種陣列基板的剖面示意圖；
[0053]圖8是本發(fā)明又一實(shí)施例中一種陣列基板的剖面示意圖；
[0054]圖9是圖8所示的陣列基板的局部剖面圖；
[0055]圖10是本發(fā)明一實(shí)施例中一種陣列基板的制作方法的步驟流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0056]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0057]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例中一種陣列基板的俯視局部結(jié)構(gòu)不意圖，圖2是圖1所不的陣列基板的A-A’剖面示意圖。參見圖2，該陣列基板包括:圖1未示出的襯底LS、陣列電路結(jié)構(gòu)EA和圖1示出了設(shè)置區(qū)域的遮光層BM。其中，如圖1和圖2所示，陣列電路結(jié)構(gòu)EA位于襯底LS的一側(cè)，并在該陣列基板的顯示區(qū)100內(nèi)預(yù)設(shè)的若干個(gè)像素開口區(qū)域101內(nèi)透明。在除了若干個(gè)像素開口區(qū)域101之外的顯示區(qū)100內(nèi)，遮光層BM覆蓋陣列電路結(jié)構(gòu)EA0
[0058]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列電路結(jié)構(gòu)指的是形成在陣列基板上的，出于顯示需要而至少部分的表面區(qū)域需要被遮光的結(jié)構(gòu)，可以包括在顯示區(qū)內(nèi)呈陣列狀排列的像素電路及其彼此間的連接線(比如薄膜晶體管和金屬連接線)，還可以包括設(shè)置在顯示區(qū)內(nèi)用以保持導(dǎo)體之間彼此電性絕緣的絕緣層?？梢岳斫獾氖?，上述若干個(gè)像素開口區(qū)域101內(nèi)的陣列電路結(jié)構(gòu)應(yīng)具有滿足顯示要求的透光度，因此該陣列電路結(jié)構(gòu)在任一像素開口區(qū)域101內(nèi)包括的材料以及材料界面均應(yīng)滿足相應(yīng)的透光度要求。
[0059]具體來說，像素開口區(qū)域101之外的顯示區(qū)100可以包括薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，TFT)電路、掃描線、數(shù)據(jù)線等等。如此，遮光層BM可以覆蓋在這些結(jié)構(gòu)之上。而由于遮光層BM是絕緣的，因此不會(huì)對(duì)陣列電路結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性造成影響。
[0060]可以理解的是，本發(fā)明實(shí)施例通過將遮光層設(shè)置于陣列基板中的陣列電路結(jié)構(gòu)上，使得彩膜基板與陣列基板對(duì)位偏差不會(huì)對(duì)遮光層的遮光區(qū)域產(chǎn)生影響，因而不會(huì)產(chǎn)生像素開口邊緣漏光的不良，也不需要加大遮光層的尺寸來消除漏光，從而也避免了由此而導(dǎo)致的像素開口率的下降。因此，本發(fā)明實(shí)施例可以解決現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板與陣列基板對(duì)位偏差會(huì)導(dǎo)致漏光不良的產(chǎn)生或者像素開口率下降的問題。
[0061]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)來說，本發(fā)明實(shí)施例可以擴(kuò)大彩膜基板與陣列基板對(duì)位偏差的容許范圍，因而有利于提升良率、降低生產(chǎn)成本。而且相比于現(xiàn)有技術(shù)中遮光層設(shè)置在彩膜基板上的方式，遮光層距離需要被遮光的結(jié)構(gòu)更近，因而本發(fā)明實(shí)施例可以提升總體的光線透過率。另外，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列電路結(jié)構(gòu)被遮光層直接遮蓋，因而本發(fā)明實(shí)施例還可以改善陣列電路結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管的光生漏電流現(xiàn)象。
[0062]作為一種示例，圖3是圖1所示的陣列基板的B-B’剖面示意圖。參見圖3，陣列電路結(jié)構(gòu)在像素開口區(qū)域101內(nèi)設(shè)有由第一絕緣層LI間隔開的條狀電極E2與板狀電極E1?？梢钥闯?，若將上述條狀電極E2和上述板狀電極El分別作為陣列基板的像素電極和公共電極中的一個(gè)，貝1J該陣列基板即可用于實(shí)現(xiàn)ADS (Advanced super Dimens1n Switch，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換)顯示模式，從而提高液晶工作效率并增大透光效率。
[0063]本實(shí)施例中，如圖3所示，上述陣列電路結(jié)構(gòu)EA包括依次形成的晶體管器件層TL、第一透明導(dǎo)電層、第一絕緣層LI和第二透明導(dǎo)電層。其中，該第一透明導(dǎo)電層為包括上述板狀電極El的圖形的透明導(dǎo)電材料形成的層狀結(jié)構(gòu)；該第二透明導(dǎo)電層為包括所述條狀電極E2的圖形的透明導(dǎo)電材料形成的層狀結(jié)構(gòu)。其中，晶體管器件層TL為主要包括由晶體管所組成的電路結(jié)構(gòu)的層狀結(jié)構(gòu)?？梢岳斫獾氖?，晶體管器件層TL可以通過晶體管電路為每一像素開口區(qū)域101所對(duì)應(yīng)的像素電極寫入數(shù)據(jù)電壓，以形成LCD式的發(fā)光顯示。
[0064]舉例來說，上述陣列基板中的晶體管器件層TL可以具體包括依次形成的第一導(dǎo)電層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層。其中，第一導(dǎo)電層包括多條掃描線的圖形；第二導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線的圖形；任一所述像素開口區(qū)域內(nèi)的板狀電極經(jīng)過一個(gè)第一晶體管的源電極與漏電極與一條所述數(shù)據(jù)線相連，該第一晶體管的柵電極與一條所述掃描線相連。作為一種示例，圖4所示的本發(fā)明一實(shí)施例中一種陣列基板的俯視局部結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖4，第一導(dǎo)電層包括多條掃描線的圖形，如圖4中的Gl、G2、G3、G4所示的四條掃描線。第二導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線的圖形，如圖4中的Dl、D2、D3、D4、D5所示的五條數(shù)據(jù)線。在任一上述像素開口區(qū)域101內(nèi)的板狀電極El (作為像素電極)經(jīng)過一個(gè)第一晶體管TO的源電極和漏電極(如圖4中第一晶體TO管的左右兩端所示)與一條數(shù)據(jù)線連接，而該第一晶體管TO的柵極(如圖4中第一晶體TO管的下端所示)則與一條掃描線連接。
[0065]進(jìn)一步地，圖5是本發(fā)明一實(shí)施例中一種陣列基板在圖4所示的C-C’位置處的剖面示意圖。如圖5所示，上述第一導(dǎo)電層除了包括上述多條掃描線的圖形之外，還包括第一晶體管TO的柵電極Eg的圖形；上述半導(dǎo)體層包括所述第一晶體管TO的有源區(qū)La的圖形；上述第二導(dǎo)電層除了包括上述多條數(shù)據(jù)線的圖形之外，還包括所述第一晶體管TO的源電極Es和漏電極Ed的圖形。另外，設(shè)置在第一導(dǎo)體層與半導(dǎo)體層之間，以及第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間的第二絕緣層L2可以作為第一晶體管TO的柵絕緣層。可以看出的是，有源區(qū)La分別在不同位置處與源電極Es和漏電極Ed接觸，以在源電極Es與漏電極Ed之間形成第一晶體管TO的溝道。而且，該溝道在陣列基板俯視平面上的設(shè)置區(qū)域包含在柵電極Eg的設(shè)置區(qū)域之內(nèi)，從而上述結(jié)構(gòu)可以用以形成底柵式的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。
[0066]更具體地，如圖5所示，該陣列基板在厚度方向上依次包括:襯底Ls ;形成于襯底上的柵電極Eg ;形成并覆蓋在柵電極Eg上的第二絕緣層L2 (柵絕緣層);形成在第二絕緣層L2上并與柵電極Eg所在區(qū)域?qū)?yīng)的有源區(qū)La ;分別與有源區(qū)La在不同位置處接觸的源電極Es和漏電極Ed ;與漏電極Ed相連的板狀電極El ;形成在有源層La、源電極Es、漏電極Ed和板狀電極El上的第一絕緣層LI ;在每一像素開口區(qū)域101之外，形成于第一絕緣層LI上的遮光層BM ;以及形成于第一絕緣層LI上并位于每一像素開口區(qū)域101之內(nèi)的條狀電極E2。
[0067]可以看出，除了上文已經(jīng)述及的效果之外，圖5所示的陣列基板內(nèi)，像素開口區(qū)域101中的板狀電極El可以作為像素電極直接與第二導(dǎo)電層中的源電極Es或漏電極Ed連接，從而避免了像素電極與源電極或漏電極之間的過孔的制作，可以進(jìn)一步提升制作良率和像素開口率。其中需要說明的是，本文所描述的實(shí)施例中的晶體管均可以為薄膜晶體管或者其他類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而在采用的晶體管具有源極與漏極對(duì)稱的結(jié)構(gòu)時(shí)，其源電極和漏電極可以視為不作特別區(qū)分的兩個(gè)電極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型晶體管和P型晶體管，而N型晶體管和P型晶體管在源電極和漏電極的連接方式上有所不同。例如，在上述第一晶體管TO為N型晶體管時(shí)，與數(shù)據(jù)線相連的一電極為漏電極，與板狀電極El相連的一極為源極。
[0068]進(jìn)一步地，在圖5所示結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，圖6是本發(fā)明又一實(shí)施例中一種陣列基板的剖面示意圖。參見圖6，除了圖5中已經(jīng)示出的結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板還包括在除了上述若干個(gè)像素開口區(qū)域101之外的顯示區(qū)100內(nèi)覆蓋遮光層BM的第三透明導(dǎo)電層E3。需要說明的是，第三透明導(dǎo)電層E3與第二透明導(dǎo)電層可采用相同的材料形成，且第三透明導(dǎo)電層E3與第二透明導(dǎo)電層可在制備過程中同時(shí)形成，能夠節(jié)省制造工藝的步驟。基于該第三透明導(dǎo)電層E