陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]然而，現(xiàn)有的液晶顯示面板制程中存在著諸多不穩(wěn)定因素。例如，現(xiàn)有工藝中陣列基板與彩膜基板的對(duì)合偏差有時(shí)會(huì)在數(shù)值上超出最大允許值。其主要原因在于，彩膜基板與陣列基板的熱膨脹系數(shù)不同，而使得基板之間的對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作很難精準(zhǔn)的匹配。該問題會(huì)使得遮光層不能覆蓋所有應(yīng)當(dāng)遮光的區(qū)域而產(chǎn)生像素開口邊緣漏光等不良，而生產(chǎn)成本亦會(huì)隨之提尚。
[0004]為解決該問題，現(xiàn)有技術(shù)通常會(huì)將遮光層的尺寸加大，以減少因?qū)ξ黄钤斐傻穆┕狻５?，該方式?huì)造成液晶顯示器的像素開口率(Aperture Rat1)下降。由此，為達(dá)到要求的畫面顯示亮度，需要增加背光源的亮度。但這樣會(huì)增加產(chǎn)品的電力消耗，不利于實(shí)現(xiàn)液晶顯示裝置的高亮度、低功耗的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板與陣列基板對(duì)位偏差會(huì)導(dǎo)致漏光不良的產(chǎn)生或者像素開口率下降的問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括襯底、陣列電路結(jié)構(gòu)和遮光層；
[0007]所述陣列電路結(jié)構(gòu)位于所述襯底的一側(cè)，并在所述陣列基板的顯示區(qū)內(nèi)預(yù)設(shè)的若干個(gè)像素開口區(qū)域內(nèi)透明；
[0008]在除了若干個(gè)所述像素開口區(qū)域之外的顯示區(qū)內(nèi)，所述遮光層覆蓋所述陣列電路結(jié)構(gòu)。
[0009]可選地，所述陣列電路結(jié)構(gòu)在所述像素開口區(qū)域內(nèi)設(shè)有由第一絕緣層間隔開的條狀電極與板狀電極。
[0010]可選地，所述陣列電路結(jié)構(gòu)包括依次形成的晶體管器件層、第一透明導(dǎo)電層、所述第一絕緣層和第二透明導(dǎo)電層；
[0011 ] 所述第一透明導(dǎo)電層包括所述板狀電極的圖形；所述第二透明導(dǎo)電層包括所述條狀電極的圖形。
[0012]可選地，所述晶體管器件層包括依次形成的第一導(dǎo)電層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層；其中，
[0013]所述第一導(dǎo)電層包括多條掃描線的圖形；所述第二導(dǎo)電層包括多條數(shù)據(jù)線的圖形；任一所述像素開口區(qū)域內(nèi)的板狀電極經(jīng)過一個(gè)第一晶體管的源電極和漏電極與一條所述數(shù)據(jù)線相連，該第一晶體管的柵電極與一條所述掃描線相連；
[0014]所述第一導(dǎo)電層還包括所述第一晶體管的柵電極的圖形；所述半導(dǎo)體層包括所述第一晶體管的有源區(qū)的圖形；所述第二導(dǎo)電層還包括所述第一晶體管的源電極和漏電極的圖形。
[0015]可選地，所述陣列基板還包括在除了若干個(gè)所述像素開口區(qū)域之外的顯示區(qū)內(nèi)覆蓋所述遮光層的第三透明導(dǎo)電層。
[0016]可選地，所述襯底與所述陣列電路結(jié)構(gòu)之間還設(shè)有彩色濾光層；
[0017]所述彩色濾光層在每一所述像素開口區(qū)域內(nèi)具有多種預(yù)定顏色中的一種。
[0018]可選地，所述彩色濾光層與所述陣列電路結(jié)構(gòu)之間還設(shè)有平坦化層。
[0019]第二方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0020]在襯底的一側(cè)形成陣列電路結(jié)構(gòu)；所述陣列電路結(jié)構(gòu)在顯示區(qū)內(nèi)預(yù)設(shè)的若干個(gè)像素開口區(qū)域內(nèi)透明；
[0021]在除了若干個(gè)所述像素開口區(qū)域之外的顯示區(qū)內(nèi)，形成覆蓋所述陣列電路結(jié)構(gòu)的遮光區(qū)。
[0022]可選地，所述陣列電路結(jié)構(gòu)在所述像素開口區(qū)域內(nèi)設(shè)有由第一絕緣層間隔開的條狀電極與板狀電極。
[0023]可選地，所述在襯底的一側(cè)形成陣列電路結(jié)構(gòu)，包括:
[0024]在所述襯底的第一側(cè)形成晶體管器件層；
[0025]在所述晶體管器件層上形成第一透明導(dǎo)電層；所述第一透明導(dǎo)電層包括所述板狀電極的圖形；
[0026]在所述晶體管器件層和所述第一透明導(dǎo)電層上形成第一絕緣層；
[0027]在所述第一絕緣層上形成第二透明導(dǎo)電層；所述第二透明導(dǎo)電層包括所述條狀電極的圖形。
[0028]可選地，所述在所述襯底的第一側(cè)形成晶體管器件層，包括:
[0029]在所述襯底的第一側(cè)形成第一導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層包括多條掃描線的圖形，以及第一晶體管的柵電極的圖形；
[0030]形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層的第二絕緣層；
[0031]在所述第二絕緣層上形成半導(dǎo)體層；所述半導(dǎo)體層包括所述第一晶體管的有源區(qū)的圖形；
[0032]在所述第二絕緣層和所述半導(dǎo)體層上形成第二導(dǎo)電層；所述第二導(dǎo)電層包括所述第一晶體管的源電極和漏電極的圖形，以及多條數(shù)據(jù)線的圖形；
[0033]其中，任一所述像素開口區(qū)域內(nèi)的板狀電極經(jīng)過一個(gè)所述第一晶體管的源電極與漏電極與一條所述數(shù)據(jù)線相連，該第一晶體管的柵電極與一條所述掃描線相連。
[0034]可選地，在除了若干個(gè)所述像素開口區(qū)域之外的顯示區(qū)內(nèi)，形成覆蓋所述陣列電路結(jié)構(gòu)的遮光區(qū)之后，還包括:
[0035]在除了若干個(gè)所述像素開口區(qū)域之外的顯示區(qū)內(nèi)，形成覆蓋所述遮光層的第三透明導(dǎo)電層。
[0036]可選地，所述在襯底的第一側(cè)形成陣列電路結(jié)構(gòu)之前，還包括:
[0037]在所述襯底的第一側(cè)形成彩色濾光層；
[0038]其中，所述彩色濾光層在每一所述像素開口區(qū)域內(nèi)具有多種預(yù)定顏色中的一種。
[0039]可選地，所述在襯底的第一側(cè)形成彩色濾光層之后，還包括:
[0040]在所述襯底的第一側(cè)形成平坦化層。
[0041]第三方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括上述任意一種陣列基板。
[0042]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明通過將遮光層設(shè)置于陣列基板中的陣列電路結(jié)構(gòu)上，使得彩膜基板與陣列基板對(duì)位偏差不會(huì)對(duì)遮光層的遮光區(qū)域產(chǎn)生影響，因而不會(huì)產(chǎn)生像素開口邊緣漏光的不良，也不需要加大遮光層的尺寸來消除漏光，從而也避免了由此而導(dǎo)致的像素開口率的下降。因此，本發(fā)明可以解決現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板與陣列基板對(duì)位偏差會(huì)導(dǎo)致漏光不良的產(chǎn)生或者像素開口率下降的問題。
[0043]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)來說，本發(fā)明可以擴(kuò)大彩膜基板與陣列基板對(duì)位偏差的容許范圍，因而有利于提升良率、降低生產(chǎn)成本。而且相比于現(xiàn)有技術(shù)中遮光層設(shè)置在彩膜基板上的方式，遮光層距離需要被遮光的結(jié)構(gòu)更近，因而本發(fā)明可以提升總體的光線透過率。另夕卜，本發(fā)明中的陣列電路結(jié)構(gòu)被遮光層直接遮蓋，因而本發(fā)明還可以改善陣列電路結(jié)構(gòu)中薄膜晶體管的光生漏電流現(xiàn)象。
[0044]當(dāng)然，實(shí)施本發(fā)明的任一產(chǎn)品或方法并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0045]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些圖獲得其他的附圖。
[0046]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例中一種陣列基板的俯視局部結(jié)構(gòu)不意圖；
[0047]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例中圖1所示的陣列基板的A-A’剖面示意圖；
[0048]圖3是本發(fā)明一實(shí)施例中圖1所示的陣列基板的B-B’剖面示意圖；
[0049]圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例中一種陣列基板的俯視局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖5是本發(fā)明一實(shí)施例中一種陣列基板在圖4所示的C-C’位置處的剖面示意圖；
[0051]圖6是本發(fā)明又一實(shí)施例中一種陣列基板的剖面不意圖；
[0052]圖7是本發(fā)明又一實(shí)施例中一