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一種串聯(lián)IGBT驅(qū)動電路的制作方法

文檔序號:11110819閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種串聯(lián)IGBT驅(qū)動電路,包括驅(qū)動電源(V)、負(fù)載電阻(R5)、IGBT網(wǎng)絡(luò)電路,所述IGBT網(wǎng)絡(luò)電路由數(shù)個IGBT開關(guān)管(S)串聯(lián)而成,其特征在于:該驅(qū)動電路還包括一DSP信號發(fā)生器,所述DSP信號發(fā)生器包括導(dǎo)通信號輸出端(Drive1)和關(guān)斷信號輸出端(Drive2),每一級IGBT開關(guān)管(S)均與一RCD電路及一MOS管(M)連接,所述RCD電路包括第一電阻(R1)、電容(C)及第一二極管(D),第一二極管(D)的陽極與IGBT開關(guān)管(S)的集電極連接,第一二極管(D)的陽極與第一電阻(R1)、MOS管(M)的源極連接, MOS管(M)的柵極通過第二驅(qū)動電阻(R4)與關(guān)斷信號輸出端(Drive2)連接,MOS管(M)的漏極通過第一驅(qū)動電阻(R3)與IGBT開關(guān)管(S)的基極連接,第一級IGBT開關(guān)管(S)的基極通過第一驅(qū)動電阻(R3)與導(dǎo)通信號輸出端(Drive1)連接,第一電阻(R1)的另一端通過第一驅(qū)動電阻(R3)與下一級MOS管(M)的源極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)IGBT驅(qū)動電路,其特征在于:所述IGBT開關(guān)管(S)的集電極與發(fā)射極之間并聯(lián)有均壓電阻(R2)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)IGBT驅(qū)動電路,其特征在于:所述第一電阻(R1)的另一端與第一驅(qū)動電阻(R3)之間設(shè)有第二二極管(D1)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)IGBT驅(qū)動電路,其特征在于:第二驅(qū)動電阻(R4)與關(guān)斷信號輸出端(Drive2)之間設(shè)有第三二極管(D2)。

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