一種亞像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種亞像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對顯示裝置的要求也越來越高。為了能夠使顯示裝置實現(xiàn)更高的顯示質(zhì)量，高頻驅(qū)動顯示裝置也層出不窮。因此，對于ADS (Advanced SuperDimens1n Switch，高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))型高頻驅(qū)動顯示裝置，如何降低存儲電容成為制造顯示裝置的重要問題。
[0003]為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)提供了一種能夠降低存儲電容的電極亞像素結(jié)構(gòu)，其中該亞像素結(jié)構(gòu)的俯視圖如圖1所示，包括第一電極11和第二電極21，第一電極11與第二電極21之間設(shè)置有絕緣層。第一電極11包括至少一組相互平行且間隔排布的第一電極條，第二電極21包括至少一組相互平行且間隔排布的第二電極條。第一電極條與第二電極條間的夾角大于O度且小于等于90度。
[0004]對于現(xiàn)有技術(shù)，由于工藝條件的限制，如果想進一步降低存儲電容，只能增大電極條之間的間距，然而增加電極條之間的間距會影響顯示面板的透過率，且使用上述亞像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的驅(qū)動電壓也會增大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種亞像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板及顯示裝置，能夠在保證顯示面板的驅(qū)動電壓和透過率的同時，降低顯示裝置的存儲電容。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實施例提供一種亞像素結(jié)構(gòu)，所述亞像素結(jié)構(gòu)包括:第一電極，位于所述第一電極之上的第二電極，所述第一電極和所述第二電極相互絕緣，所述第二電極包括多個間隔排布且連接的電極條，所述第一電極對應(yīng)所述第二電極的區(qū)域包括至少一個過孔。
[0008]可選的，所述第一電極為面狀電極，所述第一電極對應(yīng)所述第二電極的每一個電極條的區(qū)域包括至少兩個過孔。
[0009]可選的，所述第一電極對應(yīng)所述第二電極的每一個電極條的區(qū)域包括均勻分布的所述至少兩個過孔。
[0010]可選的，所述電極條的寬度在2微米到7微米的范圍內(nèi)，相鄰的所述電極條之間的間隙的寬度在2微米到14微米的范圍內(nèi)，所述過孔的寬度大于或者等于所述電極條的寬度。
[0011]可選的，所述亞像素結(jié)構(gòu)還包括:
[0012]所述多個間隔排布且連接的電極條中的至少一個電極條對應(yīng)所述第一電極的區(qū)域包括至少一個過孔。
[0013]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括具有上述任一特征的亞像素結(jié)構(gòu)。
[0014]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括具有上述任一特征的陣列基板。
[0015]本發(fā)明實施例提供一種亞像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
[0016]在襯底基板上形成第一導(dǎo)電層，并對所述第一導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到具有至少一個過孔的第一電極；
[0017]在所述第一電極上形成絕緣層；
[0018]在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電層，并對所述第二導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到第二電極，所述第二電極包括多個間隔排布且連接的電極條；
[0019]其中，所述至少一個過孔位于第一電極與所述第二電極對應(yīng)的區(qū)域。
[0020]可選的，所述在襯底基板上形成第一導(dǎo)電層，并對所述第一導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到具有至少一個過孔的第一電極，包括:
[0021]在所述襯底基板上形成所述第一導(dǎo)電層，并對所述第一導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到具有多個過孔的所述第一電極，其中，所述第一電極為面狀電極，所述第一電極對應(yīng)所述第二電極的每一個電極條的區(qū)域包括至少兩個過孔。
[0022]可選的，所述在所述襯底基板上形成所述第一導(dǎo)電層，并對所述第一導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到具有多個過孔的所述第一電極，包括:
[0023]在所述襯底基板上形成所述第一導(dǎo)電層，并對所述第一導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到具有多個均勾分布的過孔的所述第一電極，其中，所述第一電極對應(yīng)所述第二電極的每一個電極條的區(qū)域包括均勻分布的所述至少兩個過孔。
[0024]可選的，所述電極條的寬度在2微米到7微米的范圍內(nèi)，相鄰的所述電極條之間的間隙的寬度在2微米到14微米的范圍內(nèi)，所述過孔的寬度大于或者等于所述電極條的寬度。
[0025]可選的，所述在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電層，并對所述第二導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到第二電極，包括:
[0026]在所述絕緣層上形成所述第二導(dǎo)電層，并對所述第二導(dǎo)電層進行構(gòu)圖得到具有至少一個過孔的第二電極，其中，所述至少一個過孔位于所述多個間隔排布且連接的電極條中的至少一個電極條對應(yīng)所述第一電極的區(qū)域。
[0027]本發(fā)明實施例提供了一種亞像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板及顯示裝置，亞像素結(jié)構(gòu)包括:第一電極，位于第一電極之上的第二電極，第一電極和第二電極相互絕緣，第二電極包括多個間隔排布且連接的電極條，第一電極對應(yīng)第二電極的區(qū)域包括至少一個過孔?；谏鲜鰧嵤├拿枋觯捎诘谝浑姌O對應(yīng)第二電極的區(qū)域包括至少一個過孔，即像素電極對應(yīng)公共電極的區(qū)域包括至少一個過孔，或者公共電極對應(yīng)像素電極的區(qū)域包括至少一個過孔，減小了公共電極與像素電極的交疊面積，保證了在顯示面板的驅(qū)動電壓和透過率不變的同時，降低了顯示裝置的存儲電容。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中能夠降低存儲電容的電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實施例所提供的亞像素結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實施例所提供的亞像素結(jié)構(gòu)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實施例所提供的亞像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電壓-透過率仿真關(guān)系圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實施例所提供的亞像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電壓-存儲電容仿真關(guān)系圖；
[0034]圖6為本發(fā)明實施例所提供的一種亞像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖；
[0035]圖7為本發(fā)明實施例所提供的另一種亞像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖；
[0036]圖8為本發(fā)明實施例所提供的在襯底基板上形成公共電極層，對公共電極層進行構(gòu)圖，形成具有至少一個過孔的公共電極后的亞像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2、圖3和圖8中的標記:1-亞像素結(jié)構(gòu)；10-公共電極；11_像素電極；12_過孔。
【具體實施方式】
[0038]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0039]本發(fā)明實施例提供的亞像素結(jié)構(gòu)包括“第一電極”和“第二電極”，且“第二電極”位于“第一電極”之上，在實際的生產(chǎn)應(yīng)用中，“第一電極”可以是像素電極，“第二電極”可以是公共電極，即公共電極位于像素電極之上；“第一電極”也可以是公共電極，“第二電極”也可以是像素電極，即像素電極位于公共電極之上，本發(fā)明不做限制。本發(fā)明是以“第一電極”是公共電極，“第二電極”是像素電極，像素電極位于公共電極之上進行說明的。同理，“第一電極”是像素電極，“第二電極”是公共電極，即公共電極位于像素電極之上也同樣在本申請的保護范圍內(nèi)，本發(fā)明實施例不再贅述。
[0040]需要說明的是:本發(fā)明實施例中所描述的“上” “下”只是參考附圖對本發(fā)明進行說明，不作為限定用語。
[0041]本發(fā)明實施例提供一種亞像素結(jié)構(gòu)，亞像素結(jié)構(gòu)包括:第一電極，位于第一電極之上的第二電極，第一電極和第二電極相互絕緣，第二電極包括多個間隔排布且連接的電極條，第一電極對應(yīng)第二電極的區(qū)域包括至少一個過孔。
[0042]示例性的，本發(fā)明實施例提供一種亞像素結(jié)構(gòu)1，其俯視圖如圖2所示，包括:公共電極10，位于公共電極10之上的像素電極11，公共電極10和像素電極11相互絕緣，其中，像素電極1