的大氣壓力變化或壓力變化在容器框架264與晶圓30或最后光學(xué)組件262B之間產(chǎn)生力。例如，均壓器276可以使得室263內(nèi)部和/或間隙246中的壓力近似等于室263外部的壓力。例如，每個均壓器276可以是延伸通過容器框架264的通道。在一種實(shí)施方案中，管子277(僅一個被示出)連接到每個均壓器276的通道以輸送任何流體蒸汽離開測量系統(tǒng)22(圖1中說明)。在備選實(shí)施方案中，均壓器276允許小于大約0.01，
0.05，0.1，0.5 或 1.0PSI 的壓差。
[0071 ]圖2B也說明幾個噴射器/清除墊258。圖2D更詳細(xì)地說明一個噴射器/清除墊258。在該實(shí)施方案中，噴射器/清除墊258的每個包括與噴射器/清除源260流體連通的墊出口278A和墊入口 278B。在適當(dāng)?shù)臅r間，噴射器/清除源260提供沉浸流體248到墊出口 278A，其釋放到室263中，并且通過墊入口 278B從室263吸入沉浸流體248。
[0072]圖2B和2D也說明室263中的沉浸流體248位于晶圓30之上。因?yàn)榫A30在光學(xué)組件16下面移動，它將與晶圓30—起將晶圓30頂部、器件表面279附近的沉浸流體248拖入間隙246 中。
[0073]在一種實(shí)施方案中，參考圖2B和2D，器件載物臺42包括與晶圓30的頂部、器件暴露表面279具有沿著Z軸近似相同高度的載物臺表面280。換句話說，在一種實(shí)施方案中，載物臺表面280與器件暴露表面279處于近似相同的平面中。在備選實(shí)施方案中，例如，近似相同的平面將意味著平面處于大約I，10，100或500微米內(nèi)。作為其結(jié)果，容器框架264的底部270B與晶圓30之間的距離近似等于容器框架264的底部270B與器件載物臺42之間的距離。在一種實(shí)施方案中，例如，器件載物臺42可以包括接收晶圓30的圓盤形凹槽282。器件載物臺42的備選設(shè)計在下面討論。
[0074]圖2D說明框架間隙284存在于容器框架264的底部270B與晶圓30和/或器件載物臺42之間，以使得器件載物臺42和晶圓30相對于容器框架264的移動容易?？蚣荛g隙284的大小可以改變。例如，框架間隙284可以是大約5μπι?3mm。在備選實(shí)例中，框架間隙284可以是大約 5，10，50，100，150，200，250，300，400或 500微米。
[0075]在某些實(shí)施方案中，底部270B與晶圓30和/或器件載物臺42中至少一個之間的距離短于光學(xué)組件16的端面(例如最后光學(xué)組件262B或光學(xué)外殼262A的底部)與晶圓30和/或器件載物臺42中至少一個之間的距離。
[0076]另外，晶圓間隙285可以存在于晶圓30的邊緣與晶圓載物臺42之間。在一種實(shí)施方案中，晶圓間隙285盡可能窄，以使得當(dāng)晶圓30偏離于光學(xué)組件16中心并且部分地位于流體容器框架264區(qū)域內(nèi)部且部分地位于其外部時泄漏達(dá)到最小。例如，在備選實(shí)施方案中，晶圓間隙285可以是大約I，10，50，100，500或1000微米。
[0077]圖2D也說明沉浸流體248的一些在容器框架264與晶圓30和/或器件載物臺42之間流動。在一種實(shí)施方案中，容器框架264包括位于容器框架264的底部270B處或附近的一個或多個清除入口 286。該一個或多個清除入口 286與噴射器/清除源260(圖2B中說明)流體連通。使用該設(shè)計，在框架間隙284中漏出的沉浸流體248可以由噴射器/清除源260清除。在圖2D中說明的實(shí)施方案中，容器框架264的底部270B包括基本上環(huán)形凹槽形狀并且基本上與光學(xué)組件16同心的一個清除入口 286。作為選擇，例如，容器框架264的底部270B可以包括基本上與光學(xué)組件16同心的多個彼此分隔的環(huán)形凹槽形狀的清除入口 286，以抑制沉浸流體248完全離開框架間隙284。仍然作為選擇，在圓形中定向的多個分隔的孔徑可以使用，代替環(huán)形凹槽。
[0078]在一種實(shí)施方案中，噴射器/清除源260在清除入口286上施加真空和/或部分真空。部分真空吸出(i)底部270B上的小陸地部分288與(ii)晶圓30和/或器件載物臺42之間的沉浸流體248?？蚣荛g隙284中的沉浸流體248用作流體軸承289A(示出為箭頭)，其將容器框架264支撐在晶圓30和/或器件載物臺42上面，允許容器框架264以最小摩擦力在晶圓30和/或器件載物臺42上漂浮，并且允許相對小的框架間隙284。使用該實(shí)施方案，大部分沉浸流體248限制在流體屏障254內(nèi)并且外圍附近的大部分泄漏在窄的框架間隙284內(nèi)清除。
[0079]另外，環(huán)境系統(tǒng)26可以包括在容器框架264與晶圓30和/或器件載物臺42之間產(chǎn)生另外的流體軸承289B(示出為箭頭)的設(shè)備。例如，容器框架264可以包括與軸承流體290C的軸承流體源290B流體連通的一個或多個軸承出口 290A(示出為三角形)。在一種實(shí)施方案中，軸承流體290C是空氣。在該實(shí)施方案中，軸承流體源290B提供壓縮空氣290C到軸承出口290A，以產(chǎn)生空氣靜力軸承289B。流體軸承289A，289B可以支撐容器框架264的全部或部分重量。在備選實(shí)施方案中，流體軸承289A，289B的一個或全部兩個支撐容器框架264重量的大約百分之I，5，10，20，30，40，50，60，70，80，90或100。在一種實(shí)施方案中，同心的流體軸承289A，289B用來維持框架間隙284。
[0080]依賴于設(shè)計，軸承流體290C可以具有與沉浸流體248相同的成分或不同的成分。但是，軸承流體290C的一些可能從流體屏障254中漏出。在一種實(shí)施方案中，軸承流體290C的類型可以選擇，使得軸承流體290C及其蒸汽不干擾測量系統(tǒng)22或者曝光裝置10的溫度穩(wěn)定性。
[0081 ]在另一種實(shí)施方案中，清除入口 286中的部分真空牽引并促進(jìn)容器框架264朝向晶圓30。在該實(shí)施方案中，流體軸承289B支撐容器框架264的重量的一部分，以及對抗由清除入口 286中的部分真空施加的預(yù)加載荷。
[0082]另外，壓縮空氣290C幫助包含沉浸流體248于容器框架264內(nèi)。如上面提供的，框架間隙284中的沉浸流體248大部分通過清除入口 286抽出。在該實(shí)施方案中，漏出清除入口286之外的任何沉浸流體248由軸承流體290C推回到清除入口 286。
[0083]框架間隙284可以快速地從內(nèi)側(cè)270C變到外側(cè)270D，以優(yōu)化軸承和清除功能。
[0084]在圖2D中，軸承出口 290A基本上是環(huán)形凹槽形狀，基本上與光學(xué)組件16和清除入口 286同心，并且具有大于清除入口 286直徑的直徑。作為選擇，例如，容器框架264的底部270B可以包括基本上與光學(xué)組件16同心的多個彼此分隔的環(huán)形凹槽形狀的軸承出口 290A。仍然作為選擇，在圓形中定向的多個分隔的孔徑可以使用，代替環(huán)形凹槽。作為選擇，例如，磁性軸承可以用來支撐容器框架264。
[0085]如圖2B和2D中說明的，晶圓30在光學(xué)組件16下居中。在該位置中，流體軸承289A，289B將容器框架264支撐在晶圓30上面。圖2E是器件載物臺42和晶圓30相對于光學(xué)組件16移動的圖2A的曝光裝置10的部分的說明。在該位置中，晶圓30和器件載物臺42不再于光學(xué)組件16下居中，并且流體軸承289A，289A(圖2D中說明)將容器框架264支撐在晶圓30和器件載物臺42上面。
[0086]圖3是噴射器/清除源260的第一實(shí)施方案。在該實(shí)施方案中，噴射器/清除源260包括(i)低壓源392A，例如栗，具有處于與清除入口 286(圖2D中說明)和墊入口 278B(圖2B和2D中說明)流體連通的真空或部分真空的入口，以及提供加壓沉浸流體248的栗出口，(ii)與栗出口流體連通、過濾沉浸流體248的過濾器392B ,(iii)與過濾器392B流體連通、從沉浸流體248中去除任何空氣、污染物、或氣體的通風(fēng)裝置392C，( iV)與通風(fēng)裝置392C流體連通、控制沉浸流體248溫度的溫度控制392D，( v)與溫度控制392D流體連通、保持沉浸流體248的儲液器392E，以及(vi)具有與儲液器392E流體連通的入口以及與墊出口278A(圖2B和2D中說明)流體連通的出口的流量控制器392F，流量控制器392F控制到墊出口 278A的壓力和流量。這些組件的操作可以由控制系統(tǒng)24(圖1中說明)控制，以控制到墊出口 278A的沉浸流體248的流速，墊出口 278A處沉浸流體248的溫度、墊出口 278A處沉浸流體248的壓力，和/或清除入口 286和墊入口 278B處的壓力。
[0087]另外，噴射器/清除源260可以包括(i)測量墊出口278A、清除入口 286和墊入口278B附近壓力的一對壓力傳感器392G，(ii)測量到墊出口 278A的流量的流量傳感器392H，和/或(iii)測量輸送到墊出口 278A的沉浸流體248溫度的溫度傳感器3921。來自這些傳感器392G-392I的信息可以傳送到控制系統(tǒng)24，使得控制系統(tǒng)24可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)噴射器/清除源260的其他組件，以實(shí)現(xiàn)沉浸流體248的期望溫度、流量和/或壓力。
[0088]應(yīng)當(dāng)注意，噴射器/清除源260的組件的方向可以改變。此外，一個或多個組件可能不是必需的和/或一些組件可以加倍。例如，噴射器/清除源260可以包括多個栗、多個儲液器、溫度控制器或其他組件。而且，環(huán)境系統(tǒng)26可以包括多個噴射器/清除源26。
[0089]沉浸流體248栗入和栗出室263(圖2B中說明)的速率可以調(diào)節(jié)以適合系統(tǒng)的設(shè)計需求。此外，沉浸流體248從墊入口 278B和清除入口 286清除的速率可以改變。在一種實(shí)施方案中，沉浸流體248以第一速率從墊入口278B清除并且以第二速率從清除入口286清除。作為實(shí)例，第一速率可以是大約0.1_5升/分鐘而第二速率可以是大約0.01-0.5升/分鐘。但是，其他第一和第二速率可以使用。
[0090]應(yīng)當(dāng)注意，沉浸流體248栗入和栗出室263的速率可以調(diào)節(jié)以(i)控制流體屏障下面的沉浸流體248的泄漏，(ii)控制當(dāng)晶圓30偏離光學(xué)組件16中心時沉浸流體248從晶圓間隙285的泄漏，和/或(i i i)控制間隙246中沉浸流體248的溫度和純度。例如，如果晶圓30偏離中心，速率可以增加，沉浸流體248的溫度變得過高和/或在間隙246中的沉浸流體248中存在不可接受的污染物百分比。
[0091]沉浸流體248的類型可以改變以適合裝置10的設(shè)計需求。在一種實(shí)施方案中，沉浸流體248是水。作為選擇，例如，沉浸流體248可以是碳氟化合物流體，F(xiàn)ombl in油，烴油，或另一種類型的油。一般地說，流體應(yīng)當(dāng)滿足某些條件:I)它必須相對透明以曝光輻射;2)它的折射率必須與最后光學(xué)組件262B的折射率相當(dāng)；3)它應(yīng)當(dāng)不與它接觸的曝光系統(tǒng)10的組件化學(xué)反應(yīng);4)它必須是均勻的；以及5)它的粘度應(yīng)當(dāng)足夠低以避免顯著量值的振動從載物臺系統(tǒng)傳送到最后光學(xué)組件262B。
[0092]圖4A是流體屏障454A的另一種實(shí)施方案的一部分、晶圓30的一部分，以及器件載物臺42的一部分的放大視圖。在該實(shí)施方案中，流體屏障454A有點(diǎn)類似于上述和在圖2D中說明的相應(yīng)組件。但是，在該實(shí)施方案中，容器框架464A包括位于容器框架464A底部470B的兩個同心清除入口486A。兩個清除入口486A與噴射器/