光掩模制造方法、檢查方法及裝置，描繪裝置、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供光掩模制造方法、檢查方法及裝置，描繪裝置、顯示裝置制造方法，可提高形成于被轉(zhuǎn)印體的圖案的坐標精度。本發(fā)明的光掩模的制造方法具有以下的工序：準備圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A的工序；獲得表示由光掩模保持在曝光裝置中引起的主表面的變形量的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序；獲得表示在描繪裝置的工作臺上載置光掩模坯體的狀態(tài)下的主表面的高度分布的描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的工序；算出描繪時高度分布數(shù)據(jù)E與轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的差值來獲得描繪差值數(shù)據(jù)F的工序；估算與描繪差值數(shù)據(jù)F對應(yīng)的坐標偏差量來求出描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G的工序；以及采用描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在光掩模坯體上進行描繪的描繪工序。
【專利說明】
光掩模制造方法、檢查方法及裝置，描繪裝置、顯示裝置制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及有利于應(yīng)用在半導(dǎo)體裝置或顯示裝置(LCD、有機EL等)的制造中的光掩模，涉及其制造方法或裝置、檢查方法或裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，期望提高在光掩模中形成的轉(zhuǎn)印用圖案的精度，進而提高已形成的轉(zhuǎn)印用圖案的檢查精度。
[0003]在專利文獻I(日本特開2010-134433號公報)中記載有當光掩模圖案被轉(zhuǎn)印在被轉(zhuǎn)印體上時能夠提高其坐標精度的描繪方法、描繪裝置。尤其是，在專利文獻I中記載了如下方法:在光掩模制造工序中，為了消除由于描繪轉(zhuǎn)印用圖案時的膜面(圖案形成面)的形狀與曝光時不同而使得被轉(zhuǎn)印體上沒有形成按照設(shè)計的圖案的問題，取得校正后的描繪數(shù)據(jù)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻I:日本特開2010-134433號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明所要解決的課題
[0008]在顯示裝置的制造中，大多利用具有基于想要得到的器件(device)的設(shè)計做出的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模。作為器件，在以智能手機或平板終端為代表的液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置中，需要明亮省電、動作速度快且分辨率高的精美圖像。因此，對于發(fā)明人來說，對于上述用途中使用的光掩模顯然存在新的技術(shù)課題。
[0009]詳細地說，為了鮮明地表現(xiàn)細微的圖像，需要提高像素密度，當前，期望實現(xiàn)超過像素密度400ppi(pixel per inch:每英寸像素)的器件。因此，光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案的設(shè)計的趨勢是細微化、高密度化。但是，包含顯示用器件的多個電子器件由形成了細微圖案的多個層(Layer)的疊層立體地形成。因此，這些多個層中的坐標精度的提高以及坐標彼此的匹配成為關(guān)鍵。也就是說，只要各個層的圖案坐標精度沒有全部滿足預(yù)定水平，就會引起在完成的器件中未產(chǎn)生適當動作等不良狀況。因此，存在對各個層要求的坐標偏差的容許范圍越來越小的趨勢。
[0010]但是，在專利文獻I中記載了如下內(nèi)容:估算光掩模坯體的描繪工序中的膜面形狀與曝光時的膜面形狀之間的形狀變化量，并根據(jù)估算出的形狀變化量來校正用于描繪的設(shè)計描繪數(shù)據(jù)。在該專利文獻I中記載了如下方法:在描繪轉(zhuǎn)印用圖案的階段，對于基板膜面(在透明基板中稱作成膜側(cè)的面，在光掩模坯體中稱作形成了膜的面，在光掩模中稱作形成了圖案的面。)之中從理想平面變形的要因中的、曝光時的殘留的部分以及曝光時消失的部分進行區(qū)分，獲得校正后的描繪數(shù)據(jù)。[0011 ]當在附有光致抗蝕劑的光掩模坯體上利用描繪裝置描繪圖案時，光掩模坯體在描繪裝置的工作臺上以膜面向上的狀態(tài)被載置。此時，作為光掩模坯體的膜面的表面形狀從理想的平面變形的要因，認為存在下述4個變形要因:
[0012](I)工作臺不充分的平整性；
[0013](2)由于工作臺上夾入異物而導(dǎo)致的基板撓曲；
[0014](3)光掩模坯體膜面的凹凸；以及
[0015](4)由于光掩模坯體背面的凹凸引起的膜面的變形。
[0016]因此，上述4個變形要因累積形成了此狀態(tài)下的光掩模坯體的表面形狀。并且，在此狀態(tài)的光掩模坯體上進行描繪。
[0017]另一方面，當光掩模搭載于曝光裝置時，通過使膜面向下并僅支承光掩模周緣部而被固定。在光掩模下面配置形成抗蝕膜的被轉(zhuǎn)印體(因為在轉(zhuǎn)印了圖案之后利用刻蝕等進行加工，所以也稱為被加工體)，從光掩模上(從背面?zhèn)?照射曝光的光。在此狀態(tài)下，上述4個變形要因中的(I)工作臺不充分的平整性以及(2)由于在工作臺上夾入異物引起的基板的撓曲這樣的要因消失。另外，雖然(4)基板背面的凹凸在此狀態(tài)下仍然殘留，但沒有形成圖案的背面的表面形狀對表面(圖案形成面)的轉(zhuǎn)印沒有影響。另一方面，光掩模在曝光裝置中被使用時仍殘存的變形要因是上述(3)。
[0018]也就是說，(I)、(2)、(4)的變形要因在描繪時存在、在曝光時消失。由于該變化，產(chǎn)生描繪時與曝光時的坐標偏差。因此，對于由上述(1)、(2)、(4)的變形要因引起的表面形狀從理想平面的變化量，校正設(shè)計描繪數(shù)據(jù)而設(shè)定描繪數(shù)據(jù)，另一方面，只要由(3)的變形要因引起的表面形狀變化量未反映于上述校正，就能夠獲得具有更正確的坐標設(shè)計數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)印性能的光掩模。
[0019]因此，根據(jù)專利文獻I的方法，可提高在被轉(zhuǎn)印體上形成的圖案的坐標精度。
[0020]另一方面，曝光裝置內(nèi)的光掩模在基板周緣近傍的保持區(qū)域中利用曝光裝置的保持部件進行保持并支承，由此受到強制性的約束，產(chǎn)生基板的變形。而且，如果是顯示裝置制造用等的光掩模，大面積的基板僅由基板周緣近傍來支承，因此不能忽視由于自重而導(dǎo)致的撓曲的影響。在此情況下，由于膜面所示的變形，給形成光掩模圖案的區(qū)域也造成了影響，這樣會產(chǎn)生其坐標精度劣化的情況。如果考慮當前正開發(fā)的高性能的顯示裝置等中的圖案細微化或高集成化，則本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)考慮這種細微影響也是有意義的。
[0021]例如，顯示裝置等器件通過層疊已構(gòu)圖的薄膜來形成，但層疊的各層是由具有各不相同的光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案形成的。依據(jù)嚴格的品質(zhì)管理來制造所使用的各個光掩模是不言而喻的。但是，除了各個光掩模是不同的以外，使其表面的平坦度全部成為完全的理想平面是很困難的，另外，使其膜面形狀在多個光掩模中完全一致也是很困難的。
[0022]因此，在各個光掩模中，其膜面形狀存在個體差異，如果考慮這些各個光掩模保持在曝光裝置內(nèi)時示出的膜面形狀，進行考慮了這些要因的描繪數(shù)據(jù)的校正，則能夠形成坐標精度更高的轉(zhuǎn)印用圖案。
[0023]本發(fā)明人認為:雖然利用專利文獻I的方法在防止由描繪時與曝光時的膜面姿勢的差異而引起的坐標精度劣化的情況中能夠獲得有效的精度提尚，但為了進一步提尚精度、提高具有多層的器件的合格率，考慮有關(guān)在各層中采用的光掩?；宓哪っ嫘螤畹奈⑿€體差異以及它們在曝光裝置內(nèi)由于受力而帶來的影響并實質(zhì)性消除該影響所引起的轉(zhuǎn)印性劣化的方法是有益的。
[0024]因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠提高在被轉(zhuǎn)印體上形成的圖案的坐標精度的光掩模的制造方法、描繪裝置、光掩模的檢查方法、光掩模的檢查裝置以及顯示裝置的制造方法。
[0025]解決問題的手段
[0026]為了解決上述的課題，本發(fā)明具有以下的結(jié)構(gòu)。
[0027](結(jié)構(gòu)I)
[0028]—種光掩模的制造方法，該方法包括準備在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體，并利用描繪裝置描繪預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案，在該光掩模的制造方法中，具有以下的工序:
[0029]根據(jù)所述預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案的設(shè)計來準備圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A的工序；
[0030]獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，該轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C表示所述光掩模保持在曝光裝置時的所述主表面的形狀；
[0031]獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的工序，該描繪時高度分布數(shù)據(jù)E表示在所述描繪裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)來載置所述光掩模坯體的狀態(tài)下的所述主表面的高度分布;
[0032]采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得描繪差值數(shù)據(jù)F的工序；
[0033]在所述主表面上的多個點處估算與所述描繪差值數(shù)據(jù)F對應(yīng)的坐標偏差量而求出描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G的工序；以及
[0034]采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在所述光掩模坯體上進行描繪的描繪工序。
[0035](結(jié)構(gòu)2)
[0036]—種光掩模的制造方法，該方法包括準備在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體，并利用描繪裝置來描繪預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案的情況，在該光掩模的制造方法中，具有以下的工序:
[0037]根據(jù)所述預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案的設(shè)計來準備圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A的工序；
[0038]準備通過測定所述主表面的表面形狀而獲得的基板表面形狀數(shù)據(jù)B的工序；
[0039]獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，將所述光掩模保持在曝光裝置內(nèi)時根據(jù)保持部件的形狀而在所述表面形狀中產(chǎn)生的移位反映到所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B中而獲得所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C;
[0040]獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的工序，在所述描繪裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)來載置所述光掩模坯體的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布而獲得所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E;
[0041]采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得描繪差值數(shù)據(jù)F的工序；
[0042]估算所述主表面上的多個點處的與所述描繪差值數(shù)據(jù)F對應(yīng)的坐標偏差量而求出描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G的工序；以及
[0043]采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在所述光掩模坯體上進行描繪的描繪工序。
[0044](結(jié)構(gòu)3)
[0045]在結(jié)構(gòu)2所述的光掩模的制造方法，其特征是，在獲得所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序中，采用有限元法。
[0046](結(jié)構(gòu)4)
[0047]根據(jù)結(jié)構(gòu)I?3中任意一項所述的光掩模的制造方法，其特征是，在所述描繪工序中，根據(jù)所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G，采用通過校正所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A而獲得的校正圖案數(shù)據(jù)H進行描繪。
[0048](結(jié)構(gòu)5)
[0049]根據(jù)結(jié)構(gòu)I?3中任意一項所述的光掩模的制造方法，其特征是，在所述描繪工序中，根據(jù)所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G來校正所述描繪裝置所具有的坐標系，并采用所獲得的校正坐標系和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A進行描繪。
[0050](結(jié)構(gòu)6)
[0051]根據(jù)結(jié)構(gòu)I?5中任意一項所述的光掩模的制造方法，其特征是，當所述光掩模保持在曝光裝置內(nèi)時，由保持部件保持的多個保持點配置在平面上。
[0052](結(jié)構(gòu)7)
[0053]根據(jù)結(jié)構(gòu)2?6中任意一項所述的光掩模的制造方法，其特征是，在以主表面成為鉛直的方式保持所述光掩模坯體或用于成為所述光掩模坯體的基板的狀態(tài)下，測定所述主表面上的多個測定點的位置，由此來求出所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B。
[0054](結(jié)構(gòu)8)
[0055]—種描繪裝置，用于對在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體描繪轉(zhuǎn)印用圖案，該描繪裝置具有:
[0056]高度測定單元，其在使所述主表面為上側(cè)而將所述光掩模坯體載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E;
[0057]輸入單元，其輸入所述轉(zhuǎn)印用圖案的圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A以及轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，該轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C表示所述基板保持在曝光裝置中的狀態(tài)下所述基板的主表面形狀；
[0058]運算單元，其采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，運算所述主表面上的多個點處的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G;以及
[0059]描繪單元，其采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在所述光掩模坯體上進行描繪。
[0060](結(jié)構(gòu)9)
[0061 ] 一種描繪裝置，用于對在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體描繪轉(zhuǎn)印用圖案，該描繪裝置具有:
[0062]高度測定單元，其在使所述主表面為上側(cè)而將所述光掩模坯體載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E;
[0063]輸入單元，其輸入所述轉(zhuǎn)印用圖案的圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A、
[0064]表示所述基板的主表面的形狀的基板表面形狀數(shù)據(jù)B、
[0065]與所述基板保持在曝光裝置中時的保持狀態(tài)相關(guān)的信息、以及
[0066]包含所述基板的原料的物性值的基板屬性信息；
[0067]運算單元，其采用所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與所述保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及所述基板屬性信息，來運算表示在曝光裝置內(nèi)保持的狀態(tài)下的所述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，并且采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，來運算所述主表面上的多個點處的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G;以及
[0068]描繪單元，其采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，在所述光掩模坯體上進行描繪。
[0069](結(jié)構(gòu)10)
[0070]—種光掩模的檢查方法，采用檢查裝置來檢查在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查方法具有以下的工序:
[0071]獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L的工序，在所述檢查裝置的工作臺上載置所述光掩模的狀態(tài)下，進行所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L;
[0072]獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，該轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C表示所述光掩模保持在曝光裝置中時的所述主表面的形狀；
[0073]獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I的工序，在所述檢查裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)而載置所述光掩模的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I;
[0074]采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得檢查差值數(shù)據(jù)J的工序；
[0075]估算所述主表面上的多個點處的與所述檢查差值數(shù)據(jù)J對應(yīng)的坐標偏差量來求出檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K的工序；以及
[0076]采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和所述圖案坐標數(shù)據(jù)L來進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序。
[0077](結(jié)構(gòu)11)
[0078]—種光掩模的檢查方法，采用檢查裝置來檢查在基板的主表面上具有對使薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查方法具有以下的工序:
[0079]獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L的工序，在所述檢查裝置的工作臺上載置所述光掩模的狀態(tài)下，進行所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L;
[0080]準備通過測定所述主表面的表面形狀而獲得的基板表面形狀數(shù)據(jù)B的工序；
[0081]獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，將所述光掩模保持在曝光裝置內(nèi)時根據(jù)保持部件的形狀而在所述表面形狀中產(chǎn)生的移位反映到所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B中而獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C;
[0082]獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I的工序，在所述檢查裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)來載置所述光掩模的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I;
[0083]采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得檢查差值數(shù)據(jù)J的工序；
[0084]估算所述主表面上的多個點處的與所述檢查差值數(shù)據(jù)J對應(yīng)的坐標偏差量來求出檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K的工序；以及
[0085]采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和所述圖案坐標數(shù)據(jù)L來進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序。
[0086](結(jié)構(gòu)12)
[0087]根據(jù)結(jié)構(gòu)11所述的光掩模的檢查方法，其特征是，在獲得所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序中采用有限元法。
[0088](結(jié)構(gòu)13)
[0089]根據(jù)結(jié)構(gòu)10?12中任意一項所述的光掩模的檢查方法，其特征是，在進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序中，使所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K反映于圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，采用所獲得的校正設(shè)計數(shù)據(jù)M和所述圖案坐標數(shù)據(jù)L進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查。
[0090](結(jié)構(gòu)14)
[0091]根據(jù)結(jié)構(gòu)10?12中任意一項所述的光掩模的檢查方法，其特征是，在進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序中，使所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K反映于所述圖案坐標數(shù)據(jù)L，采用所獲得的校正坐標數(shù)據(jù)N和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查。
[0092](結(jié)構(gòu)15)
[0093]—種光掩模的制造方法，其特征是，包含以下的工序:
[0094]準備在主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體的工序；
[0095]對所述薄膜進行構(gòu)圖的工序；以及
[0096]基于結(jié)構(gòu)10?14中任意一項所述的光掩模的檢查方法的檢查工序。
[0097](結(jié)構(gòu)I6)
[0098]一種顯示裝置的制造方法，包含:
[0099]準備在主表面上形成有轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模的工序，該光掩模是利用結(jié)構(gòu)I?7中任意一項所述的光掩模的制造方法制造出的光掩模;以及
[0100]通過對所述光掩模進行曝光來對具有被加工層的器件基板進行圖案轉(zhuǎn)印的工序。
[0101](結(jié)構(gòu)17)
[0102]—種顯示裝置的制造方法，包括采用在各自的主表面上形成有轉(zhuǎn)印用圖案的多個光掩模和曝光裝置對在器件基板上形成的多個被加工層依次進行圖案轉(zhuǎn)印，該顯示裝置的制造方法的特征是，
[0103]使用由結(jié)構(gòu)I?7中任意一項所述的光掩模的制造方法制造出的光掩模作為所述多個光掩模。
[0104](結(jié)構(gòu)18)
[0105]—種光掩模的檢查裝置，檢查在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查裝置具有:
[0106]坐標測定單元，其進行在所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L;
[0107]高度測定單元，其在使所述主表面成為上側(cè)而將所述光掩模載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I;
[0108]輸入單元，其輸入表示所述基板保持在曝光裝置中的狀態(tài)下的所述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C;
[0109]運算單元，其采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，運算所述主表面上的多個點處的檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K;以及
[0110]檢查單元，其采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，檢查所述光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案。
[0111](結(jié)構(gòu)19)
[0112]—種光掩模的檢查裝置，檢查在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查裝置具有:
[0113]坐標測定單元，其進行在所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L;
[0114]高度測定單元，其在使所述主表面成為上側(cè)而將所述光掩模載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I;
[0115]輸入單元，其輸入表示所述基板的主表面的形狀的基板表面形狀數(shù)據(jù)B、
[0116]與所述基板保持在曝光裝置中時的保持狀態(tài)相關(guān)的信息、以及
[0117]包含所述基板的原料的物性值的基板屬性信息；
[0118]運算單元，其采用所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與所述保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及所述基板屬性信息，運算表示保持在曝光裝置內(nèi)的狀態(tài)下的所述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，并且采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，運算所述主表面上的多個點處的檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K;以及
[0119]檢查單元，其采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，檢查所述光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案。
[0120]發(fā)明效果
[0121]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供可提高在被轉(zhuǎn)印體上形成的圖案的坐標精度的光掩模的制造方法、描繪裝置、光掩模的檢查方法、光掩模的檢查裝置以及顯示裝置的制造方法。
【附圖說明】
[0122]圖1的(a)是主表面以與鉛直方向平行的方式保持的基板的側(cè)視圖，圖1的(b)是該基板的主視圖。
[0123]圖2的(a)是設(shè)定多個測定點的基板的剖視圖，圖2的(b)是該基板的主視圖。
[0124]圖3的(a)是在有限元法中使用的掩模模型(Maskmodel)的剖視圖，圖3的(b)是該掩模模型的主視圖。
[0125]圖4的(a)是以膜面配置為上側(cè)的掩模模型的剖視圖，圖4的(b)是以膜面配置為下側(cè)的掩模模型的剖視圖，圖4的(C)是以膜面配置為上側(cè)的掩模模型的主視圖，圖4的(d)是以膜面配置為下側(cè)的掩模模型的主視圖。
[0126]圖5的(a)是基于保持部件的保持位置上的掩模模型的剖視圖。圖5的(b)是掩模模型的主視圖，基于保持部件的保持位置用虛線示出。
[0127]圖6的(a)是示出影響到曝光裝置中保持的掩模的力的一例的剖視圖。圖6的(b)是示出對掩模賦予真空壓力的區(qū)域與保持部件的保持位置的一例的圖。
[0128]圖7是構(gòu)成掩模模型的六面體的示意圖。
[0129]圖8是示出在從基板表面形狀數(shù)據(jù)B獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C之后、利用描繪時高度分布數(shù)據(jù)E與轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的差值獲得描繪差值數(shù)據(jù)F之后，到根據(jù)描繪差值數(shù)據(jù)F獲得描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G之前的工序的示意圖。
[0130]圖9是用于計算膜面的形狀變動與其帶來的坐標偏差的關(guān)系的示意圖。
[0131]圖10是示出在利用檢查時高度分布數(shù)據(jù)I與轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的差值獲得檢查差值數(shù)據(jù)J之后到根據(jù)檢查差值數(shù)據(jù)J獲得檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K之前的工序的示意圖。
[0132]圖11是在實施方式所涉及的光掩模的制造方法中采用的描繪裝置的概念圖。
[0133]圖12的(a)、(c)示出測試用光掩模上描繪出的圖案的坐標測定結(jié)果。圖12的(b)、(d)示出對在將測試用光掩模設(shè)置于曝光裝置的狀態(tài)下的坐標偏差進行仿真的結(jié)果。
[0134]圖13是利用矢量來表現(xiàn)由于高度不同而引起的測定點的坐標偏差的圖。
[0135]標號說明
[0136]10 工作臺
[0137]11 描繪單元
[0138]12 測定單元
[0139]13 光掩模坯體(基板)
[0140]14 薄膜
[0141]15 描繪數(shù)據(jù)生成單元
[0142]20 表面
[0143]21 基準表面
【具體實施方式】
[0144]<實施方式1>
[0145]本發(fā)明實施方式的光掩模的制造方法具有以下工序。
[0146]準備光掩模坯體
[0147]在本發(fā)明的實施方式中，對基板的主表面進行用于形成光掩模的如下描繪:在形成I個或多個薄膜、以及光致抗蝕膜的光掩模坯體上，形成根據(jù)要獲得的器件設(shè)計出的轉(zhuǎn)印用圖案而成為光掩模。因此，在基板的一個主表面上準備形成有上述薄膜和光致抗蝕膜的光掩模還體。
[0148]所準備的光掩模坯體可使用公知的內(nèi)容。
[0149]作為基板，可采用石英玻璃等透明基板。雖然對大小或厚度沒有限制，但作為在顯示裝置的制造中采用的基板，可利用一邊為300mm?1800mm、厚度為5?15mm左右的基板。
[0150]在本說明書中，除了形成薄膜前的基板之外，有時將在主表面上形成構(gòu)圖前或后的一個或多個薄膜的基板、或者在薄膜上形成光致抗蝕膜的基板也稱為“基板”(或者光掩模坯體基板、光掩?；?。
[0151]在測定基板的主表面的平坦度或高度分布的工序中，未實質(zhì)性地產(chǎn)生在主表面上成膜的薄膜或光致抗蝕膜的厚度的影響。這是因為薄膜或光致抗蝕膜的膜厚充分小，不對上述測定造成實質(zhì)性的影響。
[0152]作為薄膜，除了對使用光掩模時的曝光的光進行遮光的遮光膜(光學(xué)濃度OD3以上)之外，還可以是使曝光的光部分透過的半透光膜(曝光透光率為2?80%)，或者是相移膜(例如，曝光的光的相移量為150?210度、曝光透光率2?30%左右的膜)或控制光的反射性的反射防止膜等光學(xué)膜。而且，薄膜可包含刻蝕阻止膜(Etching stopper film)等功能膜。既可以是單膜，也可以是多個膜的層疊。例如，可應(yīng)用包含Cr的遮光膜或反射防止膜、包含Cr化合物或金屬硅化物的半透光膜或相移膜等。還可以應(yīng)用層疊多個薄膜的光掩模坯體。針對這些多個薄膜各自的構(gòu)圖，可利用本發(fā)明的方法來形成具有良好的坐標精度的轉(zhuǎn)印性的光掩模。
[0153]在最表面上形成的光致抗蝕劑既可以是正片型也可以是負片型。作為顯示裝置用的光掩模，正片型是有用的。
[0154]I準備圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A的工序
[0155]圖案設(shè)計數(shù)據(jù)是指根據(jù)要獲得的器件(顯示裝置等)進行設(shè)計的轉(zhuǎn)印用圖案的數(shù)據(jù)。
[0156]利用本發(fā)明的光掩模制造的器件的用途沒有限制。例如，可通過在構(gòu)成液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置的各構(gòu)成物的各個層上應(yīng)用本發(fā)明，來獲得良好的效果。例如，在具有間距小于7μηι的線“與”空間圖案(I ine-and-space pattern)(在線或空間中存在線幅(⑶:Critical Dimens1n)小于4μηι或者3μηι的部分的圖案等)或者直徑為I.5?5μηι、特別是1.5?3.5μηι的孔圖案(hole pattern)等的細微設(shè)計的顯示裝置用的光掩模等中，有利于采用本發(fā)明。
[0157]圖案設(shè)計數(shù)據(jù)如果不校正而是直接采用來進行描繪，則由于描繪時(載置于描繪裝置內(nèi)時)與曝光時(保持在曝光裝置內(nèi)時)的膜面形狀不同，而引起轉(zhuǎn)印用圖案形成到被轉(zhuǎn)印體上時的坐標精度不充分。因此，進行基于以下工序的校正。
[0158]II獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序
[0159]獲得表示在曝光裝置中保持并支承光掩模時產(chǎn)生的膜面的變形量的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C ο具體地說，可如以下這樣進行。
[0160]I1-1獲得基板表面形狀數(shù)據(jù)B的工序
[0161]通過測定上述主表面(膜面?zhèn)?的平坦度，來獲得基板表面形狀數(shù)據(jù)B。
[0162]例如，可以以主表面以實質(zhì)上為鉛直的方式保持測定對象的基板，使自重引起的撓曲為實質(zhì)上不影響到主表面形狀的狀態(tài)，利用平坦度測定機進行測定(參照圖1)。
[0163]可通過采用檢測所照射的光(激光等)的反射光等的光學(xué)性的測定方法的平坦度測定機來進行測定。作為測定裝置的例子，可舉出例如黑田精工股份有限公司制作的平面度測定機FTT系列或日本特開2007-46946號公報記載的器件等。
[0164]此時，在主表面上設(shè)定多個在XY方向上以等間隔(將相隔距離設(shè)為間距P)描繪的格子的交點(格點)，可將其作為測定點(參照圖2)。
[0165]例如，可使用具有如下功能的平坦度測定機:以實質(zhì)性鉛直的平面作為基準面并針對各測定點測定該基準面與上述各測定點的Z方向(參照圖2)的距離。利用該測定可掌握基板的主表面的平坦度，由此獲得基板表面形狀數(shù)據(jù)B。在圖2中示出將間距P設(shè)為1mm的例子。
[0166]如圖2的(a)所示，測定主表面上的全部測定點的Z方向的高度。由此，以平坦度圖的形式獲得基板表面形狀數(shù)據(jù)B(參照圖8的(a))。
[0167]此外，在取得上述基板表面形狀數(shù)據(jù)B時，對于基板背面?zhèn)?與作為膜面的主表面相反的面)也在與膜面?zhèn)葘?yīng)的位置設(shè)定測定點，進行同樣的測定，由此能夠預(yù)先求出基板背面形狀數(shù)據(jù)以及各測定點中的基板的厚度(膜面與背面的距離)分布。基板的厚度分布也表記為TTV(Total thickness variat1n:總厚度變化)。該數(shù)據(jù)可在后段中使用。
[0168]關(guān)于測定點的設(shè)定，可根據(jù)基于基板尺寸的測定時間的觀點和校正精度的觀點，來決定相隔距離P。相隔距離P例如可以為2 <P< 20(mm)，更優(yōu)選為5 <P< 15(mm)。
[0169]另外，在進行膜面?zhèn)鹊谋砻嫫教苟葴y定之后，可根據(jù)測定值求出最小二乘平面。以該面的中心作為原點O。
[0170]I1-2獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序
[0171 ]接著，當該基板成為光掩模時，考慮該光掩模保持在曝光裝置內(nèi)的狀態(tài)。設(shè)置于曝光裝置的光掩模以膜面朝向下側(cè)的狀態(tài)被保持。在此狀態(tài)下，基板的膜面(轉(zhuǎn)印面)根據(jù)保持狀態(tài)而受到不同的力，其形狀發(fā)生變化。例如，根據(jù)保持部件的形狀，光掩模所受的力發(fā)生變化。而且，以對抗光掩模的自重并降低光掩模轉(zhuǎn)印面的撓曲為目的，當在光掩模的背面(與膜面?zhèn)认喾吹拿?上設(shè)定預(yù)定的區(qū)域，使該區(qū)域受到真空壓力產(chǎn)生的力的情況下(圖6的(b))，光掩模的受力依據(jù)該區(qū)域或真空壓力的大小而變化。這里，所謂受到真空壓力的情況是指通過使光掩模轉(zhuǎn)印面的背面的空間減壓來在上方吸引光掩模的狀態(tài)。
[0172]可以測定受到這樣的力的狀態(tài)下的基板表面形狀(轉(zhuǎn)印面形狀)。即，在設(shè)置于曝光機的狀態(tài)下的光掩模的膜面上設(shè)置必要數(shù)量的測定點，利用光學(xué)單元等來測定在測定點上的表面形狀，由此能夠獲得例如圖10的(b)所示的圖。
[0173]但是，即使不進行上述轉(zhuǎn)印面形狀的測定，也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。例如，可估算在保持于曝光裝置的狀態(tài)下的光掩模膜面上產(chǎn)生的位移，將該移位反映于基板表面形狀數(shù)據(jù)B，并獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C(參照圖8((b))。也就是說，能夠采用在曝光裝置中保持光掩模時給主平面形狀帶來影響的與保持狀態(tài)相關(guān)的信息(其中包含基于保持部件的保持條件以及對抗自重的真空壓力條件)，通過仿真來求出轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C。
[0174]在此工序中，優(yōu)選應(yīng)用有限元法。因此，作為其準備階段，生成掩模模型(圖3)。
[0175]利用已經(jīng)闡述的膜面?zhèn)扰c背面?zhèn)鹊钠教苟葴y定，來獲得兩個表面的基板表面形狀數(shù)據(jù)。這里，相對于最外周的測定點，在與基板端部側(cè)相距I間距(pitch)的位置還分別追加I個虛擬的測定點，并將該虛擬測定點的Z方向的高度設(shè)定為與最外周的測定點相同的高度。這是為了在以下采用的有限元法中正確地反映基板的尺寸和重量。另外，在膜面?zhèn)扰c背面?zhèn)葘?yīng)的測定點的中間設(shè)定虛擬測定點，并設(shè)定對應(yīng)的兩個測定值的中央值。并且，用直線連結(jié)相鄰的測定點(包含虛擬測定點)(參照圖3的(a)、(b))。
[0176]此外，上述虛擬測定點不僅限于設(shè)置在膜面與背面的測定值中央的情況，即使在厚度方向上以等間隔設(shè)置2個點或3個點也不要緊。
[0177]圖4的(a)?(d)示出從表面和背面兩面以及截面觀察該掩模模型的示意圖。
[0178]接著，在該掩模模型中，設(shè)定在曝光裝置內(nèi)由保持部件保持光掩模的多個保持點。這些多個保持點是當曝光裝置內(nèi)搭載有光掩模時通過保持部件以接觸或者吸附的方式進行保持、約束的點，因為該點依據(jù)曝光裝置的制造商、世代或尺寸而不同，所以基于所使用的曝光裝置來決定。
[0179]在本方式中，作為一例說明以下的情況:在構(gòu)成基板的主表面外周的四邊的近傍，從外周相距預(yù)定距離與四邊平行地配置的四邊形帶狀的保持部件以包圍轉(zhuǎn)印用圖案形成區(qū)域的方式與基板的膜面?zhèn)冉佑|(圖5的(b)的虛線)。
[0180]S卩，在圖6的(a)、(b)所示的模型中，將處于虛線上的測定點作為保持點。在曝光裝置內(nèi)，通過與保持部件接觸而約束保持點來進行移位，因此，由于基板具有的屬性，有時移位影響到整個膜面形狀。
[0181]而且如上所述，由于基板承受自重而產(chǎn)生撓曲，因此賦予用于降低撓曲的向上的力。這個施力是通過使基板向上方(背面?zhèn)?受到真空壓力來進行的(圖6的(a))。受到真空壓力的區(qū)域如圖6的(b)所示可以是包含基板主表面的中心的四邊形區(qū)域。
[0182]在圖5的(a)所示的模型中，設(shè)定強制移位量使得作為保持點的測定點的位置在Z軸上為零。此外，Z軸方向的零位置參照已經(jīng)設(shè)定的最小二乘平面(以及處于其上的原點)。例如，當成為保持點的某測定點的膜面?zhèn)绕教苟鹊闹凳?μπι時，該測定點的強制移位量成為
U r- ”
-5μπι ο
[0183]而且，將從基板的背面?zhèn)雀郊拥恼婵諌毫Φ牧吭O(shè)定為膜面的平坦度最小的量。
[0184]此外，當評價預(yù)定表面的平坦度(flatness，平整性)時，有時在該表面與基準面(大多將與預(yù)定的表面幾乎平行的表面作為基準面)的距離中表現(xiàn)為其最大值與最小值之差。即，平坦度的數(shù)值小的情況意味著在其表面凹凸少且更平坦。
[0185]因此，為了決定應(yīng)用于仿真的真空壓力的量，在使施加給光掩?；宓谋趁娴恼婵諌毫ψ兓瘯r，只要求出膜面的平坦度最小時的真空壓力既可。一般情況下，由于基板自重撓曲導(dǎo)致的移位在基板中心附近為最大，因此認為當膜面(基板主表面)的中心點距基準面的距離與基板外緣距基準面的距離最近時，平坦度是最小。在基板外緣距基準面的距離的測定中，可在外緣上設(shè)定多個測定點，或者可將特定的位置設(shè)定為代表點。另外，膜面平坦度最小時的真空壓力可將基板實際設(shè)置于曝光裝置進行實測，或者可作為使用與上述保持狀態(tài)相關(guān)的信息的仿真的一環(huán)來求出。
[0186]接著，將上述所準備的模型條件輸入到有限元法(FEM)的軟件中，根據(jù)上述強制移位，來估算保持點以外的各測定點進行怎樣的移位。由此，獲得曝光裝置內(nèi)的表示光掩模的膜面形狀的“轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)。
[0187]當應(yīng)用有限元法時，需要各種物性值或條件的參數(shù)。在本方式中，作為例子示出以下的內(nèi)容。
[0188][基板(石英玻璃)物性值條件]
[0189]楊氏模量E:7341kg/mm2
[0190]泊松比V:0.17
[0191]重量密度m:0.0000022kg/mm3
[0192][Mask Model條件]
[0193]各測定點的坐標值(x、y、z)文件:(關(guān)于膜面、背面、中間點的全部測定點)
[0194]連結(jié)測定點的條件文件:六面體
[0195]在本方式中，關(guān)于膜面和背面的對應(yīng)的測定點、其中間點(包含虛擬測定點)，通過使鄰接的點全部彼此連結(jié)，來成為六面體集成的模型(參照圖7)。
[0196][保持條件]
[0197]設(shè)定強制移位量的文件:上述保持點的強制移位量
[0198][真空壓力條件]
[0199]設(shè)定真空壓力的量和受其影響的區(qū)域的文件
[0200]并且，根據(jù)有限元法計算保持點以外的全部測定點的移位量。
[0201]保持在曝光裝置內(nèi)的光掩模經(jīng)由對其動作的力的平衡而靜止。此時，下式成立:
[0202]自重矢量G-應(yīng)力矢量σ-真空壓力矢量=0。
[0203]這里，
[0204]應(yīng)力矢量σ = [k] X移位量矢量u
[0205](其中，[k]是由楊氏模量e和泊松比V構(gòu)成的矩陣)
[0206]自重矢量G=要素體積X重量密度m X重力方向矢量。
[0207]這里，一個一個的要素如圖7所示是各個六面體。
[0208]對于全部要素(基板整體)，當使其重合時，
[0209]Gl-ol-Fl+G2-o2-F2+G3-o3-F3+……=0
[0210]G1-F1+G2-F2+G3-F3+……= σ1+σ2+σ3+……=[kl]ul+[k2]u2+[k3]u3+……
[0211]這里，移位量矢量(ul、u2、u3、……)成為各測定點的移位量，是要求出的數(shù)值。其中，將保持點的移位量矢量如上所述地作為強制移位量進行輸入。
[0212]利用由上述有限元法算出的各測定點的移位量矢量，來獲得在曝光裝置內(nèi)保持的光掩模的膜面形狀的數(shù)據(jù)。即，該數(shù)據(jù)是利用曝光裝置進行圖案轉(zhuǎn)印時的光掩模的膜面形狀的數(shù)據(jù)，是“轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C。
[0213]III獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的工序
[0214]圖11是在本發(fā)明實施方式的光掩模的制造方法中采用的描繪裝置的概念圖。該描繪裝置至少具有工作臺10、描繪單元11，高度測定單元12以及描繪數(shù)據(jù)生成單元(運算單元)15。在工作臺10上固定有光掩模還體13。光掩模還體13在單面形成薄膜14，形成薄膜14的表面向上地配置。描繪單元11照射例如激光等能量光束，在描繪工序中，用于對固定于工作臺10上的帶光致抗蝕膜的光掩模坯體13描繪預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案。例如，通過氣墊等從光掩模坯體13的表面隔著一定的距離配置高度測定單元12。高度測定單元12是其高度隨著光掩模坯體13的表面形狀的高度變化而上下的機構(gòu)，可測定光掩模坯體13主表面的高度(Z方向)。
[0215]此外，作為測定表面高度的方法，除了上述方法之外，還能夠使用以下這樣的方法:采用用于將與高度測定單元12同樣的部件維持在一定位置上的空氣流量進行測定的方法、測定間隙間的靜電容量的方法、基于采用激光的脈沖計數(shù)、光學(xué)性聚焦的方法等，但不限于此。
[0216]在這樣的描繪裝置的工作臺上使主表面(膜面?zhèn)?為上側(cè)而載置光掩模坯體，并測定上述那樣設(shè)定的測定點(相隔距離P)中的膜面的高度。使其圖形化的內(nèi)容是圖8(c)所示的描繪時高度分布數(shù)據(jù)E。
[0217]關(guān)于該高度分布的從理想平面的變形要因，如上所述可認為是下述的4個變形要因累積而成的。
[0218](I)工作臺面的凹凸；
[0219](2)工作臺上由于異物夾入而導(dǎo)致的基板撓曲；
[0220](3)光掩模坯體的膜面的凹凸；以及
[0221](4)由光掩模坯體的背面凹凸引起的膜面的凹凸，
[0222]并且，在此狀態(tài)的光掩模坯體的膜面上進行描繪。
[0223]IV獲得描繪差值數(shù)據(jù)F的工序
[0224]接著，采用所獲得的描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和先前求出的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，來求出描繪差值數(shù)據(jù)F。在本方式中，求出描繪時高度分布數(shù)據(jù)E與轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的差值。該差值為描繪時的光掩模坯體的膜面形狀與曝光時的光掩模的膜面形狀之差。其是描繪差值數(shù)據(jù)F(參照圖8(d))。
[0225]保持在曝光裝置內(nèi)的光掩模的膜面從理想平面變形的要因是下述3個變形要因累積而成的。
[0226](5)光掩模膜面的凹凸(與上述(3)實質(zhì)上相同)；
[0227](6)由于利用光掩模保持部件進行保持而強制性引起的膜面的變形；以及
[0228](7)由于自重引起的撓曲和用于降低該撓曲的真空壓力引起的逆方向的變形
[0229]由此，該兩個膜面形狀的差異是轉(zhuǎn)印產(chǎn)生坐標偏差的原因的要素，所以可以說應(yīng)該適用于“圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A”的校正。該差異即是上述描繪差值數(shù)據(jù)F。
[0230]V獲得描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G的工序
[0231]將上述描繪差值數(shù)據(jù)F轉(zhuǎn)換為XY坐標上的移位(坐標偏差量)。例如，可通過以下的方法進行轉(zhuǎn)換(參照圖9)。
[0232]圖9是描繪裝置的工作臺10上的基板(光掩模坯體)13的截面的放大圖。省略薄膜
14。配置在工作臺10上的基板13的表面20的形狀是如上所述由于多個要因而從理想平面變形而成的形狀。
[0233]在描繪時高度分布數(shù)據(jù)E中，當與高度O的測定點(S卩，高度與基準表面21—致的測定點)鄰接的測定點中的高度是H時，由該高度的差異引起的基板13的表面20與基準表面21構(gòu)成的角的角度Φ由下式表示:
[0234]sin? =H/Pitch......(公式 I)
[0235](Pitch:測定點的相隔距離，即與鄰接的測定點之間的距離P)。
[0236]此外，在上述中，H/Pitch也可以認為是基板表面的高度方向的坡度。
[0237]此外，當Φ的值充分小時，也可以與下式近似:
[0238]?=H/Pitch......(公式I，)。
[0239]在以下的說明中采用(公式I)。
[0240]在上述情況下，由該高度的差異引起的測定點在X軸方向的偏差d可利用下式求出:
[0241]d = sinC> X t/2 = HX (t/2Pitch).....(公式2)
[0242]此外，在上述中，當Φ充分小時，也可以近似為下式:
[0243]d= Φ X t/2 = HX (t/2Pitch).....(公式2，)
[0244]或者，由高度的差異引起的測定點的坐標偏差量也可以通過采用矢量的方法來算出。圖13是利用矢量來表現(xiàn)由高度的差異引起的測定點的坐標偏差的圖。在描繪時高度分布數(shù)據(jù)E中，考慮根據(jù)任意的3處測定點作出的傾斜面。此時，傾斜面與X軸方向的偏差ΔΧ、傾斜面與Y軸方向的偏差△ Y用下式表示:
[0245]Δ X = t/2 X cos0x
[0246]Δ Y = t/2 X cos0y.....(公式3)。
[0247]可根據(jù)任意的3處測定點作出2個傾斜矢量。根據(jù)該2個傾斜矢量的外積計算作出相對于傾斜面的法線矢量。
[0248]進而，根據(jù)法線矢量與X軸單位矢量的內(nèi)積計算來算出cos9x，根據(jù)法線矢量與Y軸單位矢量的內(nèi)積計算算出COS0y。
[0249]可將所算出的COS0X以及cos0y代入(公式3)中，來最終地算出X軸方向的偏差ΔΧ和Y軸方向的偏差A(yù) Y。
[0250]此外，這里，t是基板的厚度。在上述已經(jīng)取得的TTV中包含各測定點的厚度t。此外這里，可不使用TTV的數(shù)值，而采用基板的厚度的平均值。
[0251]因此，在本方式中，關(guān)于基板13上的全測定點，可求出與轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C以及描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的差值相當?shù)母叨?，對于所獲得的描繪差值數(shù)據(jù)F，關(guān)于X方向、Y方向計算坐標偏差量，由此能夠獲得描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G。計算方法當然不僅限于上述內(nèi)容，只要不損害本發(fā)明的效果既可。
[0252]VI進行校正圖案數(shù)據(jù)H的描繪的描繪工序
[0253]采用上述獲得的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和“圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A”，在光掩模坯體上進行校正圖案數(shù)據(jù)H的描繪。
[0254]此時，可根據(jù)描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G來校正圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，求出描繪校正圖案數(shù)據(jù)H(未圖示)，并根據(jù)該描繪校正圖案數(shù)據(jù)H進行描繪。
[0255]當校正圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A時，也可以對按照每個測定點獲得的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G進行加工后再采用。例如，可以在采用最小二乘法按照每個測定點對數(shù)據(jù)插值或者以預(yù)定的規(guī)則進行規(guī)格化之后，將描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G反映在圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A中。
[0256]或者，可根據(jù)描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G來校正上述描繪裝置所具有的坐標系，采用所獲得的校正坐標系和上述“圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A”進行描繪。這是因為，在多個描繪裝置中針對其具有的坐標系進行預(yù)定的校正之后，具有基于該校正坐標系的描繪功能。
[0257]此時采用的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G也可以與上述同樣地進行加工。
[0258]此外，本發(fā)明的描繪方法不限于上述方式。
[0259]在描繪時，可在轉(zhuǎn)印用圖案區(qū)域外，適當?shù)厥┘訕擞泩D案等。如后述那樣，可在此追加坐標測定用的標記圖案而進行描繪。
[0260]例如，曝光裝置具有的保持部件的形狀如上所述存在根據(jù)裝置不同的情況。在不同的機構(gòu)的曝光裝置中，當分別給予上述有限元法的計算時的模型條件、保持條件和真空壓力條件時，可適當進行變更。
[0261]另外，在上述方式中，在保持部件上保持光掩模的保持點被約束于平面上(基板膜面的最小二乘平面)。即，保持部件在單個平面中保持光掩模。但是，當保持點由于保持部件的形狀而未處于單個平面時，在獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序中，在設(shè)定強制移位量時只要反映保持部件的形狀既可。
[0262]另外，只要不妨礙本發(fā)明的作用效果，就可以變更工序的順序。
[0263]在利用上述方式的描繪方法描繪了光掩模坯體中校正后的圖案數(shù)據(jù)之后，經(jīng)由構(gòu)圖的工藝來制造光掩模。
[0264]關(guān)于構(gòu)圖工藝(patterningprocess)
[0265]已進行描繪的光掩模坯體(光掩模中間體)經(jīng)過以下的工序成為光掩模。
[0266]關(guān)于構(gòu)圖的工藝可應(yīng)用公知的方法。即，實施描繪的抗蝕膜經(jīng)由公知的顯影液進行顯影，形成抗蝕圖案?？蓪⒃摽刮g圖案作為刻蝕掩模對薄膜進行刻蝕。
[0267]刻蝕方法可使用公知的方法。既可以應(yīng)用干刻蝕，也可以應(yīng)用濕刻蝕。本發(fā)明作為顯示裝置用的光掩模的制造方法是特別有用的，因此在應(yīng)用濕刻蝕的情況下，能夠顯著地獲得本發(fā)明的效果。
[0268]此外，關(guān)于上述已說明的本發(fā)明的描繪工序，作為該描繪對象的不僅是光掩模坯體(轉(zhuǎn)印用圖案為未描繪的圖案)，還可以是具有多個薄膜并在其一部分上形成有圖案的光掩模中間體。
[0269]對于具備多個薄膜的光掩模坯體，可以在用于各個薄膜的構(gòu)圖的描繪工序中應(yīng)用上述已說明的本發(fā)明的描繪工序。在此情況下，非常有利的點是，能夠制造重合精度良好的高精度的光掩模。
[0270]描繪裝置
[0271]此外，本申請包含關(guān)于可實施上述這樣的描繪方法的描繪裝置的發(fā)明。
[0272]S卩，該描繪裝置是用于針對在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體描繪轉(zhuǎn)印用圖案的描繪裝置。
[0273]描繪裝置具備以下的單元。
[0274]高度測定單元
[0275]高度測定單元在使主表面成為上側(cè)而將上述光掩模坯體載置于工作臺上的狀態(tài)下，可測定上述主表面的高度分布，并獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E。
[0276]輸入單元
[0277]輸入單元可輸入上述轉(zhuǎn)印用圖案的圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A以及表示將上述基板保持在曝光裝置中的狀態(tài)的上述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C。
[0278]運算單元
[0279]運算單元采用上述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和上述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，來運算上述主表面上的多個點處的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G。
[0280]并且，該描繪裝置具有采用上述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和上述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在上述光掩模坯體上進行描繪的描繪單元。
[0281]而且，本方式的描繪裝置除了具備上述高度測定單元，還可以具備以下的單元。
[0282]輸入單元
[0283]輸入單元是可輸入以下內(nèi)容的單元:
[0284]上述轉(zhuǎn)印用圖案的圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A;
[0285]表示上述基板的主表面的形狀的基板表面形狀數(shù)據(jù)B;
[0286]與將上述基板保持在曝光裝置中時的保持狀態(tài)相關(guān)的信息；以及
[0287]包含上述基板原料的物性值的基板屬性信息。
[0288]運算單元
[0289]運算單元可采用上述基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與上述保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及上述基板屬性信息，來運算表示保持在曝光裝置內(nèi)的狀態(tài)下的上述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，并且采用上述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和上述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，來運算上述主表面上的多個點處的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G。
[0290]作為運算單元例如能夠采用個人計算機等公知的運算裝置。
[0291 ]描繪單元
[0292]描繪單元是能夠采用上述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和上述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在上述光掩模坯體上進行描繪的單元。
[0293]此外，描繪裝置優(yōu)選具備控制上述輸入單元、運算單元以及描繪單元的控制單元。
[0294]這里，所謂與保持狀態(tài)相關(guān)的信息，優(yōu)選包含例如關(guān)于保持條件(保持部件的形狀或在曝光裝置內(nèi)保持基板時基板與保持部件接觸的基板保持點的坐標(可根據(jù)坐標的信息來估算保持點的強制移位量))的信息，還包含與真空壓力條件(真空壓力的量和施加該真空壓力的區(qū)域)有關(guān)的信息。
[0295]基板屬性信息例如可以是表示基板的楊氏模量、泊松比以及重量密度的信息。
[0296]通過采用這樣的描繪裝置，能夠?qū)嵤┥鲜鲆颜f明的光掩模制造方法所需的描繪工序。
[0297]<實施方式2(檢查)>
[0298]如以上所說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，可獲得能夠使在被加工體上形成的圖案的坐標精度成為極高的坐標精度的光掩模。
[0299]但是，每當在出廠前檢查這樣的光掩模時，優(yōu)選進行考慮了載置于檢查裝置的狀態(tài)下的光掩模與保持于曝光裝置的狀態(tài)下的光掩模之間的差異的檢查。
[0300]因此，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了新檢查方法的必要性。
[0301]VII獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L的工序
[0302]將進行圖案形成的光掩模以膜面(圖案形成面)為上側(cè)的方式載置于坐標檢查裝置的工作臺上，進行轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定。將這里獲得的數(shù)據(jù)作為圖案坐標數(shù)據(jù)L。
[0303]這里，坐標測定優(yōu)選通過預(yù)先測定與轉(zhuǎn)印用圖案同時形成在光掩模的主表面上的標記圖案的坐標來進行。該標記圖案優(yōu)選設(shè)置在主表面上，即，轉(zhuǎn)印用圖案的區(qū)域外的多個位置上。
[0304]VIII獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序
[0305]另一方面，獲得表示由在曝光裝置中保持該光掩模引起的上述主表面的變形量的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C。這與上述的I1-1?I1-2的工序相同。
[0306]在應(yīng)用上述描繪方法制造的本發(fā)明的光掩模的情況下，可使用已經(jīng)獲得的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C。
[0307]IX獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I的工序
[0308]在檢查裝置的工作臺上使膜面(圖案形成面)為上側(cè)而載置上述光掩模的狀態(tài)下，測定上述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I。
[0309]該工序中的高度測定與在上述III的“獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的工序”中進行的高度測定相同。另外，在此工序中，優(yōu)選在與上述III的工序中的高度測定相同的測定點處，測定高度。
[0310]X獲得檢查差值數(shù)據(jù)J的工序
[0311]通過求出檢查時高度分布數(shù)據(jù)I與轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的差值，來獲得檢查差值數(shù)據(jù)J(參照圖10的(a)?(d))。
[0312]XI獲得檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K的工序
[0313]估算與檢查差值數(shù)據(jù)J對應(yīng)的上述主表面上的多個點處的坐標偏差量，求出檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K(參照圖10(d)?(e))。這里，將高度的差值換算為坐標偏差量的工序可與上述V的工序同樣地進行。
[0314]并且，在進行轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序中，采用所獲得的檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和上述圖案坐標數(shù)據(jù)L，進行上述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查。
[0315]具體地說，可采用(比較)使檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K反映于圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A而獲得的校正設(shè)計數(shù)據(jù)M與圖案坐標數(shù)據(jù)L，來進行轉(zhuǎn)印用圖案的檢查。
[0316]或者，也可以采用(比較)使檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K反映于上述圖案坐標數(shù)據(jù)L而獲得的校正坐標數(shù)據(jù)N和上述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，來進行上述轉(zhuǎn)印用圖案(7)檢查。
[0317]針對由本發(fā)明的制造方法制造出的光掩模，優(yōu)選利用本發(fā)明的檢查方法進行檢查。
[0318]此外，對光掩模的用途沒有限制，對其結(jié)構(gòu)也沒有限制。
[0319]顯然的是，在所謂的二元掩模(binarymask)、多色調(diào)掩模、相移掩模等具有任意的膜結(jié)構(gòu)的光掩模中，也能夠獲得本發(fā)明的作用效果。
[0320]檢查裝置
[0321 ]此外，本發(fā)明包含與可實施上述這樣的檢查方法的檢查裝置相關(guān)的發(fā)明。
[0322]S卩，一種光掩模的檢查裝置，對在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模進行檢查，該檢查裝置具備:
[0323]坐標測定單元，其進行在上述主表面上形成的上述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，并獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L;
[0324]高度測定單元，其在使上述主表面成為上側(cè)而將上述光掩模載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定上述主表面的高度分布，并獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I;
[0325]輸入單元，其輸入表示在曝光裝置中保持上述基板的狀態(tài)下的上述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C;
[0326]運算單元，其采用上述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和上述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，來運算上述主表面上的多個點處的檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K;以及
[0327]檢查單元，其采用上述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，來檢查上述光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案。
[0328]本發(fā)明還包含以下的檢查裝置。
[0329]—種光掩模檢查裝置，對在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模進行檢查，該檢查裝置具備:
[0330]坐標測定單元，其進行在上述主表面上形成的上述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，并獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L;
[0331]高度測定單元，其在使上述主表面成為上側(cè)而將上述光掩模載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定上述主表面的高度分布，并獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I;
[0332]輸入單元，其輸入表示上述基板的主表面的形狀的基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與在曝光裝置中保持上述基板時的保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及包含上述基板原料的物性值的基板屬性信息；
[0333]運算單元，其采用上述基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與上述保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及上述基板屬性信息，來運算表示保持在曝光裝置內(nèi)的狀態(tài)下的上述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，并且采用上述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和上述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，來運算上述主表面上的多個點處的檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K;以及
[0334]檢查單元，其采用上述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和上述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，來檢查上述光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案。
[0335]所謂與上述基板保持在曝光裝置時的保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及包含上述基板原料的物性值的基板屬性信息如上所述。
[0336]所謂運算表示保持在曝光裝置內(nèi)的狀態(tài)下的上述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C是指，用于進行與上述I1-1?I1-2的工序同樣的工序的運算。
[0337]在采用上述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和上述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A來檢查上述光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案時，進行上述XI的工序所需的比較(如果需要則進行比較的運算)。
[0338]顯示裝置的制造方法
[0339]本發(fā)明在包含通過對在主表面上形成轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模進行曝光來對具有被加工層的器件基板進行圖案轉(zhuǎn)印的情況的顯示裝置的制造方法中，包含使用基于本發(fā)明制造方法的光掩模的顯示裝置的制造方法。
[0340]S卩，作為顯示裝置的制造方法應(yīng)用了圖案轉(zhuǎn)印方法，該圖案轉(zhuǎn)印方法采用基于本發(fā)明制造方法的光掩模且采用在制造該光掩模時針對保持在曝光裝置內(nèi)的狀態(tài)來決定條件的該曝光裝置，進行曝光。通過圖案轉(zhuǎn)印而轉(zhuǎn)印到被加工體上的圖案通過實施刻蝕等加工而成為顯示裝置。
[0341]這里，作為曝光裝置具有的光學(xué)性能，例如在成為以下這樣的裝置時，本發(fā)明的效果是顯著的。
[0342]用作LCD用(或者FH)用/液晶用)使用的等倍曝光的曝光裝置，其結(jié)構(gòu)是，光學(xué)系統(tǒng)的開口數(shù)(NA)為0.08?0.15(尤其是0.08?0.10)、
[0343]相干因數(shù)(σ)為0.5?0.9，
[0344]曝光波長以i線、h線、g線的任意一個為代表波長的曝光的光，特別是優(yōu)選包含全部i線、h線、g線的寬波長光源。
[0345]當在曝光裝置中設(shè)置光掩模時，優(yōu)選應(yīng)用在上述有限元法中已應(yīng)用的真空壓力。
[0346]所謂被加工層是指，在轉(zhuǎn)印了光掩模具有的轉(zhuǎn)印用圖案之后經(jīng)過刻蝕等工藝而成為期望的電子器件的構(gòu)成物的各個層。例如，在形成用于驅(qū)動液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置的TFT(薄膜晶體管)電路的情況下，例示了像素層、源極/漏極層等。
[0347]所謂器件基板是指具有如下電路的基板，該電路是要獲得的電子器件的構(gòu)成物，例如液晶面板基板、有機EL面板基板等。
[0348]此外，本發(fā)明在包含采用上述曝光裝置和在各個主表面上形成轉(zhuǎn)印用圖案的多個光掩模對形成于器件基板上的多個被加工層依次進行圖案轉(zhuǎn)印的情況的顯示裝置的制造方法中，還包含采用由本發(fā)明的制造方法制造出的光掩模的情況。
[0349]關(guān)于應(yīng)用本發(fā)明制造出的顯示裝置，構(gòu)成該顯示裝置的各個層的重合(疊加)精度極尚。因此，顯不裝置制造的合格率尚，制造效率尚。
[0350][實施例]
[0351]采用圖12所示的示意圖來說明基于本發(fā)明的光掩模的制造方法(描繪工序)的發(fā)明效果。
[0352]這里，示出以下這樣的結(jié)果，在具有特定的基板表面形狀(基板表面形狀數(shù)據(jù)B)的基板(光掩模坯體)上描繪轉(zhuǎn)印用圖案的情況下，利用仿真來求出在設(shè)置于曝光裝置內(nèi)時的轉(zhuǎn)印用圖案的坐標精度是多少(結(jié)果為，形成于被轉(zhuǎn)印體上的圖案的坐標精度是多少)。
[0353]首先，在上述光掩模坯體處采用描繪裝置來描繪特定的測試圖案。這里采用的測試用光掩模還體在具有850mm X 1200mm尺寸的石英基板的主表面上形成遮光膜和正片型的光致抗蝕膜。
[0354]作為此處采用的圖案設(shè)計數(shù)據(jù)，設(shè)為包含在X、Y方向上以75mm為間隔配置于主表面的幾乎整個面的十字圖案的測試圖案。另外，通過使該光致抗蝕劑顯影并對遮光膜進行濕刻蝕，來獲得具有遮光膜圖案的測試用光掩模。將其設(shè)置于坐標檢查裝置上進行坐標測定的結(jié)果是圖12的(a)。
[0355]此外這里，關(guān)于由描繪裝置的工作臺平整性和坐標檢查裝置的工作臺平整性引起的坐標偏差要因，通過預(yù)先測定兩個裝置的工作臺平整性，從圖12的(a)的數(shù)據(jù)中去除。
[0356]接著，針對將該測試用光掩模設(shè)置于曝光裝置(等倍投影曝光方式)的狀態(tài)下的坐標偏差進行仿真。這里，采用曝光機的掩模保持部件的形狀信息、真空壓力條件以及基板屬性信息，運用有限元法來估算在上述的測試圖案中產(chǎn)生的坐標偏差，獲得了圖12的(b)的數(shù)據(jù)(比較例)。
[0357]另一方面，在針對上述光掩模坯體描繪同樣的測試圖案時，對描繪機的坐標系統(tǒng)實施校正而描繪圖案設(shè)計數(shù)據(jù)。在坐標系的校正時，利用上述I1-1?V的工序，求出描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)來進行校正。圖12(c)示出將此結(jié)果獲得的測試用光掩模設(shè)置于坐標檢查裝置并進行坐標測定而得的結(jié)果。
[0358]接著，關(guān)于將此結(jié)果獲得的測試用光掩模設(shè)置于曝光裝置的狀態(tài)下的坐標偏差，與上述同樣地進行仿真。圖12(d)(實施例)示出仿真的結(jié)果。
[0359]由圖12(d)可知，在被轉(zhuǎn)印體上獲得與圖12的(b)相比更接近于圖案設(shè)計數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)印像。在利用本發(fā)明的方法制造出的光掩模中，坐標精度高，且能夠?qū)⒆鴺苏`差值抑制為小于0.15μπι。即，能夠成為已大致去除了由描繪裝置的能力引起的坐標偏差以外的誤差成分的精度。
【主權(quán)項】
1.一種光掩模的制造方法，該方法包括準備在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體，并利用描繪裝置描繪預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案，在該光掩模的制造方法中，具有以下的工序: 根據(jù)所述預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案的設(shè)計來準備圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A的工序； 獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，該轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C表示所述光掩模保持在曝光裝置時的所述主表面的形狀；獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的工序，該描繪時高度分布數(shù)據(jù)E表示在所述描繪裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)來載置所述光掩模坯體的狀態(tài)下的所述主表面的高度分布；采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得描繪差值數(shù)據(jù)F的工序; 在所述主表面上的多個點處估算與所述描繪差值數(shù)據(jù)F對應(yīng)的坐標偏差量而求出描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G的工序；以及 采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在所述光掩模坯體上進行描繪的描繪工序。2.—種光掩模的制造方法，該方法包括準備在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體，并利用描繪裝置來描繪預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案的情況，在該光掩模的制造方法中，具有以下的工序: 根據(jù)所述預(yù)定的轉(zhuǎn)印用圖案的設(shè)計來準備圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A的工序； 準備通過測定所述主表面的表面形狀而獲得的基板表面形狀數(shù)據(jù)B的工序； 獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，將所述光掩模保持在曝光裝置內(nèi)時根據(jù)保持部件的形狀而在所述表面形狀中產(chǎn)生的移位反映到所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B中而獲得所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C; 獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E的工序，在所述描繪裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)來載置所述光掩模坯體的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布而獲得所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E; 采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得描繪差值數(shù)據(jù)F的工序; 估算所述主表面上的多個點處的與所述描繪差值數(shù)據(jù)F對應(yīng)的坐標偏差量而求出描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G的工序；以及 采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在所述光掩模坯體上進行描繪的描繪工序。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在獲得所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序中，采用有限元法。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在所述描繪工序中，根據(jù)所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G，采用通過校正所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A而獲得的校正圖案數(shù)據(jù)H進行描繪。5.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在所述描繪工序中，根據(jù)所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G來校正所述描繪裝置所具有的坐標系，并采用所獲得的校正坐標系和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A進行描繪。6.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 當所述光掩模保持在曝光裝置內(nèi)時，由保持部件保持的多個保持點配置在平面上。7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在以主表面成為鉛直的方式保持所述光掩模坯體或用于成為所述光掩模坯體的基板的狀態(tài)下，測定所述主表面上的多個測定點的位置，由此來求出所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B。8.—種描繪裝置，用于對在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體描繪轉(zhuǎn)印用圖案，該描繪裝置具有: 高度測定單元，其在使所述主表面為上側(cè)而將所述光掩模坯體載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E; 輸入單元，其輸入所述轉(zhuǎn)印用圖案的圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A以及轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，該轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C表示所述基板保持在曝光裝置中的狀態(tài)下所述基板的主表面形狀； 運算單元，其采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，運算所述主表面上的多個點處的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G;以及 描繪單元，其采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A在所述光掩模坯體上進行描繪。9.一種描繪裝置，用于對在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體描繪轉(zhuǎn)印用圖案，該描繪裝置具有: 高度測定單元，其在使所述主表面為上側(cè)而將所述光掩模坯體載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得描繪時高度分布數(shù)據(jù)E; 輸入單元，其輸入所述轉(zhuǎn)印用圖案的圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A、表示所述基板的主表面的形狀的基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與所述基板保持在曝光裝置中時的保持狀態(tài)相關(guān)的信息、以及包含所述基板的原料的物性值的基板物性信息； 運算單元，其采用所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與所述保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及所述基板物性信息，來運算表示在曝光裝置內(nèi)保持的狀態(tài)下的所述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，并且采用所述描繪時高度分布數(shù)據(jù)E和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，來運算所述主表面上的多個點處的描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G;以及 描繪單元，其采用所述描繪用坐標偏差量數(shù)據(jù)G和所述圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，在所述光掩模坯體上進行描繪。10.—種光掩模的檢查方法，采用檢查裝置來檢查在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查方法具有以下的工序: 獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L的工序，在所述檢查裝置的工作臺上載置所述光掩模的狀態(tài)下，進行所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L; 獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，該轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C表示所述光掩模保持在曝光裝置中時的所述主表面的形狀； 獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I的工序，在所述檢查裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)而載置所述光掩模的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I; 采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得檢查差值數(shù)據(jù)J的工序; 估算所述主表面上的多個點處的與所述檢查差值數(shù)據(jù)J對應(yīng)的坐標偏差量來求出檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K的工序；以及 采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和所述圖案坐標數(shù)據(jù)L來進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序。11.一種光掩模的檢查方法，采用檢查裝置來檢查在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查方法具有以下的工序: 獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L的工序，在所述檢查裝置的工作臺上載置所述光掩模的狀態(tài)下，進行所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L; 準備通過測定所述主表面的表面形狀而獲得的基板表面形狀數(shù)據(jù)B的工序； 獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序，將所述光掩模保持在曝光裝置內(nèi)時根據(jù)保持部件的形狀而在所述表面形狀中產(chǎn)生的移位反映到所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B中而獲得轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C;獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I的工序，在所述檢查裝置的工作臺上使所述主表面成為上側(cè)來載置所述光掩模的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I;采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C來獲得檢查差值數(shù)據(jù)J的工序; 估算所述主表面上的多個點處的與所述檢查差值數(shù)據(jù)J對應(yīng)的坐標偏差量來求出檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K的工序；以及 采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和所述圖案坐標數(shù)據(jù)L來進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光掩模的檢查方法，其特征在于， 在獲得所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C的工序中，采用有限元法。13.根據(jù)權(quán)利要求1O?12中任意一項所述的光掩模的檢查方法，其特征在于， 在進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序中，使所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K反映于圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，采用所獲得的校正設(shè)計數(shù)據(jù)M和所述圖案坐標數(shù)據(jù)L進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查。14.根據(jù)權(quán)利要求1O?12中任意一項所述的光掩模的檢查方法，其特征在于， 在進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查的工序中，使所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K反映于所述圖案坐標數(shù)據(jù)L，采用所獲得的校正坐標數(shù)據(jù)N和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A進行所述轉(zhuǎn)印用圖案的檢查。15.—種光掩模的制造方法，其特征在于，包含以下的工序: 準備在主表面上形成有薄膜和光致抗蝕膜的光掩模坯體的工序； 對所述薄膜進行構(gòu)圖的工序；以及 基于權(quán)利要求10?12中任意一項所述的光掩模的檢查方法的檢查工序。16.—種顯示裝置的制造方法，包含: 準備在主表面上形成有轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模的工序，該光掩模是利用權(quán)利要求1?3中任意一項所述的光掩模的制造方法制造出的光掩模;以及 通過對所述光掩模進行曝光來對具有被加工層的器件基板進行圖案轉(zhuǎn)印的工序。17.—種顯示裝置的制造方法，包括采用在各自的主表面上形成有轉(zhuǎn)印用圖案的多個光掩模和曝光裝置對在器件基板上形成的多個被加工層依次進行圖案轉(zhuǎn)印，該顯示裝置的制造方法的特征在于， 使用由權(quán)利要求1?3中任意一項所述的光掩模的制造方法制造出的光掩模作為所述多個光掩模。18.—種光掩模的檢查裝置，檢查在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查裝置具有: 坐標測定單元，其進行在所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L; 高度測定單元，其在使所述主表面成為上側(cè)而將所述光掩模載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I; 輸入單元，其輸入表示所述基板保持在曝光裝置中的狀態(tài)下的所述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C; 運算單元，其采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，運算所述主表面上的多個點處的檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K;以及 檢查單元，其采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，檢查所述光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案。19.一種光掩模的檢查裝置，檢查在基板的主表面上具有對薄膜進行構(gòu)圖而成的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，該光掩模的檢查裝置具有: 坐標測定單元，其進行在所述主表面上形成的所述轉(zhuǎn)印用圖案的坐標測定，獲得圖案坐標數(shù)據(jù)L; 高度測定單元，其在使所述主表面成為上側(cè)而將所述光掩模載置于工作臺上的狀態(tài)下，測定所述主表面的高度分布，獲得檢查時高度分布數(shù)據(jù)I; 輸入單元，其輸入表示所述基板的主表面的形狀的基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與所述基板保持在曝光裝置中時的保持狀態(tài)相關(guān)的信息、以及包含所述基板的原料的物性值的基板物性信息； 運算單元，其采用所述基板表面形狀數(shù)據(jù)B、與所述保持狀態(tài)相關(guān)的信息以及所述基板物性信息，運算表示保持在曝光裝置內(nèi)的狀態(tài)下的所述基板的主表面形狀的轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，并且采用所述檢查時高度分布數(shù)據(jù)I和所述轉(zhuǎn)印面形狀數(shù)據(jù)C，運算所述主表面上的多個點處的檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K;以及 檢查單元，其采用所述檢查用坐標偏差量數(shù)據(jù)K和圖案設(shè)計數(shù)據(jù)A，檢查所述光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案。
【文檔編號】G03F1/84GK105892227SQ201610083100
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年2月6日
【發(fā)明人】劍持大介
【申請人】Hoya株式會社