帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，包括：第一步驟：獲得原始設(shè)計(jì)圖形和所有避讓層的設(shè)計(jì)版圖，并通過邏輯運(yùn)算標(biāo)記出設(shè)計(jì)版圖中允許加入冗余圖形的冗余區(qū)域；第二步驟：在計(jì)算機(jī)中使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余區(qū)域內(nèi)添加長方形冗余圖形；第三步驟：將設(shè)計(jì)版圖劃分成多個(gè)獨(dú)立區(qū)域，使用計(jì)算機(jī)計(jì)算出每個(gè)獨(dú)立區(qū)域內(nèi)設(shè)計(jì)圖形加上長方形冗余圖形后的區(qū)域密度；第四步驟：調(diào)整獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度；第五步驟：使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具添加次分辨率輔助圖形。
【專利說明】
帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在較小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)下，冗余圖形作為可制造性設(shè)計(jì)(design for manufactory,DFM)的重要內(nèi)容，對(duì)硅片表面的平坦化起著不可或缺的作用，進(jìn)而減小硅片表面的凹凸不平對(duì)光刻工藝窗口的影響。而集成電路制造技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷向更小的關(guān)鍵尺寸發(fā)展對(duì)冗余圖形提出了更高的要求，例如沉積工藝的膜厚與圖形周長存在著相關(guān)性，周長越長，圖形側(cè)壁面積就越大，在相同的沉積條件和時(shí)間下，沉積厚度會(huì)越小，因此冗余圖形在設(shè)計(jì)和添加時(shí)不僅要考慮到它對(duì)平坦化工藝的影響，同時(shí)也要考慮使它的單位面積周長盡量接近設(shè)計(jì)圖形。
[0003]—般情況下，為了節(jié)約軟硬件資源和縮短掩模板出版時(shí)間，冗余圖形通常不做光學(xué)臨近修正(OPC);因此為了使它有足夠的光刻工藝窗口，單個(gè)冗余圖形的尺寸通常遠(yuǎn)大于設(shè)計(jì)圖形；由此使得相比之下，冗余圖形的單位面積周長遠(yuǎn)小于設(shè)計(jì)圖形。兩者的單位面積周長的巨大反差會(huì)引起版圖不同區(qū)域沉積厚度的不均，從而影響器件性能的均一性和可控性。在不改變?nèi)哂鄨D形總體圖形密度的情況下，縮小單個(gè)冗余圖形的尺寸是增大其單位面積周長的最佳途徑之一。但是在不做OPC的情況下，縮小冗余圖形的尺寸就有可能減小它本身的光刻工藝窗口，甚至引起光刻膠剝離等缺陷，影響產(chǎn)品良率。因此需要考慮在冗余圖形周圍添加次分辨率輔助圖形(sub resolut1n assist feature，SRAF)來提高它的光刻工藝窗口。
[0004]添加次分辨率輔助圖形是提高關(guān)鍵層設(shè)計(jì)圖形光刻工藝窗口的基本手段之一。次分辨率輔助圖形本身真實(shí)存在于掩模板上，但由于它本身的尺寸沒有達(dá)到光刻工藝的最小分辨率，因此不會(huì)在硅片上成像，但它的存在可以改變鄰近設(shè)計(jì)圖形的光學(xué)環(huán)境，因此在正確的位置上添加次分辨率輔助圖形可以提高孤立圖形的光刻工藝窗口。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠有利于沉積工藝和產(chǎn)品器件性能的控制的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，包括:
[0007]第一步驟:獲得原始設(shè)計(jì)圖形和所有避讓層的設(shè)計(jì)版圖，并通過邏輯運(yùn)算標(biāo)記出設(shè)計(jì)版圖中允許加入冗余圖形的冗余區(qū)域；
[0008]第二步驟:在計(jì)算機(jī)中使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余區(qū)域內(nèi)添加長方形冗余圖形；
[0009]第三步驟:將設(shè)計(jì)版圖劃分成多個(gè)獨(dú)立區(qū)域，使用計(jì)算機(jī)計(jì)算出每個(gè)獨(dú)立區(qū)域內(nèi)設(shè)計(jì)圖形加上長方形冗余圖形后的區(qū)域密度；
[0010]第四步驟:調(diào)整獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度；
[0011]第五步驟:使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具添加次分辨率輔助圖形。
[0012]優(yōu)選地，避讓層是需要與冗余圖形保持預(yù)定相對(duì)位置的層或標(biāo)記層。
[0013]優(yōu)選地，在第二步驟中，所述長方形冗余圖形的寬度大于當(dāng)層設(shè)計(jì)圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值，而且所述長方形冗余圖形的寬度小于當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值。
[0014]優(yōu)選地，在第二步驟中，方形冗余圖形的尺寸和長方形冗余圖形之間的距離符合當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0015]優(yōu)選地，在第四步驟中，如果一個(gè)獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度大于預(yù)設(shè)值，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具縮小該獨(dú)立區(qū)域的長方形冗余圖形的尺寸;如果一個(gè)獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度不大于預(yù)設(shè)值，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具增大該獨(dú)立區(qū)域的長方形冗余圖形的尺寸。
[0016]優(yōu)選地，經(jīng)過第四步驟調(diào)整后的冗余圖形尺寸和相互之間的距離符合當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0017]優(yōu)選地，在第五步驟中，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余圖形長邊方向的兩側(cè)分別產(chǎn)生一條次分辨率輔助圖形。
[0018]優(yōu)選地，在第五步驟中，在冗余圖形長邊間距的中間位置產(chǎn)生一條次分辨率輔助圖形。
[0019]優(yōu)選地，在第五步驟中，控制次分辨率輔助圖形的寬度以及次分辨率輔助圖形與相鄰冗余圖形間的最小距離，使得在當(dāng)前光刻條件下次分辨率輔助圖形不會(huì)在硅片上成像。
[0020]本發(fā)明在通過版圖邏輯運(yùn)算產(chǎn)生了帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形，大大縮小單個(gè)冗余圖形的尺寸，增大了單位面積周長，有利于沉積工藝和產(chǎn)品器件性能的控制，同時(shí)保證了冗余圖形本身仍然具有足夠的光刻工藝窗口。
【附圖說明】
[0021]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0022]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法的流程圖。
[0023]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法的第一示意圖。
[0024]圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法的第二示意圖。
[0025]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027]一般添加次分辨率輔助圖形的步驟都是在版圖OPC階段完成的。由于冗余圖形本身是簡單圖形(一般為矩形)的重復(fù)排列，因此可以考慮使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具(designrule check，DRC)在冗余圖形添加的同時(shí)在其周圍產(chǎn)生重復(fù)排列的次分辨率輔助圖形，SP可以提高小尺寸冗余圖形的光刻工藝窗口，又可以節(jié)省OPC資源，縮短掩模板出版時(shí)間。
[0028]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法的流程圖。
[0029]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法包括:
[0030]第一步驟S1:獲得原始設(shè)計(jì)圖形和所有避讓層(keepoff layers)的設(shè)計(jì)版圖，并通過邏輯運(yùn)算標(biāo)記出設(shè)計(jì)版圖中允許加入冗余圖形(drnimy)的冗余區(qū)域；
[0031]其中，避讓層是指需要與冗余圖形保持預(yù)定相對(duì)位置的層或標(biāo)記層，防止冗余圖形的加入對(duì)電路或者制造工藝產(chǎn)生不良影響。
[0032]第二步驟S2:在計(jì)算機(jī)中使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余區(qū)域內(nèi)添加長方形冗余圖形;其中，所述長方形冗余圖形的寬度大于當(dāng)層設(shè)計(jì)圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值，而且所述長方形冗余圖形的寬度小于當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值。長方形冗余圖形的尺寸和長方形冗余圖形之間的距離符合當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0033]第三步驟S3:將設(shè)計(jì)版圖劃分成多個(gè)獨(dú)立區(qū)域，使用計(jì)算機(jī)計(jì)算出每個(gè)獨(dú)立區(qū)域內(nèi)設(shè)計(jì)圖形加上長方形冗余圖形后的區(qū)域密度；
[0034]第四步驟S4:調(diào)整獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度;其中，如果一個(gè)獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度大于預(yù)設(shè)值，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具縮小該獨(dú)立區(qū)域的長方形冗余圖形的尺寸;反之，如果一個(gè)獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度不大于預(yù)設(shè)值，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具增大該獨(dú)立區(qū)域的長方形冗余圖形的尺寸；由此，使每個(gè)區(qū)域的區(qū)域密度接近于預(yù)設(shè)值。經(jīng)過調(diào)整后的冗余圖形尺寸和相互之間的距離仍然符合當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0035]第五步驟S5:使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具添加次分辨率輔助圖形。
[0036]例如，在第五步驟S5中，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余圖形長邊方向的兩側(cè)分別產(chǎn)生一條次分辨率輔助圖形(次分辨率輔助圖形)，如圖2所示。
[0037]或者，例如，在第五步驟S5中，在冗余圖形長邊間距的中間位置產(chǎn)生一條次分辨率輔助圖形，如圖3所示。
[0038]在第五步驟S5中，控制次分辨率輔助圖形的寬度以及次分辨率輔助圖形與相鄰冗余圖形間的最小距離，使得在當(dāng)前光刻條件下次分辨率輔助圖形不會(huì)在硅片上成像，并且還可以使冗余圖形有足夠的光刻工藝窗口。
[0039]本發(fā)明使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具通過版圖邏輯運(yùn)算產(chǎn)生了帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形。由于次分辨率輔助圖形的存在保證了小尺寸冗余圖形本身仍然具有足夠的光刻工藝窗口，不會(huì)引起圖形缺失和光刻膠剝離等缺陷。本發(fā)明產(chǎn)生的冗余圖形可以突破當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則，實(shí)現(xiàn)更小的尺寸。因此在保持版圖圖形密度基本相同的情況下，由于本發(fā)明產(chǎn)生的冗余圖形尺寸更小，它的單位面積周長增大，縮小了與設(shè)計(jì)圖形單位面積周長的差異，更有利于沉積工藝膜厚的均勻和器件性能的控制。
[0040]〈第一示例〉
[0041]首先，獲得32nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)多晶硅層(PO)原始設(shè)計(jì)圖形和所有避讓層的設(shè)計(jì)版圖，并通過邏輯運(yùn)算標(biāo)記出設(shè)計(jì)版圖中允許加入多晶硅層冗余圖形的區(qū)域，稱之為冗余區(qū)域。其中避讓層是指需要與多晶硅層冗余圖形保持一定相對(duì)位置的層或標(biāo)記層，防止多晶硅層冗余圖形的加入對(duì)電路或者制造工藝產(chǎn)生不良影響。
[0042]隨后，在計(jì)算機(jī)中使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余區(qū)域內(nèi)添加長方形多晶硅層冗余圖形，其寬度為80nm，大于多晶硅層設(shè)計(jì)圖形在32nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值40nm，小于多晶娃層冗余圖形在32nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值120nm。多晶娃層冗余圖形的長度為3um，多晶硅層冗余圖形長邊之間的距離為240nm，最小距離為120nm，符合多晶硅層冗余圖形在32nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0043]此后，將設(shè)計(jì)版圖劃分成大量的80Um*80Um的獨(dú)立區(qū)域，使用計(jì)算機(jī)計(jì)算出每個(gè)區(qū)域內(nèi)多晶硅層設(shè)計(jì)圖形加上多晶硅層冗余圖形后的區(qū)域密度。如果區(qū)域密度大于預(yù)設(shè)值25%，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具縮小多晶硅層冗余圖形的尺寸；反之，如果區(qū)域密度小于25%，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具增大冗余圖形的尺寸，使每個(gè)區(qū)域的區(qū)域密度接近于25%。經(jīng)過調(diào)整后的多晶硅層冗余圖形尺寸和相互之間的距離仍然要滿足上一步所述的條件。
[0044]隨后，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在多晶硅層冗余圖形長邊方向的兩側(cè)分別產(chǎn)生一條寬度為20nm的次分辨率輔助圖形(次分辨率輔助圖形)，次分辨率輔助圖形離相鄰多晶硅層冗余圖形的最小距離70nm，確保在當(dāng)前光刻條件下次分辨率輔助圖形不會(huì)在硅片上成像，并且使多晶硅層冗余圖形有足夠的光刻工藝窗口。
[0045]〈第二示例〉
[0046]首先，獲得45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)金屬層(Ml)原始設(shè)計(jì)圖形和所有避讓層的設(shè)計(jì)版圖，并通過邏輯運(yùn)算標(biāo)記出設(shè)計(jì)版圖中允許加入金屬層冗余圖形的區(qū)域，稱之為冗余區(qū)域。其中避讓層是指需要與金屬層冗余圖形保持一定相對(duì)位置的層或標(biāo)記層，防止金屬層冗余圖形的加入對(duì)電路或者制造工藝產(chǎn)生不良影響。
[0047]隨后，在計(jì)算機(jī)中使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余區(qū)域內(nèi)添加長方形金屬層冗余圖形，其寬度為120nm，大于金屬層設(shè)計(jì)圖形在45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值7 Onm，小于金屬層冗余圖形在45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值130nm。金屬層冗余圖形的長度為2um，金屬層冗余圖形長邊之間的距離為160nm，最小距離為140nm，符合金屬層冗余圖形在45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。
[0048]此后，將設(shè)計(jì)版圖劃分成大量的150Um*150Um的獨(dú)立區(qū)域，使用計(jì)算機(jī)計(jì)算出每個(gè)區(qū)域內(nèi)金屬層設(shè)計(jì)圖形加上金屬層冗余圖形后的區(qū)域密度。如果區(qū)域密度大于預(yù)設(shè)值42%，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具縮小金屬層冗余圖形的尺寸；反之，如果區(qū)域密度小于42%，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具增大冗余圖形的尺寸，使每個(gè)區(qū)域的區(qū)域密度接近于42%。經(jīng)過調(diào)整后的金屬層冗余圖形尺寸和相互之間的距離仍然要滿足上一步所述的條件。
[0049]隨后，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在金屬層冗余圖形長邊間距的中間位置產(chǎn)生一條寬度為25nm的次分辨率輔助圖形，次分辨率輔助圖形離相鄰金屬層冗余圖形的最小距離為60nm，確保在當(dāng)前光刻條件下次分辨率輔助圖形不會(huì)在硅片上成像，并且使金屬層冗余圖形有足夠的光刻工藝窗口。
[0050]本發(fā)明在通過版圖邏輯運(yùn)算產(chǎn)生了帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形，大大縮小單個(gè)冗余圖形的尺寸，增大了單位面積周長，有利于沉積工藝和產(chǎn)品器件性能的控制，同時(shí)保證了冗余圖形本身仍然具有足夠的光刻工藝窗口。
[0051]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0052]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于包括: 第一步驟:獲得原始設(shè)計(jì)圖形和所有避讓層的設(shè)計(jì)版圖，并通過邏輯運(yùn)算標(biāo)記出設(shè)計(jì)版圖中允許加入冗余圖形的冗余區(qū)域； 第二步驟:在計(jì)算機(jī)中使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余區(qū)域內(nèi)添加長方形冗余圖形； 第三步驟:將設(shè)計(jì)版圖劃分成多個(gè)獨(dú)立區(qū)域，使用計(jì)算機(jī)計(jì)算出每個(gè)獨(dú)立區(qū)域內(nèi)設(shè)計(jì)圖形加上長方形冗余圖形后的區(qū)域密度； 第四步驟:調(diào)整獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度； 第五步驟:使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具添加次分辨率輔助圖形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，避讓層是需要與冗余圖形保持預(yù)定相對(duì)位置的層或標(biāo)記層。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，在第二步驟中，所述長方形冗余圖形的寬度大于當(dāng)層設(shè)計(jì)圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值，而且所述長方形冗余圖形的寬度小于當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下設(shè)計(jì)規(guī)則允許的最小值。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，在第二步驟中，方形冗余圖形的尺寸和長方形冗余圖形之間的距離符合當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，在第四步驟中，如果一個(gè)獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度大于預(yù)設(shè)值，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具縮小該獨(dú)立區(qū)域的長方形冗余圖形的尺寸；如果一個(gè)獨(dú)立區(qū)域的區(qū)域密度不大于預(yù)設(shè)值，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具增大該獨(dú)立區(qū)域的長方形冗余圖形的尺寸。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，經(jīng)過第四步驟調(diào)整后的冗余圖形尺寸和相互之間的距離符合當(dāng)層冗余圖形在當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的設(shè)計(jì)規(guī)則。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，在第五步驟中，使用設(shè)計(jì)規(guī)則檢查工具在冗余圖形長邊方向的兩側(cè)分別產(chǎn)生一條次分辨率輔助圖形。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，在第五步驟中，在冗余圖形長邊間距的中間位置產(chǎn)生一條次分辨率輔助圖形。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶次分辨率輔助圖形的冗余圖形添加方法，其特征在于，在第五步驟中，控制次分辨率輔助圖形的寬度以及次分辨率輔助圖形與相鄰冗余圖形間的最小距離，使得在當(dāng)前光刻條件下次分辨率輔助圖形不會(huì)在硅片上成像。
【文檔編號(hào)】G03F1/38GK106094424SQ201610585198
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月22日 公開號(hào)201610585198.3, CN 106094424 A, CN 106094424A, CN 201610585198, CN-A-106094424, CN106094424 A, CN106094424A, CN201610585198, CN201610585198.3
【發(fā)明人】蔣斌杰, 于世瑞, 毛智彪, 張瑜
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司