陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]透明TFT 液晶顯不面板(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay)面板是指具有一定程度的透光性，并且可以顯示畫面后面的背景，可用于建筑物或車輛商店櫥窗等的TFT-LCD面板。除了原有的顯示功能外，更具備提供資訊等未來顯示裝置特色，因此受到市場(chǎng)的關(guān)注，未來有望占據(jù)部分如建筑物，廣告牌，公共場(chǎng)所等顯示市場(chǎng)，并帶動(dòng)整體TFT-LCD面板市場(chǎng)的發(fā)展。
[0003]透明TFT-1XD裝置最大的特點(diǎn)是透明，而透明是人眼反映給大腦的感覺，這種感覺主要來自于透明TFT-1XD裝置背后的物體的亮度，所以現(xiàn)有的透明TFT-1XD裝置會(huì)在顯示屏的后方安裝大功率的照明裝置，這種方式會(huì)造成透明TFT-LCD裝置的功率很大。無背光透明TFT-LCD裝置可以有效降低顯示屏的功耗，但由于目前液晶面板透過率很低，在不使用背光的情況下，透明效果很不理想。目前通常的做法是，去除彩膜側(cè)RGB色阻(即彩膜)制作黑白透明顯示屏，將RGB色阻去除后，可以將液晶面板的透過率從5.9%提升至約22%。去RGB色阻的方式使得透明TFT-1XD裝置在無背光下透明顯示效果有很大提升，但透過率還是有一定的提升空間。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:如何提高透明TFT-1XD顯示屏的透過率。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，包括:形成在襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線，所述公共電極線將顯示區(qū)域劃分成多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)都設(shè)置有像素電極；
[0006]其中，所述像素區(qū)域包括:至少兩個(gè)像素疇區(qū)域，所述像素電極與所述像素疇區(qū)域?qū)?yīng)的部分具有條狀鏤空，所述柵線和數(shù)據(jù)線相交，且所述柵線和數(shù)據(jù)線中至少一條形成在所述至少兩個(gè)像素疇區(qū)域之間的暗紋區(qū)，所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管連接所述柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極，所述柵線和數(shù)據(jù)線之間間隔第一絕緣層，所述數(shù)據(jù)線和像素電極之間間隔第二絕緣層。
[0007]其中，每個(gè)所述像素區(qū)域包括:兩行、兩列四個(gè)像素疇區(qū)域；所述柵線和數(shù)據(jù)線相互垂直，且均形成在所述四個(gè)像素疇區(qū)域之間的暗紋區(qū)。
[0008]其中，所述像素電極具有的條狀鏤空相對(duì)于其對(duì)應(yīng)的暗紋區(qū)對(duì)稱。
[0009]其中，
[0010]所述柵線形成在所述襯底基板之上；
[0011]所述數(shù)據(jù)線、公共電極線和薄膜晶體管的第一極位于同一層，位于所述柵線上方且與所述柵線間隔所述第一絕緣層；
[0012]所述薄膜晶體管的柵極和柵線一體形成；
[0013]所述薄膜晶體管的有源層位于所述柵極上方，與所述柵極間隔所述第一絕緣層，且電連接所述薄膜晶體管的第一極和第二極；
[0014]所述薄膜晶體管的第二極與所述數(shù)據(jù)線一體形成；
[0015]所述像素電極位于所述數(shù)據(jù)線上方，所述像素電極通過穿過所述第二絕緣層的過孔連接所述薄膜晶體管的第一極。
[0016]其中，所述第二絕緣層與像素電極之間還形成有第三絕緣層，所述像素電極通過穿過所述第二絕緣層和第三絕緣層的過孔連接所述薄膜晶體管的第一極。
[0017]其中，還包括:存儲(chǔ)電極，所述存儲(chǔ)電極形成在所述公共電極線對(duì)應(yīng)的區(qū)域，與所述公共電極線間隔所述第一絕緣層，且連接像素電極，所述存儲(chǔ)電極與公共電極線之間形成存儲(chǔ)電容。
[0018]其中，所述存儲(chǔ)電極和柵線位于同一層。
[0019]其中，所述像素電極與所述公共電極線具有重疊的區(qū)域，與所述公共電極線間隔所述第二絕緣層，所述像素電極與公共電極線之間形成存儲(chǔ)電容。
[0020]其中，所述像素電極的形狀為具有條狀鏤空的正方形。
[0021]本實(shí)用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板、與所述陣列基板對(duì)置的對(duì)置基板及兩基板間的液晶，所述陣列基板和對(duì)置基板上分別形成有相互垂直的配向?qū)?，所述配向?qū)拥陌导y區(qū)均與所述像素疇區(qū)域之間的暗紋區(qū)重疊。
[0022]其中，所述對(duì)置基板上對(duì)應(yīng)所述像素電極的區(qū)域?yàn)闊o色透明區(qū)域。
[0023]本實(shí)用新型通過優(yōu)化像素設(shè)計(jì)，使數(shù)據(jù)線和柵線中至少一條形成在像素疇區(qū)域之間的暗紋區(qū)，盡可能小的占用像素開口率，從而提高透明TFT-LCD顯示屏的透過率。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2是圖1沿A-A 7和B-B ’的剖視圖；
[0027]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4是圖3沿A-A 7和B_B '的剖視圖；
[0029]圖5是制作圖1或圖3的陣列基板的基本流程圖；
[0030]圖6是制作圖1的陣列基板過程中形成柵線和柵極的示意圖；
[0031]圖7是在圖6的基礎(chǔ)上柵極上方形成第一絕緣層和有源層的示意圖；
[0032]圖8是在圖7的基礎(chǔ)上形成包括數(shù)據(jù)線、公共電極線和第一極的示意圖；
[0033]圖9是制作圖3的陣列基板過程中形成柵線、柵極和存儲(chǔ)電極的示意圖；
[0034]圖10是在圖9的基礎(chǔ)上柵極上方形成第一絕緣層和有源層的示意圖；
[0035]圖11是在圖10的基礎(chǔ)上形成包括數(shù)據(jù)線、公共電極線和第一極的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0037]本實(shí)施例的陣列基板，包括:形成在襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線和公共電極線。所述公共電極線將顯示區(qū)域劃分成多個(gè)像素區(qū)域。每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)都設(shè)置有像素電極。像素區(qū)域包括:至少兩個(gè)像素疇區(qū)域，像素電極與所述像素疇區(qū)域?qū)?yīng)的部分具有條狀鏤空。柵線和數(shù)據(jù)線相交，由于這種多疇結(jié)構(gòu)的像素電極，在顯示時(shí)疇與疇之間會(huì)形成一個(gè)暗紋區(qū)(疇結(jié)構(gòu)的像素電極的兩個(gè)相鄰疇之間都會(huì)存在一個(gè)暗紋區(qū))，本實(shí)施例中，為提高透過率，將柵線和數(shù)據(jù)線中至少一條形成在像素疇之間暗紋區(qū)。柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成有薄膜晶體管，薄膜晶體管連接?xùn)啪€、數(shù)據(jù)線和像素電極。柵線和數(shù)據(jù)線之間間隔第一絕緣層，數(shù)據(jù)線和像素電極之間間隔第二絕緣層。
[0038]本實(shí)施例中，通過公共電極線分割成多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括至少兩個(gè)像素疇區(qū)域，柵線和數(shù)據(jù)線中的至少一條正好處于像素疇區(qū)域之間的暗紋區(qū)，盡可能小的占用像素開口率，從而提高透明TFT-1XD的透過率。
[0039]像素電極可以包括兩個(gè)像素疇區(qū)域，兩個(gè)像素疇區(qū)域之間只有一個(gè)暗紋區(qū)，柵線和數(shù)據(jù)線中的其中一條正好處于像素疇區(qū)域之間的暗紋區(qū)，例如柵線位于像素疇的暗紋區(qū)，數(shù)據(jù)線與柵線垂直，公共電極線與數(shù)據(jù)線平行設(shè)置；或者，數(shù)據(jù)線位于像素疇的暗紋區(qū)，數(shù)據(jù)線與柵線垂直，公共電極線與柵線平行設(shè)置。
[0040]像素電極可以包括四個(gè)像素疇的像素電極，具體如圖1?4所示，本實(shí)施例的陣列基板，包括:形成在襯底基板8上的柵線1、數(shù)據(jù)線3、公共電極線4及由公共電極線4劃分成的多個(gè)像素區(qū)域(圖中只示出了一個(gè)像素區(qū)域)。每個(gè)像素區(qū)域包括:兩行、兩列四個(gè)像素疇區(qū)域(如圖1中像素電極區(qū)域的四個(gè)條紋區(qū)域)，其中，上下或左右相鄰的像素疇區(qū)域的像素電極5具有不同方向的條狀鏤空?qǐng)D案。柵線1和數(shù)據(jù)線3相互垂直，由于這種多疇結(jié)構(gòu)的像素電極，在顯示時(shí)疇與疇之間會(huì)形成暗紋區(qū)(疇結(jié)構(gòu)的像素電極的兩個(gè)相鄰疇區(qū)域之間都會(huì)存在一個(gè)暗紋區(qū)，從而在整個(gè)像素區(qū)域的橫向和縱向各形成一個(gè)暗紋區(qū))，本實(shí)施例中，為提高透過率，將柵線1和數(shù)據(jù)線3形成在像素疇之間暗紋區(qū)，圖中1和3中，柵線1和數(shù)據(jù)線3分別形成在橫向和縱向暗紋區(qū)。柵線1和數(shù)據(jù)線3的交叉處形成有薄膜晶體管(即TFT，如圖2和圖4虛線框部分)，薄膜晶體管連接?xùn)啪€1、數(shù)據(jù)線3和像素電極5。柵線1和數(shù)據(jù)線3之間間隔第一絕緣層9，數(shù)據(jù)線3和像素電極5之間間隔第二絕緣層10。
[0041]本實(shí)施例中，通過公共電極線4劃分成多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括:兩行、兩列四個(gè)像素疇區(qū)域，柵線1和數(shù)據(jù)線3像素電極正好處于像素疇區(qū)域之間的暗紋區(qū)，盡可能小的占用像素開口率，從而提高透明TFT-1XD的透過率。
[0042]進(jìn)一步的，上述像素電極具有的條狀鏤空?qǐng)D案(圖1中像素電極5上的條紋)相對(duì)于其對(duì)應(yīng)的暗紋區(qū)對(duì)稱，使得在顯示時(shí)，像素電極的各個(gè)疇對(duì)應(yīng)區(qū)域和公共電極產(chǎn)生均勻的電場(chǎng)。
[0043]本實(shí)施例以底柵型薄膜晶體管(對(duì)于頂柵型的TFT也同樣適用于上述的由公共電極線劃分成的多個(gè)像素區(qū)域的電極結(jié)構(gòu))為例說明陣列基板(一個(gè)像素)的具體結(jié)構(gòu)，柵線1形成在襯底基板8之上。數(shù)據(jù)線3、公共電極線4和薄膜晶體管的第一極72位于同一層，位于柵線1上方且與柵線1之間間隔第一絕緣層9。薄膜晶體管的柵極11和柵線1 一體形成，薄膜晶體管的有源層71位于柵極11上方，與柵極11間隔第一絕緣層9 (即柵絕緣層)，且連接薄膜晶體管的第一極72和第二極，薄膜晶體管的第二極(數(shù)據(jù)線3位于有源層71之上的部分)與數(shù)據(jù)線3 —體形成，像素電極5位于數(shù)據(jù)線3上方，像素電極5通過穿過第二絕緣層10的第一過孔12連接第一極72。
[0044]如圖2和4所示，第二絕緣層10與像素電極5之間還形成有第三絕緣層13。像素電極5通過穿過第二絕緣層