陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，涉及一種陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。
[0003] 平面轉(zhuǎn)換（In-Plane Switching，簡稱IPS)技術(shù)及邊緣場開關(guān)（Fringe Field Switching，簡稱FFS)技術(shù)中，第一像素電極和第二像素電極均設(shè)置在陣列基板上，從而能 夠以水平方向的電場驅(qū)動液晶，因此具有寬視角，高亮度，高對比度，快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 現(xiàn)有的IPS型、FFS型液晶顯示器的陣列基板，需要依次利用掩膜版構(gòu)圖工藝形成 柵極金屬層、有源層、源漏極金屬層、第一透明電極層、過孔圖案、第二透明電極層，共需要 進(jìn)行六次掩膜版構(gòu)圖工藝，因此存在制造過程過于復(fù)雜的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有的陣列基板的制 造過程過于復(fù)雜的技術(shù)問題。
[0006] 本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括：
[0007] 在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素電極；
[0008] 覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層；
[0009] 在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體圖形、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極，其中， 所述氧化物半導(dǎo)體圖形包括薄膜晶體管的有源層和第二像素電極圖形；
[0010] 覆蓋一層鈍化層；
[0011] 對所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形；
[0012] 對所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處理，形成第二像 素電極。
[0013] 進(jìn)一步的是，對所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體處 理，具體為：
[0014] 利用SF6、N2、Ar或He，對所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形進(jìn)行等離 子體處理。
[0015] 優(yōu)選的是，在襯底基板上形成掃描線、公共電極線、薄膜晶體管的柵極和第一像素 電極，具體為：
[0016] 在襯底基板上依次形成透明電極層和第一金屬層；
[0017] 在所述第一金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版、灰色調(diào)掩模版或單狹縫 掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；
[0018] 對所述第一金屬層和所述透明電極層進(jìn)行蝕刻，形成掃描線、公共電極線和薄膜 晶體管的柵極；
[0019] 對光刻膠進(jìn)行灰化；
[0020] 對所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，形成第一像素電極；
[0021] 剝離剩余的光刻膠。
[0022] 優(yōu)選的是，在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體圖形、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的 源極，具體為：
[0023] 在柵極絕緣層上依次形成氧化物半導(dǎo)體層和第二金屬層；
[0024] 在所述第二金屬層上覆蓋光刻膠，并利用半色調(diào)掩膜版、灰色調(diào)掩模版或單狹縫 掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；
[0025] 對所述第二金屬層和所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的 源極；
[0026] 對光刻膠進(jìn)行灰化；
[0027] 對所述第二金屬層進(jìn)行蝕刻，形成氧化物半導(dǎo)體圖形；
[0028] 剝離剩余的光刻膠。
[0029] 優(yōu)選的是，對所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電 極圖形，具體為：
[0030] 在所述鈍化層上覆蓋光刻膠，并利用掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；
[0031] 對所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖形中的第二像素電極圖形；
[0032] 剝離剩余的光刻膠。
[0033] 進(jìn)一步的是，對所述鈍化層進(jìn)行蝕刻，具體為：
[0034] 利用六氟化硫，對所述鈍化層進(jìn)行蝕刻。
[0035] 本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括形成于襯底基板上的多個(gè)子像素單元，每個(gè)所 述子像素單元中包括薄膜晶體管和第二像素電極；
[0036] 所述薄膜晶體管的有源層和所述第二像素電極位于同一圖層；
[0037] 所述有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體，所述第二像素電極的材料為經(jīng)等離子體處理 的氧化物半導(dǎo)體。
[0038] 進(jìn)一步的是，所述薄膜晶體管的柵極形成于所述襯底基板上，所述有源層位于所 述柵極上方，且所述有源層與所述柵極之間形成有柵極絕緣層；
[0039] 所述薄膜晶體管的源極形成于所述有源層上。
[0040] 進(jìn)一步的是，該陣列基板還包括公共電極線、掃描線和數(shù)據(jù)線；
[0041] 所述公共電極線和所述掃描線均與所述柵極位于同一圖層；
[0042] 所述數(shù)據(jù)線與所述源極位于同一圖層。
[0043] 進(jìn)一步的是，該陣列基板還包括形成于所述襯底基板上的第一像素電極。
[0044] 本發(fā)明帶來了以下有益效果：本發(fā)明提供的陣列基板中，有源層和第二像素電極 位于同一圖層，并且第二像素電極的材料是經(jīng)等離子體處理的氧化物半導(dǎo)體，而有源層的 材料是氧化物半導(dǎo)體。在陣列基板的制造過程中，可以在同一次掩膜版構(gòu)圖工藝中形成包 括有源層和第二像素電極圖形的氧化物半導(dǎo)體圖形。再對該第二像素電極圖形進(jìn)行等離子 體處理，以提高氧化物半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，使其電導(dǎo)率達(dá)到像素電極的要求，即可形成第二像 素電極。因此，本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠減少掩膜版構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而解決了現(xiàn)有的 陣列基板的制造過程過于復(fù)雜的技術(shù)問題，并且能夠提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0045] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變 得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利 要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0046] 為了更清楚的說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要的 附圖做簡單的介紹：
[0047] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的示意圖；
[0048] 圖2a是發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中形成透明電極層和第一金屬層 的不意圖；
[0049] 圖2b是發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中形成掃描線、公共電極線、柵極 和第一像素電極的示意圖；
[0050] 圖2c是發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中形成柵極絕緣層的示意圖；
[0051] 圖2d是發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中形成氧化物半導(dǎo)體層和第二金 屬層的不意圖；
[0052] 圖2e是發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中形成氧化物半導(dǎo)體圖形、數(shù)據(jù) 線和源極的示意圖；
[0053] 圖2f是發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中形成鈍化層的示意圖；
[0054] 圖2g是發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過程中形成鈍化層和第二像素電極的 圖形的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0055] 以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用 技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明 的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合， 所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0056] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，可應(yīng)用于IPS型或FFS型液晶顯示器中。該陣 列基板包括形成于襯底基板上的多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元中包括薄膜晶體管、第 一像素電極和第二像素電極。該陣列基板還包括與每行子像素單元對應(yīng)的公共電極線和掃 描線，以及與每列子像素單元對應(yīng)的數(shù)據(jù)線。
[0057] 如圖1所示，第一像素電極101直接形成于襯底基板100上，是由透明電極層經(jīng)過 蝕刻形成的。
[0058] 公共電極線102、掃描線（圖中未示出）和薄膜晶體管的柵極103位于同一圖層， 都是由第一金屬層經(jīng)過蝕刻形成的，而第一金屬層形成于透明電極層上。也可以認(rèn)為，公共 電極線102、掃描線和柵極103是由透明電極層和第一金屬層的雙層結(jié)構(gòu)經(jīng)過蝕刻形成的， 并且也是形成于襯底基板100上的。
[0059] 薄膜晶體管的有源層105位于柵極103上方，且有源層105與柵極103之間形成有 柵極絕緣層104。此外，第一像素電極101、公共電極線102、掃描線也都被柵極絕緣層104 所覆蓋。
[0060] 本實(shí)施例中，有源層105和第二像素電極106位于同一圖層。其中，有源層105的 材料為氧化物半導(dǎo)體，第二像素電極106的材料為經(jīng)等離子體處理的氧化物半導(dǎo)體。
[0061] 薄膜晶體管的源極107形成于有源層105上，數(shù)據(jù)線（圖中未示出）與源極107位 于同一圖層，均是由第二金屬層經(jīng)過蝕刻形成的。此外，數(shù)據(jù)線、源極107和有源層105上 還覆蓋有鈍化層108。
[0062] 本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，有源層105和第二像素電極106位于同一圖層， 并且第二像素電極106的材料是經(jīng)等離子體處理的氧化物半導(dǎo)體，而有源層105的材料是 氧化物半導(dǎo)體。在陣列基板的制造過程中，可以在同一次掩膜版構(gòu)圖工藝中形成包括有源 層105和第二像素電極圖形的氧化物半導(dǎo)體圖形。再對該第二像素電極圖形進(jìn)行等離子體 處理，以提高氧化物半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，使其電導(dǎo)率達(dá)到像素電極的要求，即可形成第二像素 電極106。因此，在陣列基板的制造過程中，能夠減少掩膜版構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而解決了現(xiàn) 有的陣列基板的制造過程過于復(fù)雜的技術(shù)問題，并且能夠提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0063] 另外，本實(shí)施例中，有源層105和第二像素電極106直接連接，所以有源層105中 與第二像素電極106直接相連，使數(shù)據(jù)線的信號直接寫入第二像素電極106上，因此不需要 使用金屬材料形成漏極。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板還提高了子像素單元的開口 率。
[0064] 本發(fā)明實(shí)施例還相應(yīng)的提供了上述陣列基板的制造方法，包括以下步驟：
[0065] Sl :在襯底基板上形成第一像素電極、掃描線、公共電極線和薄膜晶體管的柵極。
[0066] 掃描線、公共電極線、柵極和第一像素電極在一次掩膜版構(gòu)圖工藝中形成，具體 為：
[0067] Sll :如圖2a所示，在襯底基板100上依次形成透明電極層110和第一金屬層120。
[0068] 透明電極層110可采用氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZO)、氧化鋁鋅（AZO)等材料， 厚度可以在100至10001之