一種隔墊物的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種隔墊物的制備方法，屬于顯示領(lǐng)域。所述方法包括：對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理，以在基板上形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案靠近所述基板的底面外邊緣形成有凹部，所述第二光刻膠圖案靠近所述基板的底面外邊緣凹部；等待預(yù)設(shè)時(shí)間使所述第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充所述第一光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第一隔墊物，以及使所述第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充所述第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第二隔墊物，所述第一隔墊物的高度大于所述第二隔墊物的高度。本發(fā)明能夠簡化制備隔墊物的工藝，降低制備隔墊物的成本。
【專利說明】
_種隔墊物的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種隔墊物的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示設(shè)備因其具有功耗低、輕薄化的特點(diǎn)，目前得到廣泛使用。液晶顯示設(shè)備包括液晶盒，液晶盒包括兩塊相對設(shè)置的玻璃基板以及位于該兩塊玻璃基板之間的液晶。
[0003]在目前該兩塊玻璃基板之間用多個(gè)隔墊物來支撐，以使該兩塊玻璃基板之間形成有容納液晶的空間。然而，目前在該兩塊玻璃基板之間制備隔墊物的工藝較復(fù)雜，導(dǎo)致制備隔墊物的成本很高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了簡化制備隔墊物的工藝，降低制備隔墊物的成本，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種隔墊物的制備方法。所述技術(shù)方案如下:
[0005]—方面，提供了一種隔墊物的制備方法，所述制備方法包括:
[0006]在基板上形成光刻膠層；
[0007]使用掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理；
[0008]對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理，以在所述基板上形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，且以垂直于所述基板的方向?yàn)楦叨确较?，使得在相同高度的位置處所述第一光刻膠圖案的橫截面的面積大于所述第二光刻膠圖案的橫截面的面積，并且在所述第一光刻膠圖案靠近所述基板的底面的外邊緣形成有凹部，在所述第二光刻膠圖案靠近所述基板的底面外邊緣形成有凹部;等待預(yù)設(shè)時(shí)間使所述第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充所述第一光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第一隔墊物，以及使所述第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充所述第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第二隔墊物，所述第一隔墊物的高度大于所述第二隔墊物的高度；
[0009]后烘所述第一隔墊物和所述第二隔墊物以形成固態(tài)的所述第一隔墊物和所述第二隔墊物。
[0010]可選的，所述掩膜板由全透光區(qū)域和不透光區(qū)域組成。
[0011]可選的，所述制備方法還包括:
[0012]在所述等待預(yù)設(shè)時(shí)間的過程中，對所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案進(jìn)行水洗處理且在水洗后使用風(fēng)刀對所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案進(jìn)行吹干處理。
[0013]可選的，對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理的步驟之前，還包括:
[0014]在經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層上方向經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層噴灑顯影液，以通過顯影液對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理。
[0015]可選的，對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理的處理時(shí)間大于或等于96秒且小于或等于144秒。
[0016]可選的，所述處理時(shí)間為100秒、110秒、120秒、130秒或140秒。
[0017]可選的，在所述對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理之前，還包括:
[0018]將所述基板以及所述基板上經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層浸泡在顯影液中，以通過所述顯影液對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理。
[0019]可選的，所述使用掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理之前，還包括:
[0020]對所述光刻膠層進(jìn)行預(yù)烘烤處理，以使所述光刻膠層變的粘稠。
[0021]可選的，所述預(yù)設(shè)時(shí)間大于或等于50秒且小于或等于70秒。
[0022]可選的，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為55秒、60秒或65秒。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0024]通過對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，使得在第一光刻膠圖案靠近基板的底面外邊緣形成有凹部以及在第二光刻膠圖案靠近基板的底面外邊緣形成有凹部，這樣等待預(yù)設(shè)時(shí)間，使第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動并填充凹部形成第一隔墊物，以及第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動并填充凹部形成第二隔墊物。如此在制備隔墊物時(shí)采用的掩膜板可以是包括完全透光區(qū)域和不透光區(qū)域的普通掩膜板就可，從而可以簡化工藝，降低生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種隔墊物的制備方法流程圖；
[0027]圖2-1是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種隔墊物的制備方法流程圖；
[0028]圖2-2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的形成光刻膠層示意圖；
[0029]圖2-3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的形成第一光刻圖案和第二光刻膠圖案示意圖；
[0030]圖2-4是本發(fā)明實(shí)施例二提供的形成第一隔墊物和第二隔墊物示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0032]實(shí)施例一
[0033]參見圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種隔墊物的制備方法，所述制備方法包括:
[0034]步驟101:在基板上形成光刻膠層。
[0035]步驟102:使用掩膜板對該光刻膠層進(jìn)行曝光處理。
[0036]步驟103:對經(jīng)過曝光處理的該光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理，以在基板上形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，且以垂直于基板的方向?yàn)楦叨确较?，使得在相同高度的位置處所述第一光刻膠圖案的橫截面的面積大于所述第二光刻膠圖案的橫截面的面積，并且在所述第一光刻膠圖案靠近所述基板的底面的外邊緣形成有凹部，在所述第二光刻膠圖案靠近所述基板的底面的外邊緣形成有凹部;步驟104:等待預(yù)設(shè)時(shí)間使第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充第一光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第一隔墊物，以及使第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第二隔墊物，第一隔墊物的高度大于第二隔墊物的高度；
[0037]步驟105:后烘第一隔墊物和第二隔墊物以形成固態(tài)的第一隔墊物和所述第二隔墊物。
[0038]可選的，所述掩膜板由全透光區(qū)域和不透光區(qū)域組成。預(yù)設(shè)時(shí)間大于或等于50秒且小于或等于70秒。例如，預(yù)設(shè)時(shí)間為55秒、60秒或65秒等。
[0039]可選的，所述制備方法還包括:
[0040]在等待預(yù)設(shè)時(shí)間的過程中，對第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行水洗處理，以清洗第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案表面的顯影液，且在水洗后使用風(fēng)刀對第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行吹干處理。
[0041 ] 可選的，在上述步驟103之前，所述制備方法還包括:
[0042]在經(jīng)過曝光處理的該光刻膠層上方向經(jīng)過曝光處理的該光刻膠層噴灑顯影液，以通過該顯影液對經(jīng)過曝光處理的該光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理。
[0043]可選的，對經(jīng)過曝光處理的該光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理的處理時(shí)間大于或等于96秒且小于或等于144秒。例如，該處理時(shí)間為100秒、110秒、120秒、130秒或140秒等。
[0044]可選的，在上述步驟103之前，所述制備方法還包括:
[0045]將基板以及基板上經(jīng)過曝光處理的該光刻膠層浸泡在顯影液中，以通過該顯影液對經(jīng)過曝光處理的該光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理。
[0046]可選的，在上述步驟102之前，所述制備方法還包括:
[0047]對光刻膠層進(jìn)行預(yù)烘烤處理，以使光刻膠層變的粘稠。
[0048]在本發(fā)明實(shí)施例中，對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，使得形成的第一光刻膠圖案的靠近基板的底面的外邊緣具有凹部以及第二光刻膠圖案的靠近基板的底面的外邊緣具有凹部，這樣等待預(yù)設(shè)時(shí)間，使第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動并填充凹部形成第一隔墊物，以及第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動并填充凹部形成第二隔墊物。如此在制備隔墊物時(shí)采用的掩膜板可以是包括完全透光區(qū)域和不透光區(qū)域的普通掩膜板就可，從而可以簡化工藝，降低生產(chǎn)成本。另外，在曝光之前對刻膠層進(jìn)行預(yù)烘烤處理，以蒸發(fā)光刻膠層中的光刻膠含有的部分溶劑，使光刻膠變的粘稠，有利于光刻膠層定形。
[0049]實(shí)施例二
[0050]參見圖2-1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種隔墊物的制備方法，該方法流程包括:
[0051 ]步驟201:在基板上形成光刻膠層。
[0052]該基板可以為玻璃基板。對于本步驟實(shí)現(xiàn)，參見圖2-2，首先在基板上涂光刻膠，當(dāng)該基板上的光刻膠層的厚度達(dá)到預(yù)設(shè)厚度閾值時(shí)停止，即在該基板上形成光刻膠層。
[0053]可選的，預(yù)設(shè)厚度閾值可以大于或等于3微米且小于或等于4微米?？蛇x的，預(yù)設(shè)厚度閾值為3微米、3.3微米、3.5微米、3.7微米或4微米等。
[0054]步驟202:對基板上的光刻膠層進(jìn)行預(yù)烘烤處理，使得光刻膠層中的光刻膠變的粘稠。
[0055]光刻膠是一種粘稠液體，含有大量的溶劑，在基板上形成光刻膠層后，光刻膠在重力的作用很容易使光刻膠層變形。由其在光刻膠層的邊緣，光刻膠在重力的作用下更容易使光刻膠層的邊緣變形。為此，在本步驟中對刻膠層進(jìn)行預(yù)烘烤處理，以蒸發(fā)光刻膠層中的光刻膠含有的部分溶劑，使光刻膠變的粘稠，有利于光刻膠層定形。
[0056]步驟203:使用掩膜板對該光刻膠層進(jìn)行曝光處理。
[0057]在執(zhí)行本步驟之前需要先生成該掩膜板。在本步驟中使用的該掩膜板是一種普通掩膜板，該掩膜板包括完全透光區(qū)域和不透光區(qū)域。該普通掩膜板的生產(chǎn)成本比特殊掩膜板的生產(chǎn)成本低，制備工藝也比特殊掩膜板的制備工藝簡單，特殊掩膜板包括完全透光區(qū)域、半透光區(qū)域和不透光區(qū)域。所以本實(shí)施例可以降低隔墊物的制備成本和工藝難度。
[0058]該掩膜板的完全透光區(qū)域包括至少一個(gè)第一隔墊物對應(yīng)的完全透光區(qū)域和至少一個(gè)第二隔墊物對應(yīng)的完全透光區(qū)域，第一隔墊物對應(yīng)的完全透光區(qū)域的面積大于第二隔墊物對應(yīng)的完全透光區(qū)域的面積。
[0059]在對該光刻膠層經(jīng)過曝光處理后，該光刻膠層上包括至少一個(gè)第一隔墊物對應(yīng)的照射區(qū)域和至少一個(gè)第二隔墊物對應(yīng)的照射區(qū)域。第一隔墊物對應(yīng)的照射區(qū)域內(nèi)的光刻膠和第二隔墊物對應(yīng)的照射區(qū)域內(nèi)的光刻膠，由于經(jīng)過曝光處理，使得光刻膠的分子密度和堅(jiān)硬度遠(yuǎn)大于其他未經(jīng)過曝光的光刻膠。
[0060]步驟204:對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理，以在該基板上形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，且以垂直于該基板的方向?yàn)楦叨确较?，在相同高度的位置處第一光刻膠圖案的橫截面的面積大于第二光刻膠圖案的橫截面的面積，第一光刻膠圖案靠近基板的底面的外邊緣具有凹部，第二光刻膠圖案靠近基板的底面的外邊緣具有凹部。
[0061]對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理的方式包括噴灑顯影液方式和浸泡在顯影液方式，具體實(shí)現(xiàn)分別為:
[0062]對于噴灑顯影液方式，其具體實(shí)現(xiàn)可以為:在經(jīng)過曝光處理的光刻膠層上方向經(jīng)過曝光處理的光刻膠層噴灑顯影液，以通過該顯影液對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理
[0063]對于浸泡顯影液方式，其具體實(shí)現(xiàn)可以為:將基板以及基板上經(jīng)過曝光處理的光刻膠層浸泡在顯影液中，以通過該顯影液對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理。
[0064]其中，過度顯影處理的處理時(shí)間大于正常顯影處理的處理時(shí)間。通常過度顯影的處理時(shí)間比正常顯影處理的處理時(shí)間長10%至30%。例如，過度顯影的處理時(shí)間可以比正常顯影處理的處理時(shí)間長10%、15%、20%、25%或者30%等。
[0065]假設(shè)，過度顯影處理的處理時(shí)間比正常顯影處理的處理時(shí)間長20%。對于采用噴灑顯影液方式，正常顯影處理所需要的處理時(shí)間大于或等于80秒且小于或等于120秒，則過度顯影處理的處理時(shí)間大于或等于96秒且小于或等于144秒?？蛇x的，過度顯影處理的處理時(shí)間為100秒、110秒、120秒、130秒或140秒等。
[0066]對于浸泡顯影液方式，正常顯影處理所需要的處理時(shí)間大于或等于60秒且小于或等于100秒，則過度顯影處理的處理時(shí)間大于或等于72秒且小于或等于120秒?？蛇x的，過度顯影處理的處理時(shí)間為75秒、80秒、90秒、100秒或110秒等。
[0067]其中，需要說明的是:(I)本實(shí)施例采用負(fù)性光刻膠，即與未被曝光處理的光刻膠相比，顯影液對經(jīng)過曝光處理的光刻膠的腐蝕速度較慢。實(shí)際上，也可以采用正性光刻膠。
(2)顯影液具有腐蝕性，能夠?qū)?jīng)過曝光處理的光刻膠層中的光刻膠進(jìn)行刻蝕。由于經(jīng)過曝光處理的光刻膠層中的第一隔墊物對應(yīng)的曝光區(qū)域內(nèi)的光刻膠和第二隔墊物對應(yīng)的曝光區(qū)域內(nèi)的光刻膠的分子密度和堅(jiān)硬度都較高，顯影液對第一隔墊物對應(yīng)的曝光區(qū)域內(nèi)的光刻膠和第二隔墊物對應(yīng)的曝光區(qū)域內(nèi)的光刻膠刻蝕的速度較慢。參見圖2-3，在顯影處理時(shí)顯影液會刻蝕掉第一隔墊物對應(yīng)的曝光區(qū)域周圍的光刻膠形成第一光刻膠圖案，以及刻蝕掉第二隔墊物對應(yīng)的曝光區(qū)域周圍的光刻膠形成第二光刻膠圖案。
[0068]由于對光刻膠采用過度顯影處理，所以使得第一光刻膠圖案靠近基板的底面外邊緣具有一圈凹部，第二光刻膠圖案靠近該基板的底面外邊緣具有一圈凹部。
[0069]其中，第二光刻膠圖案距離頂部的距離為預(yù)設(shè)閾值的位置到頂部的光刻膠體積小于或等于第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部體積。例如，參見圖2-3，第二光刻膠距離頂部的距離為預(yù)設(shè)閾值的位置為位置A，從位置A到頂部B的光刻膠體積小于或等于第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部體積。
[0070]可選的，預(yù)設(shè)閾值可以為0.5微米。
[0071]步驟205:等待預(yù)設(shè)時(shí)間使第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充第一光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第一隔墊物，以及使第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第二隔墊物，第一隔墊物的高度大于第二隔墊物的高度。
[0072]參見圖2-4，由于第一光刻膠圖案底面外邊緣具有凹部，這樣第一光刻膠圖案表面的光刻膠在重力作用下會向下流動填充第一光刻膠圖案底面外邊緣的凹部;其中，需要說明的是:如果第一光刻圖案的底面外邊緣沒有凹部，第一光刻膠圖案表面的光刻膠可能不會往下流動。以及，由于第二光刻膠圖案底面外邊緣具有凹部，這樣第二光刻膠圖案表面的光刻膠在重力作用下會向下流動填充第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部;其中，需要說明的是:如果第二光刻圖案的底面外邊緣沒有凹部，第二光刻膠圖案表面的光刻膠可能不會往下流動。
[0073]由于第二光刻膠圖案頂部表面的面積較小，所以位于第二光刻膠頂部的光刻膠會向下流動使得第二光刻膠的高度逐漸降低，使得最終形成的第二隔墊物的高度小于第一隔墊物的高度。
[0074]可選的，在等待預(yù)設(shè)時(shí)間的過程中，可以對第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行水洗處理，以清洗第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案表面的顯影液，這樣可以防止第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案表面的顯影液繼續(xù)對第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行刻蝕。在水洗后使用風(fēng)刀對第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行吹干處理。
[0075]可選的，預(yù)設(shè)時(shí)間大于或等于50秒且小于或等于70秒。例如，預(yù)設(shè)時(shí)間為55秒、60秒或65秒等。
[0076]步驟206:后烘第一隔墊物和第二隔墊物以形成固態(tài)的第一隔墊物和第二隔墊物。
[0077]后烘后形成固態(tài)的第一隔墊物和第二隔墊物后，就可以用第一隔墊物和第二隔墊物支撐兩塊基板。
[0078]在本發(fā)明實(shí)施例中，由于對經(jīng)過曝光處理的光刻膠層進(jìn)行過度顯影形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，使得形成的第一光刻膠圖案靠近基板的底面外邊緣具有凹部以及第二光刻膠圖案靠近基板的底面外邊緣具有凹部，這樣等待預(yù)設(shè)時(shí)間，使第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動并填充凹部形成第一隔墊物，以及第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動并填充凹部形成第二隔墊物。如此在制備隔墊物時(shí)采用的掩膜板可以是包括完全透光區(qū)域和不透光區(qū)域的普通掩膜板就可，從而可以簡化工藝，降低生產(chǎn)成本。另外，在等待預(yù)設(shè)時(shí)間的過程中，可以對第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行水洗處理，防止顯影液繼續(xù)對第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案進(jìn)行刻蝕。
[0079]上述本發(fā)明實(shí)施例序號僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0080]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種隔墊物的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括: 在基板上形成光刻膠層； 使用掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理； 對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理，以在所述基板上形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，且以垂直于所述基板的方向?yàn)楦叨确较颍沟迷谙嗤叨鹊奈恢锰幩龅谝还饪棠z圖案的橫截面的面積大于所述第二光刻膠圖案的橫截面的面積，并且在所述第一光刻膠圖案靠近所述基板的底面的外邊緣形成有凹部，在所述第二光刻膠圖案靠近所述基板的底面的外邊緣形成有凹部； 等待預(yù)設(shè)時(shí)間使所述第一光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充所述第一光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第一隔墊物，以及使所述第二光刻膠圖案表面的光刻膠向下流動以填充所述第二光刻膠圖案底面外邊緣的凹部形成第二隔墊物，所述第一隔墊物的高度大于所述第二隔墊物的高度； 后烘所述第一隔墊物和所述第二隔墊物以形成固態(tài)的所述第一隔墊物和所述第二隔墊物。2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜板由全透光區(qū)域和不透光區(qū)域組成。3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括: 在所述等待預(yù)設(shè)時(shí)間的過程中，對所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案進(jìn)行水洗處理，且在水洗后使用風(fēng)刀對所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案進(jìn)行吹干處理。4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理的步驟之前，還，包括: 在經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層上方向經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層噴灑顯影液，以通過顯影液對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理。5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理的處理時(shí)間大于或等于96秒且小于或等于144秒。6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述處理時(shí)間為100秒、110秒、120秒、130秒或140秒。7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理之前，還包括: 將所述基板以及所述基板上經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層浸泡在顯影液中，以通過所述顯影液對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠層進(jìn)行過度顯影處理。8.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的制備方法，其特征在于，所述使用掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理之前，還包括: 對所述光刻膠層進(jìn)行預(yù)烘烤處理，以使所述光刻膠層變的粘稠。9.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間大于或等于50秒且小于或等于70秒。10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為55秒、60秒或65秒。
【文檔編號】G02F1/1339GK106094427SQ201610681530
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月17日 公開號201610681530.6, CN 106094427 A, CN 106094427A, CN 201610681530, CN-A-106094427, CN106094427 A, CN106094427A, CN201610681530, CN201610681530.6
【發(fā)明人】鄭奉官, 王偉杰, 曾慶慧
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司