。
這樣，如果采用放電非活性膜21，則能用比蒸鍍分離法便宜的絲網(wǎng)印刷法形成能發(fā)揮已說(shuō)明的效果(1)、(2)、(3)的膜，而且能提供一種能容易地實(shí)現(xiàn)實(shí)用上的驅(qū)動(dòng)的正面基板51F及PDP51。
另外，在由具有牢固的結(jié)合力及基底粘合力的電介質(zhì)玻璃構(gòu)成的放電非活性膜的情況下，最小維持脈沖電壓變得極大，另一方面，在由放電非活性材料的粉體的集合體構(gòu)成而不具有上述這樣牢固的結(jié)合力及粘合力的實(shí)施例1的放電非活性膜21的情況下，得到了未發(fā)現(xiàn)最小維持脈沖電壓大幅度上升的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的詳細(xì)機(jī)理不明?？墒?，以下所述的本申請(qǐng)的發(fā)明人在上述的評(píng)價(jià)實(shí)施中率先做到著眼于無(wú)機(jī)粘合劑的原委，可以認(rèn)為對(duì)于上述的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的考察是非常有用的。
以前，本申請(qǐng)的發(fā)明人在具有將放電非活性膜21從PDP51中除去后的結(jié)構(gòu)的典型的AC面放電型PDP中，進(jìn)行了用以玻璃成分即無(wú)機(jī)粘合劑為主成分的封裝材料構(gòu)成接觸阻擋肋7的陰極膜11的部分的實(shí)驗(yàn)。該實(shí)驗(yàn)在封裝工序(使設(shè)置在周邊上的封裝材料軟化而將正面玻璃基板5與背面玻璃基板9貼合在一起的工序)中，通過(guò)將阻擋肋7固定在陰極膜11上，經(jīng)阻擋肋7干涉相鄰的放電空間內(nèi)的互相放電，達(dá)到防止損害單元C的選擇性的目的。
可是，該實(shí)驗(yàn)的最終評(píng)價(jià)結(jié)果是難以將最小維持脈沖電壓上升到非常大的上述的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于實(shí)際驅(qū)動(dòng)。而且，如上所述，即使在用包含無(wú)機(jī)粘合劑的材料形成了放電非活性膜的實(shí)驗(yàn)中，也能獲得與此同樣的結(jié)果。
可是，在沒(méi)有放電非活性膜21的典型的PDP中，阻擋肋7與陰極膜11接觸。雖然阻擋肋7一般含有大量的無(wú)機(jī)粘合劑，但在沒(méi)有放電非活性膜21的該典型的PDP中，最小維持脈沖電壓一般為實(shí)用的值。
因此，本申請(qǐng)的發(fā)明人通過(guò)綜合地研討這些現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)在上述的兩個(gè)實(shí)驗(yàn)中玻璃質(zhì)的結(jié)構(gòu)物固定在陰極膜11的表面上這一點(diǎn)相同，另外發(fā)現(xiàn)了在沒(méi)有放電非活性膜21的上述的典型的PDP中，只是包含無(wú)機(jī)粘合劑的阻擋肋7與陰極膜11接觸。就是說(shuō)，發(fā)現(xiàn)了如果玻璃質(zhì)的結(jié)構(gòu)物不固定地接觸陰極膜11，則最小維持脈沖電壓不會(huì)大幅度上升。
這樣，本申請(qǐng)的發(fā)明人想到“如果通過(guò)用實(shí)際上不包含無(wú)機(jī)粘合劑的Al2O3或TiO2或SiO2等放電非活性材料的粉體的單純的集合體構(gòu)成放電非活性膜21，不會(huì)固定在陰極膜11上，就不會(huì)導(dǎo)致最小維持脈沖電壓的大幅度上升”?？墒?，即使如上所述形成放電非活性膜21，引起膜自然剝離的粘合力也不實(shí)用。可是，本申請(qǐng)的發(fā)明人從關(guān)于熒光體的眾所周知的事實(shí)，期待到不會(huì)引起該放電非活性膜11的自然剝離。即，雖然熒光體是不包含無(wú)機(jī)粘合劑的熒光材料的粉體的集合體，但一般說(shuō)來(lái)熒光體的焙燒溫度雖然低到包括基底的阻擋肋7或面釉層10的無(wú)機(jī)粘合劑成分不能發(fā)揮固定作用的程度，但在PDP中熒光體也不會(huì)引起膜自然剝離。
根據(jù)這些考察進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，能形成不會(huì)引起膜自然剝離的放電非活性膜21，獲得了最小維持脈沖電壓不會(huì)大幅度增大的結(jié)果。因此，如上所述，如果采用放電非活性膜21，則能用絲網(wǎng)印刷法廉價(jià)地形成能發(fā)揮已說(shuō)明過(guò)的效果(1)、(2)、(3)的膜，而且能提供可容易地實(shí)現(xiàn)實(shí)用上的驅(qū)動(dòng)的正面基板51F及PDP51。
其次，由于放電非活性膜21由實(shí)際上不包含無(wú)機(jī)粘合劑的放電非活性材料的粉體的集合體構(gòu)成，所以有時(shí)由于來(lái)自阻擋肋7的按壓而產(chǎn)生膜缺陷或表面形狀的變形?？墒?，本發(fā)明人確認(rèn)，這樣的膜缺陷等在放電非活性膜21中只限于與阻擋肋7接觸的部分，而在暴露在放電空間51S中的部分不會(huì)發(fā)生。因此，不會(huì)發(fā)生由膜缺陷等引起的像素缺陷，無(wú)損于對(duì)放電非活性膜21所期待的效果(1)、(2)、(3)。
這時(shí)由于放電非活性膜21的表面形狀如上所述發(fā)生變形，可知作用在阻擋肋7與放電非活性膜21的接觸部分上的壓力被均等化。因此，在阻擋肋7或封裝前的放電非活性膜21有微小的表面凸?fàn)畹那闆r下，在能緩和作用在該處的針尖的壓力。因此，如果采用放電非活性膜21，則能獲得能防止阻擋肋7的折損造成的像素缺陷的發(fā)生這樣的附帶效果。
可是，一般說(shuō)來(lái)阻擋肋7的高度h(參照?qǐng)D23)越高及/或平均圖形寬度w(參照?qǐng)D23)越窄，由于與正面基板51F的接觸產(chǎn)生的按壓而發(fā)生折損的概率越大。
這里，所謂阻擋肋的高度h，是指第三方向D3(即正面基板51F與背面基板51R的重疊方向)上的尺寸。另外，所謂阻擋肋的平均圖形寬度w，是指圖形寬度(在圖23所示的例中，為垂直于基板的重疊方向和阻擋肋7的圖形的延伸方向雙方的方向即第二方向D2的尺寸)沿第三方向D3的平均尺寸。例如在圖23的例子中，由于阻擋肋7的截面(垂直于作為延伸方向的第一方向D1的截面)大致呈梯形，所以圖形寬度依賴于高度方向(即第三方向D3)上的位置。因此，將依賴于高度位置的這些圖形寬度的平均值稱為平均圖形寬度w。另外，在圖23中為了方便起見(jiàn)，在阻擋肋7的高度方向的中央附近標(biāo)以符號(hào)“w”。
關(guān)于這種阻擋肋7的折損，本申請(qǐng)的發(fā)明人從圖2 3的結(jié)構(gòu)中除去放電非活性膜21P，利用阻擋肋7直接接觸陰極膜11(質(zhì)地比放電非活性膜21P硬)的結(jié)構(gòu)的PDP進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。另外，在實(shí)驗(yàn)中使用的PDP中，阻擋肋7在第二方向D2上的排列間距為396微米，畫(huà)面尺寸為169型的46英寸。如果進(jìn)行這樣的實(shí)驗(yàn)，則在平均圖形寬度w＝75微米及高度h＝140微米的情況下，由肋折損造成的像素缺陷包括制造過(guò)程在實(shí)用上幾乎不會(huì)發(fā)生，但在平均圖形寬度w＝75微米及高度h＝160微米的情況下，由于肋折損而在畫(huà)面中發(fā)生了5～10處的像素缺陷。另外，用具有相同的畫(huà)面尺寸及第二方向D2上的排列間距為264微米的阻擋肋7的PDP進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，在平均圖形寬度w＝60微米及高度h＝140微米的情況下，由肋折損引起的像素缺陷在畫(huà)面中檢測(cè)到了約50處。從這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果判明了，在阻擋肋7直接接觸質(zhì)地硬的陰極膜11的結(jié)構(gòu)中，在大致滿足h/w≥2的情況下，難以抑制由肋折損引起的像素缺陷的發(fā)生。
高度h越高(例如，參照Proceedings of Asia Display/IDW’01 pp.781-784中的圖3)及/或圖形寬度w越窄，換句話說(shuō)，相鄰的阻擋肋7的圖形間隔越寬(例如參照Proceedings of IDW’99pp.599-602)，雖然能提高亮度及發(fā)光效率，但在實(shí)驗(yàn)中使用的結(jié)構(gòu)的PDP中，像素缺陷的抑制和亮度及發(fā)光效率的提高難以兩全。
與此不同，通過(guò)采用放電非活性膜21，使用第二方向D2的排列間距為264微米、平均圖形寬度w為60微米、高度h為140微米的阻擋肋7，獲得了實(shí)用上幾乎不發(fā)生由肋折損引起的像素缺陷的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。即放電非活性膜21的應(yīng)用能同時(shí)抑制像素缺陷和提高亮度及發(fā)光效率。
另外，在帶狀的阻擋肋7中在相鄰的顯示行L之間(即在第一方向D1上)各放電單元C的放電空間雖然連續(xù)，但即使由于高度h的增大及/或圖形寬度w的減少而使放電空間擴(kuò)大，如果采用放電非活性膜21，則在放電單元C之間也能有效地抑制放電干擾。
如上所述，阻擋肋7越高，越能提高亮度及發(fā)光效率。這里，在阻擋肋中除了帶狀的阻擋肋7(參照?qǐng)D23)以外，還有網(wǎng)格狀的阻擋肋(例如參照后面所述的圖21或Proceedings of IDW’99 pp.587-590)，由于以下的理由，帶狀的阻擋肋7的高度h容易增大。
首先，由于網(wǎng)格狀的阻擋肋包括沿第一方向D1延伸的成分(參照?qǐng)D21所示的第一成分7B1)和沿第二方向D2延伸的成分(參照?qǐng)D21所示的第二成分7B2)，所以兩個(gè)成分交叉的地方形成阻擋肋(例如采用噴砂法或感光性肋材料的方法)時(shí)會(huì)影響相互的形狀。因此，網(wǎng)格狀的阻擋肋越高，形狀的控制越難。
另外，網(wǎng)格狀的阻擋肋由于以包圍放電單元C的方式來(lái)區(qū)分空間，所以有時(shí)往該空間內(nèi)涂敷熒光體8時(shí)，空間內(nèi)的空氣難以逃逸，該空氣被封閉在里面。在這樣的情況下，不能恰當(dāng)?shù)赝糠鬅晒怏w8，阻擋肋越高，越容易引起這樣的不良現(xiàn)象。
另外，如下面的(a)～(d)所述，對(duì)于網(wǎng)格狀的阻擋肋，比起利用上述的噴砂法或利用感光性肋材料的上述的方法，適合于獲得高度h的制造方法不多。
(a)在圖形層疊印刷法中，為了使絲網(wǎng)網(wǎng)孔的重疊平均化，每當(dāng)印刷各層時(shí)雖然需要使網(wǎng)版沿第一方向D1挪動(dòng)，但在網(wǎng)格狀的阻擋肋的情況下，由于有沿第二方向D2延伸的成分，所以不能挪動(dòng)。
(b)在模壓法中，在網(wǎng)格狀的阻擋肋的情況下，對(duì)于脫模時(shí)沒(méi)有退出方向的基板面來(lái)說(shuō)，有必要一齊脫模，所以脫模困難。另一方面，如果采用帶狀的阻擋肋，則由于能沿阻擋肋(圖形)的延伸方向退出，所以能以掀開(kāi)的方式脫模。
(c)在將肋材埋入在基板上形成的DFR(干膜光致抗蝕劑)的圖形槽中的方法中，在網(wǎng)格狀的阻擋肋的情況下，DFR圖形在各放電單元C的位置處形成為孤立島狀。因此，DFR剝離時(shí)需要相當(dāng)于單元數(shù)的剝離制動(dòng)器，所以剝離困難。
(d)用對(duì)應(yīng)于阻擋肋的圖形之間的空間的探針對(duì)同樣涂敷在基板上的肋材進(jìn)行掃描的制法雖然適用于帶狀的阻擋肋，但在網(wǎng)格狀的阻擋肋中本來(lái)就不能用。
與此不同，如果是帶狀的阻擋肋7，則沒(méi)有網(wǎng)格狀的阻擋肋所特有的上述問(wèn)題或制約，能比較容易地增大高度h。因此，網(wǎng)格狀的阻擋肋由于上述制法的問(wèn)題及制約，使高度h≥150微米在實(shí)用中不合適，但如果采用帶狀的阻擋肋7，則使高度h為150～500微米也是可能的。就是說(shuō)，在放電非活性膜21的應(yīng)用中形成更高的帶狀的阻擋肋，能大幅度地改善亮度及發(fā)光效率。
另外，網(wǎng)格狀的阻擋肋的圖形由于包圍著各個(gè)放電單元C而存在，所以通過(guò)放電發(fā)生的等離子體粒子撞擊阻擋肋側(cè)面上的熒光體8，損失能量的比例比帶狀的阻擋肋大。因此，網(wǎng)格狀阻擋肋的相對(duì)發(fā)光效率變壞。
綜上所述，在放電非活性膜21的應(yīng)用中能利用帶狀的阻擋肋7。另外，如果采用放電非活性膜21，則阻擋肋7變窄及/或變高，即使h/w≥2，也能抑制由阻擋肋的折損引起的像素缺陷的發(fā)生。因此放電非活性膜21用來(lái)提高亮度及發(fā)光效率極其有效。
可是，為了提高顯示器的發(fā)光效率，以從熒光體8發(fā)出的可見(jiàn)光不被放電非活性膜21遮住為宜。因此，放電非活性膜21最好是透明的。構(gòu)成放電非活性膜21的放電非活性材料的粒子的平均粒徑越低，放電非活性膜就越透明。一般來(lái)說(shuō)，平均粒徑降到低于可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍(0.4～0.8微米)左右，透明度增加，所以放電非活性材料的粒子的平均粒徑大約在1微米以下，但在0.1微米以下就更好。
另外，放電非活性膜21下面的陰極膜11如果即使在微觀上露出，則由于在放電非活性膜21上也會(huì)發(fā)生放電，所以會(huì)發(fā)生不能充分地獲得已說(shuō)明的效果(1)、(2)、(3)的情況。因此，為了避免放電非活性膜21上的放電，最好將放電非活性膜21的厚度t(參照?qǐng)D2)大致設(shè)定為上述放電非活性材料的平均粒徑以上。另一方面，如果放電非活性膜21過(guò)厚，則在放電間隙部DG附近阻擋肋7與陰極膜11之間的間隙變大，通過(guò)阻擋肋7相鄰的放電空間內(nèi)的放電互相干擾，其結(jié)果，會(huì)發(fā)生損害單元C的選擇性的情況。為了避免該情況的發(fā)生，放電非活性膜21的膜厚t在10微米以下為好，在5微米以下就更好。
另外，PDP51在圖23所示的PDP51P(即特開(kāi)平9-102280號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的PDP)中，適合于應(yīng)用實(shí)施例1中的放電非活性膜21的結(jié)構(gòu)，但也能將該放電非活性膜21用于其他結(jié)構(gòu)的PDP，能獲得與PDP51同樣的效果。例如，能將放電非活性膜21應(yīng)用于圖3的平面圖(布局圖)所示的實(shí)施例1的第二正面基板52F。
如圖3所示，正面基板52F的各維持放電電極XA、YA適合于在上述的正面基板51F中通過(guò)電極對(duì)間隙部NG相鄰的互相不成對(duì)的兩個(gè)維持放電電極X、Y一體化的結(jié)構(gòu)。另外，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)定維持放電電極XA、YA的寬度(第一方向D1上的尺寸)。在正面基板52F中因?yàn)闆](méi)有電極對(duì)間隙部NG，所以在維持放電電極XA、YA之間只設(shè)置放電間隙部DG。因此，維持放電電極XA、YA分別規(guī)定相鄰的顯示行L的雙方。換句話說(shuō)，在正面基板52F上，一個(gè)維持放電電極XA或YA配置在相鄰的顯示行L之間，一個(gè)維持放電電極XA或YA共有相鄰的顯示行L。
正面基板52F的另一結(jié)構(gòu)(圖3中未示出)與正面基板51F相同，正面基板52F變成上述的正面基板51F，能應(yīng)用于PDP51，另外，這樣的PDP51還能應(yīng)用于等離子體顯示裝置101。另外，這一點(diǎn)對(duì)于后面所述的正面基板53F(參照?qǐng)D4)等來(lái)說(shuō)也是一樣的。
還能將實(shí)施例1的放電非活性膜21應(yīng)用于相鄰的顯示行共有一個(gè)維持放電電極的另一結(jié)構(gòu)的PDP(參照特開(kāi)平10-255664號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平10-333636號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)、以及特開(kāi)2001-147660號(hào)公報(bào))。
<實(shí)施例2>
在實(shí)施例1中，說(shuō)明了采用絲網(wǎng)印刷法在正面基板51F的平面視圖中，覆蓋著相鄰維持放電電極對(duì)間隙部NG附近的維持放電電極X、Y的一部分直接形成放電非活性膜21圖形的情況。在此情況下，在每一個(gè)放電單元C中，實(shí)際上在維持放電電極X、Y上進(jìn)行面放電50(參照?qǐng)D23)的部分的面積與從維持放電電極X、Y的放電間隙部一側(cè)的圖形邊緣到放電非活性膜21的圖形邊緣的距離或尺寸大致成比例。因此，放電非活性膜21的圖形邊緣的形成位置在很大程度上左右著放電電流。
在用絲網(wǎng)印刷法直接形成放電非活性膜21的圖形的情況下，圖形邊緣的形成位置精度受網(wǎng)版的收縮、或通過(guò)印刷·干燥·焙燒工序產(chǎn)生的厚模膏的塌角或污點(diǎn)等的影響。這時(shí)，由于正面玻璃基板5的面積大，所以即使不計(jì)及網(wǎng)版或厚模膏或印刷·干燥·焙燒條件的生產(chǎn)率且想盡一切方法，放電非活性膜21的圖形邊緣的形成位置精度也只能預(yù)計(jì)±50微米左右。如果計(jì)及生產(chǎn)率，有必要預(yù)計(jì)±100微米左右的精度。
另一方面，各維持放電電極X、Y的圖形寬度即從放電間隙部ND一側(cè)的圖形邊緣到相鄰維持放電電極對(duì)間隙部NG一側(cè)的圖形邊緣的距離或尺寸一般只是100～500微米左右。
如果考慮到這一切，在實(shí)施例1的放電非活性膜21中，有時(shí)難以用足夠的精度形成圖形邊緣的形成位置。因此，在實(shí)施例1的PDP51中，對(duì)每個(gè)放電單元的放電電流必須預(yù)計(jì)10～100％的增減、標(biāo)準(zhǔn)情況為20～50％的增減，從產(chǎn)品性能的再現(xiàn)性或有關(guān)顯示的面內(nèi)均勻性的觀點(diǎn)來(lái)看，有時(shí)是難以容忍的。
另外，在實(shí)施例1的PDP51中，用絲網(wǎng)印刷法形成放電非活性膜21時(shí)來(lái)自所使用的網(wǎng)版的亮度不勻、具體地說(shuō)網(wǎng)孔狀的亮度不勻或莫爾條紋模樣的亮度不勻有時(shí)很明顯。如果進(jìn)行詳細(xì)的檢查，則判明了網(wǎng)版上固有的網(wǎng)孔編織密度的局部濃淡不勻反映在放電非活性膜21的圖形邊緣的花紋上，該花紋引起以單元為單位的放電電流的大小不勻，其結(jié)果產(chǎn)生上述的亮度不勻。
因此，在實(shí)施例2中，說(shuō)明了即使關(guān)于放電非活性膜21的圖形邊緣的形成位置或花紋的精度如上所述是低水平的，但能減低對(duì)面板總體的放電電流或放電電流在面板面內(nèi)的分布或以單元為單位的放電電流的大小不勻的影響的正面基板及PDP。
圖4表示說(shuō)明實(shí)施例2的第一正面基板53F及備有它的PDP51用的平面圖(布局圖)。在圖4中以正面基板53F的維持放電電極XB、YB、放電非活性膜22及陰極膜11為主進(jìn)行了圖示，另外，用兩點(diǎn)點(diǎn)劃線原理性地示出了應(yīng)用正面基板53F的PDP51中的阻擋肋7(的頂部)。另外，這樣的圖示在后面所述的圖6等的平面圖中也一樣。
在正面基板53F中，維持放電電極XB、YB及放電非活性膜22以外的結(jié)構(gòu)與已經(jīng)說(shuō)明的51F相同。正面基板53F的維持放電電極XB、YB與圖2中的維持放電電極X、Y相同，在正面玻璃基板5(參照?qǐng)D2)上，規(guī)定沿第一方向D1排列同時(shí)沿第二方向D2延伸、沿第二方向延伸的多個(gè)顯示行L。另外，在相鄰的顯示行L之間配置兩個(gè)維持放電電極XB、YB(但不成對(duì))。
特別是維持放電電極XB、YB分別包含多個(gè)放電間隙相鄰部a、一個(gè)母線部b、多個(gè)交聯(lián)部c。這里，用虛線表示放電間隙相鄰部a、交聯(lián)部c、母線部b的邊界線。詳細(xì)地說(shuō)，母線部b與相鄰維持放電電極對(duì)間隙部NG相鄰，沿第二方向D2延伸。而且，多個(gè)交聯(lián)部c從母線部b朝向該母線部b相鄰的放電間隙部DG(這里為朝向第一方向D1)延伸。放電間隙相鄰部a分別結(jié)合在多個(gè)交聯(lián)部c上，這些放電間隙相鄰部a與該放電間隙部DG相鄰，而且沿第二方向D2(即沿放電間隙部DG)排列。因此，各放電間隙相鄰部a通過(guò)對(duì)應(yīng)的交聯(lián)部c與母線部b導(dǎo)電性地連接。另外，在維持放電電極XB、YB中，放電間隙相鄰部a與交聯(lián)部c結(jié)合成T形(放電間隙相鄰部a相當(dāng)于T形的頭部、交聯(lián)部c相當(dāng)于T形的腳部，交聯(lián)部c的第二方向D2的圖形寬度比放電間隙相鄰部a窄)。
而且，與正面基板51F相同，在正面基板53F中，上述的維持放電電極XB、YB被電介質(zhì)層3及陰極膜11(參照?qǐng)D2)覆蓋。
正面基板53F的放電非活性膜22與已經(jīng)說(shuō)明的正面基板51F的放電非活性膜21同樣配置在陰極膜11上，呈由多個(gè)帶狀圖形構(gòu)成的帶狀。放電非活性膜22的各帶狀圖形或露出的表面22S在正面基板53F的平面視圖中，配置在對(duì)應(yīng)于多個(gè)顯示行L之間的區(qū)域，而且配置成不覆蓋維持放電電極XB、YB的放電間隙相鄰部a。這時(shí)，放電非活性膜22的圖形邊緣面對(duì)維持放電電極XB、YB的交聯(lián)部c。放電非活性膜22與已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21相同，也可以用絲網(wǎng)印刷法形成圖形，還可以用蒸鍍分離法等形成。
另外，這里，在應(yīng)用了正面基板53F的PDP51中，這樣配置正面基板53F和背面基板53R使放電間隙相鄰部a之間的間隙面對(duì)阻擋肋7，而且各交聯(lián)部c配置在阻擋肋7的帶狀圖形之間，面對(duì)各放電空間51S。
可是，雖然在特開(kāi)2001-176400號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了備有具有上述的形狀及配置情況的維持放電電極、放電非活性膜和阻擋肋的PDP，但該公報(bào)中公開(kāi)的PDP和實(shí)施例2中的PDP51在以下方面有很大不同。
首先，在實(shí)施例2的正面基板53F中，帶狀的放電非活性膜22焙燒后的圖形邊緣在平面視圖中離開(kāi)放電間隙相鄰部a(的放電非活性膜22一側(cè)的圖形邊緣)大約50微米以上，最好離開(kāi)大約100微米以上。根據(jù)絲網(wǎng)印刷法的各種條件(例如網(wǎng)版的圖形設(shè)計(jì))等的設(shè)定，這樣的配置是可能的。具體地說(shuō)，在上述的平面視圖中，由于放電非活性膜22的圖形邊緣設(shè)計(jì)成位于離開(kāi)放電間隙相鄰部a大約50微米以上或大約100微米以上的位置，例如即使產(chǎn)生印刷位置偏移，也能以良好的(平均)合格率制造滿足上述位置關(guān)系的正面基板53。如果是在這樣的條件下形成的放電非活性膜22，則基板面內(nèi)的平均的放電非活性膜22的圖形邊緣在上述平面視圖中在離開(kāi)放電間隙相鄰部a大約50微米以上或大約100微米以上的位置形成。因此，與此相當(dāng)?shù)牟糠执嬖谟诨迕鎯?nèi)的至少一部分上。
通過(guò)這樣的距離設(shè)定，放電非活性膜22的圖形邊緣即使偏離所希望的位置50～100微米，但由于放電間隙相鄰部a能不被放電非活性膜22覆蓋，所以放電間隙相鄰部a的放電能不影響放電非活性膜22的圖形邊緣的形成位置和花紋。
另一方面，在交聯(lián)部c中，進(jìn)行放電的部分由放電非活性膜22的圖形邊緣的形成位置決定，也受圖形邊緣的花紋的影響。可是，交聯(lián)部c與放電間隙相鄰部a相比，平行于放電非活性膜22的圖形邊緣的延伸方向的方向(即第二方向D2)的圖形寬度窄，所以在交聯(lián)部c中進(jìn)行放電的部分的面積比放電間隙相鄰部a的面積小很多。另外，由于使交聯(lián)部c沿交聯(lián)方向(即第一方向D1)形成得越細(xì)長(zhǎng)(使第二方向D2的圖形寬度越窄)，向維持放電電極X、Y的施加電壓在放電空間51S內(nèi)形成的電場(chǎng)在交聯(lián)部c的上方越弱，所以能使交聯(lián)部c的放電電流密度比放電間隙相鄰部a小或?qū)嶋H上為零。這時(shí)，放電非活性膜22的圖形邊緣在維持放電電極X、Y中只與圖形寬度窄的交聯(lián)部c交叉，所以使交聯(lián)部c的上述圖形寬度越窄，能使該交叉部分比PDP51P越小。
這樣，如果采用正面基板53F，則放電非活性膜22的圖形邊緣即使從所希望的位置偏離50～100微米，也能抑制每一個(gè)放電單元的放電電流的增減，所以能改善關(guān)于顯示性能的再現(xiàn)性和面內(nèi)均勻性。另外，由于能抑制放電非活性膜22的圖形邊緣的花紋引起的以單元為單位的放電電流的大小不勻，所以能抑制與形成放電非活性膜22用的網(wǎng)版的網(wǎng)孔編織的濃淡不勻?qū)?yīng)的亮度不勻。
可是，在熒光體8中來(lái)自面對(duì)母線部b的部分附近發(fā)的光幾乎都被母線部b遮住，所以從可見(jiàn)光的取出效率(或發(fā)光效率)的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，最好在母線部b上不發(fā)生放電。為了在母線部b上不發(fā)生放電，即使在放電非活性膜22的圖形邊緣從所希望的位置偏離50～100微米的情況下，母線部b不從放電非活性膜22的存在區(qū)域超出即可。
可是，即使在母線部b的一部分從放電非活性膜22超出的情況下，其超出量如果為50微米左右，則在母線部b上有可能不發(fā)生放電。例如在特開(kāi)2000-113828號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了雖然備有具有放電間隙相鄰部、母線部和交聯(lián)部的維持放電電極，但不備有放電非活性膜的PDP，如果采用該公報(bào)，則能使維持放電電極對(duì)之間的面放電局限在放電間隙部附近。這樣的放電局部化可以認(rèn)為是以下情況的主要原因(I)在放電間隙相鄰部a中開(kāi)始的放電擴(kuò)展到交聯(lián)部c的過(guò)程中，如上所述放電電流密度變小，難以擴(kuò)展到母線部b，(II)在母線部b上方的放電空間51S內(nèi)，難以形成在交聯(lián)部c附近產(chǎn)生放電所必要的電場(chǎng)。
根據(jù)以上情況，在正面基板53F的平面視圖中，放電非活性膜22的圖形邊緣設(shè)置在比放電間隙相鄰部a更靠近母線部b的位置。換句話說(shuō)，在上述平面視圖中，放電非活性膜22與放電間隙相鄰部a的兩個(gè)圖形邊緣之間的距離被設(shè)定成比放電非活性膜22與母線部b的兩個(gè)圖形邊緣之間的距離長(zhǎng)。這樣的位置關(guān)系通過(guò)絲網(wǎng)印刷法的各種條件(例如網(wǎng)版的圖形設(shè)計(jì))等的設(shè)定是可能的。具體地說(shuō)，在上述平面視圖中，放電非活性膜22的圖形邊緣設(shè)計(jì)在比放電間隙相鄰部a更靠近母線部b的位置。如果采用這樣的條件，則能以良好的(平均)合格率制造例如即使發(fā)生印刷位置偏移，在平面視圖中放電非活性膜22的圖形也不會(huì)到達(dá)放電間隙相鄰部a上，而且，在平面視圖中即使母線部b稍微超出放電非活性膜22的圖形，在母線部b上也不發(fā)生放電的正面基板53。如果是在這樣的條件下形成的放電非活性膜22，則基板面內(nèi)的平均的放電非活性膜22的圖形邊緣在上述平面視圖中在比放電間隙相鄰部a更靠近母線部b的位置形成。因此與此相當(dāng)?shù)牟糠执嬖谟诨迕鎯?nèi)的至少一部分上。
另外，在上述特開(kāi)2000-113828號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的上述的PDP(備有具有放電間隙相鄰部、母線部和交聯(lián)部的維持放電電極，但不備有放電非活性膜的PDP)中，為了不引起母線部之間的面放電，有必要充分地減弱母線部全體的上部放電空間的電場(chǎng)。為了維持放電，如果將加在維持放電電極之間的交流電壓設(shè)定得相當(dāng)?shù)?，則雖然能獲得這樣的電場(chǎng)，但放電間隙相鄰部中的正規(guī)的維持放電就會(huì)變得不穩(wěn)定?；蛘撸绻鼓妇€部的維持放電電極沿著與延伸方向垂直的方向的圖形寬度相當(dāng)窄，則能獲得上述的弱的電場(chǎng)，但母線部的線電阻上升，流入母線部的放電電流產(chǎn)生的電壓損失和功耗增大。
與此不同，如正面基板53F所示，通過(guò)在平面視圖中覆蓋著母線部b設(shè)置放電非活性膜22(而且用絲網(wǎng)印刷法這樣的簡(jiǎn)便的工藝就有可能配置)，即使維持放電用的上述交流電壓不那么低，而且，即使母線部的上述圖形寬度不那么窄，利用放電非活性膜22的作用也能抑制維持放電到達(dá)(擴(kuò)大到)母線部b上。
可是，在維持放電電極XB、YB中也可以不設(shè)置透明部(在透明電極中只由不載有總線電極的透明電極構(gòu)成的部分)。在此情況下，由于沒(méi)有必要形成透明電極，所以能降低成本。
可是，如果沒(méi)有透明部，則由于來(lái)自熒光體8的可見(jiàn)光被維持放電電極XB、YB遮住的比例大，所以不能獲得充分的光取出效率。因此，用透明部或透明電極至少形成熒光體8的發(fā)光強(qiáng)度大的放電間隙相鄰部a的全部或大部分，有利于提高發(fā)光效率。另外，將交聯(lián)部c的全部或大部分也作成透明部，對(duì)發(fā)光效率來(lái)說(shuō)有利。這時(shí)，由于越靠近放電間隙相鄰部a的部分，發(fā)光強(qiáng)度越高，所以在交聯(lián)部c中只在靠近放電間隙相鄰部a的部分作成透明部即可。
另一方面，由于母線部b擔(dān)當(dāng)流過(guò)放電電流的任務(wù)，所以母線部b有必要作成至少具有導(dǎo)電性比透明電極好的總線電極的結(jié)構(gòu)。就是說(shuō)，有必要應(yīng)用在各維持放電電極XB、YB的至少一部分(距離放電間隙部DG遠(yuǎn)的部分更好)上沿維持放電電極XB、YB的延伸方向(第二方向D2)不間斷而連續(xù)的總線電極。
這時(shí)，為了重視導(dǎo)電性(為了降低維持放電電極XB、YB的線電阻)，也可以將總線電極設(shè)置在母線部b的全部透明電極上(即也可以只用金屬電極部分構(gòu)成母線部b)，或者也可以只用總線電極形成全部母線部b。即使是這樣的母線部b，也能使來(lái)自熒光體8的可見(jiàn)光中由母線部b的總體造成的損失減小。這是因?yàn)槟妇€部b距離進(jìn)行面放電50的全部或大部分的放電間隙相鄰部a遠(yuǎn)，所以從熒光體8發(fā)出的光在母線部b附近弱(發(fā)光強(qiáng)度低)，母線部b只遮擋這樣的弱光。因此，即使將總線電極應(yīng)用于全部母線部b，也能抑制發(fā)光的取出效率的損失。另外，如上所述，由于在母線部b附近熒光體8的發(fā)光強(qiáng)度弱，所以與將透明部設(shè)置在母線部b的一部分上取出上述的弱光相比，利用只用金屬電極部構(gòu)成的母線部b，降低熒光體8上的外部光的反射(從外部入射后在熒光體8上反射的光)，在明亮的室內(nèi)往往能提高顯示的對(duì)比度。
另外，如圖5的剖面圖中的母線部b所示，也可以采用多層結(jié)構(gòu)的(這里為兩層結(jié)構(gòu)的)總線電極2A。詳細(xì)地說(shuō)，總線電極2A包括配置在透明電極1上的外側(cè)層2O；以及通過(guò)該外側(cè)層2O面對(duì)正面玻璃基板5的內(nèi)側(cè)層2I。特別是外側(cè)層2O的可見(jiàn)光吸收率比內(nèi)側(cè)層2I的高，內(nèi)側(cè)層2I的可見(jiàn)光反射率比外側(cè)層2O的高。外側(cè)層2O及內(nèi)側(cè)層2I能通過(guò)例如使黑色顏料的含有量不同來(lái)形成。或者，通過(guò)例如用含有黑色顏料的膏形成外側(cè)層2O，同時(shí)用銀電極用膏形成內(nèi)側(cè)層2I，能形成兩層2O、2I。這時(shí)，總線電極2A有面對(duì)正面玻璃基板5的外向表面SO及通過(guò)該外向表面SO面對(duì)正面玻璃基板5的內(nèi)向表面SI，外向表面SO的可見(jiàn)光吸收率比內(nèi)向表面SI的高，內(nèi)向表面SI的可見(jiàn)光反射率比外向表面SO的高。另外，在圖5中雖然示出了母線部b包括透明電極1的情況，但如上所述也可以省略該透明電極1。
如果采用這樣的總線電極2A，則由于利用外向表面SO減少外部光反射量，在明亮的室內(nèi)能提高顯示對(duì)比度，同時(shí)利用內(nèi)向表面SI在放電單元C內(nèi)二次反射從熒光體8發(fā)出的光，所以能取出更多的光作為顯示光。因此，能提高發(fā)光效率。
關(guān)于維持放電電極XB、YB和放電非活性膜22的配置關(guān)系的說(shuō)明、或關(guān)于維持放電電極XB、YB中的透明電極及總線電極的說(shuō)明、或關(guān)于總線電極的可見(jiàn)光反射率及可見(jiàn)光吸收率的說(shuō)明，即使對(duì)于備有包括放電間隙相鄰部、母線部及交聯(lián)部的維持放電電極、以及放電非活性膜的各種正面基板(包括后面所述的正面基板54F等)及應(yīng)用了該正面基板的PDP也是妥當(dāng)?shù)?，能獲得同樣的效果。因此，以下說(shuō)明實(shí)施例2的變例。
圖6表示說(shuō)明實(shí)施例2的第二正面基板54F及備有它的PDP51用的平面圖。正面基板54F的維持放電電極XC、YC有將在圖4所示的維持放電電極XB、YB中屬于各母線部b的多個(gè)放電間隙相鄰部a一體化(連續(xù)化)的平面圖形。即，維持放電電極XC、YC分別相當(dāng)于將多個(gè)放電間隙相鄰部a一體化了的圖形上的一個(gè)放電間隙相鄰部d共同連接在沿第二方向相鄰的全部多個(gè)交聯(lián)部c上。另外，正面基板54F的其他結(jié)構(gòu)與圖4中的正面基板53F相同。
在改變正面基板51F而應(yīng)用了正面基板54F的PDP51中，與圖4中的正面基板53F相同，各交聯(lián)部c配置在阻擋肋7的帶狀圖形之間。
如果采用正面基板54F，則維持放電電極XC、YC與阻擋肋7的相對(duì)位置即使沿維持放電電極XC、YC的延伸方向(即第二方向D2)偏移了，在放電間隙相鄰部d中面對(duì)各放電空間51S的各部分(即各單元C內(nèi)進(jìn)行面放電的各主要部分)的面積和形狀都不會(huì)由于上述偏移而受影響。因此，在各放電空間51S中或是在面板整個(gè)面中都能獲得穩(wěn)定的顯示性能。
可是，放電間隙相鄰部d沿第二方向D2延伸，將阻擋肋7夾在中間跨越沿第二方向D2排列的多個(gè)放電單元C。因此，如前面所述的圖4所示，如果與設(shè)置在每個(gè)放電單元C中的放電間隙相鄰部a相比，則在有放電間隙相鄰部d的PDP中，相鄰的放電單元C互相干擾，有時(shí)放電單元C的選擇性變低。這里，例如特開(kāi)2000-195431號(hào)公報(bào)或特開(kāi)2000-311612號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了這樣一種技術(shù)通過(guò)使覆蓋維持放電電極的電介質(zhì)層的厚度在覆蓋母線部的部分比覆蓋放電間隙部及放電間隙相鄰部的部分厚得多，來(lái)抑制母線部b上的放電。在此情況下，考慮到在實(shí)用上需要使電介質(zhì)層中的被覆厚度之差達(dá)到10微米以上的程度，必然在放電間隙部及放電間隙相鄰部上方在阻擋肋與陰極膜之間形成10微米以上的程度的間隙。就是說(shuō)，通過(guò)該間隙，在相鄰的放電單元之間放電會(huì)發(fā)生干擾。因此，在電介質(zhì)層上有厚度分布的情況下，為了抑制通過(guò)上述間隙的放電干擾，難以使用跨越將阻擋肋夾在中間而排列的多個(gè)放電單元的放電間隙相鄰部，而需要使用設(shè)置在每個(gè)放電單元中的放電間隙相鄰部。
與此不同，通過(guò)不形成電介質(zhì)層3的厚度分布而使用放電非活性膜22，能應(yīng)用跨越將阻擋肋夾在中間而排列的多個(gè)放電單元C的放電間隙相鄰部d。這是因?yàn)榉烹姺腔钚阅?2利用二次電子釋放特性低的性質(zhì)，抑制放電的發(fā)生，所以如在實(shí)施例1中所述，通過(guò)將膜厚設(shè)定在10微米以下、甚至設(shè)定在5微米以下(即使是這樣的厚度，也能充分地獲得放電抑制效果)，能使上述間隙更窄。由于放電間隙相鄰部d連續(xù)跨越多個(gè)交聯(lián)部c(連接在多個(gè)交聯(lián)部c上)，所以例如即使一個(gè)交聯(lián)部c斷線，如果其他交聯(lián)部c不斷線，則能對(duì)接近于斷線的交聯(lián)部c的放電間隙相鄰部d充分地供電。因此，有利于獲得高的制造合格率。
可是，如圖7中的平面圖所示，也可以使阻擋肋7的各帶狀圖形和各維持放電電極XC、YC的各交聯(lián)部c相向地構(gòu)成正面基板5 4F及背面基板51R(參照?qǐng)D23)，從而構(gòu)成PDP51。
在該P(yáng)DP51中，由于各交聯(lián)部c的一部分或全部不面對(duì)放電空間51S，所以與交聯(lián)部c和放電空間51S面對(duì)的圖6的情況相比，交聯(lián)部c中的放電變?nèi)趸蜃優(yōu)榱?。因此，各放電間隙相鄰部d中的放電更加支配或完全支配了各放電單元C的放電特性。因此，能進(jìn)一步減弱或能消除上述的放電非活性膜22的圖形邊緣的形成位置偏移和由花紋引起的不良現(xiàn)象。
同樣，如圖8中的平面圖所示，也可以使阻擋肋7的各帶狀圖形和各維持放電電極XB、YB的各交聯(lián)部c相向、換句話說(shuō)，沿第二方向排列的多個(gè)放電間隙相鄰部a之間的各區(qū)域不面對(duì)阻擋肋7的各帶狀圖形，構(gòu)成已經(jīng)說(shuō)明的正面基板53F及背面基板51R(參照?qǐng)D23)，從而構(gòu)成PDP51。另外，這樣結(jié)構(gòu)的PDP51在平面視圖中相當(dāng)于將上述的圖7中的PDP51的一個(gè)放電間隙相鄰部d在阻擋肋7的帶狀圖形之間沿維持放電電極XC、YC的延伸方向(第二方向D當(dāng))分開(kāi)的結(jié)構(gòu)。
在圖8所示的PDP51中，與圖7中的PDP51相比，各放電單元C的放電間隙相鄰部的圖形面積小?？墒?，在放電間隙相鄰部a上方的放電空間51S內(nèi)產(chǎn)生的等離子體擴(kuò)展到相鄰的放電間隙相鄰部a之間的區(qū)域(上述的分開(kāi)區(qū)域)中。因此，如果采用圖8中的PDP51，則與圖7中的PDP51相比，能減少放電電流，同時(shí)從等離子體發(fā)生的紫外線量能與圖7中的PDP51的程度相同。就是說(shuō)，在放電電流的比例中能使從等離子體發(fā)生的紫外線量多。因此，能提高發(fā)光效率。特別是在不設(shè)置放電非活性膜22的情況下能獲得該效果。
圖9中示出了說(shuō)明實(shí)施例2的第三正面基板55F及備有它的PDP51用的平面圖。正面基板55F的維持放電電極XD、YD有將在圖4所示的正面基板5 3F中相鄰的顯示行L之間的兩個(gè)維持放電電極XB、YB、更具體地說(shuō)將兩個(gè)母線部b一體化(連續(xù)化)了的平面圖形。因此，相鄰的顯示行L共有一個(gè)維持放電電極XD或YD。反過(guò)來(lái)說(shuō)，維持放電電極XD、YD分別規(guī)定兩個(gè)相鄰的顯示行L。
在正面基板55F中，沒(méi)有相鄰維持放電電極對(duì)間隙部NG(參照?qǐng)D4)，存在于多個(gè)維持放電電極X、Y之間的多個(gè)間隙部全部相當(dāng)于放電間隙部DG。在各維持放電電極XD、YD中，一個(gè)母線部b配置在相鄰的顯示行L之間或相鄰的放電間隙部DG之間，多個(gè)交聯(lián)部c分設(shè)在該一個(gè)母線部b的兩側(cè)(在圖9中為上下兩側(cè))，各側(cè)的交聯(lián)部c朝向上述相鄰的顯示行L延伸。而且，放電間隙相鄰部a分別連接在維持放電電極XD、YD的各交聯(lián)部c上。另外，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)定母線部b的寬度(第一方向D1上的尺寸)。正面基板55F的其他結(jié)構(gòu)與圖4中的正面基板53F相同，如果采用正面基板55F，則具有與圖4中的正面基板53F同樣的效果。
圖10中示出了說(shuō)明實(shí)施例2的第四正面基板56F及備有它的PDP51用的平面圖。正面基板56F的維持放電電極XE、YE有將在圖6所示的正面基板54F中相鄰的顯示行L之間的兩個(gè)維持放電電極XC、YC、更具體地說(shuō)將兩個(gè)母線部b一體化(連續(xù)化)了的平面圖形。
各維持放電電極XE、YE包括與圖9中的維持放電電極XD、YD同樣的一個(gè)母線部b及多個(gè)交聯(lián)部c，還包括兩個(gè)放電間隙相鄰部d。一個(gè)放電間隙相鄰部d連接在多個(gè)交聯(lián)部c的一部分交聯(lián)部c(具體地說(shuō)在母線部b的一側(cè)沿第二方向D2排列的(多個(gè))交聯(lián)部c)的全體上，同樣，另一個(gè)放電間隙相鄰部d連接在多個(gè)交聯(lián)部c的剩余的交聯(lián)部c(具體地說(shuō)在母線部b的另一側(cè)沿第二方向D2排列的(多個(gè))交聯(lián)部c)的全體上。另外，可適當(dāng)?shù)卦O(shè)定母線部b的寬度(第一方向D1上的尺寸)。正面基板56F的其他結(jié)構(gòu)與圖6中的正面基板54F相同，如果采用正面基板56F，則具有與圖6中的正面基板54F同樣的效果。
另外，與圖7中的PDP51相同，也可以使正面基板56F和背面基板51R(參照?qǐng)D23)面對(duì)阻擋肋7的各帶狀圖形和各維持放電電極XE、YE的各交聯(lián)部c而配置(參照?qǐng)D11)。另外，與圖8中的PDP51相同，也可以使已經(jīng)說(shuō)明的正面基板55F和背面基板51R(參照?qǐng)D23)面對(duì)阻擋肋7的各帶狀圖形和各維持放電電極XD、YD的各交聯(lián)部c而配置、換句話說(shuō)，沿第二方向D2排列的多個(gè)放電間隙相鄰部a之間的各區(qū)域不面對(duì)阻擋肋7的各帶狀圖形而配置(參照?qǐng)D12)。如果采用圖11及圖12中的PDP51，則能獲得與圖7及圖8中的PDP51同樣的效果。
<實(shí)施例3>
圖13是說(shuō)明實(shí)施例3的正面基板57F及備有該正面基板57F的PDP51用的平面圖。另外，圖13中的符號(hào)R、G、B表示沿第一方向D1排列的各放電單元組或與沿第一方向D1延伸的各放電空間51S相接的熒光體8的發(fā)光色(紅色、綠色、藍(lán)色)。
正面基板57F備有相當(dāng)于已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21(參照?qǐng)D2)的放電非活性膜23，其他結(jié)構(gòu)與正面基板51F(參照?qǐng)D2)相同。正面基板57F的放電非活性膜23有與圖2中的放電非活性膜21不同的平面圖形的露出表面23S。
詳細(xì)地說(shuō)，放電非活性膜23在沿第一方向D1延伸的各熒光體8中面對(duì)發(fā)藍(lán)色光用的熒光體8的部分中圖形寬度(第一方向上的尺寸)比其他部分窄。與此不同，在正面基板57F中陰極膜11的露出表面11S面對(duì)發(fā)藍(lán)色光用的熒光體8的部分的圖形寬度(第一方向上的尺寸)比其他部分寬。因此，在發(fā)藍(lán)色光用單元C中與發(fā)紅色及綠色光用單元C相比，陰極膜11的露出表面11S寬。因此，能使在各放電單元C內(nèi)在正面基板57F上形成的各面放電50(參照?qǐng)D23)及其放電電流在發(fā)藍(lán)色光用單元C內(nèi)比在發(fā)紅色及綠色光用單元C內(nèi)大。因此，如果采用備有正面基板57F的PDP51，則與紅色及綠色相比，發(fā)藍(lán)色光更強(qiáng)，所以能使白色顯示的色溫更高。
另外，例如通過(guò)調(diào)整放電非活性膜23及陰極膜的露出表面23S、11S的圖形形狀，以便使發(fā)綠色光用單元C內(nèi)的面放電50比發(fā)紅色及藍(lán)色光用單元C內(nèi)的面放電50小，能使白色顯示離開(kāi)黑體輻射軌跡的偏移更低。
這樣，對(duì)放電非活性膜23及陰極膜11的露出表面23S、11S進(jìn)行構(gòu)圖，以便在多個(gè)放電單元C內(nèi)在正面基板57F上形成的各面放電50的大小與多個(gè)放電單元各自的發(fā)光色有關(guān)，所以如果采用正面基板57F及備有它的PDP51，則能調(diào)整每一種發(fā)光色的發(fā)光強(qiáng)度。因此，能改善顯示的色平衡。
另外，在圖13中雖然示出了放電非活性膜23的圖形邊緣的圖形寬度變化的部分在平面視圖中有棱角的情況，但也可以呈曲線地(圓滑地)形成該圖形邊緣，改變圖形寬度。另外，放電非活性膜23能采用(與已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21同樣的)絲網(wǎng)印刷法或蒸鍍分離法等形成圖形。
另外，即使將實(shí)施例3的放電非活性膜23和已經(jīng)說(shuō)明的維持放電電極XA～XE、YA～YE組合起來(lái)，也能獲得同樣的效果。
<實(shí)施例4>
圖14是說(shuō)明實(shí)施例4的正面基板58F用的平面圖。正面基板58F備有相當(dāng)于已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21(參照?qǐng)D2)的放電非活性膜24，其他結(jié)構(gòu)與正面基板51F(參照?qǐng)D2)相同。正面基板58F的放電非活性膜24由與放電非活性膜21的露出表面21S(參照?qǐng)D2)同樣的多個(gè)帶狀圖形及更多的帶狀圖形構(gòu)成。
詳細(xì)地說(shuō)，放電非活性膜24的上述更多的帶狀圖形在正面基板58F的平面視圖中面對(duì)維持放電電極X、Y配置，而且在平面視圖中將各個(gè)維持放電電極X、Y沿維持放電電極X、Y的排列方向即沿第一方向D1分開(kāi)配置(這里分割成兩部分)。就是說(shuō)，放電非活性膜24在對(duì)應(yīng)于多個(gè)顯示行L之間的區(qū)域及在平面視圖中在將多個(gè)維持放電電極X、Y的各個(gè)電極沿第一方向分開(kāi)的區(qū)域中有露出表面24S。另外，放電非活性膜24能采用(與已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21同樣的)絲網(wǎng)印刷法或蒸鍍分離法等形成圖形。
與此相對(duì)應(yīng)，正面基板58F的陰極膜11(的露出表面11S)成為正面基板51F的該露出表面11S利用上述的更多的帶狀圖形分開(kāi)的圖形。因此，各放電單元C中的面放電50(參照?qǐng)D23)從距離放電間隙部DG近的(或放電間隙部DG上的)露出表面11S，呈階梯式地?cái)U(kuò)展到距離放電間隙部DG遠(yuǎn)的露出表面11S上。因此，在正面基板58F中，在距離放電間隙部DG近的露出表面11S上正發(fā)生強(qiáng)放電時(shí)，在距離放電間隙部DG遠(yuǎn)的露出表面11S上放電還不強(qiáng)，當(dāng)在距離放電間隙部DG遠(yuǎn)的露出表面11S上發(fā)生強(qiáng)放電時(shí)，在距離放電間隙部DG近的露出表面11S上的放電幾乎結(jié)束。
如果采用這樣的放電形態(tài)，則由于能減少放電的瞬時(shí)峰值電流，所以能減少圖1中的驅(qū)動(dòng)裝置91的峰值負(fù)載。其結(jié)果是，能降低驅(qū)動(dòng)裝置91的成本。
另外，在備有正面基板58F的PDP51中，與備有正面基板51F的PDP51相比，在陰極膜11的露出表面11S上形成的放電(等離子體)的瞬時(shí)峰值量少，但由于等離子體按同樣的程度擴(kuò)展，所以紫外線的瞬時(shí)發(fā)生量幾乎相同。就是說(shuō)，由于對(duì)應(yīng)于為了放電而投入的能量的紫外線的發(fā)生效率提高了，所以提高了顯示的發(fā)光效率。
可是，例如在特開(kāi)平10-149774號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了不備有放電非活性膜而且維持放電電極的圖形沿維持放電電極的排列方向分開(kāi)的PDP。與此不同，在正面基板58F中，放電非活性膜24中將維持放電電極X、Y分開(kāi)設(shè)置的部分下方的維持放電電極X、Y本身圖形不分開(kāi)。因此，備有正面基板58F的PDP51能在放電空間51S內(nèi)施加更強(qiáng)的電場(chǎng)，所以有放電開(kāi)始電壓低的優(yōu)點(diǎn)。
另外，即使將放電非活性膜24和已經(jīng)說(shuō)明的圖3中的正面基板52F的維持放電電極XA、YA組合起來(lái)，也能獲得同樣的效果。
<實(shí)施例5>
如上所述，根據(jù)本申請(qǐng)的發(fā)明人的研究結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了如果將圖25中的驅(qū)動(dòng)方法應(yīng)用于備有用上述的蒸鍍分離法形成的放電非活性膜21P的PDP51P中，則與在寫(xiě)入期間AD內(nèi)進(jìn)行選擇無(wú)關(guān)，在放電維持期間SU內(nèi)產(chǎn)生不發(fā)生維持放電的不良現(xiàn)象。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，這樣的不良現(xiàn)象在多數(shù)情況下引起寫(xiě)入期間AD內(nèi)先行的復(fù)位期間REP中的壁電荷的初始化不穩(wěn)定。據(jù)此能推斷該不良現(xiàn)象的機(jī)理如下。
用放電維持期間SU內(nèi)的維持脈沖電壓(150～200V)在維持放電電極X、Y中只在未被放電非活性膜21P覆蓋的部分引起面放電50?？墒?，在圖25的復(fù)位期間REP的第二期間RE2P中，為了在全部單元內(nèi)形成充分強(qiáng)的觸發(fā)放電，而通過(guò)陡峻的切換，將比維持脈沖高的電壓(250～400V)加在維持放電電極X、Y之間。因此，在維持放電電極X、Y中被放電非活性膜21P覆蓋的部分也有可能發(fā)生觸發(fā)放電，壁電荷也被蓄積在該部分上方的放電非活性膜21P的表面上?？墒牵诤罄m(xù)的第三期間RE3中，維持放電電極X、Y之間的施加電壓只與維持脈沖電壓為同一程度(150～200V)，所以在維持放電電極X、Y中的被放電非活性膜21P覆蓋的上述部分上難以發(fā)生使壁電荷初始化用的消除放電。因此，如果發(fā)生上述可能的觸發(fā)放電，則如上所述，蓄積在放電非活性膜21P上的壁電荷不被初始化，而直接轉(zhuǎn)移到寫(xiě)入期間，其結(jié)果是，寫(xiě)入放電不穩(wěn)定，會(huì)發(fā)生上述的不良現(xiàn)象。
因此，在實(shí)施例5中，提供一種能解決這樣的問(wèn)題的PDP及等離子體顯示裝置。
圖15中示出了說(shuō)明實(shí)施例5的PDP的驅(qū)動(dòng)方法或驅(qū)動(dòng)程序用的時(shí)序圖(電壓波形)。圖1中的驅(qū)動(dòng)裝置91根據(jù)該時(shí)序圖將規(guī)定的電位供給PDP51的電極X、Y、W，驅(qū)動(dòng)PDP51。這里，雖然說(shuō)明等離子體顯示裝置101的PDP51備有正面基板51的情況，但本驅(qū)動(dòng)方法也能適用于應(yīng)用正面基板52F(參照?qǐng)D3)等的PDP51。
改變圖25中的復(fù)位期間REP，應(yīng)用圖15所示的復(fù)位期間RE。特別是實(shí)施例5的復(fù)位期間RE對(duì)圖25中的第二期間RE2P進(jìn)行改變而備有第二期間RE2，第一及第三期間RE1、RE3與圖25中的時(shí)序圖相同。具體地說(shuō)，在圖25所示的第二期間RE2P中，為了在全部單元內(nèi)發(fā)生觸發(fā)放電，使加在維持放電電極X上的電壓從中間電壓Vxm陡峻地轉(zhuǎn)移為最高電位Vxh(參照脈沖P3P的上升沿)，與此不同，在實(shí)施例5的驅(qū)動(dòng)方法中，驅(qū)動(dòng)裝置91通過(guò)逐漸增大維持放電電極X的電位，進(jìn)行上述電位的轉(zhuǎn)移(參照變成脈沖P3P的脈沖P3的上升沿)。因此，相鄰的維持放電電極X、Y之間的電位差逐漸增大。另外，圖15中雖然示出了脈沖P3線性增加的情況(所謂的傾斜波形)，但作為脈沖P3，也可以使用曲線式逐漸增加的脈沖。
如果采用該驅(qū)動(dòng)方法，則在維持放電電極X的電位達(dá)到最高電位Vxh的過(guò)程中的某一時(shí)刻，放電空間51S內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到放電開(kāi)始時(shí)所必須的電平，在放電間隙部DG附近開(kāi)始進(jìn)行維持放電電極X、Y之間的面放電50。一旦開(kāi)始放電，便在放電空間51S內(nèi)流過(guò)由帶電粒子產(chǎn)生的放電電流，所以電荷被蓄積在陰極膜11的露出表面11S上的放電間隙部DG附近(蓄積壁電荷)，以產(chǎn)生與維持放電電極X、Y之間的施加電壓方向相反的電場(chǎng)。
特別是通過(guò)使維持放電電極X、Y之間的電位差漸增的步調(diào)充分地緩慢，能使蓄積壁電荷的步調(diào)比維持放電電極X、Y之間的電位差漸增的步調(diào)快。在此情況下，利用加在維持放電電極X、Y之間的電壓及由壁電荷產(chǎn)生的兩個(gè)電場(chǎng)的互相抵消的作用，放電剛一開(kāi)始放電空間51S內(nèi)的電場(chǎng)就變到持續(xù)放電所必要的電平以下，在放電間隙部DG附近發(fā)生的維持放電電極X、Y之間的面放電50沿第一方向D1充分地?cái)U(kuò)展之前，暫時(shí)停止。接著維持放電電極X、Y之間的電位差逐漸增大，放電空間51S內(nèi)的電場(chǎng)一旦達(dá)到放電開(kāi)始所必要的電平，再次開(kāi)始面放電50。可是，再次的面放電50也由于上述的機(jī)理而得不到充分地?cái)U(kuò)展。另外，該現(xiàn)象例如在特開(kāi)平9-237580號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的沒(méi)有放電非活性膜的面放電AC型PDP中也一樣。
因此，在復(fù)位期間RE，通過(guò)使維持放電電極X、Y之間的電位差逐漸增大，能抑制作為觸發(fā)放電的面放電50到達(dá)放電非活性膜21的露出表面21S上。因此，由于能防止通過(guò)觸發(fā)放電致使壁電荷隨機(jī)地蓄積在放電非活性膜21上，所以通過(guò)后繼的第三期間RE3的壁電荷的初始化穩(wěn)定下來(lái)。其結(jié)果是，能確保寫(xiě)入期間AD中的單元選擇性，在選擇的放電單元C內(nèi)在放電維持期間SU中能可靠地發(fā)生維持放電。
其次，在采用正面基板53F、54F的PDP51(參照?qǐng)D4～圖8)中，通過(guò)使交聯(lián)部c的維持放電電極在延伸方向(即第二方向D2)上的寬度充分地變窄，如已經(jīng)說(shuō)明的機(jī)理所述，能將在復(fù)位期間RE內(nèi)在放電間隙相鄰部a、d發(fā)生的觸發(fā)放電(面放電)局限在放電間隙相鄰部a、d的范圍內(nèi)或至交聯(lián)部c的中途。另外，關(guān)于該現(xiàn)象，例如在特開(kāi)平9-237580號(hào)公報(bào)或Proceedings of the 5th InternationalDisplay Workshops(IDW’)，pp.531-534中，說(shuō)明了沒(méi)有放電非活性膜的面放電AC型PDP。
因此，在平面視圖中通過(guò)不覆蓋放電間隙相鄰部a、d的方式配置正面基板53F、54F(參照?qǐng)D4～圖8)的放電非活性膜22的圖形，充分地離開(kāi)放電間隙相鄰部a、d則更好，能抑制在復(fù)位期間RE中在維持放電電極之間產(chǎn)生的觸發(fā)放電(面放電)到達(dá)放電非活性膜22的露出表面22S上。另外，如上所述，也可以將備有這樣的正面基板53F、54F的PDP51和圖15中的驅(qū)動(dòng)方法組合起來(lái)。
另外，在將放電非活性膜應(yīng)用于相鄰的顯示行中共有一個(gè)維持放電電極的結(jié)構(gòu)的PDP中，也能利用上述的驅(qū)動(dòng)方法及結(jié)構(gòu)，抑制觸發(fā)放電到達(dá)放電非活性膜的露出表面，能獲得同樣的效果。另外，在將放電非活性膜應(yīng)用于相鄰的顯示行中共有一個(gè)維持放電電極的結(jié)構(gòu)的上述的PDP中，包括例如備有圖3中的正面基板52F和圖9～圖12中的正面基板55F、56F的PDP51、以及例如特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2001-147660號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的PDP。另外，例如在上述特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)和上述特開(kāi)2001-147660號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的驅(qū)動(dòng)程序中，通過(guò)用將相當(dāng)于復(fù)位期間的期間變?yōu)槔鐖D15中的復(fù)位期間RE的程序來(lái)驅(qū)動(dòng)這些PDP，能使觸發(fā)放電達(dá)不到放電非活性膜上。其結(jié)果是，在寫(xiě)入期間選擇的放電單元內(nèi)在放電維持期間能可靠地發(fā)生維持放電。另外，特開(kāi)2001-15034號(hào)公報(bào)的圖8及圖10中公開(kāi)的驅(qū)動(dòng)程序，或Proceedings of the 21st International DisplayResearch Conference in conjunction with The 8thInternational Display Workshops(Asia Display/IDW’01)的pp.869-872中的圖4及圖5中公開(kāi)的驅(qū)動(dòng)程序，或該文獻(xiàn)的pp.1757-1758中的圖3及圖4中公開(kāi)的驅(qū)動(dòng)程序通過(guò)逐漸增大維持放電電極X、Y之間的施加電壓，發(fā)生觸發(fā)放電，所以通過(guò)應(yīng)用這些驅(qū)動(dòng)程序，也能獲得同樣的效果。
<實(shí)施例1～5中共同的變例>
例如在上述的正面基板51中，雖然將放電非活性膜21配置在陰極膜11上，但也可以將陰極膜及放電非活性膜配置在圖16及圖17中的剖面圖所示的正面基板59F、60F上。
詳細(xì)地說(shuō)，在圖16中的正面基板59F中依次配置電介質(zhì)層3、放電非活性膜25及陰極膜15。而且，與已經(jīng)說(shuō)明的陰極膜11(參照?qǐng)D2)相同，覆蓋著維持放電電極X、Y在電介質(zhì)層3上全面地形成放電非活性膜25。另外，與已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21(參照?qǐng)D2)相同，由多個(gè)帶狀圖形構(gòu)成陰極膜15。但是，將陰極膜15構(gòu)成圖形，以便在正面基板59F的平面視圖中，與已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21及陰極膜11的兩個(gè)露出表面25S、11S同樣地配置放電非活性膜25及陰極膜15的兩個(gè)露出表面25S、15S。
另外，在圖17中的正面基板60F中在電介質(zhì)層3上配置放電非活性膜26及陰極膜16兩者。而且，在正面基板60的平面視圖中，將放電非活性膜26及陰極膜16構(gòu)成圖形，以便與已經(jīng)說(shuō)明的放電非活性膜21及陰極膜11的兩個(gè)露出表面25S、11S同樣地配置放電非活性膜26及陰極膜16的兩個(gè)露出表面26S、16S。
陰極膜15與放電非活性膜25的配置關(guān)系及陰極膜16與放電非活性膜26的配置關(guān)系當(dāng)然也能適用于已經(jīng)說(shuō)明的其他正面基板52F等。
另外，在PDP51中雖然在背面基板51R上設(shè)置阻擋肋7，但在正面基板51F上在陰極膜之前先形成阻擋肋7進(jìn)行配置也沒(méi)有關(guān)系。另外，在PDP51中雖然按照沿第一方向D1延伸的帶狀圖形設(shè)置阻擋肋7，但在對(duì)應(yīng)于顯示行L之間的位置按照增加了沿第二方向延伸的成分的網(wǎng)格狀的圖形設(shè)置也沒(méi)有關(guān)系。
另外，在PDP51中不僅從正面基板51F一側(cè)，而且還能從背面基板51R一側(cè)取出顯示光。
另外，雖然說(shuō)明了在等離子體顯示裝置101中，在地址期間AD，依次選擇(掃描)維持放電電極Y、從而依次選擇(掃描)顯示行L的情況，但也可以將地址電極W作為掃描電極驅(qū)動(dòng)。
<實(shí)施例6>
圖18表示說(shuō)明實(shí)施例6的第一正面基板61F及備有它的PDP51用的平面圖(布局圖)。正面基板61F有將已經(jīng)說(shuō)明的圖7所示的正面基板54F的維持放電電極XC、YC變成維持放電電極XF、YF的結(jié)構(gòu)，正面基板61F的其他結(jié)構(gòu)基本上與正面基板54F相同。正面基板61F的維持放電電極XF、YF包括與正面基板54F同樣的母線部b及交聯(lián)部c、以及放電間隙相鄰部e。
放電間隙相鄰部e在平面視圖中，在由阻擋肋7的相鄰的帶狀圖形(或第一成分)規(guī)定的區(qū)域中有該放電間隙相鄰部e相接的放電間隙部DG沿第一方向D1的尺寸比沿第二方向D2的中心部(中央部)靠近該阻擋肋7的帶狀圖形的部位變寬的形狀。即，設(shè)計(jì)放電間隙相鄰部e在放電間隙部DG一側(cè)的輪廓(或圖形邊緣)，以便放電間隙部DG沿第一方向D1的尺寸呈如上所述的尺寸。具體地說(shuō)，在圖18的正面基板61F中，放電間隙相鄰部e有沿第二方向D2相鄰的多個(gè)放電間隙相鄰部(雖然對(duì)應(yīng)于多個(gè)放電間隙相鄰部a，但在平面視圖中呈梯形)互相連接而一體化了的圖形(有橫跨沿第二方向D2相鄰的多個(gè)交聯(lián)部c而連續(xù)的圖形)。另外，在圖18的正面基板61F中，線性地形成放電間隙相鄰部e在母線部b一側(cè)的輪廓(或圖形邊緣)。
如果采用圖18所示形狀的放電間隙相鄰部e，則將電壓加在將放電間隙部DG夾在中間的維持放電電極XF、YF之間時(shí)，能使放電間隙部DG上方的放電空間中形成的電場(chǎng)強(qiáng)度在距離阻擋肋7遠(yuǎn)的上述中央部比距離阻擋肋7近的部分強(qiáng)。因此，維持放電電極XF、YF之間的面放電能將上述中央部作為起點(diǎn)擴(kuò)展。因此，由于靠近阻擋肋7的部分幾乎不會(huì)成為上述面放電的起點(diǎn)，所以等離子體中的帶電粒子撞擊阻擋肋7或覆蓋阻擋肋7的側(cè)壁表面的的熒光體8，能使?jié)u次損失能量的等離子體的能量增大。而且，在靠近阻擋肋7的部分由于放電間隙部DG沿第一方向D1的尺寸變寬，所以能使等離子體的擴(kuò)展區(qū)域比實(shí)際上引起維持放電的維持放電電極部分的面積大。由于這些理由，與維持放電電流相比，能增加從等離子體發(fā)生的紫外線量，所以能獲得提高發(fā)光效率的效果。
圖18中的正面基板61F的放電間隙相鄰部e雖然只是改變了圖7中的放電間隙相鄰部d的面對(duì)放電間隙部DG一側(cè)的輪廓，但如圖19所示的實(shí)施例6的第二正面基板62F那樣，放電間隙部DG和相反一側(cè)的(即母線部b一側(cè)的)輪廓同時(shí)在接近于阻擋肋7的部分自由改變。在圖19所示的正面基板62F中，在平面視圖中，放電間隙相鄰部e沿第一方向D1的尺寸即使在靠近阻擋肋7的部分，在用相鄰的阻擋肋夾在中間而規(guī)定的放電空間51S沿第二方向D2的中央部中也相同。因此，維持放電電流比圖18中的正面基板61F的大，所以能提高亮度。
另外，如圖20所示的實(shí)施例6的第三正面基板63F那樣，將每單位(每個(gè)放電單元或用阻擋肋7相鄰的兩個(gè)帶狀圖形規(guī)定的每一個(gè)區(qū)域)的放電空間51S內(nèi)的放電間隙相鄰部e作成朝向放電間隙部DG突出的拱形，也能獲得同樣的效果。
可是，如圖18～圖20所示，在特開(kāi)2001-160361號(hào)公報(bào)中的圖11～圖15，或Society for Information Display的2001年國(guó)際專題討論會(huì)(SID 01)DIGEST，pp.1328-1331中的圖1中公開(kāi)了放電間隙部DG沿第一方向D1的尺寸在靠近阻擋肋7的部分比用相鄰的阻擋肋7夾在中間而規(guī)定的放電空間51S沿第二方向D2的中央部寬。
可是，在特開(kāi)2001-160361號(hào)公報(bào)中，即使在母線部(基部)也能進(jìn)行維持放電。在此情況下，如果不使面對(duì)相鄰的顯示行的邊界的母線(或存在于相鄰的顯示行之間的兩條母線)的間隔相當(dāng)寬，則存在顯示行的面放電互相干擾而容易引起誤放電的問(wèn)題?？墒牵绻龃竽妇€之間的上述間隔，則由于呈遮光性的母線位于單元的發(fā)光中心附近，所以發(fā)光效率降低。另外，在母線部引起放電，還具有遮光性，放電引起的功耗雖然增加了但亮度卻不增加，發(fā)光效率變得更低。
與此不同，在本發(fā)明的圖18～圖20所示的正面基板61F、62F、63F中，由于對(duì)母線部b形成以已經(jīng)說(shuō)明的實(shí)施例1、2為準(zhǔn)的放電非活性膜22，能使母線部b不引起放電。因此，不需要考慮上述的誤放電問(wèn)題，所以能使面對(duì)相鄰的顯示行L的邊界的母線部b的間隔變窄。因此能獲得提高發(fā)光效率的效果。
另外，特開(kāi)2001-160361號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的維持放電電極X、Y包括放電間隙相鄰部，整體不包括透明電極，只由金屬電極構(gòu)成，所以利用放電間隙相鄰部遮擋從熒光體發(fā)出的光。與此不同，在實(shí)施例6及后述的實(shí)施例7中，用透明電極(透明部)構(gòu)成放電間隙相鄰部，該放電間隙相鄰部能不遮擋從熒光體發(fā)出的光，所以能使發(fā)光效率更高。
另一方面，在SID 01 DIGEST，pp.1328-1331的圖1的結(jié)構(gòu)中，將阻擋肋作成曲折狀的形狀，總線電極也呈曲折狀的圖形，在利用曲折狀的肋收窄的放電氣體空間的部分中使作為母線部的總線電極存在一部分，除此以外的部分通過(guò)與阻擋肋重疊，在母線部不會(huì)引起放電?？墒?，一般說(shuō)來(lái)，阻擋肋的圖形寬度通常收窄至加工精度的邊界(如果是大面積顯示，則為50微米左右)，以使放電空間盡可能地寬，以獲得高亮度。因此，總線電極的圖形寬度需要在50微米左右以下，但電阻因此而變高，伴之以電流流入總線電極時(shí)電壓下降和功耗增大的問(wèn)題、以及形成總線電極圖形時(shí)容易引起圖形斷線的問(wèn)題。另外，雖然曲折狀阻擋肋圖形和曲折狀總線電極圖形位置一致，但如果從上述SID 01 DIGEST，pp.1328-1331的圖1的狀態(tài)稍有偏移，在容易引起放電的寬的放電空間中就會(huì)面對(duì)總線電極的一部分。而且，進(jìn)行放電的拱形透明電極和總線電極的結(jié)合部分變成面對(duì)上述寬的放電空間，所以難以抑制放電擴(kuò)展到接近該結(jié)合部分的總線電極的部分。因此，即使由于上述的少許偏移，單元的發(fā)光效率也會(huì)降低，存在單元的放電電流也有很大變化的問(wèn)題。實(shí)際上，在大面積的等離子體顯示面板的全部顯示區(qū)域中，使曲折狀阻擋肋圖形和曲折狀總線電極的偏移在性能上達(dá)到能忽視的程度是非常困難的，所以可以認(rèn)為既難以使面板的發(fā)光效率最大化，也難以使單元的放電·發(fā)光特性的面內(nèi)均勻性良好。
與此不同，在本發(fā)明的圖18～圖20中，放電非活性膜22覆蓋著包括總線電極2的母線部b。例如即使由于放電非活性膜22的圖形形成位置偏移等原因，致使母線部b的一部分從放電非活性膜22稍許伸出一些，但由于放電間隙相鄰部e和母線部b相對(duì)于第一方向D1隔開(kāi)了一段距離，所以由放電間隙相鄰部e開(kāi)始的維持放電不會(huì)到達(dá)該母線部b。換句話說(shuō)，在本發(fā)明的圖18～圖20的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)將維持放電開(kāi)始的放電間隙相鄰部e和作為流過(guò)電流的干線的母線部b分開(kāi)配置(通過(guò)交聯(lián)部c配置)，構(gòu)成維持放電難以到達(dá)母線部b的結(jié)構(gòu)。因此，有利于大面積化。
可是，在圖18～圖20中，如果交聯(lián)部c和阻擋肋7沿第二方向D2的位置偏移變大，則交聯(lián)部c從阻擋肋7伸出而面對(duì)放電空間51S的部分增大，有時(shí)維持放電會(huì)到達(dá)交聯(lián)部c上。這時(shí)，例如放電非活性膜22也發(fā)生大的位置偏移，致使母線部從放電非活性膜22伸出，則維持放電有可能引起下述連鎖反應(yīng)放電間隙相鄰部e→交聯(lián)部c→母線部b。為了抑制該現(xiàn)象，在實(shí)施例2的圖4的結(jié)構(gòu)中已說(shuō)明過(guò)，通過(guò)使交聯(lián)部c沿第二方向D2的圖形寬度充分地收窄，使交聯(lián)部c中的放電充分地減弱或?qū)嶋H上為零，使之不至波及母線部b的程度即可。即，相應(yīng)地減弱通過(guò)覆蓋交聯(lián)部c的電介質(zhì)層3及陰極膜11到達(dá)放電空間51S的電場(chǎng)強(qiáng)度即可，可以說(shuō)適合該情況的交聯(lián)部c沿第二方向D2的圖形寬度為覆蓋該交聯(lián)部c的電介質(zhì)層3及陰極膜11的被覆厚度(沿第三方向的尺寸)的最大大約二倍以下，最好為大約一倍以下。如果采用具有這樣的交聯(lián)部c的PDP，則由于能抑制交聯(lián)部c中的放電，所以能緩和對(duì)阻擋肋7和交聯(lián)部c的定位精度的要求。因此，有利于大面積化。電介質(zhì)層3在維持放電電極上的被覆厚度由于確保絕緣強(qiáng)度和抑制放電啟動(dòng)電壓的原因，通常在25～50微米的范圍內(nèi)，另一方面，陰極膜11的厚度充其量為1微米左右。因此，要求交聯(lián)部c沿第二方向D2的圖形寬度在大約50微米以下。這樣窄的圖形寬度雖然在交聯(lián)部c的圖形形成時(shí)容易發(fā)生斷線，但如果采用本發(fā)明的圖18～圖20的結(jié)構(gòu)，則放電間隙相鄰部e跨越多個(gè)交聯(lián)部c而呈連續(xù)的圖形，所以即使一個(gè)交聯(lián)部c斷線，如果其他交聯(lián)部c不斷線，就能充分地向接近于斷線的交聯(lián)部c的放電間隙相鄰部e供電。因此，有利于獲得高的制造合格率。另外，由于與母線部b相比，交聯(lián)部c流過(guò)的最大電流極少，所以即使在用導(dǎo)電性比金屬電極有數(shù)量級(jí)之差的低的透明電極構(gòu)成交聯(lián)部c的情況下，雖然伴隨圖形寬度變窄、交聯(lián)部c的導(dǎo)電性下降，但在性能上幾乎沒(méi)有問(wèn)題。因此，如上所述使交聯(lián)部c變窄，在本發(fā)明的圖18～圖20中是能做到實(shí)用的。另外，在圖6、圖7、圖10、圖11中由于放電間隙相鄰部d跨越多個(gè)交聯(lián)部而呈連續(xù)的圖形，所以上述的情況也是同樣的。另一方面，在圖4、圖8、圖9、圖12中，由于放電間隙相鄰部a形成為按照交聯(lián)部c的一個(gè)單元分?jǐn)嗟膱D形，所以如果交聯(lián)部c斷線，則不能向接近于它的(連接的)放電間隙相鄰部a供電?？墒?，這時(shí)的顯示缺陷是點(diǎn)缺陷，與作為流過(guò)電流的干線的總線電極2或母線部b斷線的情況下的連續(xù)的線缺陷相比，不會(huì)使顯示品位明顯地下降。
另外，在圖18～圖20中，雖然示出了圖7所示結(jié)構(gòu)的變例，即，放電間隙部DG沿第一方向D1的尺寸與被相鄰的阻擋肋7夾在中間而規(guī)定的放電空間51S沿第二方向D2的中央部相比，使放電間隙相鄰部d的形狀在接近于阻擋肋7的部分變寬，但與這些情況相同，即使改變圖4、圖6、圖9、圖10、圖11中的放電間隙相鄰部a或d的形狀，也能獲得同樣的效果。另外，即使將實(shí)施例6的放電間隙相鄰部e應(yīng)用于已經(jīng)說(shuō)明的實(shí)施例3、5或它們的共同的變例，也能獲得同樣的效果。
另外，特開(kāi)平10-233171號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的PDP包括總線電極(相當(dāng)于母線部b)、連接部(相當(dāng)于交聯(lián)部c)、以及有相當(dāng)于放電間隙相鄰部a或d的部分的電極。而且，在該公報(bào)中，雖然說(shuō)明了上述連接部相向于阻擋肋設(shè)置的(在數(shù)據(jù)線(相當(dāng)于地址電極6)之間平行于該數(shù)據(jù)線設(shè)置的)情況、以及設(shè)置在單元的中心線上的情況，但沒(méi)有談到阻擋肋面向總線電極(母線部)的結(jié)構(gòu)、即阻擋肋有相當(dāng)于第二方向D2的方向的成分的結(jié)構(gòu)。另外，在該公報(bào)中公開(kāi)了上述連接部的寬度為10～80微米(最好為40微米左右)、以及電介質(zhì)層的被覆厚度約為25微米的情況。另外，在該公報(bào)中公開(kāi)了相鄰電極互相連接的結(jié)構(gòu)。此外，在該公報(bào)中公開(kāi)的這些PDP中，通過(guò)將絕緣體層設(shè)置在上述總線電極上，在母線部不發(fā)生放電?？墒?，由于用MgO覆蓋該絕緣體層，而不直接暴露于放電空間，所以與本申請(qǐng)發(fā)明的放電非活性膜不同。另外，考慮到該絕緣體層覆蓋上述總線電極的電介質(zhì)層的一部分或全部呈多孔狀，也談不上是阻擋肋。
另外，在Proceedings of The 7th InternationalDisplay Workshops(IDW’00)pp.623-626的圖2中，雖然示出了交聯(lián)部的寬度為40微米的結(jié)構(gòu)，但未設(shè)置不會(huì)引起母線部(總線電極)放電用的阻擋肋的第二成分和放電非活性膜。
<實(shí)施例7>
在上述的實(shí)施例2、6中通過(guò)用放電非活性膜22覆蓋母線部b或總線電極2，維持放電不至波及母線部b上，但在PDP中，代替使用放電非活性膜22，而將阻擋肋7變形成網(wǎng)格狀或華夫餅干狀的圖形，也能獲得同樣的效果。如圖21中的平面圖所示的PDP那樣，具有網(wǎng)格狀的圖形的阻擋肋7B在PDP的平面視圖中，包括沿第一方向D1延伸的多個(gè)第一成分7B1(相當(dāng)于已經(jīng)說(shuō)明的阻擋肋7的多個(gè)帶狀圖形)、以及沿第二方向D2延伸且在第三方向D3中位于面對(duì)母線部b的位置的多個(gè)第二成分7B2。另外，為了避免圖面的繁雜化，在圖21中只示出了阻擋肋7B、母線部b(原理性地用虛線表示)及顯示行L。在此情況下，像盡可能寬地取得放電空間而獲得高亮度那樣，在阻擋肋7B的第二成分7B2中，最好將放電單元朝向第一方向D1的中心一側(cè)的圖形邊緣設(shè)置在盡可能遠(yuǎn)離放電單元的中心的位置。但是，在這樣的情況下，如果母線部b和阻擋肋7B沿第一方向D1的定位稍有偏移，由于母線部b圍繞放電單元的中心而面向放電空間，所以如在實(shí)施例6中所述，最好通過(guò)使交聯(lián)部c沿第二方向D2的圖形寬度收窄，使維持放電不至波及交聯(lián)部c，從而抑制維持放電不至波及母線部b。另外，在圖21中，雖然示出了在相鄰的顯示行L之間存在兩個(gè)母線部b，但例如如圖9的結(jié)構(gòu)所示，在相鄰的顯示行L之間有一個(gè)母線部b的情況下，阻擋肋7B也能適用。另外，在圖2 1中雖然以跨越相鄰的顯示行L之間的兩個(gè)母線部b的方式設(shè)置阻擋肋7B的各第二成分7B2，但各第二成分7B2也可以分別設(shè)置在該兩個(gè)母線部b上(參照有圖22中的華夫餅干狀圖形的阻擋肋7C)。
如果采用備有圖21中的網(wǎng)格狀的阻擋肋7B及圖18～圖20中的維持放電電極XF、YF的PDP51，則放電間隙部DG上方的放電空間中形成的電場(chǎng)強(qiáng)度在遠(yuǎn)離第一成分7B1的放電單元的中央部能比接近阻擋肋7B的該第一成分7B1近的部分強(qiáng)。因此，由維持放電電極XF、YF產(chǎn)生的面放電以該中央部為起點(diǎn)而擴(kuò)展，離阻擋肋7B的第一成分7B1近的部分幾乎不會(huì)成為起點(diǎn)，所以能減少等離子體的能量損失的比例。而且，在距離阻擋肋7B的第一成分7B1近的部分，與實(shí)際上引起面放電的維持放電電極XF、YF的面積相比，能增大等離子體的擴(kuò)展區(qū)域，所以能提高發(fā)光效率。另外，由于即使在相鄰的顯示行L相互之間的母線部b附近，也能利用阻擋肋7B的第二成分7B2來(lái)抑制母線部b中的放電，而不發(fā)生誤放電，所以能提高發(fā)光效率。這樣的效果在對(duì)阻擋肋7B進(jìn)行改變而備有圖22中的華夫餅干狀圖形的阻擋肋7C的PDP51中也一樣。
另外，作為利用有沿第二方向D2延伸的成分的阻擋肋而不至引起母線部(總線電極)放電的事例，能舉出特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)中的圖12、特開(kāi)2000-195431號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-311612號(hào)公報(bào)、Proceedings of the 21st International DisplayResearch Conference in conjunction with The 8thInternational Display Workshops(Asia Display/IDW’01)的pp.869-872中的圖1或pp.1757-1758中的圖1等?？墒?，在這些事例中，既不存在相當(dāng)于交聯(lián)部c的部分，也沒(méi)有抑制交聯(lián)部c中的放電的意圖。因此，如果母線部、阻擋肋和第一方向D1的定位有少許偏移，母線部面向圍繞放電單元的中心的放電空間，則難以抑制母線部中的放電，這一點(diǎn)與該實(shí)施例7不同。
<關(guān)于實(shí)施例1～7>
如實(shí)施例1～7所示，由于在沿第一方向D1位于距離放電間隙部DG最遠(yuǎn)的位置的構(gòu)成維持放電電極X、Y等(在以下的說(shuō)明中用維持放電電極X、Y作為代表)的母線部b或總線電極2的部位不引起放電，有在寫(xiě)入期間(尋址期間)AD中的維持放電電極X、Y之間容易發(fā)生有選擇的寫(xiě)入放電(尋址放電)的效果。這是因?yàn)槭紫仍谳斎肓藢?dǎo)通電壓的地址電極W與選擇掃描中的維持放電電極Y之間發(fā)生相向放電，將該電極W、Y之間的相向放電作為觸發(fā)器，在該放電單元中因發(fā)生維持放電電極X、Y之間的寫(xiě)入面放電而成立，所以在距離放電間隙部DG較近的部分發(fā)生電極W、Y之間的相向放電的一方容易發(fā)生將放電間隙部DG的附近作為起點(diǎn)的電極X、Y之間的寫(xiě)入面放電。即，在實(shí)施例1～7中，由于在沿第一方向D1位于距離放電間隙部DG最遠(yuǎn)的位置的構(gòu)成維持放電電極X、Y的母線部b或總線電極2的部位不引起放電，所以在上述部位也沒(méi)有寫(xiě)入期間AD中的電極W、Y之間的相向放電，而在距離放電間隙部DG比上述部位近的部分發(fā)生。
一般說(shuō)來(lái)，電極W、Y之間的相向放電以地址電極W為陽(yáng)極、而且以維持放電電極Y為陰極成立，這時(shí)作用于電極W、Y之間的電場(chǎng)沿第一方向D1的強(qiáng)度在接近于放電間隙部DG一側(cè)，在對(duì)電極Y施加正極性的電壓的電極X的影響下一部分被抵消。因此距離放電間隙部DG遠(yuǎn)的一方作用于電極W、Y之間的電場(chǎng)強(qiáng)度較大。而且，總線電極2為了承擔(dān)作為流過(guò)電流的干線的功能，有必要將電阻抑制得相應(yīng)地低，所以其厚度(第三方向D3上的尺寸)為數(shù)微米至10微米的程度，與僅由厚度為亞微米級(jí)的透明電極1構(gòu)成的透明部相比，總線電極2上的電介質(zhì)層3的被覆厚度小，所以放電空間51S中的電場(chǎng)更強(qiáng)。因此，在使總線電極2位于距離放電間隙部DG最遠(yuǎn)的位置而構(gòu)成維持放電電極X、Y的一般的單元結(jié)構(gòu)中，只要不進(jìn)行在總線電極2的附近難以引起放電的處理，在距離放電間隙部DG最遠(yuǎn)的部位就會(huì)發(fā)生寫(xiě)入期間AD的電極W、Y之間的相向放電，所以難以誘發(fā)將放電間隙部DG附近作為起點(diǎn)的維持放電電極X、Y之間的寫(xiě)入面放電。
與此不同，如果采用在實(shí)施例1～7中已經(jīng)說(shuō)明的作為眾所周知的事例的特開(kāi)2000-39866號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-195431號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-311612號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2001-176400號(hào)公報(bào)、以及Proceedingsof Asia Display/IDW’01 pp869-872中的圖1或pp1757-1758中的圖1的結(jié)構(gòu)，則通過(guò)將放電非活性膜或阻擋肋沿第二方向D2延伸的成分設(shè)置在面對(duì)該母線部b的位置，能抑制了包括位于距離放電間隙部DG最遠(yuǎn)的位置的總線電極2的母線部b中的放電。因此，在距離放電間隙部DG較近的部分能發(fā)生電極W、Y之間的相向放電，因此更容易誘發(fā)將放電間隙部DG附近作為起點(diǎn)的電極X、Y之間的寫(xiě)入面放電，所以能改善寫(xiě)入(尋址工作)的響應(yīng)性。另外，如果以提高發(fā)光效率為目的而增加填充在放電空間51S中的放電氣體的壓力或Xe濃度，則有時(shí)寫(xiě)入的響應(yīng)性下降，但該結(jié)構(gòu)對(duì)處置這樣的情況是有效的。
另外，在實(shí)施例2、6、7、實(shí)施例2的變例、特開(kāi)2000-195431號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-311612號(hào)公報(bào)、以及特開(kāi)2001-176400號(hào)公報(bào)的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)設(shè)置沿第二方向D2的尺寸比放電間隙相鄰部a、d、e小的交聯(lián)部c，除了母線部b的部分以外，在維持放電電極X、Y中位于放電間隙部DG附近的部分的比例比其他事例大。因此，在距離放電間隙部DG近的部位發(fā)生電極W、Y之間的相向放電的可能性大，所以寫(xiě)入的響應(yīng)性更好。
其中，在實(shí)施例2、6或特開(kāi)2001-176400號(hào)公報(bào)的結(jié)構(gòu)中，由于將放電非活性膜22設(shè)置在母線部b上，所以阻擋肋7即使不具有沿第二方向D2延伸的成分，也能抑制母線部b中的放電發(fā)生。因此，放電啟動(dòng)用的成為輔助手段的放電空間中的觸發(fā)粒子越過(guò)一個(gè)放電單元的范圍進(jìn)行擴(kuò)散，能輔助在放電單元中發(fā)生的放電，所以寫(xiě)入的響應(yīng)性更好。
另外，如在實(shí)施例2、6、7中所述，如果通過(guò)使交聯(lián)部c的圖形寬度充分地收窄，或者如圖7、圖11、圖12所示，通過(guò)面對(duì)沿第一方向D1延伸的阻擋肋7設(shè)置交聯(lián)部c，而難以引起交聯(lián)部c中的放電，則寫(xiě)入期間AD中的電極W、Y之間的相向放電就會(huì)在專用的放電間隙相鄰部a、d、e中發(fā)生。即，如果采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，則寫(xiě)入的響應(yīng)性比可能在交聯(lián)部c中發(fā)生電極W、Y之間的相向放電的特開(kāi)2000-195431號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-311612號(hào)公報(bào)、以及特開(kāi)2001-176400號(hào)公報(bào)的結(jié)構(gòu)更好。
另外，在以上的說(shuō)明中，雖然說(shuō)明了在放電維持期間之前，先在尋址期間將必要的壁電荷供給根據(jù)圖像信號(hào)應(yīng)發(fā)生維持放電的放電單元的寫(xiě)入尋址方式的情況，但通過(guò)預(yù)先將可啟動(dòng)維持放電的壁電荷供給全部放電單元，在接下來(lái)的尋址期間引起根據(jù)圖像信號(hào)有選擇地消除壁電荷用的放電，在后繼的放電維持期間備有的消除尋址方式的情況下，也能使上述選擇的消除放電的響應(yīng)性好。
<應(yīng)用例>
不用說(shuō)，通過(guò)將以上說(shuō)明的例如放電非活性膜21等、維持放電電極X、Y等、以及阻擋肋7等進(jìn)行各種組合(包括形狀、尺寸、配置形態(tài)、材料、制造方法)，可以考慮多種應(yīng)用例。
另外，例如在圖1、2、4、6～8、13、14、16～20中，雖然使維持放電電極X、Y沿第一方向D1的排列為…X、Y、X、Y、X、Y、X、Y、...，但將其變?yōu)?..X、Y、Y、X、X、Y、Y、X...也沒(méi)有關(guān)系。如果采用后者的排列方法，則由于變成相鄰的維持放電電極X之間或Y之間夾著相鄰維持放電電極對(duì)間隙部NG，所以X電極組和Y電極組之間的靜電電容相對(duì)地變小。因此，在兩個(gè)電極組之間施加AC電壓的放電維持期間SU中，獲得了能利用上述電容分量減少功耗的效果。如果按照本發(fā)明的第一方面，則由于放電非活性膜實(shí)際上不包括無(wú)機(jī)粘合劑，而由粉體的集合體構(gòu)成，所以能不與陰極膜粘附地配置放電非活性膜。因此，能提供一種在第一電極之間形成的維持放電所必須的最小維持脈沖電壓不會(huì)大幅度增大的等離子體顯示面板(PDP)。另外，由于放電非活性膜實(shí)際上不包括無(wú)機(jī)粘合劑，而由粉體的集合體構(gòu)成，所以作用于放電非活性膜與阻擋肋的接觸部分的壓力被均等化，能緩和針尖的壓力作用。因此，在應(yīng)用了該P(yáng)DP用基板的PDP中，能防止因阻擋肋的折損引起的像素缺陷的發(fā)生。另外，能用絲網(wǎng)印刷法廉價(jià)地形成該放電非活性膜，還不會(huì)引起自然剝離，具有上述的效果。
如果按照本發(fā)明的第二方面，則由于Al2O3、TiO2、SiO2的二次電子釋放特性比陰極膜上一般使用的MgO低，所以能可靠地提供放電非活性膜。
如果按照本發(fā)明的第三方面，則由于能形成可見(jiàn)光透射性高的(有透明度的)放電非活性膜，所以能提供發(fā)光效率高的PDP。
如果按照本發(fā)明的第四方面，則即使在陰極膜上形成放電非活性膜的情況下，也能使基底的陰極膜的表面在微觀上不露出。因此，能防止在放電非活性膜上發(fā)生放電，能可靠地發(fā)揮放電非活性膜的作用。
如果按照本發(fā)明的第五方面，則即使在陰極膜上形成放電非活性膜的情況下，在應(yīng)用了該P(yáng)DP用基板的PDP中，能使陰極膜與阻擋肋之間的間隙充分地小。因此，通過(guò)阻擋肋能抑制相鄰的放電空間內(nèi)或放電單元內(nèi)的放電互相干涉，能提供能確保放電單元的選擇性的PDP。
如果按照本發(fā)明的第六方面，則由于在平面視圖中放電非活性膜在距離放電間隙相鄰部大約50微米以上的位置有圖形邊緣，所以放電間隙相鄰部能不被放電非活性膜覆蓋。因此，能提供即使由于絲網(wǎng)印刷法致使放電非活性膜的圖形邊緣的形成位置有少許偏移或晃動(dòng)，放電間隙相鄰部中的放電也不容易影響該位置偏移等的PDP。因此，由于能抑制每一個(gè)放電單元的放電電流的增減，所以能改善顯示性能的再現(xiàn)性和面內(nèi)均勻性。另外，由于能抑制每一個(gè)放電單元的放電電流的大小不勻，所以能抑制與網(wǎng)版的網(wǎng)孔編織濃淡不勻?qū)?yīng)的亮度不勻。另外，通過(guò)設(shè)定印刷的各條件，以使放電非活性膜的圖形邊緣在平面視圖中離開(kāi)放電間隙相鄰部大約50微米以上，能以良好的合格率(就平均而言)制造例如即使產(chǎn)生印刷位置偏移，也能滿足上述的位置關(guān)系(放電間隙相鄰部不被放電非活性膜覆蓋)的PDP用基板。
如果按照本發(fā)明的第七方面，則該放電非活性膜形成為在平面視圖中在與放電間隙相鄰部的距離比與母線部的距離長(zhǎng)的位置處有圖形邊緣。如果設(shè)定呈這樣的位置關(guān)系的各種印刷條件，則例如即使產(chǎn)生印刷位置偏移，在平面視圖中放電非活性膜的圖形也不會(huì)到達(dá)放電間隙相鄰部，能以良好的合格率(就平均而言)制造在平面視圖中即使母線部從放電非活性膜的圖形稍許露出，母線部也不發(fā)生放電的PDP用基板。
如果按照本發(fā)明的第八方面，則由于利用透明電極能不遮擋放電間隙相鄰部附近發(fā)出的強(qiáng)光而將其取出，同時(shí)利用總線電極能降低第一電極的線電阻，所以能提供發(fā)光效率高的PDP。另外，由于總線電極遮擋發(fā)出的光比放電間隙部附近弱，所以由總線電極取出發(fā)出的光的效率的損失小。
如果按照本發(fā)明的第九方面，則在應(yīng)用該P(yáng)DP用基板的PDP中，利用外向表面減少外部光的反射量，能提供明亮的室內(nèi)的顯示對(duì)比度，同時(shí)由于利用內(nèi)向表面在放電單元內(nèi)二次反射從熒光體發(fā)出的光，能取出更多的光作為顯示光。因此，能提供發(fā)光效率高的PDP。
如果按照本發(fā)明的第十方面，則在應(yīng)用該P(yáng)DP用基板的PDP中，則即使第一電極與阻擋肋的相對(duì)位置沿第二方向偏移，在放電間隙相鄰部中進(jìn)行面放電的各主要部分的面積和形狀也不受上述偏移的影響。因此，能提供在面板的整個(gè)表面上獲得穩(wěn)定的顯示性能的PDP。
如果按照本發(fā)明的第十一方面，則在應(yīng)用該P(yáng)DP用基板的PDP中，能使第一電極之間的面放電從放電間隙部附近階梯式地(分步驟地)擴(kuò)展到遠(yuǎn)處。因此，由于能減少放電的瞬時(shí)峰值電流，所以能減少PDP的驅(qū)動(dòng)裝置的峰值負(fù)載。其結(jié)果是，能降低該驅(qū)動(dòng)裝置的成本。另外，在陰極膜的露出表面上形成的放電(等離子體)在沿第一方向?qū)⒌谝浑姌O分?jǐn)嗟膮^(qū)域中以與不設(shè)置放電非活性膜的露出表面的情況相同的程度擴(kuò)展，所以瞬時(shí)的紫外線的發(fā)生量幾乎相同。即，由于相對(duì)于為了放電而投入的能量，紫外線的發(fā)生效率提高了，所以能提供發(fā)光效率高的PDP。另外，在該P(yáng)DP用基板中，在放電非活性膜中將第一電極分?jǐn)喽O(shè)置的部分的下方的第一電極本身的圖形不分?jǐn)?。因此，如果采用該P(yáng)DP用基板，則不會(huì)導(dǎo)致放電啟動(dòng)電壓的大幅度增加。
如果按照本發(fā)明的第十二方面，則能獲得第一方面至第十一方面中的任意一個(gè)方面的PDP用基板所產(chǎn)生的效果。
如果按照本發(fā)明的第十三方面，則交聯(lián)部中的放電比交聯(lián)部與放電空間面對(duì)時(shí)減弱或變?yōu)榱?。因此，各放電間隙相鄰部的放電更加支配或完全支配各放電單元的放電特性。因此，在放電非活性膜的圖形邊緣上即使形成位置稍微偏移或晃動(dòng)，也能進(jìn)一步減弱或消除該形成位置偏移等造成的不良現(xiàn)象。
如果按照本發(fā)明的第十四方面，則即使阻擋肋變窄及/或變高，而形成h/w≥2的關(guān)系也能利用第一方面的放電非活性膜抑制阻擋肋的折損。因此，能減少由阻擋肋的折損造成的像素缺陷的發(fā)生。另外，有可能使阻擋肋形成得窄及/或高，所以能擴(kuò)大放電空間及提高亮度和發(fā)光效率。
如果按照本發(fā)明的第十五方面，則制造方法的選擇自由度比網(wǎng)格狀的阻擋肋高或制造時(shí)的不良現(xiàn)象少。另外，由于等離子體粒子撞擊阻擋肋上的熒光體使能量損失的比例在帶狀的阻擋肋的情況下比網(wǎng)格狀的阻擋肋小，所以能獲得更高的發(fā)光效率。
如果按照本發(fā)明的第十六方面，則在平面視圖中，在多個(gè)放電間隙相鄰部中沿第二方向排列的放電間隙相鄰部之間的區(qū)域雖然不面對(duì)阻擋肋，但在放電間隙相鄰部上方的放電空間內(nèi)發(fā)生的等離子體也能擴(kuò)展到放電間隙相鄰部之間的上述區(qū)域。因此，放電電流的比例中能使從等離子體發(fā)生的紫外線量增多。因此，能提高發(fā)光效率。
如果按照本發(fā)明的第十七方面，則由于放電非活性膜及陰極膜的露出表面被構(gòu)成圖形，以使在多個(gè)放電單元內(nèi)在第一基板上形成的各面放電的大小依賴于多個(gè)放電單元各自的發(fā)光色，所以能調(diào)整每一種發(fā)光色的發(fā)光強(qiáng)度。因此，能改善顯示的色平衡。
如果按照本發(fā)明的第十八方面，則通過(guò)在復(fù)位期間將規(guī)定的電位差供給相鄰的第一電極之間，能抑制在第一基板上發(fā)生的面放電到達(dá)放電非活性膜的露出表面。因此，能防止壁電荷通過(guò)觸發(fā)放電而隨機(jī)地蓄積在放電非活性膜上，所以能使上述規(guī)定電位供給后或上述面放電形成后的壁電荷的初始化穩(wěn)定下來(lái)。其結(jié)果是，能確保復(fù)位期間后的寫(xiě)入期間中的單元選擇性，在被選擇的放電單元內(nèi)在寫(xiě)入期間后的放電維持期間能可靠地發(fā)生維持放電。
如果按照本發(fā)明的第十九方面，則由于規(guī)定電位差的逐漸增加，能抑制在放電間隙部附近開(kāi)始的面放電從放電間隙部擴(kuò)展到遠(yuǎn)處，所以能抑制復(fù)位期間的面放電到達(dá)放電非活性膜的露出表面。
如果按照本發(fā)明的第二十方面，則由于在平面視圖中以不覆蓋放電間隙相鄰部的方式配置放電非活性膜的露出表面，所以例如通過(guò)充分地遠(yuǎn)離放電間隙相鄰部，或/及通過(guò)使交聯(lián)部沿第二方向的寬度充分地收窄，能將在放電間隙部附近開(kāi)始的面放電局限在放電間隙相鄰部的范圍內(nèi)或至交聯(lián)部的中途。即，能抑制在復(fù)位期間的面放電到達(dá)放電非活性膜的露出表面。
如果按照本發(fā)明的第二十一方面，則在放電間隙部上方的放電空間中形成的電場(chǎng)強(qiáng)度在遠(yuǎn)離阻擋肋的放電單元的中央部能比接近阻擋肋的部分強(qiáng)。因此，第一電極的面放電將該中央部作為起點(diǎn)擴(kuò)展，由于接近阻擋肋的部分幾乎不會(huì)成為起點(diǎn)，所以等離子體的能量損失的比例少。而且，在距離阻擋肋近的部分中，能使等離子體的擴(kuò)展區(qū)域比實(shí)際上引起面放電的第一電極的面積大，所以發(fā)光效率高。另外，由于在相鄰的顯示行之間即使使雙方的母線部靠近，也能利用放電非活性膜抑制母線部中的放電，而不發(fā)生誤放電，所以能提高發(fā)光效率。另外，由于通過(guò)交聯(lián)部隔開(kāi)設(shè)置母線部與放電間隙相鄰部，所以即使放電非活性膜或阻擋肋的形成位置稍微偏移，母線部也不會(huì)發(fā)生放電，所以有利于大面積化。
如果按照本發(fā)明的第二十二方面，則在放電間隙部上方的放電空間中形成的電場(chǎng)強(qiáng)度在遠(yuǎn)離阻擋肋的第一成分的放電單元的中央部能比接近阻擋肋的第一成分的部分強(qiáng)。因此，第一電極的面放電將該中央部作為起點(diǎn)擴(kuò)展，接近于阻擋肋的第一成分的部分幾乎不會(huì)成為起點(diǎn)，所以等離子體的能量損失的比例減少。而且，在距離阻擋肋的第一成分近的部分，能使等離子體的擴(kuò)展區(qū)域比實(shí)際上引起面放電的第一電極的面積大，所以發(fā)光效率得到提高。另外，由于在相鄰的顯示行之間即使使雙方的母線部靠近，也能利用阻擋肋的第二成分抑制母線部中的放電，而不發(fā)生誤放電，所以能提高發(fā)光效率。另外，由于放電間隙相鄰部包括透明電極，所以該放電間隙相鄰部能不遮擋從熒光體發(fā)出的光，其結(jié)果是更能提高發(fā)光效率。
如果按照本發(fā)明的第二十三方面，則由于通過(guò)電介質(zhì)層或陰極膜的被覆厚度面對(duì)交聯(lián)部的放電空間中的電場(chǎng)的形成減弱，所以能抑制放電波及交聯(lián)并抑制交聯(lián)部中的放電啟動(dòng)。因此，能抑制放電經(jīng)過(guò)交聯(lián)部而波及母線部，而在專用放電間隙相鄰部進(jìn)行放電，所以發(fā)光效率得到提高，尋址放電(寫(xiě)入放電)的響應(yīng)性也變好。另外，由于能抑制交聯(lián)部中的放電，所以能緩和涉及阻擋肋的第一成分與交聯(lián)部的定位的要求精度。因此，有利于大面積化。
如果按照本發(fā)明的第二十四方面，則由于通過(guò)電介質(zhì)層或陰極膜的被覆厚度面對(duì)交聯(lián)部的放電空間中的電場(chǎng)的形成減弱，所以能抑制放電波及交聯(lián)部并抑制交聯(lián)部中的放電啟動(dòng)。因此，能抑制放電經(jīng)過(guò)交聯(lián)部而波及母線部，而在專用放電間隙相鄰部進(jìn)行放電，所以發(fā)光效率得到提高，尋址放電(寫(xiě)入放電)的響應(yīng)性也變好。另外，由于能抑制交聯(lián)部中的放電，所以能緩和涉及阻擋肋的第一成分與交聯(lián)部的定位的要求精度。因此，有利于大面積化。
如果按照本發(fā)明的第二十五方面，則即使某交聯(lián)部處發(fā)生斷線，但由于能通過(guò)其他未斷線的交聯(lián)部向與其接近的放電間隙相鄰部供電，所以有利于獲得高的制造合格率。
如果按照本發(fā)明的第二十六方面，則即使某交聯(lián)部處發(fā)生斷線，但由于能通過(guò)其他未斷線的交聯(lián)部向與其接近的放電間隙相鄰部供電，所以有利于獲得高的制造合格率。
如果按照本發(fā)明的第二十七方面，則即使某交聯(lián)部處發(fā)生斷線，但由于能通過(guò)其他未斷線的交聯(lián)部向與其接近的放電間隙相鄰部供電，所以有利于獲得高的制造合格率。
如果按照本發(fā)明的第二十八方面，則即使某交聯(lián)部處發(fā)生斷線，但由于能通過(guò)其他未斷線的交聯(lián)部向與其接近的放電間隙相鄰部供電，所以有利于獲得高的制造合格率。
如果按照本發(fā)明的第二十九方面，則即使在陰極膜上形成放電非活性膜的情況下，在應(yīng)用了該P(yáng)DP用基板的PDP中，也能使陰極膜與阻擋肋之間的間隙充分地減小。因此，通過(guò)阻擋肋能抑制相鄰的放電空間內(nèi)或放電單元內(nèi)的放電互相干擾。因此，即使放電間隙相鄰部沿第二方向跨越相鄰的多個(gè)交聯(lián)部形成連續(xù)的圖形，也能提供確保放電單元的選擇性的PDP。
如果按照本發(fā)明的第三十方面，則即使在陰極膜上形成放電非活性膜的情況下，在應(yīng)用了該P(yáng)DP用基板的PDP中，也能使陰極膜與阻擋肋之間的間隙充分地減小。因此，通過(guò)阻擋肋能抑制相鄰的放電空間內(nèi)或放電單元內(nèi)的放電互相干擾。因此，即使放電間隙相鄰部沿第二方向跨越相鄰的多個(gè)交聯(lián)部形成連續(xù)的圖形，也能提供確保放電單元的選擇性的PDP。
如果按照本發(fā)明的第三十一方面，則即使在陰極膜上形成放電非活性膜的情況下，在應(yīng)用了該P(yáng)DP用基板的PDP中，也能使陰極膜與阻擋肋之間的間隙充分地減小。因此，通過(guò)阻擋肋能抑制相鄰的放電空間內(nèi)或放電單元內(nèi)的放電互相干擾。因此，即使放電間隙相鄰部沿第二方向跨越相鄰的多個(gè)交聯(lián)部形成連續(xù)的圖形，也能提供確保放電單元的選擇性的PDP。
如果按照本發(fā)明的第三十二方面，則由于在距離放電間隙近的部位引起第一電極與第二電極之間的相向放電，所以容易誘發(fā)放電間隙附近成為起點(diǎn)的第一電極的尋址面放電(寫(xiě)入面放電)。因此，尋址工作(寫(xiě)入工作)的響應(yīng)性變好。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，其特征在于備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜的兩個(gè)上述露出表面在平面視圖中相接，上述放電非活性膜由實(shí)際上不包含無(wú)機(jī)粘合劑的粉體的集合體構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于上述粉體包括Al2O3、TiO2、SiO2各粉體中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于上述粉體的平均粒徑大約為1微米以下。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于上述放電非活性膜具有大約為上述粉體的平均粒徑以上的厚度、而且具有大約在10微米以下的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于上述阻擋肋包括沿恒定方向延伸的圖形，關(guān)于上述阻擋肋的上述圖形，將作為上述第一及第二基板的重疊方向的尺寸的高度表記為h，關(guān)于上述重疊方向，將對(duì)作為垂直于上述重疊方向及上述恒定方向這兩個(gè)方向的尺寸的圖形寬度取平均而獲得的平均圖形寬度表記為w時(shí)，滿足h/w≥2。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于上述阻擋肋是帶狀的阻擋肋。
7.一種等離子體顯示面板，其特征在于備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜的兩個(gè)上述露出表面在平面視圖中相接，上述放電非活性膜采用膏狀材料的印刷·焙燒法形成，在平面視圖中在距離上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部大約50微米以上的位置包含有圖形邊緣的部分。
8.一種等離子體顯示面板，其特征在于備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜的兩個(gè)上述露出表面在平面視圖中相接，上述放電非活性膜在平面視圖中在與上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部的距離比與上述母線部的距離長(zhǎng)的位置包含有圖形邊緣的部分。
9.一種等離子體顯示面板，其特征在于備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的多個(gè)放電間隙相鄰部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述放電間隙相鄰部的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述母線部的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜的上述露出表面在平面視圖中相接，上述阻擋肋在平面視圖中至少包括沿上述第一方向延伸的多個(gè)第一成分，在平面視圖中，至少一個(gè)放電間隙相鄰部具有這樣的形狀，即該放電間隙相鄰部相接的上述放電間隙部沿上述第一方向的尺寸在由上述阻擋肋相鄰的第一成分規(guī)定的區(qū)域中在距離該阻擋肋的第一成分近的部位比上述第二方向的中心部寬。
10.一種等離子體顯示面板，其特征在于備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的多個(gè)放電間隙相鄰部，上述多個(gè)放電間隙相鄰部包括透明電極而形成，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述放電間隙相鄰部的區(qū)域中有露出表面的陰極膜，上述阻擋肋在平面視圖中至少包括沿上述第一方向延伸的多個(gè)第一成分；以及沿上述第二方向延伸、面對(duì)上述母線部的多個(gè)第二成分，在平面視圖中，至少一個(gè)放電間隙相鄰部具有這樣的形狀，即該放電間隙相鄰部相接的上述放電間隙部沿上述第一方向的尺寸在由上述阻擋肋相鄰的第一成分規(guī)定的區(qū)域中在距離該阻擋肋的第一成分近的部位比上述第二方向的中心部寬。
11.一種等離子體顯示面板，其特征在于備有第一基板；面對(duì)上述第一基板配置的第二基板；以及配置在上述第一基板與第二基板之間、至少包括沿上述第一方向延伸的多個(gè)第一成分的阻擋肋，上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述母線部的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述交聯(lián)部沿上述第二方向的尺寸大約為覆蓋該交聯(lián)部的電介質(zhì)層和陰極膜的被覆厚度的二倍以下。
12.一種等離子體顯示裝置，其特征在于備有權(quán)利要求1至11中的任意一項(xiàng)所述的等離子體顯示面板；以及驅(qū)動(dòng)上述等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)裝置，上述第二基板包括沿著與上述多個(gè)第一電極交叉的方向延伸的多個(gè)第二電極，在由上述驅(qū)動(dòng)部進(jìn)行的尋址工作中，在平面視圖中在距離該第一電極的上述放電間隙部近的部位進(jìn)行上述第一電極與上述第二電極之間的相向放電。
13.一種等離子體顯示裝置，它是備有互相面對(duì)配置的第一及第二基板的等離子體顯示面板，以及備有驅(qū)動(dòng)上述等離子體顯示面板的驅(qū)動(dòng)裝置的等離子體顯示裝置，其特征在于上述第一基板備有基板；以及在上述基板上沿第一方向排列、同時(shí)沿與上述第一方向交叉的第二方向延伸、規(guī)定沿上述第二方向延伸的多個(gè)顯示行的多個(gè)第一電極，設(shè)置在上述多個(gè)第一電極之間的多個(gè)間隙部至少包括對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的多個(gè)放電間隙部，上述第一基板還備有覆蓋著上述多個(gè)第一電極配置在上述基板上的電介質(zhì)層；通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行的區(qū)域中有露出表面的陰極膜；以及通過(guò)上述電介質(zhì)層面對(duì)上述基板配置的、在對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)顯示行之間的區(qū)域中有露出表面的、二次電子釋放特性比上述陰極膜低的放電非活性膜，上述放電非活性膜及上述陰極膜的兩個(gè)上述露出表面在平面視圖中相接，上述驅(qū)動(dòng)裝置在復(fù)位期間將規(guī)定電位差供給上述多個(gè)第一電極的相鄰的電極之間，上述等離子體顯示裝置有在上述復(fù)位期間通過(guò)供給上述規(guī)定電位差，抑制在上述第一基板上發(fā)生的面放電到達(dá)上述放電非活性膜的上述露出表面上的結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示裝置，其特征在于抑制上述復(fù)位期間中的上述面放電到達(dá)上述放電非活性膜的上述露出表面上的上述結(jié)構(gòu)包括上述驅(qū)動(dòng)裝置使上述規(guī)定電位逐漸增大的結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)第一電極中的各個(gè)電極包括沿上述第二方向延伸的母線部；從上述母線部朝向上述多個(gè)放電間隙部中與上述母線部相鄰的至少一個(gè)放電間隙部延伸的多個(gè)交聯(lián)部；以及通過(guò)上述多個(gè)交聯(lián)部中的至少一個(gè)與上述母線部導(dǎo)電性地連接、與上述至少一個(gè)放電間隙部相鄰配置的至少一個(gè)放電間隙相鄰部，抑制上述復(fù)位期間中的上述面放電到達(dá)上述放電非活性膜的上述露出表面上的上述結(jié)構(gòu)在平面視圖中包括上述放電非活性膜的上述露出表面配置成不覆蓋上述至少一個(gè)放電間隙相鄰部的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明的課題是，提供一種能抑制最小維持脈沖電壓的大幅度增大、解決用絲網(wǎng)印刷法形成放電非活性膜時(shí)產(chǎn)生的各種問(wèn)題的PDP用基板及PDP。放電非活性膜22由實(shí)際上不包含無(wú)機(jī)粘合劑的粉體的集合體構(gòu)成。各維持放電電極XB、YB包括多個(gè)放電間隙相鄰部a、一個(gè)母線部b、以及多個(gè)交聯(lián)部c。母線部b與電極對(duì)間隙部NG相鄰，沿第二方向D2延伸。多個(gè)交聯(lián)部c朝向放電間隙部DG延伸。放電間隙相鄰部a分別結(jié)合在多個(gè)交聯(lián)部c上，這些放電間隙相鄰部a與放電間隙部DG相鄰且沿其排列。放電非活性膜22被配置成不覆蓋放電間隙相鄰部a。在復(fù)位期間在維持放電電極X、Y之間形成面放電時(shí)，使維持放電電極X、Y之間的電位差逐漸增大。
文檔編號(hào)H01J11/40GK1414596SQ0214708
公開(kāi)日2003年4月30日 申請(qǐng)日期2002年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月26日
發(fā)明者永野真一郎 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社